常用蒙特卡羅程序介紹2489506775

1、1.蒙特卡羅方法應用軟件的特點蒙特卡羅方法應用軟件的特點2.常用的通用蒙特卡羅程序簡介常用的通用蒙特卡羅程序簡介3.MCNP程序輸入的描述程序輸入的描述4.例子例子(3)減方差減方差MCNP運用以下卡片來減小方差：助記符卡片類型IMP柵元重要性ESPLT能量分裂和俄國輪盤賭PWT次級光子權重EXT指數(shù)變換VECT方向矢量定義FCL強迫碰撞助記符卡片類型WWE權重窗的能量或時間間隔WWN權重窗的邊界WWP權重窗的參數(shù)WWG權重窗生成器WWGE權重窗生成器的能量或時間間隔MESH分層重要性網(wǎng)格權窗生成器PD探測器貢獻DXCDXTRAN貢獻BBREM韌致輻射偏倚因子IMP或WWN卡之一是必須的，其它

2、卡片是可選的。I.IMP 柵元重要性卡格式： IMP:nx1 x2 xi xI n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。 N, P 、 P, E 或 N, P , E 也是允許的，如果它們的值相同。xi 柵元 i 的重要性，i 1，2，II 問題中的柵元總數(shù)。缺?。涸谝粋€MODE N P 問題中，若省略了IMP:P卡，則所有柵元的光子重要性都置 1，除非其中子重要性為零，這時其光子重要性也為零。柵元重要性卡用于輸入各個柵元的重要性。零重要性可以用來終止粒子的歷史。IMP 卡是必須的，除非用了WWN卡。例： IMP:N1 2 2M 0 1 20R 表示柵元1的中子重要性為1，柵元2為2，柵元3為

3、4，柵元4為0，柵元5至25為1。此時如果一個粒子從柵元2進入柵元3，則粒子分裂為兩個粒子，每個粒子權重為原來的一半。若粒子從柵元3進入柵元2，則以50的概率進行俄國輪盤賭終止粒子的歷史，如果未能終止，則粒子的權重加倍。 如果粒子進入“0”重要性柵元，則粒子被殺死。 如果粒子進入真空柵元，則即不分裂也不終止，然而，當粒子離開真空進入一個非真空柵元時，則要根據(jù)其重要性比值的增減進行分裂或俄國輪盤賭。II. ESPLT 能量分裂和俄國輪盤賭卡格式： ESPLT:nN1 E1 N2 E2 N5 E5 n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。Ni 粒子分裂的軌跡數(shù)。Ei 發(fā)生分裂的能量（MeV）。缺省

4、：省略此卡則不進行能量分裂。該卡用于進行能量分裂和俄國輪盤賭。該卡可用能量權窗來代替。 該卡最多可輸入5對參數(shù)。Ni 可以不是整數(shù)，也可以是一個在0和1之間的數(shù)，此時要進行的是俄國輪盤賭，該值為其存活概率。 當粒子能量降至Ei 以下時，進行分裂或俄國輪盤賭。當粒子能量升至Ei 以上時，則進行相反的動作（Ni 0 時，這種情況不進行動作）。 對于有裂變或熱中子散射的情況，中子能量就有可能增加。例： ESPLT:N2 .1 2 .01 .25 .001 該例表示當粒子能量降至0.1MeV以下時，做一個1變2的分裂，當粒子能量降至0.01MeV以下時，同樣做一個1變2的分裂，當粒子能量降至0.001

5、MeV以下時，做一個存活概率為25的俄國輪盤賭。 反之，當粒子能量升至0.1MeV以上時，做一個存活概率為50的俄國輪盤賭，當粒子能量升至0.01MeV以上時，同樣做一個存活概率為50的俄國輪盤賭，當粒子能量升至0.001MeV以上時，做一個1變4的分裂。III.PWT 光子權重卡格式： PWT W1 W2 Wi WIWi 柵元 i 中中子碰撞產(chǎn)生光子的相對權重門限。I 問題中的柵元總數(shù)。缺?。菏÷源丝ǎ瑒t所有柵元的Wi = -1。該卡用于控制中子碰撞產(chǎn)生的次級光子數(shù)目和權重。 對于正的Wi 項，只有權重大于WLWi *Is / Ii 的次級光子能產(chǎn)生，否則要進行俄國輪盤賭決定其是否存活，其中

6、 Is 和 Ii分別是中子源柵元 和誘發(fā)光子柵元的中子重要性。 對于負Wi 項，權重門限為WL-Wi*Ws* Is / Ii ，其中 Ws 是中子的源權重。中子總截面光子誘發(fā)截面中子權重光子權重TnpTnpWWWW 如果Wp WL ，將產(chǎn)生Np (10) Wp /(5 *WL) + 1 個光子，每個光子權重為Wp / Np。如果Wp WL ，則進行幸存概率為Wp /WL 的俄國輪盤賭，成功則產(chǎn)生一個權重為WL的光子。 如果Wi = 0，則只要有可能總是產(chǎn)生光子。如果 Wi = -1.0E6 則不讓該柵元產(chǎn)生次級光子。IV. EXT 指數(shù)變換卡格式： EXT:nA1 A2 Ai AI n 中子為

7、 N，光子為 P，對電子無效。Ai 柵元 i 的指數(shù)變換項，格式為A=QVm， Q 描述表示拉伸強度， Vm 定義拉伸方向。I 問題中的柵元總數(shù)。缺?。翰贿M行指數(shù)變換，Ai = 0。該卡用于拉伸粒子的輸運距離。 當某個柵元設置了強迫碰撞或沒有設置有效的權重控制時，不應使用指數(shù)變換。當粒子通量近似為一個指數(shù)分布時（如強吸收問題），指數(shù)變換有比較好的效果。 指數(shù)變換方法通過調(diào)整總截面來拉伸粒子的輸運距離，方法如下：拉伸參數(shù) p 可用以下三種方法指定：向的夾角余弦。粒子運動方向和拉伸方拉伸參數(shù)。真正的總截面。調(diào)整后的總截面。，其中pptttt*)1 (為俘獲截面；拉伸參數(shù)為常數(shù)；不進行指數(shù)變換；at

