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2、備(ATE的總體認(rèn)識(shí)模擬、數(shù)字和存儲(chǔ)器測(cè)試等系統(tǒng)的介紹負(fù)載板(Loadboards)、探測(cè)機(jī)(Probers)、機(jī)械手(Handlers ) 和溫度控制單元(Temperature units )一、晶圓、晶片和封裝1947年,第一只晶體管的誕生標(biāo)志著半導(dǎo)體工業(yè)的開始,從那時(shí)起,半導(dǎo)體生 產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來(lái)越重要。以前許多單個(gè)的晶體管現(xiàn)在可以互聯(lián)加工成一種復(fù)雜的集成 的電路形式,這就是半導(dǎo)體工業(yè)目前正在制造的稱之為"超大規(guī)模"(VLSI, Very Large ScaleIntegration )的集成電路,通常包含上百萬(wàn)甚至上千萬(wàn)門晶體管。半導(dǎo)體電路最初是以晶圓形式制造
3、出來(lái)的。晶圓是一個(gè)圓形的硅片,在這個(gè)半 導(dǎo)體的基礎(chǔ)之上,建立了許多獨(dú)立的單個(gè)的電路;一片晶圓上這種單個(gè)的電路被稱為 die (我前面翻譯成“晶片",不一定準(zhǔn)確,大家還是稱之為die好了),它的復(fù)數(shù)形式是 dice.每個(gè)die都是一個(gè)完整的電路,和其他的dice沒(méi)有電路上的聯(lián)系。當(dāng)制造過(guò)程完成,每個(gè) die都必須經(jīng)過(guò)測(cè)試。測(cè)試一片晶圓稱為"Circuitprobing"(即我們常說(shuō)的 CP測(cè)試)、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在這個(gè)過(guò)程中,每 個(gè)die都被測(cè)試以確保它能基本滿足器件的特征或設(shè)計(jì)規(guī)格書(
4、 Specification ),通常包 括電壓、電流、時(shí)序和功能的驗(yàn)證。如果某個(gè)die不符合規(guī)格書,那么它會(huì)被測(cè)試過(guò)程判為失效(fail ),通常會(huì)用墨點(diǎn)將其標(biāo)示出來(lái)(當(dāng)然現(xiàn)在也可以通過(guò)Maping圖來(lái)區(qū)分)。在所有的die都被探測(cè)(Probed)之后,晶圓被切割成獨(dú)立的dice ,這就是常說(shuō)的晶圓鋸解,所有被標(biāo)示為失效的 die都報(bào)廢(扔掉)。圖2顯示的是一個(gè)從晶圓上鋸 解下來(lái)沒(méi)有被標(biāo)黑點(diǎn)的die ,它即將被封裝成我們通??吹降男酒问健Wⅲ罕緲?biāo)題系列連載內(nèi)容及圖片均出自The Fundamentals Of Digital SemiconductorTesting 第一章 . 認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體
5、和測(cè)試設(shè)備(2)在一個(gè) Die 封裝之后,需要經(jīng)過(guò)生產(chǎn)流程中的再次測(cè)試。這次測(cè)試稱為“ Finaltest " (即我們常說(shuō)的FT測(cè)試)或“ Package test ”。在電路的特性要求界限方面,F(xiàn)T測(cè)試通常執(zhí)行比CP測(cè)試更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。芯片也許會(huì)在多組溫度條件下進(jìn)行多次測(cè)試以確保那些對(duì)溫度敏感的特征參數(shù)。商業(yè)用途(民品)芯片通常會(huì)經(jīng)過(guò)0、25和75條件下的測(cè)試,而軍事用途(軍品)芯片則需要經(jīng)過(guò)-55 、25和125。芯片可以封裝成不同的封裝形式,圖4 顯示了其中的一些樣例。一些常用的封裝形式如下表:DIP:Dual Inline Package (dual indicates t
6、he package has pins on two sides)雙列直插式CerDIP: Ceramic Dual Inline Package 陶瓷PDIP:Plastic Dual Inline Package 塑料PGA:Pin Grid Array 管腳陣列BGA:Ball Grid Array 球柵陣列SOP:Small Outline Package 小型外殼TSOP:Thin Small Outline PackageTSSOP: Thin Shrink Small Outline Package (this one is really getting small!)SIP:S
