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1、逐次逼近寄存器型ADC調(diào)研報(bào)告課 程 名 稱 : 數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計(jì) 專 業(yè)(年 級): 集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)(2011)組 員(學(xué) 號): 王德華(20112154) 崔 強(qiáng)(20112152) 朱鳳龍(20112143) 提 交 日 期 : 2014年10月13日 一、組員分工查閱文獻(xiàn)情況:序 號組員姓名(學(xué) 號)所查閱文獻(xiàn)<格式:文獻(xiàn)名稱,作者,出版期刊名稱,出版年,刊號(卷號):起始頁數(shù)-終止頁數(shù)>1王德華(20112154)參考文獻(xiàn)1-1:低功耗高精度逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),袁小龍;趙夢戀;吳曉波;嚴(yán)曉浪,浙江大學(xué)學(xué)報(bào),2005-10,第40卷12期,1-4頁參考
2、文獻(xiàn)1-2:逐次比較式A/D轉(zhuǎn)換器的教學(xué)研究,惠星星,佳木斯教育學(xué)院學(xué)報(bào),2012-06,116期,163-164頁參考文獻(xiàn)1-3:Analysis and design of high performance frequency-interleaved ADC,Qiu Lei,IEEE,Year: 2013,116,Page:2022 - 2025參考文獻(xiàn)1-4:Digitally Calibrated 768-kS/s 10-b Minimum-Size SAR ADC Array With Dithering,惠星星,IEEE,Year:2012,12933499,Page:2129 -
3、 21402崔強(qiáng)(20112152)參考文獻(xiàn)2-1:用于SOC系統(tǒng)的逐次逼近型ADC設(shè)計(jì),龍善麗;殷勤;吳建輝;王沛,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,2007-08,第27卷 第3期,382-383頁參考文獻(xiàn)2-2:一種基于藍(lán)牙射頻電路可測性設(shè)計(jì)的8位逐次逼近型ADC,陳堅(jiān);洪志良,應(yīng)用科學(xué)學(xué)報(bào),2004-12,第22卷 第4期,475-476頁參考文獻(xiàn)2-3:Increasing the ADC precision with oversampling in a flash ADC,Abumurad, A. Dept. of Comput;Sci. & Eng., Pennsylvania St
4、ate Univ., University Park, PA, USA ;Kyusun Cho,IEEE,Year:2012-10,13357010,Page:1-4參考文獻(xiàn)2-4:A 100MHz S/s, 7 bit VCO-based ADC which is used in time interleaved ADC architectures, Ruihao Si ; Inst. of Microelectron., Tsinghua Univ., Beijing, China ; Fule Li ; Chun Zhang IEEE,Year:2012,12746017,Page:4-
5、73朱鳳龍(20112143)參考文獻(xiàn)3-1:逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器的研究及設(shè)計(jì),趙常昊,D,電子科技大學(xué),2010年,03期,11-15頁參考文獻(xiàn)3-2:一種8通道12位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),彭新芒;楊銀堂;朱樟明,電子工程師,2007年,04期,19-23頁參考文獻(xiàn)3-3:A 40-GHz-bandwidth, 4-bit, time-interleaved A/D converter using photoconductive sampling,Urata,R.,Solid-StateCircuits,Year:2004,Page:2021 - 2030參考文獻(xiàn)3-4:Design