8、apSQppQpQ1000peeeWsspststctttt1ln1*拉伸方向用Ai 項中的Vm定義，有以下三種選擇：i. Ai 項中沒有Vm，即拉伸參數(shù)僅填寫Ai =Q 。這時拉伸方向即為粒子運動方向（1）。該方法不推薦，除非Ai =Q =S（飛行路徑隱式俘獲），這時輸運距離是散射距離而不是碰撞距離。ssaWeWsln1ii.指定拉伸方向為Vm，拉伸方向是從碰撞點到指定點 (xm, ym, zm ) 的方向，其中 (xm, ym, zm ) 由VECT卡指定。是粒子運動方向與拉伸方向Vm之間的夾角余弦。Ai 的符號表明拉伸方向是朝向還是背離 (xm, ym, zm ) 。iii. 指定拉伸方

9、向為Vm=X、Y或Z，則是粒子運動方向與X、Y或Z軸之間的夾角余弦。Ai 的符號表明拉伸方向是朝向還是背離X、Y或Z軸方向。例：EXT:N0 0 .7V2 S -SV2 -.6V9 0 .5V9 SZ -.4XVECTV9 0 0 0 V2 1 1 1該例中有10個柵元，對于光子以及柵元1、2和7都不做指數(shù)變換。下面為其它柵元徑跡長度拉伸一覽表：柵元AiQVm拉伸參數(shù)拉伸方向3.7V2.7V2p0.7朝向點 (1,1,1)4SSpa /t粒子運動方向5-SV2S-V2 pa /t遠離點 (1,1,1)6-.6V9.6-V9 p0.6遠離原點8.5V9.5V9p0.5朝向原點9SZSZpa /t

10、沿著Z軸10-.4X.4-Xp0.4沿著X軸V. VECT 矢量輸入卡格式： VECT Vm xm ym zm Vn xn yn zn m，n 標記矢量Vm和Vn的任意編號。 xm, ym, zm 定義矢量Vm的三維坐標值。缺省：無。 VECT卡的數(shù)據(jù)項為4個一組定義一個矢量，可定義任意數(shù)目的矢量，這些矢量可用于指數(shù)變換或用于用戶程序。VI. FCL 強迫碰撞卡格式： FCL:nx1 x2 xi xI n 中子為 N，光子為 P，對電子無效。 xi 柵元 i 的強迫碰撞控制參數(shù)，-1 xi 1。 I 問題中的柵元總數(shù)。缺省：xi 0，不強迫碰撞。FCL卡控制中子或光子在每個柵元內(nèi)強迫碰撞，這對

11、點探測器或DXTRAN球產(chǎn)生貢獻是非常有用的。當粒子進入強迫碰撞的柵元時，在其曲面上不做權窗游戲。 如果 xi0，則用適當?shù)臋嘀乜刂瓢堰M入柵元 i 的粒子分為碰撞部分和不碰撞部分。如果 | xi | 1，對碰撞部分以 | xi | 的幸存概率做俄國輪盤賭以防止碰撞的歷史數(shù)變得太大。如果一些強迫碰撞的柵元彼此相鄰，則建議選 xi 為小數(shù)。 如果 xi0，強迫碰撞過程僅適用于進入該柵元的粒子。強迫碰撞之后，不考慮權重截斷并用通常的模擬方式處理以后的全部碰撞。不忽略權窗，在記錄對探測器和DXTRAN球的貢獻后使用這些權窗。 如果 xi0，強迫碰撞過程適用于進入該柵元的粒子以及碰撞后在權重截斷或權窗游

12、戲中存活的粒子。粒子繼續(xù)被分為不碰撞部分和碰撞部分（以概率 | xi | 存活）直至其被權重截斷或權窗游戲殺死。 一般情況下令 xi1或1。當一些強迫碰撞的柵元彼此相鄰或者強迫碰撞產(chǎn)生的粒子歷史數(shù)高于我們的預期數(shù)目時，應置 xi 為小數(shù)。 當使用重要性時，選 xi0，因為如果 xi0 時將關閉權重截斷游戲。權窗卡權窗卡 權窗是對指定空間及能量重要性函數(shù)提供重要性（IMP:n卡）以及能量分裂（ESPLT:n卡）的另一種方法。它們也能提供時間重要性函數(shù)。其優(yōu)點是：i.提供空間和時間或能量的二維的重要性函數(shù)。ii. 控制粒子的權重。iii. 與其它減方差技巧不矛盾，如指數(shù)變換卡。iv. 在粒子穿越曲

13、面或碰撞，或者兩者都可以使用。v. 能夠控制分裂和俄國輪盤賭的程度。vi. 可在指定的空間或能量范圍內(nèi)關閉權窗。vii.可用權窗生成器自動產(chǎn)生權窗。權窗卡權窗卡權窗的缺點是：i.權窗不如重要性直觀易懂。ii. 當源粒子權重改變時，權窗需要重新歸一。VII.WWE 權窗能量或時間卡格式： WWE:n E1 E2 Ei Ej ； j 99 n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。 Ei 能量間隔，第 i 個能窗為： Ei-1EEi E0 0缺?。喝绻麤]有此卡，但又使用權窗，則建立一個整個能量或時間范圍的區(qū)間。 該卡是選擇卡，必須和WWN卡配合使用。 該卡為WWN卡定義了一個能量或時間間隔，最低能量

14、為 0，最小時間為，在WWN卡不用填寫。至于該卡填寫的是能量還是時間間隔，要根據(jù)WWP卡上的第六項來指定。VIII.WWN 權窗邊界卡格式： WWNi:n wi1 wi2 wij wiJ n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。 wij 在柵元 j ，能量或時間間隔為Ei-1EEi（WWE卡定義）的權重下限。 如果沒有WWE卡，i 1。 J 問題中的柵元總數(shù)。 除非使用了重要性卡或網(wǎng)格權重卡，否則必須使用權重窗（ WWN和WWP卡）。 該卡指定了與空間和能量有關的權窗下限。它必須和WWP卡一起使用。如果權窗和能量或時間有關，則應有WWE卡。如果使用了WWN:n 卡，則不應使用同一個粒子類型n的

15、IMP:n卡。 若wij 0，則粒子進入柵元 j 或在柵元 j中發(fā)生碰撞時，要根據(jù)WWP卡上定義的參數(shù)決定是分裂還是俄國輪盤賭。 若wij =0，則關掉在柵元 j 能量間隔 i 的權窗游戲，并打開權重截斷游戲。這時，在CUT卡上指定一個最低的截斷權重是合適的，否則進入該柵元的大部分粒子將被權重截斷游戲殺死。 權窗的權重下限是個絕對的量，而不是相對的，因此一定要注意其它減方差技巧所引起的權重的變化情況。 在權窗邊界卡上必須指定每個柵元每個能量間隔的權重下限，不得空缺。例1：WWE:N E1 E2 E3WWN1:N w11 w12 w13 w14WWN2:N w21 w22 w23 w24WWN3

