數(shù)字電子技術(shù)

1、1已知邏輯函數(shù)，的是（ ）。2. 1同或1其結(jié)果是（ 1 ）。3.若要將10KHz的矩形波信號轉(zhuǎn)換為1KHz的矩形波信號，應(yīng)采用（十進制計數(shù)器 ）。4. 用5級觸發(fā)器可以記憶( 16 )種不同的狀態(tài)。5.如圖C.1所示TTL門電路輸出與輸入之間的邏輯關(guān)系錯誤的是（都錯 ）。ABC圖ABCC.16. 函數(shù)中，符合邏輯相鄰的是 （ ）。7. 輸出端可直接連在一起實現(xiàn)“線與邏輯功能的門電路是(OC門 )。8. 已知R、S是2 個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器的輸入端，則約束條件為( AC )。 9. 如圖D1所示由555定時器組成的電路是 ( 單穩(wěn)態(tài)電路 )。 . 圖【D1】10. 組合邏輯電路特點是什

2、么。答：組合邏輯電路的特點是輸出信號只是該時的輸入信號的函數(shù)，與別時刻的輸入狀態(tài)無關(guān)，它是無記憶功能的,它屬于數(shù)字電路當中的一部分，數(shù)字電路分為組合邏輯電路和時序邏輯電路兩類11、邏輯函數(shù)的化簡方法有（卡諾圖 . 代數(shù)） .12、CMOS集成器件具有的特點答：功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗（在1MHz工作頻率時）也僅為幾mW。工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不

3、需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在318V電壓下正常工作。邏輯擺幅大CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當VDD=15V，VSS=0V時，輸出邏輯擺幅近似15V。因此，CMOS集成電路的電壓電壓利用系數(shù)在各類集成電路中指標是較高的。抗干擾能力強CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%，保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加，噪聲容限電壓的絕對值將成比例增加。對于VDD=15V的供電電壓（當VSS=0V時），電路將有7V左右的噪聲容限。輸入阻抗高CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護二極管和串聯(lián)電阻構(gòu)成

4、的保護網(wǎng)絡(luò)，故比一般場效應(yīng)管的輸入電阻稍小，但在正常工作電壓范圍內(nèi)，這些保護二極管均處于反向偏置狀態(tài)，直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流，通常情況下，等效輸入阻抗高達1031011，因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅(qū)動電路的功率。溫度穩(wěn)定性能好由于CMOS集成電路的功耗很低，內(nèi)部發(fā)熱量少，而且，CMOS電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參數(shù)都具有對稱性，在溫度環(huán)境發(fā)生變化時，某些參數(shù)能起到自動補償作用，因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路，工作溫度為-55 +125；塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 +85。扇出能力強扇出能力是用電路輸出端所能帶動的輸入端數(shù)來表示的。由于CMOS集

5、成電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是，當CMOS集成電路用來驅(qū)動同類型，如不考慮速度，一般可以驅(qū)動50個以上的輸入端?？馆椛淠芰奀MOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管，屬于多數(shù)載流子導電器件。各種射線、輻射對其導電性能的影響都有限，因而特別適用于制作航天及核實驗設(shè)備。可控性好CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時間可以控制，其輸出的上升和下降時間的典型值為電路傳輸延遲時間的125%140%。接口方便因為CMOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大，所以易于被其他電路所驅(qū)動，也容易驅(qū)動其他類型的電路或器件13、時序邏輯電路包含（ .計數(shù)器 . 分頻器 ） 14、隨機存

6、儲器RAM處理數(shù)據(jù)作用答：隨機存儲器又稱作“隨機存取存儲器（random access memory，RAM）”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM)。15、三態(tài)門具有什么作用答：輸出高阻 作傳輸