6、of Analog CMOS Integraded Circu it,Behzad Razavi, Year:2010,Issue: 5,Page:370-420引言逐次逼近寄存器型(SAR)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)是采樣速率低于5Msps (每秒百萬次采樣)的中等至高分辨率應(yīng)用的常見結(jié)構(gòu)。SAR ADC的分辨率一般為8位至16位,具有低功耗、小尺寸等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使該類型ADC具有很寬的應(yīng)用范圍,例如便攜/電池供電儀表、筆輸入量化器、工業(yè)控制和數(shù)據(jù)/信號采集等。顧名思義,SAR ADC實(shí)質(zhì)上是實(shí)現(xiàn)一種二進(jìn)制搜索算法。所以,當(dāng)內(nèi)部電路運(yùn)行在數(shù)兆赫茲(MHz)時(shí),由于逐次逼近算法的緣故,ADC采
7、樣速率僅是該數(shù)值的幾分之一。1. SAR ADC的架構(gòu)盡管實(shí)現(xiàn)SAR ADC的方式千差萬別,但其基本結(jié)構(gòu)非常簡單(見圖1)。模擬輸入電壓(VIN)由采樣/保持電路保持。為實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制搜索算法,N位寄存器首先設(shè)置在中間刻度(即:100. .00,MSB設(shè)置為1)。這樣,DAC輸出(VDAC)被設(shè)為VREF/2,VREF是提供給ADC的基準(zhǔn)電壓。然后,比較判斷VIN是小于還是大于VDAC。如果VIN大于VDAC,則比較器輸出邏輯高電平或1,N位寄存器的MSB保持為1。相反,如果VIN小于VDAC,則比較器輸出邏輯低電平,N位寄存器的MSB清0。隨后,SAR控制邏輯移至下一位,并將該位設(shè)置為高電平,進(jìn)
8、行下一次比較。這個(gè)過程一直持續(xù)到LSB。上述操作結(jié)束后,也就完成了轉(zhuǎn)換,N位轉(zhuǎn)換結(jié)果儲(chǔ)存在寄存器內(nèi)1-1。圖1. 簡單的N位SAR ADC架構(gòu)圖2給出了一個(gè)4位轉(zhuǎn)換示例,y軸(和圖中的粗線)表示DAC的輸出電壓。本例中,第一次比較表明VIN < VDAC。所以,位3置為0。然后DAC被置為01002,并執(zhí)行第二次比較。由于VIN > VDAC,位2保持為1。DAC置為01102,執(zhí)行第三次比較。根據(jù)比較結(jié)果,位1置0,DAC又設(shè)置為01012,執(zhí)行最后一次比較。最后,由于VIN > VDAC,位0確定為11-2。圖2. SAR工作原理(以4位AD
9、C為例)注意,對于4位ADC需要四個(gè)比較周期。通常,N位SAR ADC需要N個(gè)比較周期,在前一位轉(zhuǎn)換完成之前不得進(jìn)入下一次轉(zhuǎn)換2-1。由此可以看出,該類ADC能夠有效降低功耗和空間,當(dāng)然,也正是由于這個(gè)原因,分辨率在14位至16位,速率高于幾Msps (每秒百萬次采樣)的逐次逼近ADC極其少見。一些基于SAR結(jié)構(gòu)的微型ADC已經(jīng)推向市場1-3。MAX1115/MAX1116和MAX1117/MAX1118 8位ADC以及分辨率更高的可互換產(chǎn)品MAX1086和MAX1286 (分別為10位和12位),采用微小的SOT23封裝,尺寸只有3mm x 3mm。12位MAX11102