7、ingle Inline Package 單列直插SIMM: Single Inline Memory Modules (like the memory inside of a computer)QFP:Quad Flat Pack (quad indicates the package has pins on four sides)TQFP:Thin version of the QFPMQFP: Metric Quad Flat PackMCM:Multi Chip Modules (packages with more than 1 die (formerly called hybrid
8、s)第一章 . 認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備(3)二、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備隨著集成電路復(fù)雜度的提高,其測(cè)試的復(fù)雜度也隨之水漲船高,一些器件的測(cè)試成本甚至占到了芯片成本的大部分。大規(guī)模集成電路會(huì)要求幾百次的電壓、電流和時(shí)序的測(cè)試,以及百萬(wàn)次的功能測(cè)試步驟以保證器件的完全正確。要實(shí)現(xiàn)如此復(fù)雜的測(cè)試,靠手工是無(wú)法完成的,因此要用到自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE, Automated Test Equipment )。ATE 是一種由高性能計(jì)算機(jī)控制的測(cè)試儀器的集合體,是由測(cè)試儀和計(jì)算機(jī)組合而成的測(cè)試系統(tǒng),計(jì)算機(jī)通過(guò)運(yùn)行測(cè)試程序的指令來(lái)控制測(cè)試硬件。測(cè)試系統(tǒng)最基本的要求是可以快速且可靠地重復(fù)一致的測(cè)試結(jié)果,即速度、可靠性和穩(wěn)定
9、性。為保持正確性和一致性,測(cè)試系統(tǒng)需要進(jìn)行定期校驗(yàn),用以保證信號(hào)源和測(cè)量單元的精度。當(dāng)一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)用來(lái)驗(yàn)證一片晶圓上的某個(gè)獨(dú)立的Die 的正確與否,需要用ProbeCard 來(lái)實(shí)現(xiàn)測(cè)試系統(tǒng)和Die 之間物理的和電氣的連接,而 ProbeCard 和測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部的測(cè)試儀之間的連接則通過(guò)一種叫做“Load board ”或“ Performance board ”的接口電路板來(lái)實(shí)現(xiàn)。在CP#M試中,Performance board和Probe card 一起使用構(gòu)成回路使電信號(hào)得以在測(cè)試系統(tǒng)和 Die 之間傳輸。當(dāng)Die封裝出來(lái)后,它們還要經(jīng)過(guò)FT測(cè)試,這種封裝后的測(cè)試需要手工將一個(gè)個(gè)這些獨(dú)立的
10、電路放入負(fù)載板( Load board ) 上的插座 ( Socket ) 里, 這叫手工測(cè)試( hand test )一種快速進(jìn)行FT測(cè)試的方法是使用自動(dòng)化的機(jī)械手( Handler),機(jī)械手上有一種接觸裝置實(shí)現(xiàn)封裝引腳到負(fù)載板的連接,這可以在測(cè)試機(jī)和封裝內(nèi)的Die 之間提供完整的電路。機(jī)械手可以快速的抓起待測(cè)的芯片放入測(cè)試點(diǎn)(插座),然后拿走測(cè)試過(guò)的芯片并根據(jù)測(cè)試pass/fail的結(jié)果放入事先定義好的相應(yīng)的Bin 區(qū)。三、半導(dǎo)體技術(shù)有一系列的方法被用來(lái)生產(chǎn)和制造數(shù)字半導(dǎo)體電路,這些方法稱為半導(dǎo)體技術(shù)或工藝,常用的技術(shù)或工藝包括:TTL (Transistor-Transistor Log
