2018年技能高考電氣類晶體二極管及二極管整流電路試題含答案

1、姓名： 考號(hào)： 班級(jí)： 晶體二極管及二極管整流電路試題時(shí)間：60分鐘 總分： 分 班級(jí)： 班 命題人： 一、判斷題 1. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同條件下有很大差別，若提高環(huán)境溫度導(dǎo)電能力會(huì)減弱。（錯(cuò)誤） 2. 本征半導(dǎo)體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。 （正確） 3. N型半導(dǎo)體中，主要依靠自由電子導(dǎo)電，空穴是少數(shù)載流子。 （正確） 4. P型半導(dǎo)體中不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電，說(shuō)明P型半導(dǎo)體呈負(fù)電性。 （錯(cuò)誤） 5. PN結(jié)正向偏置時(shí)，其內(nèi)外電場(chǎng)方向一致。 （錯(cuò)誤） 6. 晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)。 （正確） 7. 半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。 （正確）

2、8. 二極管具有單向?qū)щ娦浴?（正確） 9. 二極管是線性器件。 （錯(cuò)誤） 10. 二極管和三極管都是非線性器件。 （正確） 11. 二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，呈現(xiàn)很大的電阻，在電路中相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)特性。 （錯(cuò)誤） 12. 二極管兩端加上正向電壓就一定會(huì)導(dǎo)通。 （錯(cuò)誤） 13. 二極管的核心是一個(gè)PN結(jié)，PN結(jié)具有單向?qū)щ娞匦浴?（正確） 14. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，就是PN結(jié)正向偏置時(shí)截止，反向偏置時(shí)導(dǎo)通。 （錯(cuò)誤） 15. 二極管兩端加上反向電壓時(shí)，反向電流不隨反向電壓變化而變化，這時(shí)二極管的狀態(tài)為截止。 （正確） 16. 二極管的截止特性是其兩端的反向電壓增加時(shí)，而反向電流基本不變。 （正確

3、） 17. 二極管只要工作在反向擊穿區(qū)，就一定會(huì)被擊穿損壞。 （錯(cuò)誤） 18. 點(diǎn)接觸型二極管其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。 （正確） 19. 整流二極管多為面接觸型的二極管，結(jié)面積大、結(jié)電容大，但工作頻率低。 （正確） 20. 整流二極管多為點(diǎn)接觸型的二極管，結(jié)面積小、結(jié)電容大，但工作頻率低。 （錯(cuò)誤） 21. 點(diǎn)接觸型二極管只能使用于大電流和整流。 （錯(cuò)誤） 22. 制作直流穩(wěn)壓電源元件中，整流二極管按照制造材料可分為硅二極管和鍺二極管。 （正確） 23. 半導(dǎo)體二極管按結(jié)構(gòu)的不同，可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型，各自能承受的正向電流值有較大區(qū)別。 （正確） 24. 晶體二極管擊穿后立即

4、燒毀。 （錯(cuò)誤） 25. 熱擊穿和電擊穿過(guò)程都是不可逆的。 （正確） 26. 所謂理想二極管，就是當(dāng)其正向偏置時(shí)，結(jié)電阻為零，等效成開(kāi)關(guān)閉合；當(dāng)其反向偏置時(shí)，結(jié)電阻為無(wú)窮大，等效成開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。 （正確） 27. 二極管的最高反向工作電壓是指整流二極管兩端的反向電壓不能超過(guò)規(guī)定的電壓所允許的值。如超過(guò)這個(gè)允許值，整流管就可能擊穿。 （正確） 28. 整流二極管在最高反向工作電壓下工作時(shí)，反向電流越大，說(shuō)明整流二極管的單向?qū)щ娦阅茉胶谩?（錯(cuò)誤） 29. 使用穩(wěn)壓管時(shí)應(yīng)陽(yáng)極接高電位，陰極接低電位。 （錯(cuò)誤） 30. 發(fā)光二極管及普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦浴?（正確） 31.