16、:N w31 w32 w33 w34例2：WWN1:P w11 w12 w13IX. WWP 權窗參數(shù)卡格式：WWP:n WUPN WSURVN MXSPLN MWHERE SWITCHN MTIMEn 中子為 N，光子為 P，電子為 E。WUPN 當粒子權重超過 WUPN 與權窗下限的乘 積時，粒子將被分裂。要求 WUPN2。WSURVN 如果粒子在俄國輪盤賭中幸存，則其 權重變?yōu)?WSURVN 與權窗下限的乘積， 要求 1 WSURVN WUPN 。MXSPLN粒子分裂時，分裂數(shù)目不超過MXSPLN ； 粒子進行俄國輪盤賭時，幸存概率 不小于1/ MXSPLN 。 MXSPLN1。MWHE

17、RE該參數(shù)決定在什么地方檢查粒子權重。1：僅在粒子碰撞時檢查粒子權重。 0：在粒子穿越界面以及碰撞時檢查粒子權重。 1：僅在粒子穿越界面時檢查粒子權重。SWITCHN 該參數(shù)決定從那里獲得權窗下限。0：從外部的WWINP文件中讀入。0：從WWNi卡讀入。0：權窗下限等于 SWITCHN 除以柵元重要性。MTIME 指定能量相關或時間相關的權窗。0，權窗與能量有關（WWE卡指定能量間隔）。1，權窗與時間有關（WWE卡指定時間間隔）。缺?。篧UPN5；WSURVN0.6*WUPN；MXSPLN5； MWHERE0；SWITCHN0；MTIME0。權窗生成卡權窗生成卡 權窗生成器估算由用戶指定的空間

18、及能量范圍的重要性。然后按與該重要性成反比計算與空間及能量有關的權窗參數(shù)。 權窗生成器估算柵元的平均重要性。如果柵元太大，則柵元內(nèi)部的重要性變化也大，這時平均重要性就不能代表這個柵元。不適當?shù)膸缀蚊枋鲆矔疣徑鼥旁g的重要性差別較大。還好，權窗生成器能夠確定幾何描述對于采樣來說是否適當并給出信息。如果幾何描述對重要性的劃分不合適，則應使用網(wǎng)格權窗。X.WWG 權窗生成器卡格式：WWG It Ic Wg J J J J IE It問題的計數(shù)號（Fn卡上的n）。權窗生成器將根 據(jù)由TFn卡定義的特殊的計數(shù)區(qū)間進行優(yōu)化。Ic產(chǎn)生柵元權窗或網(wǎng)格權窗。0：產(chǎn)生柵元權窗，Ic 為參考柵元 (通常用源柵

19、元)。0：產(chǎn)生網(wǎng)格權窗（ MESH卡）。Wg產(chǎn)生網(wǎng)格或柵元 Ic 的權窗下限的值。0：為平均源權重的一半。J 未用。IE產(chǎn)生能量相關或時間相關的權窗。0：說明 WWGE卡定義的是能量間隔。1：說明 WWGE卡定義的是時間間隔。 WWG卡為計數(shù) It 生成最優(yōu)的重要性函數(shù)。對于柵元權窗生成器，將在輸出文件OUTP 的WWE和WWNi卡上打印重要性函數(shù)及其評價和總結；同時也在權窗生成器的輸出文件WWOUT 中打印。而對于網(wǎng)格權窗生成器，重要性函數(shù)以及網(wǎng)格描述僅寫到WWOUT 文件中。這兩種情況對于在接續(xù)運行中使用生成的權窗重要性函數(shù)是很容易的，只需在WWP卡上讓 SWITCHN0即可。 對于許多問

20、題來說，MCNP生成的重要性函數(shù)要優(yōu)于一個有經(jīng)驗的用戶在 IMP卡上推測的值。 要生成與能量或時間有關的權窗，需要WWGE卡對能量或時間進行劃分。XI. WWGE 權窗生成器的能量或時間卡格式： WWGE:n E1 E2 Ei Ej ； j 15 n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。 Ei 能量間隔，第 i 個能窗為： Ei-1EEi E0 0缺?。喝绻麤]有此卡，但又使用權窗，則建立一個整個能量或時間范圍的區(qū)間。 如果有此卡但沒有輸入項，則將產(chǎn)生10個能量/時間間隔，Ei 10i-8 MeV/10-8秒，j10。XII.MESH 分層重要性網(wǎng)格權窗生成器卡格式： MESH 網(wǎng)格變量網(wǎng)格變量

21、=描述描述 等號“=”是可選的。網(wǎng)格變量網(wǎng)格變量說明變變 量量說說 明明缺缺 省省GEOM網(wǎng)格幾何，直角（“xyz”或“rec”）或圓柱（“rzt”或“cyl”）幾何。xyzREF參考點坐標。必須指定ORIGIN網(wǎng)格原點的坐標。（圓柱系為底面中心，直角系為底面左后角）0,0,0AXS圓柱幾何的軸向。0,0,1VEC沿AXS軸，0 的面的方向。1,0,0網(wǎng)格變量網(wǎng)格變量說明（續(xù)）變變 量量說說 明明缺缺 省省IMESH粗網(wǎng)格的位置。對于直角幾何為 x 方向，對于圓柱幾何為徑向。無IINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為 x 方向，對于圓柱幾何為徑向。10JMESH粗網(wǎng)格的位置。對

22、于直角幾何為 y 方向，對于圓柱幾何為軸向。無JINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為 y 方向，對于圓柱幾何為軸向。10KMESH粗網(wǎng)格的位置。對于直角幾何為 z 方向，對于圓柱幾何為方向。無KINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為 z 方向，對于圓柱幾何為方向。10 粗網(wǎng)格的位置依次為各個方向上正向的界面位置。對于直角幾何，界面分別為垂直于 x、y 和 z 軸的平面，位置為其在柵元幾何中的坐標。而且原點指定了粗網(wǎng)格在各個方向上的最負向的界面位置。 對于圓柱幾何，原點為底面中心在柵元幾何中的坐標，粗網(wǎng)格的位置為其相對于圓柱幾何( r , z ,)原點正向的界面

