飛兆半導(dǎo)體的1200VNPT溝道IGBT抗雪崩能力佳等

1、飛兆半導(dǎo)體的1 2 0 0 V N P T溝道IG B T抗雪崩能 力佳等飛兆半導(dǎo)體的1200V NPT溝道IGBT抗雪崩能力佳FGA25N120ANTD 1200V NPT溝道IGBT ,結(jié)合業(yè)界最佳的抗雪崩能力和經(jīng)優(yōu)化的開關(guān)和導(dǎo) 通損耗性能權(quán)衡，為電磁加熱(IH)應(yīng)用提高系統(tǒng)可靠性和效率。FGA25N120ANTD專為微波 爐、IH電飯煲和其它IH炊具而設(shè)計(jì),與上一代器件相比，它的工作溫度可降低達(dá)10°C,因 而能夠延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。NPT溝道IGBT采用飛兆半導(dǎo)體的專利溝道技術(shù)非穿通型(NPT)技術(shù)。 這種優(yōu)化的單元設(shè)計(jì)和薄型晶圓制造工藝使得FGA25N120ANTD能夠耐受最大4

2、50mJ的雪 崩能呈,確保在異常的雪崩模式情況下仍能逬行無(wú)故障運(yùn)作。在電磁加熱設(shè)備中，不穩(wěn)走的功率、AC線路浪涌和系統(tǒng)故障會(huì)引起雪崩模式情況,導(dǎo)致機(jī)器 瞬間失效。為了解決IH應(yīng)用中的這些可靠性問題，我們的新型1200V NPT溝道IGBT提供業(yè) 界最佳的抗雪崩能力,還同時(shí)優(yōu)化性能方面的權(quán)衡,以降氐工作溫度及提升總體系統(tǒng)效率。FGA25N120ANTD的其它特性和系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括:低飽和電壓(VCE(sat).typ =2.0VIC=25A和TC=25°C)以限制導(dǎo)通損耗；低開關(guān)損耗(Eoff,typ=0.96mJIC=25A和TC=25°C)以減少系統(tǒng)功耗；內(nèi)置FRD(快速恢復(fù)

3、二極管)以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和減少元件數(shù)。FGA25N120ANTD以TO-3P無(wú)鉛封裝形式供貨,能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD- 020B標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。價(jià)格:每個(gè)2.50美元/個(gè)(訂購(gòu)1,000個(gè))供貨：現(xiàn)貨交貨期：收到訂單后12周內(nèi)飛兆半導(dǎo)體針對(duì)高功率電磁加熱應(yīng)用如電飯煲和其它IH飲具及微波爐等,提供范圍廣泛的 600V1700V分立IGBT產(chǎn)品集,能滿足客戶對(duì)于電磁加熱拓?fù)涓鞣N不同的需求。飛兆推出USB 2.0 MicroPak芯片級(jí)封裝開關(guān)飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)單端口 USB 2.0 "高速"(48

4、0 Mbps)模擬開關(guān)FSUSB23 ,采用MicroPak芯片級(jí)封裝(CSP)。該器件的緊湊封裝結(jié)合極低功耗(FSUSB23可轉(zhuǎn)換高速USB信號(hào)的能力,能夠輕易通過AC和DC性能的眼圖測(cè)試,符合USB 2.0高速標(biāo)準(zhǔn)。它也保留完整的USB 1.1全速(12 Mbps)逆向兼容能力,適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng) 域。信號(hào)完整性和低功耗在蜂窩電話設(shè)計(jì)中是特別關(guān)鍵的考慮因素。FSUSB23的競(jìng)頻帶容許三階 諧波頻率輕易通過，并將失真和抖動(dòng)減小至幾乎檢測(cè)不到的水平,從而滿足這些要求。此外， 將更多功能和連通性匯合到越來越小的超便攜產(chǎn)品的業(yè)界趨勢(shì)，正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)高速USB開關(guān) 在最小型封裝的需求。FSUSB23綜

5、合了性能與超緊湊型封裝方面的優(yōu)勢(shì),為設(shè)計(jì)人員提供了 所需的靈活性以應(yīng)付其設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。價(jià)格:對(duì)于兩種封裝配置：FSUSB23L10X(MicroPak)或 FSUSB23BQX (DQFN),訂購(gòu) 1,000 個(gè)計(jì)，每個(gè)器件為0.97美元。供貨：現(xiàn)貨交貨期：收到訂單后4周內(nèi)更多信息：/pf/FS/FSUSB23.htmLIntersil新的雙路LDO系列具有一流的電源紋波和靜態(tài)電流性能Intersil公司推出新系列的高性能雙路LDO (低壓差穩(wěn)壓器)，可為RF/電源紋波敏感應(yīng)用， 如數(shù)碼相機(jī)的成像傳感器，或手機(jī)攝像模塊，MP3播放器和便攜式醫(yī)用儀器設(shè)備等提供超高 PSRR (電源抑制比)，極低的靜