11、ic a.k.a. bipolar logic),ECL (Emitter Coupled Logic), SOS (Silicon on Sapphire), and CMOS (Complimentary Metal-Oxide Semiconductor) 。不管什么技術(shù)或工藝,出來(lái)的產(chǎn)品都要經(jīng)過(guò)測(cè)試,這里我們關(guān) 注數(shù)字TTL和CMO跑路。第一章 . 認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備(4)四、數(shù)字和模擬電路過(guò)去,在模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)之間,有著顯著的不同。數(shù)字電路控制電子信號(hào),表現(xiàn)為邏輯電平“0”和“1”,它們被分別定義成一種特殊的電壓分量,所有有效的數(shù)字電路數(shù)據(jù)都用它們來(lái)表示,每一個(gè)“0”或“1”表
12、示數(shù)據(jù)的一個(gè)比特( bit )位,任何數(shù)值都可以由按照一定順序排列的“0”“1”比特位組成的二進(jìn)制數(shù)據(jù)來(lái)表示,數(shù)值越大,需要的比特位越多。每8個(gè)比特一組構(gòu)成一個(gè) Byte,數(shù)字電路中的數(shù)據(jù)經(jīng)常以 Byte為單位進(jìn)行處理。不同于數(shù)字信號(hào)的“0”“1”界限分明(離散),模擬電路時(shí)連續(xù)的在任何兩個(gè)信號(hào)電平之間有著無(wú)窮的數(shù)值。模擬電路可以使用電壓或電流來(lái)表示數(shù)值,我們常見(jiàn)的也 是最常用的模擬電路實(shí)例就是運(yùn)算放大器,簡(jiǎn)稱運(yùn)放。為幫助理解模擬和數(shù)字電路數(shù)值的基本差別,我們可以拿時(shí)鐘來(lái)比方?!澳M”時(shí)鐘上的指針連續(xù)地移動(dòng),因此所有的任一時(shí)間值可以被觀察者直接讀出,但是所得數(shù)值的準(zhǔn) 確度或者說(shuō)精度取決于觀察者
13、認(rèn)知的程度。而在“數(shù)字”時(shí)鐘上,只有最小增量以上的值才能被顯示,而比最小增量小的值則無(wú)法顯示。如果有更高的精度需求,則需要增加數(shù)據(jù)位,每個(gè)新增的數(shù)據(jù)位表示最小的 時(shí)間增量。有的電路里既有數(shù)字部分也有模擬部分,如 AD轉(zhuǎn)換器(AD。將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成 數(shù)字信號(hào),DA轉(zhuǎn)換器(DAC則相反,我們稱之為“混合信號(hào)電路” ( Mixed Signal Devices) 另一種描述這種混合電路的方法則基于數(shù)字部分和模擬部分占到電路的多少:數(shù)字部分占大部 分而模擬部分所占比例較少歸于數(shù)字電路,反之則歸于模擬電路。第一章 . 認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備(5)五、測(cè)試系統(tǒng)的種類一般認(rèn)為測(cè)試系統(tǒng)都是通用的,其實(shí)大部分測(cè)試
14、系統(tǒng)的設(shè)計(jì)都是面向?qū)iT類型的集成電路, 這些專門的電路包括:存儲(chǔ)器、數(shù)字電路、模擬電路和混合信號(hào)電路;每種類型下還可以細(xì)分 成更多種類,我們這里只考慮這四種類型。5.1 存儲(chǔ)器件類我們一般認(rèn)為存儲(chǔ)器是數(shù)字的,而且很多DC測(cè)試參數(shù)對(duì)于存儲(chǔ)類和非存儲(chǔ)類的數(shù)字器件是通用的,雖然如此,存儲(chǔ)器的測(cè)試還是用到了一些獨(dú)特的功能測(cè)試過(guò)程。帶內(nèi)存的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)使用一種算法模式生成器(APG, algorithmic pattern generator )去生成功能測(cè)試模型,使得從硬件上生成復(fù)雜的功能測(cè)試序列成為可能,這樣我們就不用把它們當(dāng)作測(cè)試向量來(lái)保存。存儲(chǔ)器測(cè)試的一些典型模型包括:棋盤法、反棋盤法、走0、走
15、1、蝶形法,等等 APG在器件的每次測(cè)試時(shí)生成測(cè)試模型,而不帶內(nèi)存的測(cè)試系統(tǒng)將預(yù)先生成的模型保存到向量存儲(chǔ)區(qū),然后每次測(cè)試時(shí)從中取出數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器測(cè)試通常需要很長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間去運(yùn)行所要求的測(cè)試模型,為了減少測(cè)試成本,測(cè)試儀通常同時(shí)并行測(cè)試多顆器件。5.2 模擬或線形器件類模擬器件測(cè)試需要精確地生成與測(cè)量電信號(hào),經(jīng)常會(huì)要求生成和測(cè)量微伏級(jí)的電壓和納安級(jí)的電流。相比于數(shù)字電路,模擬電路對(duì)很小的信號(hào)波動(dòng)都很敏感,DC測(cè)試參數(shù)的要求也和數(shù)字電路不一樣,需要更專業(yè)的測(cè)試儀器設(shè)備,通常會(huì)按照客戶的選擇在設(shè)計(jì)中使用特殊的測(cè)試儀器甚至機(jī)架。模擬器件需要測(cè)試的一些參數(shù)或特性包括:增益、輸入偏移量的電壓和電流、線性度