23、位置，最負的界面位置為 (0,0,0)。圓柱幾何需要AXS和VEC向量，它們可以不是直角，但不能平行，它們定義了圓柱幾何 原點的0 的半平面。方向的坐標為該半平面旋轉(zhuǎn)的相對值，從 0 至 1，方向最后一個界面坐標值必須是1。 在粗網(wǎng)格中再按給定的數(shù)目均勻地劃分出細網(wǎng)格，就完成了整個網(wǎng)格的劃分，網(wǎng)格必須覆蓋整個柵元幾何。權窗生成方法與柵元權窗類似。例1 GEOM=rec REF=1e-6 1e-7 0ORIGIN=-66.34 -38.11 -60IMESH -16.5 3.8 53.66IINTS 10 3 8例2GEOM=cyl REF=1e-6 1e-7 0 ORIGIN=1 2 3IME

24、SH 2.55 66.34IINTS 2 15JMESH 33.1 42.1 53.4 139.7JINTS 6 3 4 13KMESH .5 1KINTS 5 5XIII.PD 探測器貢獻卡格式： PDnP1 P2 Pi PI n 計數(shù)器編號。Pi 柵元 i 對探測器貢獻的概率。I 問題中的柵元總數(shù)。缺?。篜i1。用PD0卡可改變?nèi)笔≈怠?PDn卡減少對指定探測器不太重要的柵元對探測器計數(shù)的貢獻數(shù)目，節(jié)省計算時間。在柵元 i 中的每次碰撞，都以Pi的概率判斷其是否對該探測器作貢獻。如果要記錄貢獻，則記錄值要乘以 1/Pi ( Pi0除外) ，以保證記錄結果的無偏性。 當我們要分析探測器貢獻中

25、來自各個柵元的貢獻比例時，該卡是很有用的?？稍谕晃恢枚x多個探測器，分配不同的概率值（1或0）即可。XIV.DXC DXTRAN貢獻卡格式： DXCm:n P1 P2 Pi PI m 要應用的DXTRAN球的編號，零或缺省表示應用于所有DXTRAN球。 n 中子為 N，光子為 P，電子為 E。Pi 柵元 i 對DXTRAN球貢獻的概率。I 問題中的柵元總數(shù)。缺?。簃0，Pi1。 該卡與PDn卡類似，只是該卡是應用于DXTRAN球的。XV. BBREM 韌致輻射偏倚卡格式： DXCb1 b2 b49 m1 m2 mn b1 任意正值（當前未用）。 b2 b49 韌致輻射能譜的偏移因子。 m1

26、mn 要引入韌致輻射偏倚的材料列表。 韌致輻射過程會產(chǎn)生許多低能光子，但我們經(jīng)常是對高能的光子更感興趣。要產(chǎn)生更多高能光子的方法之一是使用能量偏移。例： BBREM 1. 1. 46I 10. 888 999該例對于材料888和999中韌致輻射光子的抽樣數(shù)目的比例隨著能量的增加而逐漸增大。而在其它材料中不做能量偏移抽樣。(4)源定義源定義助記符助記符卡片類型卡片類型SDEF通用源SIn源的信息SPn源的概率SBn源的偏倚DSn相關的源SCn源的注釋SSW寫曲面源SSR讀曲面源KCODE臨界源KSRC臨界計算的源起始點ACODE特征值源對于點探測器或DXTRAN球還需定義其它一些變量。ERG粒子

27、能量(MeV)，或能量群號。TME粒子發(fā)射的時間（ 10-8 秒）。UUU，VVV，WWW粒子的飛行方向。XXX，YYY，ZZZ粒子的位置。IPT粒子的類型。WGT粒子的權重。ICL發(fā)射粒子的柵元。JSU發(fā)射粒子的曲面，如果發(fā)射點不在曲面上，則 JSU0。源對其產(chǎn)生的每個粒子，必須定義下列MCNP變量值I.SDEF 通用源卡格式： SDEF 源變量源變量=描述描述等號“=”是可選的。源變量源變量和MCNP源必須設置的變量不完全一樣，有許多是用來控制最終變量抽樣值的中間量。所有源變量源變量都有缺省值。源變量源變量的描述描述有以下三種格式：i.顯值；ii.在一個分布號前加D；iii.在一個變量前面

28、加F，后面跟一個D在前面的分布號。Var=Dn 表示從分布 n 中抽取源變量Var。Var Fvar Dn 則表示從分布 n 中抽取源變量Var，而分布 n 與變量 var 有關，只允許一級相關。每個分布僅用于一個源變量。源變量源變量說明變量變量說說 明明缺缺 省省CEL柵元。根據(jù)XXX，YYY，ZZZ和UUU，VVV，WWW確定。SUR曲面。0（柵元源）ERG粒子能量（MeV）。14 MeVTME時間（ 10-8 秒）。0源變量源變量說明（續(xù)一）變量變量說說 明明缺缺 省省DIR，是VEC和方向UUU，VVV，WWW的夾角余弦。方位角總是在0360之間均勻抽取。體源：在11上均勻抽取 （各向

29、同性源）。面源：在01上的余弦分布 f ()2 中抽取。VECDIR的參考矢量。體源：必須，各向同性除外。面源：垂直于曲面，符號為NRM。NRM曲面法向的符號。+1源變量源變量說明（續(xù)二）變量變量說說 明明缺缺 省省POS抽樣位置的參考點。0,0,0RAD 抽樣位置離開POS或AXS的徑向距離。0EXT柵元源：沿AXS方向離開POS的距離。曲面源：離開AXS的角度余弦。0AXS用于EXT和RAD的參考矢量。沒有方向X抽樣位置的X坐標。無XY抽樣位置的Y坐標。無YZ抽樣位置的Z坐標。無Z源變量源變量說明（續(xù)三）變量變量說說 明明缺缺 省省CCCCookie-cutter柵元。無ARA曲面的面積（