6、態(tài)電流(Iq )和極低的電源紋波。Intersil的ISL9000/11/12系列LDO在對(duì)電源紋波敏感的應(yīng)用，如手機(jī)攝像模塊和數(shù)碼相機(jī) 圖象傳感器中為用戶提供重要的性能優(yōu)點(diǎn)。最高的PSRR對(duì)提高圖象質(zhì)星是十分必要的，當(dāng)這 些應(yīng)用有接近兆像素的分辨率時(shí),這就變得更加關(guān)鍵。Intersil的ISL9000在lKHz下提供90dB的PSRR，使用中靜態(tài)電流的典型值僅為 21pA/LDOo溫度范圍內(nèi)的輸出電壓精度為1.8% , 300mA下典型的壓差為200mVo單獨(dú)的 使能腳控制每個(gè)LDO的輸出。當(dāng)兩個(gè)使能腳都為低電平時(shí),器件關(guān)閉，關(guān)閉模式下典型電流 小于0.1pAoISL9000為每個(gè)輸出集成了

7、輸出電壓排序和單獨(dú)的上電復(fù)位（POR ）功能，從而取消了單獨(dú)的 電壓監(jiān)控和復(fù)位電路。V02 （電壓輸出）的POR延遲可通過在CPOR腳上連接時(shí)基電容進(jìn)行 外部編程。V01的POR延遲是內(nèi)部固走的，約為2ms以確保啟動(dòng)后的電壓穩(wěn)走性。元件還 有一個(gè)基準(zhǔn)旁路腳連接濾波電容，以提高噪聲和PSRR性能。Intersil的ISL9011和ISL9012是高性能雙路LDOs ,通道1可提供150mA的電流，通道2 可提供300mA的電流。這些器件有很低的維持電流且比較穩(wěn)走，輸出電容為1茁到10pF , ESR達(dá)到200mOhmso在低紋波，高PSRR應(yīng)用中,基準(zhǔn)旁路腳允許接一個(gè)外部電容以調(diào)節(jié) 噪聲濾波器。

8、ISL9011和ISL9012在1kHz下提供70dB的PSRR ,兩個(gè)LDOs同時(shí)使用時(shí)，靜態(tài)電流的典 型值僅為45"。單獨(dú)的使能腳控制每個(gè)LDO輸出。當(dāng)兩個(gè)使能腳均為低電平時(shí)，這些器件 處于關(guān)閉模式，關(guān)閉模式下典型電流小于0.1pAoISL9000/11/12有統(tǒng)一的幾種電壓輸出組合。每個(gè)LDO的輸出電壓選擇范圍為1.2V3.6V。 ISL9011/12與市面上最普遍高性能雙路LDOs管腳兼容。主要特點(diǎn)克的電壓輸入能力：2.3V - 6.5VISL9000 :非常高的 PSRR : 1kHz 下為 90dBISL9011 和 ISL9012 : 1kHz 下為 70dB低輸出噪聲

9、：100pA （1.5V ）下的典型值為30uVrms在所有工作條件下有+/-1.8%的輸出電壓精度ISL9000 :極低的靜態(tài)電流：每個(gè)使用中的LDO為21pAo ISL9011 和 ISL9012 : 45pA （兩個(gè) LDOs 均接通）ISL9000 :低壓差：300mA下的典型值為200mVISL9011 和 ISL9012 : 150mA 下的典型值為 120mV對(duì)大電流有出色的瞬時(shí)響應(yīng)出色的負(fù)載調(diào)節(jié)在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)有小于0.1%的電壓變化ISL9000現(xiàn)已開始供貨,采用10弓|腳無(wú)鉛DFN封裝，走價(jià)是1.30美元;ISL9011現(xiàn)已開始 供貨，采用10引腳無(wú)鉛DFN封裝，走價(jià)是1.10美元;ISL9012現(xiàn)在也開始供貨，采用10 引腳無(wú)鉛DFN封裝，走價(jià)是1.15美元。以上均為批星達(dá)到1,000件時(shí)的售價(jià)。德州儀器為基于OMAP與XScale的移動(dòng)設(shè)備推出集成電源管理ICTI TPS65020電源管理單元集成了高性能模