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文檔簡介
1、1. 已知某晶體管處于放大狀態(tài),測得其三個極的電位分別為 1.3V、2V和 6V,則6V所對應(yīng)的電極為()。 A.發(fā)射極 B.集電極 C.基極 D.無法確定 【參考答案】:B 2. 關(guān)于BJT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)說法錯誤的是()。 A.基區(qū)很薄且摻雜濃度很低 B.發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于集電區(qū)摻雜濃 度 C.基區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于集電區(qū)摻雜濃度 D.集電區(qū)面積大于發(fā)射區(qū) 面積 【參考答案】:C 3. 測得晶體管三個電極對地的電壓分別為 -2V、-8V、-2.2V,貝U該管為()。 A.NPN型錯管 B.PNP 型錯管 C.PN觀硅管 D.NPN硅管 【參考答案】:B 4. 在共射、共集和共基三種基本放大電路
2、中,輸出電阻最小的是()放大 電路。 A.共射極 B.共集電極 C.共基極 D.不確定 【參考答案】:B 5. 引起共射極放大電路輸出波形出現(xiàn)飽和失真的主要原因是 ()。 A.輸入電阻太小 B.靜態(tài)工作點(diǎn)偏低 C.靜態(tài)工作點(diǎn)偏高 D.輸出電阻 太小 【參考答案】:C 6. 在摻雜半導(dǎo)體中,少子的濃度受()的影響很大。 A.溫度 B.摻雜工藝 C.雜質(zhì)濃度 D.晶體缺陷 【參考答案】:A 7. 在共集電極放大電路中,若輸入電壓為正弦波形,則輸入輸出電壓相 位()。 A.同相 B.反相 C.相差 900 D.不確定 【參考答案】:A 8. 在由NP濯BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中,如靜態(tài)工作點(diǎn)
3、過高 容易產(chǎn)生()。 A.飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.線性失真 【參考答案】:A 9. 晶體管能夠放大的外部條件是()。 A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏 B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏 C.發(fā)射結(jié)反偏, 集電結(jié)正偏 D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏 【參考答案】:A 10. 對PN哩晶體管來說,當(dāng)其工作于放大狀態(tài)時,()極的電位最低。 A.發(fā)射極 B.基極 C.集電極 D.不確定 【參考答案】:C 11. 射極輸出器無放大功率的能力。 T.對 F.錯 【參考答案】:F 12. 溫度升高,晶體管輸入特性曲線右移。 T.對 F.錯 【參考答案】:F 13. 二極管是非線性器件。 T.對 F.錯 【參考答案】:T 14. 對于電壓放大器來說,輸出電阻越小,電路的帶負(fù)載能力越強(qiáng)。 T.對 F.錯 【參考答案】:T 15. 共射放大電路中信號從射極輸入,由集電極輸出。 T.對 F.錯 【參考答案】:F 16. BJT有三個極、三個區(qū)、三個 PN結(jié)。 T.對 F.錯 【參考答案】:F 17. 阻容耦合多級放大電路不能抑制零點(diǎn)漂移。 T.對 F.錯 【參考答案】:F 18. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 T.對 F.錯 【參考答案】:T 19. 當(dāng)環(huán)境溫度升高時,二
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