7、總線 16. 卡諾圖化簡邏輯函數(shù)時要使用什么答：首先把邏輯函數(shù)表達式展開成最小項表達式，然后在每一個最小項對應(yīng)的小方格內(nèi)填“1”，其余的小方格內(nèi)填“0”就可以得到該邏輯函數(shù)的卡諾圖。17、組合邏輯電路包含（. 編碼器 . 譯碼器 ） 18、半導體存儲器按照讀寫功能分類，分為（ 只讀存儲器（ROM）·隨機存儲器（RAM） ）19.利用集成計數(shù)器構(gòu)成N進制計數(shù)器的設(shè)計方法，常采用（反饋清零 反饋置數(shù) ）20.觸發(fā)器具有的特點（ ）使用觸發(fā)器有如下特點：1. 自動執(zhí)行。觸發(fā)器在對表的數(shù)據(jù)作了任何修改（比如手工輸入或者應(yīng)用程序的操作）之后立即被激活。2. 級聯(lián)更新。觸發(fā)器可以通過數(shù)據(jù)庫中的相

8、關(guān)表進行層疊更改，這比直接把代碼寫在前臺的做法更安全合理。3. 強化約束。觸發(fā)器可以引用其它表中的列，能夠?qū)崿F(xiàn)比CHECK約束更為復雜的約束。4. 跟蹤變化。觸發(fā)器可以阻止數(shù)據(jù)庫中未經(jīng)許可的指定更新和變化。5. 強制業(yè)務(wù)邏輯。觸發(fā)器可用于執(zhí)行管理任務(wù)，并強制影響數(shù)據(jù)庫的復雜業(yè)務(wù)規(guī)則。21.三態(tài)輸出門的三個輸出狀態(tài)分別是（.高電平 低電平 .高阻 ） 圖中有的最小項、無關(guān)項。23.n個輸入端的二進制譯碼器最小項輸出有（2n個 ）。 24.根據(jù)用途分，存儲器分為兩大類。是（只讀存儲器（ROM）·隨機存儲器（RAM） ）。25.A/D轉(zhuǎn)換器是轉(zhuǎn)換( 模擬量 數(shù)字量 ) 26.十進制數(shù)236

9、對應(yīng)的二進制數(shù)是（ 1000000 ）27.最簡與或表達式的標準是（ 與項最少 與項中變量數(shù)最少 ）。28對十個信號進行編碼，則轉(zhuǎn)換成的二進制代碼可以有（ 2） 種類。29. A/D轉(zhuǎn)換器主要技術(shù)指標有（ 絕對準確度 模擬誤差 .轉(zhuǎn)換時間 .分辨率）。30.一個16K×4的存儲系統(tǒng)具有存儲單元數(shù)量（M=16 65536 ）。31.。32.。33.；。34.。35、觸發(fā)器電路如圖C.3所示，設(shè)各觸發(fā)器初始狀態(tài)為0，試畫出在CP作用下觸發(fā)器的和的輸出波形。 圖C.3為JK觸發(fā)器中，J=K=1，為觸發(fā)器，（翻轉(zhuǎn)），（CP下降沿到來時有效）。為JK觸發(fā)器中，根據(jù)特性方程有（翻轉(zhuǎn)）（CP上升沿

10、到來時有效）。和波形如圖【解C6】。圖【解C6】36、試用同步十進制計數(shù)器74LS162的同步置0功能，組成一個四十二進制計數(shù)器。可使用必要門電路，邏輯功能示意圖如圖C.5所示。圖C.5、 畫邏輯圖。如圖【解C8】。37、設(shè)計一個4人表決電路。當表決某一提案時，多數(shù)人同意，提案通過；如兩人同意，其中一人為董事長時，提案通過。用與非門實現(xiàn)。分析設(shè)計要求，列出真值表。 設(shè)表決的4人為A、B、C、D,A為董事長。同意提案時用1表示，不同意時用0表示。表決結(jié)果為Y，提案通過用1表示，否則為0。真值表【解D4】。表【解D4】輸入輸出輸入輸出ABCDYABCDY0000010000000101001100100101