16、、通用模式、供電、動(dòng)態(tài)響應(yīng)、頻率響應(yīng)、建立時(shí)間、過(guò)沖、諧波失真、信噪比、響應(yīng)時(shí)間、竄擾、鄰近通道干擾、精度和噪聲。5.3 混合信號(hào)器件類混合信號(hào)器件包括數(shù)字電路和模擬電路,因此需要測(cè)試系統(tǒng)包含這兩部分的測(cè)試儀器或結(jié)構(gòu)?;旌闲盘?hào)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)展為兩個(gè)系列:大部分?jǐn)?shù)字電路測(cè)試結(jié)構(gòu)、少量模擬測(cè)試結(jié)構(gòu)的系列,被設(shè)計(jì)成用于測(cè)試以數(shù)字電路為主的混合信號(hào)器件,它能有效地進(jìn)行DC參數(shù)測(cè)試和功能測(cè)試,但是僅支持少量的模擬測(cè)試;大部分模擬電路測(cè)試結(jié)構(gòu)、少量數(shù)字測(cè)試結(jié)構(gòu)的系列,相反,能夠精確地測(cè)試模擬參數(shù)而在功能測(cè)試上稍遜風(fēng)騷。5.4 數(shù)字電路器件類僅含有數(shù)字邏輯的電路器件可使用數(shù)字電路測(cè)試系統(tǒng)來(lái)完成測(cè)試,這些測(cè)試系統(tǒng)
17、之間在價(jià)格、性能、尺寸、可選項(xiàng)上有著明顯的不同。低端的測(cè)試機(jī)被用來(lái)測(cè)試低價(jià)格或者低性能的低端產(chǎn)品,通常是些管腳少、復(fù)雜度低的器件;一般運(yùn)行于低于 20MHz的時(shí)鐘頻率,且只能存儲(chǔ)少量的測(cè)試向量;用于小規(guī)模( SSI)或 中規(guī)模(MSI)集成電路的測(cè)試。高端的測(cè)試機(jī)則是速度非??欤〞r(shí)鐘頻率高)、測(cè)試通道非常多的測(cè)試系統(tǒng);時(shí)鐘頻率通常會(huì)達(dá)到400MHz, 并能提供1024個(gè)測(cè)試通道;擁有高精度的時(shí)鐘源和百萬(wàn)bit 位的向量存儲(chǔ)器。它們被用于驗(yàn)證新的超大規(guī)模(VLSI)集成電路,但是昂貴的成本阻礙了他們用于生產(chǎn)測(cè)試。而半導(dǎo)體測(cè)試工業(yè)普遍使用的是中高端的測(cè)試設(shè)備,它們擁有較好的性價(jià)比,在對(duì)測(cè)試成本非常
18、敏感的半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè),這無(wú)疑是非常重要的。這類測(cè)試設(shè)備多運(yùn)行在50-100MHZ,提供256個(gè)測(cè)試通道,通常帶有一些可選的配置。為了控制測(cè)試成本,謹(jǐn)慎地選擇能滿足器件測(cè)試需求的測(cè)試設(shè)備是非常重要的,選擇功能相對(duì)于我們器件的測(cè)試要求過(guò)于強(qiáng)大的測(cè)試系統(tǒng)會(huì)使得我們的測(cè)試成本居高不下,而相反的選擇會(huì)造成測(cè)試覆蓋率不夠;找到設(shè)備功能和成本之間的平衡是測(cè)試成本控制本質(zhì)的要求。第一章 . 認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備(6)六測(cè)試負(fù)載板(LoadBoard)測(cè)試負(fù)載板是一種連接測(cè)試設(shè)備的測(cè)試頭和被測(cè)器件物理和電路接口,被固定在針測(cè)臺(tái)(Probe)、機(jī)械手(Handler)或者其他測(cè)試硬件上,其上的布線連接測(cè)試機(jī)臺(tái)內(nèi)部信 號(hào)測(cè)試卡的探針和被測(cè)器件的管腳。在CP測(cè)試中,負(fù)載板連接 ProbeCard;在手工測(cè)試中,我們將 Socket固定在負(fù) 載板上;而在FT的生產(chǎn)測(cè)試中,我們將其連接到Handler.因?yàn)闇y(cè)試機(jī)在物理和電氣上需要與多種類型的設(shè)備連接、鎖定,因而Loadboar
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