5、穩(wěn)壓二極管是一個(gè)特殊的面接觸型的半導(dǎo)體硅二極管，其V-A特性曲線及普通二極管相似，但反向擊穿曲線比較陡。 （正確） 32. 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)它工作在正向?qū)顟B(tài)。 （錯(cuò)誤） 33. 穩(wěn)壓二極管在起穩(wěn)定作用的范圍內(nèi)，其兩端的反向電壓值，稱為穩(wěn)定電壓。不同型號(hào)的穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)定電壓是不同的。 （正確） 34. 穩(wěn)壓二極管是一個(gè)可逆擊穿二極管，穩(wěn)壓時(shí)工作在反向偏置狀態(tài)，但其兩端電壓必須大于它的穩(wěn)壓值Uz，否則處于截止?fàn)顟B(tài)。 （正確） 35. 穩(wěn)壓管及其它普能二極管不同，其反向擊穿是可逆性的，當(dāng)去掉反向電壓穩(wěn)壓管又恢復(fù)正常。 （正確） 36. 穩(wěn)壓二極管如果反向電流超過(guò)允許范圍，二極管將會(huì)發(fā)生熱擊穿，

6、所以，及其配合的電阻往往起到限流的作用。 （正確） 37. 整流電路由二極管組成，利用二極管的單向?qū)щ娦园阎绷麟娮優(yōu)榻涣麟姟?（錯(cuò)誤） 38. 用兩只二極管就可實(shí)現(xiàn)單相全波整流，而單相橋式整流電路卻用了四只二極管，這樣做雖然多用了兩只二極管，但降低了二極管承受的反向電壓。 （正確） 39. 同種工作條件，單相半波整流電路和單相全波整流電路，其二極管承受的反向電壓大小一樣。 （錯(cuò)誤） 40. 同種工作條件，單相半波整流電路和單相橋式整流電路，其二極管承受的反向電壓大小不同。 （錯(cuò)誤） 41. 在電容濾波整流電路中，濾波電容可以隨意選擇 （錯(cuò)誤） 42. 在電容濾波整流電路中，電容耐壓值要大于負(fù)載

7、開(kāi)路時(shí)整流電路的輸出電壓。 （正確） 43. 在濾波電路中，只有電容濾波電路和電感濾波電路。 （錯(cuò)誤） 44. 電容濾波器，電容越小，則濾波效果越好。 （錯(cuò)誤） 45. 電容濾波電路的特點(diǎn)是：紋波成分大大減少，輸出的直流電比較平滑，電路簡(jiǎn)單。 （正確） 46. 濾波電路一般是由儲(chǔ)能元件組成，主要利用儲(chǔ)能特性把脈動(dòng)直流電變?yōu)槠交闹绷麟姟?（正確） 二、單選題 1. 本征半導(dǎo)體是（ B ）。A. 摻雜半導(dǎo)體 B. 純凈半導(dǎo)體 C. P型半導(dǎo)體 D. N型半導(dǎo)體2. P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入微量的（ A）元素構(gòu)成的。A. 三價(jià)； B. 四價(jià)； C. 五價(jià)； D. 六價(jià)。3. N型半導(dǎo)體是在本

8、征半導(dǎo)體中加入微量的（ C）元素構(gòu)成的。A. 三價(jià)； B. 四價(jià)； C. 五價(jià)； D. 六價(jià)。4. P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是（ B ）。A. 電子 B. 空穴 C. 電荷 D. 電流 5. N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是（ B ）。A. 電流 B. 自由電子 C. 電荷 D. 空穴 6. 關(guān)于N型半導(dǎo)體的下列說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（ C ）。A. 自由電子是多數(shù)載流子 B. 在二極管中由N型半導(dǎo)體引出的線是二極管的陰極 C. 在純凈的硅晶體中加入三價(jià)元素硼，可形成N型半導(dǎo)體 D. 在PNP型晶體管中，基區(qū)是N型半導(dǎo)體 7. 關(guān)于P型、N型半導(dǎo)體內(nèi)參及導(dǎo)電的粒子，下列說(shuō)法正確的是（ A ）。 A. 無(wú)論是P型

9、還是N型半導(dǎo)體，參及導(dǎo)電的都是自由電子和空穴 B. P型半導(dǎo)體中只有空穴導(dǎo)電 C. N型半導(dǎo)體中只有自由電子參及導(dǎo)電 D. 在半導(dǎo)體中有自由電子、空穴、離子參及導(dǎo)電 8. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（ ），金屬導(dǎo)體的電阻隨溫度升高而（ D）。A. 降低/降低 B. 降低/升高 C. 升高/降低 D. 升高/升高 9. PN結(jié)呈現(xiàn)正向?qū)ǖ臈l件是( B )。A. P區(qū)電位低于N區(qū)電位 B. N區(qū)電位低于P區(qū)電位 C. P區(qū)電位等于N區(qū)電位D. N區(qū)接地10. 二極管的反向電流隨著溫度降低而( B )。A. 升高 B. 減小 C. 不變 D. 不確定11. 半導(dǎo)體PN結(jié)的主要特性是（ C ）。A

10、. 具有放大特性 B. 具有改變電壓特性 C. 具有單向?qū)щ娦?D. 具有增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)性12. 晶體二極管的主要特性是（ C ）。A. 放大特性 B. 恒溫特性 C. 單向?qū)щ娦訢. 恒流特性13. 在半導(dǎo)體PN結(jié)兩端施加（B）就可使其導(dǎo)通。A. 正向電子流 B. 正向電壓 C. 反向電壓 D. 反向電子流 14. 硅二極管導(dǎo)通時(shí)，它兩端的正向?qū)▔航导s為（ B ）。A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V15. 硅二極管的死區(qū)電壓約為（ D ）。A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V16. 鍺二極管導(dǎo)通時(shí)，它兩端的正向?qū)▔航导s為（C）。A. 0.