30、當平面源對點探測器要求直接貢獻時才需要此卡）。無WGT源粒子權重。1EFF位置選舍抽樣效率判據(jù)。0.01PAR源發(fā)射的粒子的類型。1中子2光子3電子1：包括中子的問題。2：無中子但有光子問題。3：僅有電子的問題。II. SIn 源信息卡格式： SIn選項選項 I1 Ik n 分布號（n 1999）。選項選項 Ii 的說明，允許的值是： 省略或H：直方圖分布的區(qū)間邊界，僅用于標量。L：離散的源變量值。A：定義概率分布密度的點。S：分布號。 I1 Ik 源變量值或分布號。缺?。?SIn H I1 Ik III. SPn 源概率卡格式： SPn選項選項 P1 Pk 或： SPn f a b n 分布

31、號（n 1999）。選項選項 Pi 的說明，允許的值是： 省略：對H或L分布與D相同， 對A分布為概率密度。D： H或L分布的各個區(qū)間的概率值(不用歸一)。C： H或L分布的各個區(qū)間的累積概率值。V：僅用于柵元分布。概率與柵元體積成 正比（若有Pi ，要乘以Pi ）。P1 Pk 源變量概率。 f 內(nèi)部函數(shù)的標識符。a，b 內(nèi)部函數(shù)的輸入?yún)?shù)。缺省： SPn D P1 Pk IV. SBn 源偏移卡格式： SBn選項選項 B1 Bk 或： SBn f a b n，選項選項， f ，a，b 均和SPn卡一樣，只有一點不同，即內(nèi)部函數(shù) f 只允許21和31。 B1 Bk 源變量偏移概率。缺?。?SB

32、n D B1 Bk SPn卡的第一種格式的第一項是正數(shù)或非數(shù)值，表明該卡及它的SIn卡定義了一個概率分布函數(shù)。 SPn卡的第二種格式的第一項是負數(shù)，表示使用一個內(nèi)部解析函數(shù)產(chǎn)生源變量的一個連續(xù)的概率密度函數(shù)。內(nèi)部函數(shù)內(nèi)部函數(shù)說明源變量源變量 函數(shù)號函數(shù)號 輸入?yún)?shù)輸入?yún)?shù)說說 明明ERG2aMaxwell 裂變譜。p(E)C E1/2 exp(-E/a)ERG3a bWatt 裂變譜。p(E)C exp(-E/a) sinh(bE)1/2ERG4a bGaussian 聚變譜。p(E)C exp-(E-b)/a)2 ERG5aEvaporation 能量譜。p(E)C E exp(-E/a)E

33、RG6a bMuir 速度Gaussian 聚變譜。p(E)C exp-(E1/2 -b1/2)/a)2 ERG7a b備用內(nèi)部函數(shù)內(nèi)部函數(shù)說明（續(xù)）源變量源變量函數(shù)號函數(shù)號輸入輸入?yún)?shù)參數(shù)說說 明明DIR、RAD、EXT21a冪指數(shù)分布。p(x)C | x |aDIR、EXT31a指數(shù)分布。p()C e aTME41a b時間的 Gaussian 分布。p(t)C exp-(1.6651092 (t-b)/a)2 V. DSn 相關源分布卡（復合分布）格式： DSn選項選項 J1 Jk 或： DSnTI1 J1 Ik Jk 或： DSnQV1 S1 Vk Sk n 分布號（n 1999）。選

34、項選項 Ji 的說明，允許的值是：省略或 H：連續(xù)分布的源變量值，僅用于標量。L：離散的源變量值。S：分布號。 T 獨立變量值后面跟相關變量的值， 這些變量必須是離散的標量。 Ii 獨立變量的值。 Ji 相關變量的值。 Q 獨立變量值后面跟分布號， 這些變量必須是標量。 Vi 單調(diào)增加的獨立變量的值。 Si 相關變量的分布號。缺?。?DSn H J1 Jk 對與另一個源變量有關的變量用DS卡代替SI卡，不使用SP卡和SB卡。一般來說，MCNP先對獨立變量抽樣，然后根據(jù)DS卡的格式確定相關變量的值。VI. SCn 源注釋卡格式： SCn注釋注釋 n 分布號（n 1999）。 在源分布表和源分布頻

35、率表中，作為源分布的標題部分打印該注釋注釋。VII.一般源的例子例1：SDEF ERG=D1 POS=x y z WGT=wSI1H E1E2 Ek SP1D 0 P2 PkSB1D 0 B2 Bk這是個位于(x, y, z)，權重為w的各向同性點源，能量采用偏移分布抽樣。例2：SDEF SUR= m AXS= i j k EXT=D6 SB6-31 1.5$SI6 -1 1； SP6 -31 0這是曲面m上的源。發(fā)射方向用余弦分布抽樣確定。通過分布6對與方向(i, j, k)的夾角余弦按指數(shù)偏移抽樣確定源粒子在曲面上的位置。粒子權重的最大和最小值是e1.54.48和e-1.50.223。例3

36、：SDEF SUR= m NRM=-1 DIR=D1 WGT=wSB1-21 2$SI6 0 1； SP6 -21 1這是球面m上向內(nèi)發(fā)射的源。如果wr2（r為球面m的半徑），則該源和VOID卡、VOL卡以及計數(shù)類型2和4一起可以估計曲面的面積和柵元的體積。SB1卡的方向偏移使更多粒子朝著最感興趣柵元所在的球m的中心發(fā)射。同時，該偏移順便提供了球m體積的零方差估計。例4：SDEF SUR= m POS=x y z RAD=D1 CCC=n SI1r$ SI1 0 r； SP1 -21 1這是沿正法線方向從曲面m上發(fā)射的單向源。源位置在以 (x, y, z) 為中心，r 為半徑的曲面上，用戶必須

37、確保點 (x, y, z) 在曲面m上。如果所抽取的點不在Cookie-cutter柵元n內(nèi)，則舍棄該點并重新抽樣。例5：復合分布SDEF POS=D1 ERG FPOS D2SI1L 5 3.3 6 75 3.3 6SP1.3 .7DS2 S 3 4SI3H 2 10 14SP3D 0 1 2SI4-3 a b這是兩個各向同性點源，其中有0.3的概率在(5,3.3,6 )處，能量服從階梯分布3；而有0.7的概率在(75,3.3,6)處，此時能量服從Watt 裂變譜分布4。例6：復合分布SDEF SUR = D1 CEL FSUR D2 ERG FSUR D6X FSUR D3 Y FSUR

