電子科技大學(xué)2001至2002學(xué)年第2學(xué)期模電考試

1、電子科技大學(xué)2001至2002學(xué)年第2學(xué)期模擬電路根底課程考試題120分鐘考試日期：2002年7月11日一、一、填空題1、 充分導(dǎo)通的 PN結(jié),其電流 I 與電壓 v 的關(guān)系式為。2、硅二極管的工作點(diǎn)電流 lD=0.5Ma,在常溫下，二極管在該點(diǎn)交流電阻約為 歐姆。3、 圖 7 所示 CE 放大器的交流負(fù)載線的斜率是 mA/V。4、 放大器存在非線性失真的根本原因是 。5、 差動(dòng)放大器共模抑制比KCMR的定義是 o6、圖 1所示的理想反應(yīng)模型的輸出電壓 vo與輸入電壓 vs之比與 A、B 的關(guān)系 為。7、 用集成運(yùn)放構(gòu)成電壓跟隨器，其電路為：畫(huà)出原理電路8、 差動(dòng)放大器兩輸入口的增量電壓VI=

2、1mV,v2= 3mV,那么 vid=mV, vic= mV。9、 BJT 的特征頻率是指 時(shí)的頻率。10、 負(fù)反應(yīng)的環(huán)路自動(dòng)調(diào)節(jié)作用使 信號(hào)的變化受到制約。11、假設(shè)負(fù)載變化時(shí)，放大器的輸出電壓不變，由此可判定該放大器的 電 阻為零。12、對(duì)丁正常工作的甲類功放，當(dāng)輸入信號(hào)幅度增加時(shí)，電源提供的頻 率。13、偏置丁放大區(qū)的耗盡型 FET,其漏源電流 iD與柵源電壓VDS滿足關(guān)系 式。14、 共射放大器比共基和共集放大器使用更多的原因之一是。15、 在 BJT 混合完整模型的七個(gè)參數(shù)中，參數(shù) rce和舊 是 BJT 效 應(yīng)的反映。二、單項(xiàng)選擇題1、任何正常工作的放大器，其增益應(yīng)該大丁 1。A、

3、功率B、電壓 C、電流D、閉環(huán)2、 在下述關(guān)丁射極輸出器特點(diǎn)的論述中，是錯(cuò)誤的。A、射極輸出器帶負(fù)載能力較強(qiáng)；B、射極輸出器的輸入電阻較大；C、設(shè)計(jì)輸出器輸入動(dòng)態(tài)范圍較??；D、以CE放大器作根本放大器，那么設(shè)計(jì)輸出器是負(fù)反應(yīng)放大器。3、圖 2所示 BJT 偏置電路當(dāng)溫度變化時(shí)，電流變化最小。A、IBB、ICC、IED、ICCA、放大器通頻帶太窄可能引起頻率失真；B、頻率失真使輸出的頻率成份增多，從而使輸出波形畸變;C、產(chǎn)生頻率失真的原因是放大器模型中的電抗元件所致；D、頻率失真可能引起輸入信號(hào)各頻率分量在輸出口的時(shí)延不同6、一支 N 溝道 JEFT 要偏置丁放大區(qū)，對(duì)VDS和VGS的要求是。A

4、、VDSVpB、VDSVGSVP,VGSVpC、VDSVGSVP,VGSVGSVP,VGSVp7、 圖 3所示的運(yùn)放應(yīng)用電路要實(shí)現(xiàn)微分運(yùn)算，對(duì)輸入信號(hào)Vi的頻率 f的限制 是1111圖38、在圖 4所示電路中，穩(wěn)壓管參數(shù)為 VZ=9mA,IZMA=50mAZMIh=1mA該電路不能 正常產(chǎn)生 9V的穩(wěn)壓輸出的原因是。A、穩(wěn)壓管不能擊穿；B、穩(wěn)壓管正向?qū)?；C、穩(wěn)壓管因電流太小而內(nèi)阻過(guò)大；D、穩(wěn)壓管因電流過(guò)大而燒管。R-圖2A. f2 RfCB. f2 RlCC. f2 RE. f2叩氏E = 1WRLnV04.7k T圖49、為了抑制直流放大器的溫漂輸出，應(yīng)該采用。A、交流負(fù)反應(yīng)B、交流正反應(yīng)

5、C、直流正反應(yīng)D、直流負(fù)反應(yīng)10、 在圖 3 所示運(yùn)放應(yīng)用電路中，要使輸入偏流引起的失調(diào)減小，RP 的 取 值應(yīng)為。A、Ri/RfB、Rf+RLC、Ri/Rf+RiD、Rf三、改錯(cuò)題具體指出圖 5 所示放大器中的 5 處錯(cuò)誤或不合理之處，并改正。注意：不能改動(dòng) 放大器組態(tài)以及晶體管電極的性質(zhì)。四、分析題某放大器如圖 6 所示，電路中 Ti、T2配對(duì)，T4、T5配對(duì)。試答復(fù)以下問(wèn)題：1、1、電路中有幾級(jí)放大器？各是什么組態(tài)？2、2、D1、D2起什么作用？3、3、T2起什么作用？4、4、 不計(jì) T4、 T5飽和壓降時(shí)， 負(fù)載 RL的最大輸出功率 Pomax為多少？此 時(shí)土 12V電源輸出了多少功率

6、？5、 5、為了保證放大器能輸出 Pomax,對(duì) T4、T5的極限參數(shù) PCM應(yīng)有何要求？1、在圖 7 所示 CE 放大器中，硅 NPN 管的靜態(tài)VBEQ0.7V, 6 =100,rbb=200Q,rce,rb，不計(jì)。C1C2和CE在中頻段對(duì)交流短路。(1)估算靜態(tài)集電極電流 IC；(2)畫(huà)出交流通路，求輸入電阻 Ri以及端電壓增益 A=vo/vi;(3)如果CI=C2=CE,哪一個(gè)電容對(duì) Av(j 3 )的 fL影響最大，為什么？Tcc=12V圖72、圖 8 所示是 FET 差放與 OA 組成級(jí)聯(lián)放大器,EFT 差放滿足零輸出條件且TI,T2配對(duì)。TI,T2的參數(shù)是VP= 4V, IDSS=4mA;工作 ID=1mA ; rds不計(jì)。v。(1)求v1V2的值；(2)圖中 T3T4是什么電路，在電路中起什么作用?CiRi f3、圖 9 是由兩級(jí) CE 組態(tài)級(jí)聯(lián)的深負(fù)反應(yīng)放大器，圖中所有的電容在中頻段 交流短路。(1)判斷反應(yīng)類型；(2)說(shuō)明這種反應(yīng)放大器對(duì)輸出電阻 Rof和輸入電阻 Rif的影響；(3)求中頻段源電壓增益