2019年GaAs襯底行業(yè)分析報告

1、2019年GaAs襯底行業(yè)分析報告2019年9月目錄、PA器件及襯底：5G基站、終端對PA需求大增、GaAs襯底或迎來更大市場空間6（一）PA器件：17-23年5G基站、終端PA需求CAGF或達7%,性能要求提升6.1、性能：5G高頻、高速特質(zhì)驅(qū)動PA高頻和功率等性能提升 62、數(shù)量：5G基站、終端對PA需求大增、17-23年CAGR或達7%7（二）PA襯底：遷移率和禁帶寬度要求更高、GaAs等或擠占Si基襯底市場份額9.1、高工作頻段要求半導體材料具備更高的飽和速度和電子遷移率92、高功率要求則要求半導體材料具備更高的禁帶寬度和擊穿電場93、面向5G高頻、高功率要求，GaAs GaN基器件將

2、逐步擠占Si基器件的市場份額 10二、GaAs長晶工藝：制備高純單晶為組件制造首要環(huán)節(jié)、直拉法占據(jù)90%市場份額12（一）從晶體到組件：制備高純半導體單晶為組件制造的首要環(huán)節(jié) 12（二）GaAs長晶工藝：直拉法占據(jù)90%市場份額 131、水平布里奇曼法（Horizontal Bridgman, HB） 142 液封切克勞斯基法（Liquid Encapsulating Czochralski, LEC） 143、蒸氣壓控制切克勞斯基法（Vaporpressure Controlled Czochralski, VCZ） 154、垂直布里奇曼法 Vertical Bridgman, VB）或垂直

3、梯度冷凝（Vertical Gradient Freeze,VGF） 16三、GaAs市場格局：海外廠商壟斷PA和GaAs襯底市場，國產(chǎn)替代空間廣闊18（一）全球：PA及GaAs單晶襯底均被少數(shù)廠商壟斷，CR3分另U為93%和95%1.8.二）國內(nèi)：射頻器件用半絕緣GaAs襯底尚未規(guī)?；?、國產(chǎn)替代空間廣闊1.9.1、行業(yè)：國內(nèi)GaAs單晶片年產(chǎn)量117萬片（以4時計）、以LED芯片用低阻拋光片為主，半絕緣GaAs襯底國產(chǎn)替代空間較大192、公司：中科晶電、云南銘業(yè)等為國內(nèi)碑化像單晶襯底龍頭供應(yīng)商20四、5G時代GaAs襯底需求提升、國產(chǎn)化替代空間廣闊225G時代的GaAs襯底機會。5G時代射頻

4、器件的高頻、高功率對半導體襯底材料提出更高的要求，GaAs襯底成為主流趨勢。考慮到GaAs兩 種生長工藝的不同，直拉法生長的GaAs能夠滿足5G高頻、高功率 的 需求。從自主可控的角度看，擁有直拉GaAs產(chǎn)能的公司將在此過 程中 受益。PA器件及襯底：5G基站、終端對PA需求大增、GaAs襯底或迎 來更 大市場空間。根據(jù)周春鋒等于2015年發(fā)表于天津科技期刊的論文 碑化像材料技術(shù)發(fā)展及需求，5G網(wǎng)絡(luò)高頻、高速的特性要求前端射 頻組件具備在高頻、高功率下更好的性能表現(xiàn)，從而對其半導體材料電 子遷移率和禁帶寬度等物理性能提出了更高的要求；同時，5G宏基站 大規(guī)模MIMO技術(shù)的普及、以及5G終端支持

5、頻段的增加，都將使前端射 頻組件以及半導體材料需求提升?；谏鲜鰞蓚€方面，GaAs以及GaN 在5G時代或?qū)⒅鸩饺〈鶶i-LDMOS,成為終端設(shè)備以及 基站設(shè)備前端射 頻器件的核心用半導體材料，迎來更大市場空間。GaAs長晶工藝：制備高純單晶為組件制造首要環(huán)節(jié)、直拉法占據(jù) 90%市場份額。半導體高純單晶生長是制備各類半導體器件的核心技術(shù)。 從生產(chǎn)工藝看，水平布里奇曼法（HB）已經(jīng)不適用于生產(chǎn)低位錯密度、 高品質(zhì)GaAs單晶，而VGF/VB法、LEC法等直拉工藝已成 為全球主流 長晶技術(shù)。根據(jù) Pioneer Report 發(fā)布的 Global Gallium Market Growth 201

6、9-2024）>報告，VGF/VB法、LEC法全球市場份額合計達90%。GaAs市場格局：海外廠商壟斷PA和GaAs襯底市場，國產(chǎn)替代空間 廣闊。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，從全球前端射頻功率放大器市場看，Skyworks>Qorvo、博通Avago等市占率合計高達93%,而半絕緣GaAs單晶襯底 也均被日本住友電氣、德國費里博格以及美國AXT等少數(shù)廠商壟斷，全 球市場CR3高達95%。而目前國內(nèi)GaAs單晶廠商仍以LED芯片用低 阻拋光片為主，射頻元器件用大尺寸、半絕緣GaAs襯底尚未規(guī)模生 產(chǎn)，國產(chǎn)替代空間廣闊。5G來臨助GaAs迎更大市場空間，國產(chǎn)化替代空間廣闊。5G時代 將 帶來以GaAs為代表的第二、第三代半導體材料的需求顯著提升，但目前 大規(guī)格、高品質(zhì)半絕緣GaAs單晶襯底基本為海外廠商壟斷，國產(chǎn)化替代 空間廣闊。關(guān)注相關(guān)上市公司：云南銘業(yè)（根據(jù)公司2018年年報，公司 是集鑄礦開采、精深加工和研發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)，目前具備碎化 錢單晶片產(chǎn)能80萬片/年（以4口寸計），2018年公司非楮 半導體產(chǎn)品 營收為1065萬元，占其總營收的2.3%, 2018年營收占比較 低）、有 研新材（根據(jù)公司2018年年報，公司主