理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量：第二篇

1、理解功率mosfet的uis及雪崩能量：第二篇在去耦的eas測量中，當測試的功率和控制管同時關(guān)斷時，因為mosfet的d、s之間有寄生cds，因此在導(dǎo)通續(xù)流時，l和cds形成諧振回路，l的降低使cds上的升高，直到電感的電流為0時，續(xù)流二極管d自然關(guān)斷，電感l(wèi)中儲存的能量應(yīng)當所有轉(zhuǎn)換到cds中。假如電感l(wèi)=0.1mh，ias=10a，cds=1nf，理論上，電壓vds為：代入數(shù)值解得：vds=3100v。這樣高的電壓值是不行能的，那么為什么會有這樣的狀況？從實際的工作原理來看，mosfet的d、s內(nèi)部相當于一個反并聯(lián)的二極管。當這個二極管兩端加上反向電壓，因此其工作在反向工作區(qū)，隨著vds增強

2、，高過bvdss，增強到臨近于對應(yīng)二極管的鉗位電壓時，vds的電壓就不會再顯然的增強，而是維持在鉗位電壓值基本不變，2所示。此時，mosfet工作于雪崩區(qū)，最大的平臺鉗位電壓就是雪崩電壓。mosfet發(fā)生雪崩時一定要經(jīng)受平臺電壓，也就是所謂的電壓鉗位或電壓砍頭。從圖2可以看到，在關(guān)斷的過程中，因為雪崩能量大于mosfet所能承受的最大值，mosfet發(fā)生損壞擊穿，vds電壓快速下降到0，電感因為沒有反向去磁電壓，因此緩慢的下降到0。在測試的過程中，通常從一定的初始電流開頭測量，這個初始電流值基于設(shè)計的定義或以前的閱歷，假如沒有這些值，那就從較低的電流值如1a開頭測量。因為測量的電路中電感值是確

3、定的，電源的電源也是確定的，因此控制mosfet的導(dǎo)通時光就可以控制電感的最大電流。從初始電流值開頭測量，比如從1a開頭測量，假如mosfet在關(guān)斷過程中沒有損壞，那么等mosfet的溫度徹低冷卻到常溫后，增強導(dǎo)通的脈沖寬度，將電感的最大電流增強到2a測量，如此反復(fù)，直到mosfet發(fā)生損壞，就可以得到單脈沖的雪崩電流及雪崩能量。雪崩電壓是正溫度系數(shù)，當mosfet內(nèi)部的某些單元溫度增強，其耐壓值也增強，因此，那些溫度低的單元自動平衡，流過更多的電流以提高溫度從而提高雪崩電壓，在去磁期間，雪崩電壓將隨溫度的增強而變幻。另外，測量的單脈沖雪崩電流及雪崩能量值依靠于雪崩電壓、電感值，工作的溫度、以

4、及關(guān)斷速度。測量得到實際的單脈沖雪崩電流及雪崩能量值后，如何確定數(shù)據(jù)表中標稱的單脈沖雪崩電流及雪崩能量值？通常將實際測量的單脈沖雪崩電流及雪崩能量值降額20%或30%，也就是實際測量的80%或70%，作為數(shù)據(jù)表中標稱的單脈沖雪崩電流及雪崩能量值。在生產(chǎn)的過程中，單脈沖雪崩電流及雪崩能量值是100%的全檢值，也就是每一個功率mosfet用法標稱的雪崩電流舉行測試，然后測量其相關(guān)的參數(shù)，假如正常，則為合格產(chǎn)品，假如不正常，則被去除掉。生產(chǎn)線上可以看到有一個特地的工位和儀器，測量功率mosfet單脈沖雪崩電流及雪崩能量，3所示。uis及雪崩能量的后續(xù)內(nèi)容，請繼續(xù)關(guān)注推送。上篇回顧：理解功率mosfe

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