38、D4 Z FSUR D5SI1 L 10 0SP1 .8 .2DS2 L 0 88DS6 S 61 62SP61 3 .98 2.2SP62 3 1.05 2.7 這是一個面源(面10、概率0.8)和一個柵元源(柵元88、概率0.2) ，對于柵元源要在長方體內(nèi)均勻抽樣、挑選。DS3 S 0 31SI31 20 30SP31 0 1DS4 S 0 41SI41 -17 36SP41 0 1DS5 S 0 51SI51 -10 10SP51 0 1(5)計數(shù)描述計數(shù)描述下列卡片用來記錄計算結果：助記符卡片類型Fna計數(shù)類型FCn計數(shù)注釋En計數(shù)能量間隔Tn計數(shù)時間間隔Cn計數(shù)方向余弦間隔FQn計數(shù)

39、打印層次FMn計數(shù)乘子DEn/DFn劑量能量/劑量函數(shù)EMn計數(shù)能量乘子助記符卡片類型TMn計數(shù)時間乘子CMn計數(shù)余弦乘子CFn計數(shù)柵元標志SFn計數(shù)曲面標志FSn計數(shù)片段劃分SDn計數(shù)片段的體積/面積FUn子程序TALLYX輸入TFn計數(shù)漲落打印DD探測器和DXTRAN診斷DXTDXTRAN球參數(shù)FTn計數(shù)特殊處理I.Fna 計數(shù)類型卡助記符類型說明Fn單位*Fn單位F1: (N、P、E)面流粒子MeVF2: (N、P、E)面通量粒子/cm2MeV/cm2F4: (N、P、E)體通量粒子/cm2MeV/cm2F5a: (N、P)點或環(huán)探測器通量 粒子/cm2MeV/cm2F6: (N、P、N

40、,P) 平均沉積能量MeV/克109 J/克F7: N平均裂變沉積能量 MeV/克109 J/克F8: (P、E、P,E) 探測器探測的能譜 脈沖MeV+F8: E沉積電荷電荷無i.曲面和柵元計數(shù)（類型1、2、4、6和7）簡單格式：Fn:pl S1 Sk 一般格式：Fn:pl S1 ( S2 S3) ( S4 S5) S6 S7 n 計數(shù)號（n 1999）。 pl N 或 P 或N, P 或 E 。 Si 用于計數(shù)的問題曲面號或柵元號或 T。 這里只允許用柵元卡上列出的柵元以及界定這些柵元是曲面。 上面的簡單格式建立了該計數(shù)的 k 個曲面或柵元區(qū)間，對每個曲面或柵元單獨列出結果。 對于一般格式

41、，區(qū)間按單個曲面或柵元以及若干個曲面或柵元的集合來劃分。括號表示內(nèi)部所有項的集合，括號內(nèi)的項還可以用在其它集合或單獨使用。T 是卡上列出的其它所有項的合集的簡寫。例1：F2: N 1 3 6 T 該卡指定了4個中子通量計數(shù)，分別為穿過曲面1、3、6的平均通量以及穿過所有這三個曲面的平均通量。例2：F1: P (1 2) (3 4 5) 6 該卡指定了3個光子流量計數(shù)，這三個計數(shù)分別是對曲面 1 和 2 的合集；曲面 3、4 和 5 的合集以及曲面6的計數(shù)。例3：F371: N (1 2 3) (1 4) T 該卡指定了3個中子流量計數(shù)，分別是對曲面 1、2和 3 的合集；曲面 1和 4 的合集

42、以及曲面 1、2、3 和 4 的合集的計數(shù)。注意，這里的T 對重復出現(xiàn)的曲面1只使用了一次。ii.探測器計數(shù)（類型5）點探測器格式：Fn:pl X Y Z R0 n 計數(shù)號。 pl N 或 P 。 X Y Z 探測器點的位置。R0 探測器鄰域球的半徑：R0 ：以厘米為單位。R0 ：以平均自由程數(shù)為單位。（空腔處不能用）RtdssReWpRR020)(),2()()(tRRrReWpRdrrreWpdVdVRRtt303230340220)1)(42)()(0020320)()0,(RWpRRt303220)1)()(0teWp環(huán)探測器格式：Fna:pl a0 r R0 n 計數(shù)號。 a 字母X

43、、Y或Z ，環(huán)的對稱軸。 pl N 或 P 。 a0環(huán)平面在 a 軸（對稱軸）上的截距。 r環(huán)的半徑（厘米）。R0 同點探測器，但鄰域球選在環(huán)上的一點。DRDDDrdRRfRfReWprrdrDD)()(2)(21)(1)(22)(RCRfDCeWprD2)(21)(* 使用探測器之前一定要先了解有關探測器的內(nèi)容，因為如果使用不當會導致不可靠的結果。對于要穿過零重要性區(qū)域的探測器是得不到計數(shù)的。在具有軸對稱的問題中，最好使用環(huán)探測器而不用點探測器。 對具有相同 n 或 na 指定的多個探測器，只需簡單地在同一張卡的后面依次給出各個探測器的輸入?yún)?shù)組即可。 如果相同類型（例如 F5:N 和 F1

44、5:N）的多個探測器在同一位置上，此時從碰撞點到探測器的貢獻只計算一次，而不是對每個探測器都分別計數(shù)。探測器輸出通常分為兩部分：1)探測器的總貢獻（作為所定義區(qū)間如能量的函數(shù)）。2)源對探測器的直接貢獻（無碰撞貢獻）。 源的貢獻總是包含在總貢獻中，如果不想打印源的貢獻，只需在探測器計數(shù)卡的末尾加上符號 ND 即可。 選擇 R0 的法則是：R0 應相當于球內(nèi)粒子平均能量的約1/81/2個平均自由程，在空腔內(nèi) R0 應為零；R0 最好按厘米數(shù)給，這樣方差較小。鄰域球內(nèi)只能包含一種材料（MCNP不檢查），否則結果可能會不正確。iii. 脈沖幅度計數(shù)（類型8）簡單格式：Fn:pl S1 Sk 一般格式

45、：Fn:pl S1 ( S2 S3) ( S4 S5) S6 S7 n 計數(shù)號（n 1999）。 pl P或 E或P, E 。 Si 用于計數(shù)的問題柵元號或 T。 脈沖幅度計數(shù)可以記錄在一個探測器中由輻射產(chǎn)生的脈沖的能量分布。該卡后面列出的是柵元號或柵元集合，與F4卡一樣。集合計數(shù)是累計計數(shù)而非平均計數(shù)。只允許有柵元區(qū)間以及能量區(qū)間。 不論 pl 取何值，該計數(shù)類型將記錄光子和電子，即粒子類型P、E或P, E對計數(shù)類型8是等價的。 對于脈沖幅度計數(shù)卡在選擇能量間隔的時候要注意，應該把零區(qū)間和區(qū)間包括在里面，例如：E80 1E-5 1E-3 1E-1 零區(qū)間用來處理由于撞出電子而產(chǎn)生負計數(shù)的情況