10、采用3mm x 3mm TDFN封裝或3mm x 5mm µMAX®封裝2-2。SAR ADC的另一個(gè)顯著的特點(diǎn)是:功耗隨采樣速率而改變。這一點(diǎn)與閃速ADC或流水線ADC不同,后者在不同的采樣速率下具有固定的功耗。這種可變功耗特性對于低功耗應(yīng)用或者不需要連續(xù)采集數(shù)據(jù)的應(yīng)用非常有利(例如,用于PDA 數(shù)字轉(zhuǎn)換器)1-4。2. SAR的深入分析SAR ADC的兩個(gè)重要部件是比較器和DAC,稍后我們可以看到,圖1中采樣/保持電路可以嵌入到DAC內(nèi),不作為一個(gè)獨(dú)立的電路。SAR ADC的速度受限于:·DAC的建立時(shí)間,在這段時(shí)間內(nèi)必須穩(wěn)定在整個(gè)轉(zhuǎn)換器的分辨率以內(nèi)(如:
11、189; LSB) 比較器,必須在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)能夠分辨VIN與VDAC的微小差異 邏輯開銷2.1 DACDAC的最大建立時(shí)間通常取決于其MSB的建立時(shí)間,原因很簡單,MSB的變化代表了DAC輸出的最大偏移。另外,ADC的線性也受DAC線性指標(biāo)的限制。因此,由于元件固有匹配度的限制,分辨率高于12位的SAR ADC常常需要調(diào)理或校準(zhǔn),以改善其線性指標(biāo)。雖然這在某種程度上取決于處理工藝和設(shè)計(jì),但在實(shí)際的DAC設(shè)計(jì)中,元件的匹配度將線性指標(biāo)限制在12位左右2-3。許多SAR ADC采用具有固有采樣/保持功能的電容式DAC。電容式DAC根據(jù)電荷再分配的原理產(chǎn)生模擬輸出電壓,由于這種類型的DAC在SAR
12、 ADC中很常用,所以,我們最好討論一下它們的工作原理3-1。電容式DAC包括一個(gè)由N個(gè)按照二進(jìn)制加權(quán)排列的電容和一個(gè)“空LSB”電容組成的陣列。圖3是一個(gè)16位電容式DAC與比較器相連接的范例。采樣階段,陣列的公共端(所有電容連接的公共點(diǎn),見圖3)接地,所有自由端連接到輸入信號(模擬輸入或VIN)。采樣后,公共端與地?cái)嚅_,自由端與VIN斷開,在電容陣列上有效地獲得了與輸入電壓成比例的電荷量。然后,將所有電容的自由端接地,驅(qū)動(dòng)公共端至一個(gè)負(fù)壓-VIN2-4。 圖3. 16位電容式DAC示例作為二進(jìn)制搜索算法的第一步,MSB電容的底端與地?cái)嚅_并連接到VREF,驅(qū)動(dòng)公共端電壓向正端移動(dòng)&
13、#189;VREF。因此,VCOMMON = -VIN + ½ × VREF如果VCOMMON < 0 (即VIN > ½ × VREF),比較器輸出為邏輯1。如果VIN < ½ × VREF,比較器輸出為邏輯0。如果比較器輸出為邏輯1,MSB電容的底端保持連接至VREF。否則,MSB電容的底端連接至地。接下來,下一個(gè)較小電容的底端連接至VREF,將新的VCOMMON電壓與地電位進(jìn)行比較。繼續(xù)上述過程,直至所有位的值均確定下來。簡言之,VCOMMON = -
14、VIN + BN-1 × VREF/2 + BN-2 × VREF/4 + BN-1 × VREF/8 + . + B0 × VREF/2N-1 (B_為比較器輸出/ADC輸出位)3-2。2.1.1 DAC校準(zhǔn)對于一個(gè)理想的DAC來講,每個(gè)與數(shù)據(jù)位相對應(yīng)的電容應(yīng)該精確到下一個(gè)較小電容的兩倍。在高分辨率ADC (如16位)中,這會(huì)導(dǎo)致過寬的數(shù)值范圍,以致無法用經(jīng)濟(jì)、可行的尺寸實(shí)現(xiàn)。16位的SAR ADC (如MAX195)實(shí)際由兩列電容組成,利用電容耦合減小LSB陣列的等效容值。MSB陣列中的電容經(jīng)過微調(diào)以