11、1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V17. 鍺二極管的死區(qū)電壓約為（A）。A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V18. 二極管由（ A）個(gè)PN結(jié)組成。A.1 B.2 C.3 D. 019. 晶體二極管的主要功能之一是( D )。A. 電壓放大 B. 線路電流放大 C. 功率放大 D. 整流20. 晶體二極管的正極電位是-8V，負(fù)極電位是-2V，則該晶體二極管處于（ A ）。A. 反偏 B. 正偏 C. 零偏 D. 不可判斷21. 晶體二極管的正極電位是-10V，負(fù)極電位是-16V，則該晶體二極管處于（B）。A. 反偏B. 正偏 C. 零偏 D. 不可判斷

12、22. 穩(wěn)壓二極管具有（ B ）作用。A. 開(kāi)關(guān) B. 穩(wěn)壓 C. 放大 D. 濾波23. 二極管的反向電阻（ B ）。A. 小 B. 大 C. 中等 D. 為零 24. 下列說(shuō)法正確的是（ C ）。 A. N型半導(dǎo)體帶負(fù)電 B. P型半導(dǎo)體帶正電 C. PN結(jié)型半導(dǎo)體為電中性體 D. PN結(jié)內(nèi)存在著內(nèi)電場(chǎng)，短接兩端會(huì)有電流產(chǎn)生25. 半導(dǎo)體的電阻隨溫度升高而（B ），金屬導(dǎo)體的電阻隨溫度升高而（ B ）。A. 降低/降低 B. 降低/升高 C. 升高/降低 D. 升高/升高26. 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（ A ）。A. 增大 B. 不一定 C. 減小 D. 不變27. 鍺二極管

13、的正向?qū)▔航当裙瓒O管的正向?qū)▔航担˙ ）。A. 大 B. 小 C. 相等 D. 無(wú)法判斷28. 穩(wěn)壓二極管的正常工作狀態(tài)是（ C ）。A. 導(dǎo)通狀態(tài) B. 截止?fàn)顟B(tài) C. 反向擊穿狀態(tài) D. 飽和狀態(tài)29. 整流電路的目的是（ A ）。A. 將交流變?yōu)橹绷?B. 將高頻變?yōu)榈皖l C. 將正弦波變?yōu)榉讲?D. 將直流變?yōu)榻涣?0. 下列符號(hào)中表示穩(wěn)壓二極管的為（ B ）。 A. B. C. D.31. 上題符號(hào)中表示發(fā)光二極管的為（C）。32. 上題符號(hào)中表示光電二極管的為（D）。33. 在橋式整流電容濾波電路中，若有一只二極管斷路，則負(fù)載兩端的直流電壓將會(huì)（ A ）。A. 下降 B. 升

14、高 C. 變?yōu)? D. 保持不變34. 穩(wěn)壓二極管是利用二極管的（ C ）特征制造的特殊二極管。A. 正向?qū)〞r(shí)電壓變化小 B. 反向截止時(shí)電流小 C. 反向擊穿時(shí)電壓變化小而反向電流變化大 D. 單向?qū)щ?5. 硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的正向?qū)▔航担?A）。A. 大 B. 小 C. 相等 D. 無(wú)法判斷36. 電路如圖所示，則處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管是(A )。A. 只有D1 B. 只有D2 C. D1和D2 D. D1和D2均不導(dǎo)通 37. 在整流電路中，設(shè)整流電流平均值為， 則流過(guò)每只二極管的電流平均值 的電路是（ B ）。A. 單相橋式整流電路 B. 單相半波整流電路 C. 單相全波整流電路 D. 以上都不行38. 如圖所示，兩只硅穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值分別為3V和6V，如果輸入電壓UI為8V，則輸出電壓U0為（ A ）。A.3V B. 6V C. 9V D. 0.7V39. 半導(dǎo)體二極管按結(jié)構(gòu)的不同可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型，點(diǎn)接觸型