46、；(1E-5) 區(qū)間內(nèi)將記錄穿過柵元但沒有沉積能量的粒子。II. FCn 計數(shù)注釋卡格式： FCn注釋注釋 n 計數(shù)號。 該卡的注釋內(nèi)容將作為計數(shù)Fn的標題。當用某種方法修改計數(shù)的時候，該卡就特別有用，在以后看輸出結果時會得到提示，知道該計數(shù)是修改過的或是非標準的。III. En 計數(shù)能量卡格式： EnE1 Ek n 計數(shù)號。 Ei 計數(shù) n 的第 i 個能量間隔的上界。缺?。喝绻麤]有此卡，則建立一個整個能量范圍的區(qū)間，除非用E0卡更改了缺省值。 可以使用E0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的能量間隔結構。 MCNP會自動給出覆蓋所有能量區(qū)間的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“NT”，則不記錄該總計

47、數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是覆蓋所有能量的總計數(shù)。例子： E11 .1 1 20該例子為F11計數(shù)劃分了四個能量間隔。1)截止能量0.1 MeV2)0.11 MeV3)120 MeV4)整個能量范圍IV. Tn 計數(shù)時間卡格式： TnT1 Tk n 計數(shù)號。 Ti 計數(shù) n 的第 i 個時間間隔的上界。缺?。喝绻麤]有此卡，則建立一個整個時間范圍的區(qū)間，除非用T0卡更改了缺省值。 可以使用T0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的時間間隔結構。 MCNP會自動給出覆蓋所有時間區(qū)間的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“NT”，則不記錄該總計數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“

48、C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是覆蓋所有時間的總計數(shù)。例子： T2 -1 1 1.0+37 NT該例子為F2計數(shù)劃分了三個時間間隔。1)1 （10-8 秒）2)11 （10-8 秒）3)11.0+37(+) （10-8 秒）該例子不打印總時間上的總計數(shù)。V.Cn 計數(shù)余弦卡格式： CnC1 Ck n 計數(shù)號。 Ci 計數(shù) n 的第 i 個角的余弦間隔的上界。 C01，C11，Ck1。缺?。喝绻麤]有此卡，則建立一個整個角度范圍的區(qū)間，除非用C0卡更改了缺省值。 可以使用C0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的角度間隔結構。 該卡僅用于計數(shù)類型 1 。角度是相對于粒子穿過曲面那一點的正法線方法定義的，

49、正法線方法總是朝著對該曲面具有正向的柵元。 在FTn卡上用選擇項FRV U V W可以指定角度是相對于參考矢量（u,v,w）定義的。 MCNP不會自動給出整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“T”，則記錄該總計數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)。例子： C1-.868 -.5 0 .5 .868 1該例子為F1計數(shù)劃分了6個角度間隔。1)180 1502)150 1203)120 904) 90 605) 60 306) 30 0該例子不打印整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)。VI. FQn 打印層次卡格式： FQn a1 a2 a8

50、n 計數(shù)號。 ai F 柵元、曲面或探測器。 D 直接或標記。 U 用戶。 S 分段。 M 乘子。 C 余弦。 E 能量。 T 時間。缺?。喊瓷鲜龃涡虼蛴?。 a1為最外層嵌套，a7和a8制成一個表。a7a8橫向豎向 字母ai表示了所有8種可能的計數(shù)區(qū)間類型。該卡用于改變在輸出文件中計數(shù)打印的次序。這些字母需用空格分開，如果只輸入部分字母，則它們被放在該卡的最后，其余部分按其缺省的次序放在該卡的最前面。 根據(jù)問題的具體情況適當?shù)卣{(diào)整輸出結構，可提高輸出文件的可讀性。 用FQ0卡可改變?nèi)笔〉拇蛴〈涡?。VII.FMn 計數(shù)乘子卡格式： FMn (單元組1) (單元組2) T n 計數(shù)號。(單元組i)

51、 (乘子組1) (乘子組2) (衰減組) T 若有T，則給出所有單元的總計數(shù)。(衰減組 ) C -1 m1 px1 m2 px2 (乘子組i) C m (反應表1) (反應表2) (特殊乘子組i) C -k C 增值常數(shù)。 -1 衰減器標記。 m Mm卡上指定的材料號。(反應表i) 反應號的乘(空格)與加( : )的運算。2211pxpxedEERECm)()(VIII.DEn 劑量能量卡 DFn 劑量函數(shù)卡格式： DEn A E1 Ek DFn B F1 Fk n 計數(shù)號。 Ei 第 i 個能量點（MeV）。 Fi 對應第 i 個能量點的劑量函數(shù)值。 A LOG或LIN，能量表按對數(shù)或線性插

52、值。 B LOG或LIN，劑量函數(shù)表的插值方法。缺?。喝魶]有填寫A或B，則按對數(shù)插值處理。IX. 能量乘子卡 EMn M1 MkX. 時間乘子卡 TMn M1 MkXI. 余弦乘子卡 CMn M1 Mk n 計數(shù)號（n =0則指定缺省值）。 Mi 第 i 個區(qū)間的乘子。XII.CFn 柵元標記卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7）格式： CFn C1 Ck n 計數(shù)號。 Ci 要做標記的柵元。 粒子離開指定的柵元時將被打上標記，帶標記的粒子產(chǎn)生的貢獻除了記錄到正常的計數(shù)中，還要記錄到一個標記計數(shù)中去，這兩種計數(shù)將被分別列出。該方法可以確定穿過感興趣區(qū)域的粒子對計數(shù)的貢獻。 一個帶標記的中子所產(chǎn)生的次