15、降低誤差。LSB電容的微小變化都將對16位轉(zhuǎn)換結(jié)果產(chǎn)生明顯的誤差。不幸的是,僅僅依靠微調(diào)并不能達(dá)到16位的精度,或者補(bǔ)償由于溫度、電源電壓或其它參數(shù)的變化所造成的性能指標(biāo)的改變。考慮到上述原因,MAX195內(nèi)部為每個(gè)MSB電容配置了一個(gè)校準(zhǔn)DAC,這些DAC通過電容耦合到主DAC輸出,根據(jù)它們的數(shù)字輸入調(diào)節(jié)主DAC的輸出。校準(zhǔn)時(shí),首先要確定用于補(bǔ)償每個(gè)MSB電容誤差的修正代碼,并存儲(chǔ)該代碼。此后,當(dāng)主DAC對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為高電平時(shí)就把存儲(chǔ)的代碼提供給適當(dāng)?shù)男?zhǔn)DAC,補(bǔ)償相關(guān)電容的誤差。一般由用戶發(fā)起校準(zhǔn)過程,也可以在上電時(shí)進(jìn)行自動(dòng)校準(zhǔn)。為降低噪聲效應(yīng),每個(gè)校準(zhǔn)過程都執(zhí)行許多次(MAX195大約
16、持續(xù)14,000個(gè)時(shí)鐘周期),結(jié)果取平均值。當(dāng)供電電壓穩(wěn)定后最好進(jìn)行一次校準(zhǔn)。高分辨率ADC應(yīng)該在電源電壓、溫度、基準(zhǔn)電壓或時(shí)鐘等任何一個(gè)參數(shù)發(fā)生顯著變化后進(jìn)行再校準(zhǔn),因?yàn)檫@些參數(shù)對直流偏移有影響。如果只考慮線性指標(biāo),可以容許這些參數(shù)有較大改變。因?yàn)樾?zhǔn)數(shù)據(jù)是以數(shù)字方式存儲(chǔ)的,無需頻繁轉(zhuǎn)換即可保持足夠的精度3-3。2.2 比較器比較器需要具有足夠的速度和精度,盡管比較器的失調(diào)電壓不影響整體的線性度,它將給系統(tǒng)傳輸特性曲線帶來一個(gè)偏差,為減小比較器的失調(diào)電壓引入了失調(diào)消除技術(shù)。然而,還必須考慮噪聲,比較器的等效輸入噪聲通常要設(shè)計(jì)在1 LSB以內(nèi)。比較器必須能夠分辨出整個(gè)系統(tǒng)精度以內(nèi)的電壓,也就是
17、說比較器需要保證與系統(tǒng)相當(dāng)?shù)木取?. SAR ADC與其它ADC結(jié)構(gòu)的比較3.1 與流水線ADC相比流水線ADC采用一種并行結(jié)構(gòu),并行結(jié)構(gòu)中的每一級同時(shí)進(jìn)行一位或幾位的逐次采樣。這種固有的并行結(jié)構(gòu)提高了數(shù)據(jù)的吞吐率,但要以功耗和延遲為代價(jià)。所謂延遲,在此情況下定義為ADC采樣到模擬輸入的時(shí)間與輸出端得到量化數(shù)據(jù)的時(shí)間差。例如,一個(gè)5級流水線ADC至少存在5個(gè)時(shí)鐘周期的延遲,而SAR只有1個(gè)時(shí)鐘周期的延遲。需要注意的是,延遲的定義只是相對于ADC的吞吐率而言,并非指SAR的內(nèi)部時(shí)鐘,該時(shí)鐘是吞吐率的許多倍。流水線ADC需要頻繁地進(jìn)行數(shù)字誤差校準(zhǔn),以降低對流水線上每一級閃速ADC (即比較器)的
18、精度要求。而SAR ADC的比較器精度只需與整體系統(tǒng)的精度相當(dāng)即可。流水線ADC一般比同等級別的SAR需要更多的硅片面積。與SAR一樣,精度高于12位的流水線ADC通常需要一些某種形式的微調(diào)或校準(zhǔn)。3.2 與閃速ADC相比閃速ADC由大量的比較器構(gòu)成,每個(gè)比較器包括一個(gè)寬帶、低增益預(yù)放大器和鎖存器。預(yù)放大器必須僅用于提供增益,不需要高線性度和高精度,這意味著只有比較器的門限值才需具有較高的精度。所以,閃速ADC是目前轉(zhuǎn)換速率最快的一種架構(gòu)。通常需要折衷考慮閃速ADC的速度以及SAR DAC的低功耗和小尺寸特性。盡管極高速的8位閃速ADC (以及它們的折疊/內(nèi)插變種)具有高達(dá)1.5Gsps的采樣速率(例如MAX104、MAX106和MAX108),但很難找到10位的閃速ADC,而12位(及更高位)閃速ADC還沒有商用化的產(chǎn)品。這是由于分辨率每提高1位,閃速ADC中比較器的個(gè)數(shù)將成倍增長,同時(shí)還要保證比較器的精度是系統(tǒng)精
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