53、級光子也帶有標記。例子： F4: N 6 10 13 CF4 3 4 這個例子中，中子在離開柵元3或4時將被打上標記。計數(shù)將有兩份輸出，第一份輸出是柵元6、 10和13的總徑跡長度計數(shù)。第二份輸出的也是這些柵元的計數(shù)，只不過這些計數(shù)是穿過柵元3或4以后的中子對這些柵元的計數(shù)貢獻。XIII.SFn 曲面標記卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7）格式： SFn S1 Sk n 計數(shù)號。 Si 要做標記的曲面。 該卡與CFn卡一樣，只不過是在粒子穿過指定的曲面時才打上標記。 對同一計數(shù)可以同時用CFn卡和SFn卡，但是輸出的帶標記的計數(shù)只有一份。XIV.FSn 分段計數(shù)卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7）格式

54、： FSn S1 Sk n 計數(shù)號。 Si 帶符號（指向）的分段曲面。 該卡用于把一個計數(shù)柵元或曲面分成若干段分別計數(shù)。其好處是不必為了計數(shù)而設置額外的柵元。 分段的曲面同樣要在曲面描述卡上定義，但它們不一定是實際幾何的組成部分，因此不用把這些曲面與柵元之間的關系考慮得太復雜。 FSn卡上輸入的k個曲面將劃分出 k+1 個曲面或體積段，這k個曲面按它們的次序和指向把計數(shù)n分成k+1個計數(shù)單元。如果FSn卡的末尾出現(xiàn)T，則還要增加一個總計數(shù)單元。 對計數(shù)卡上的每個曲面或柵元，單元按下列方法進行分割：單元1：曲面或柵元中符合曲面S1指向的部分。單元2：剩余部分中符合曲面S2指向的部分。 單元k：剩

55、余部分中符合曲面Sk指向的部分。單元k+1：剩余部分。單元k+2：若給出T ，整個曲面或柵元的總計數(shù)。例子：1 1 2.22 1 2 3 4 5 6 IMP:N=12 0 #1 IMP:N=01 PY 02 PZ 13 PY 24 PZ 15 PX 16 PX 1SDEF POS = 0 1 0 ERG = 1M1 6012.60 1F2:N 37 PX .58 PX -.59 PZ .510 PZ -.5FS2 7 10 8 9XV.SDn 分段除數(shù)卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7）格式： SDn (D11 D12 D1m) (Dk1 Dk2 Dkm) n 計數(shù)號。 k Fn卡上柵元或曲面的數(shù)

56、目，包括T。 m FSn卡上分段的數(shù)目，包括剩余段及T。Dij 第 i 個柵元或曲面上的第 j 段的面積、體積或質(zhì)量。XVI.DXT DXTRAN卡格式： DXT: n x1 y1 z1 RI1 RO1 x2 y2 z2 RI2 RO2 . DWC1 DWC2 DPWT n N或P，對E無效。 xi yi zi 第 i 個球的球心位置。RIi 第 i 個球的內(nèi)半徑。ROi 第 i 個球的外半徑。 DWC1球中的截斷權重上限。 DWC2 球中的截斷權重下限。 DPWT 最小光子權重。XVII.FTn 計數(shù)特殊處理卡格式： FTn ID1 P1,1 P1,2 P1,3 ID2 P2,1 P2,2

57、P2,3 n 計數(shù)號。 IDi 第 i 項特殊處理的標識符。 FRV 用于計數(shù)類型1角度間隔的參考方向。GEB 高斯能量展寬。TMC 時間卷積。INC 指定碰撞次數(shù)。ICD 指定要記錄對探測器作貢獻的柵元。ELC 電流計數(shù)。 Pi,j 第 i 項特殊處理的參數(shù)。特殊處理的描述以及參數(shù)：1)角度間隔的參考方向FRV V1 V2 V3 Vi是參考矢量V的XYZ分量，可以不歸一。該矢量用于計數(shù)類型1，作為角度的參考方向。2)高斯能量展寬GEB a b c參數(shù)指定了物理輻射探測器能量展寬的半高寬。 ，E為能量。3)時間卷積TMC a b模擬方波脈沖發(fā)射的源粒子，粒子發(fā)射從時間 a 開始到時間 b 結束

58、。2cEEba半高寬(6) 材料描述材料描述這組卡片用于指定在柵元中所使用的材料成分和使用哪些截面數(shù)據(jù)。助記符卡片類型Mm材料成分DRXS離散反應截面TOTNU總裂變NONU裂變截斷AWTAB原子量XSn截面文件VOID否定材料PIKMT次級光子產(chǎn)生偏倚MGOPT多群特征描述I.Mm 材料成分卡格式：MmZAID1 fr1 ZAID2 fr2 關鍵字=值 ZAIDi 材料中第 i 種成份的截面數(shù)據(jù)，形式為ZZZAAA.nnX或ZZZAAA ZZZ是元素的原子序號，AAA是原子量。AAA000表示自然元素。（附錄G） nn是截面庫標識符；X是數(shù)據(jù)分類，C：連續(xù)；D：離散。fri 材料中第 i 種

59、成份的原子核數(shù)目的比例（負值表示重量比例）。關鍵字=值，符號 “=”可選擇。關鍵字有：GASm 標記 m0 材料處于緊密狀態(tài)(液態(tài)或固態(tài))。 m1 材料處于氣態(tài)。ESTEPn 將該材料中電子每能量步的子步數(shù)增 加到 n ，如果該值小于內(nèi)建值，則忽略。NLIBid 將缺省的中子標識改為字符串 id 。PLIBid 將缺省的光子標識改為字符串 id 。ELIBid 將缺省的電子標識改為字符串 id 。CONDid 設置材料的傳導狀態(tài)。 0 ，如果成份中至少有一種導體則為導體II.DRXS 離散反應截面卡格式：DRXSZAID1 ZAID2 ZAIDi 或空白ZAIDi 形式為ZZAAA.nn或的標

60、識號ZZZ是元素的原子序號，AAA是原子量。nn是中子庫標識符。 該卡所列的核素將使用離散能量的截面處理。如果DRXS后沒有輸入項，則對所有核素使用離散能量的截面處理。缺省的使用連續(xù)能量的截面處理。 該卡僅用于中子截面。III. ATWAB 原子量卡格式：ATWAB ZAID1 AW1 ZAID2 AW2 ZAIDi Mm材料卡上使用的ZAID，但不包括 數(shù)據(jù)分類X。AWi 原子量。缺?。喝绻麤]有此卡，則使用截面目錄文件XSDIR 和截面表中的原子量。 該卡上的數(shù)據(jù)項將代替截面目錄文件XSDIR 和截面表中的原子量。IV. VOID 取消材料卡格式： VOID 或： VOID C1 C2 Ci