手寫繪圖板(G題)

1、2013年全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽XXXXXXXXXXXXX（X題）【XX組】2013年9月x日I摘 要 隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，觸摸設(shè)備越來(lái)越多的走進(jìn)了我們的生活，本文介紹了用覆銅板做手寫繪圖板的基本原理。給出了微小電阻測(cè)量法，微小信號(hào)放大的方法，以及由于導(dǎo)線電路引起的電壓誤差的減小方法。以及用軟件進(jìn)行系統(tǒng)初始矯正的程序。本系統(tǒng)通過(guò)用高精度，低偏置電壓的運(yùn)放OPA2227，將覆銅板上微小的分壓放大，在經(jīng)過(guò)AD采集，由STM32進(jìn)行處理和計(jì)算，從而得到覆銅板上任意一點(diǎn)的坐標(biāo)，其精度在A區(qū)誤差為3mm，在B區(qū)為5mm。并可實(shí)現(xiàn)畫圓的功能。顯示部分用LCD12864來(lái)顯示，可以檢測(cè)接觸，顯示坐標(biāo)和象

2、限。在實(shí)際的系統(tǒng)中由于電壓的不穩(wěn)定性，和導(dǎo)線的影響，我們又引入了電阻補(bǔ)償，軟件矯正的方法。極大的減小了誤差。關(guān)鍵詞：STM32單片機(jī) 微小信號(hào)放大 AD轉(zhuǎn)換 電壓補(bǔ)償 運(yùn)放OPA2227U目 錄1系統(tǒng)方案11.1 測(cè)量模塊的論證與選擇11.2 電源模塊的論證與選擇11.3 顯示模塊的論證與選擇1 1.3 顯示模塊的論證與選擇.12系統(tǒng)理論分析與計(jì)算12.1 坐標(biāo)點(diǎn)測(cè)量方法的分析12.2 誤差分析與矯正方法的計(jì)算12.3 低功耗設(shè)計(jì)方法的計(jì)算23電路與程序設(shè)計(jì)23.1電路的設(shè)計(jì)23.1.1系統(tǒng)總體框圖23.1.2 電源子系統(tǒng)框圖與電路原理圖23.1.3 測(cè)量電路系統(tǒng)框圖與電路原理圖23.1.5

3、運(yùn)放電路系統(tǒng)框圖與電路原理圖2 3.1.6 單片機(jī)最小系統(tǒng)框圖與電路原理圖.23.2程序的設(shè)計(jì)23.2.1程序功能描述與設(shè)計(jì)思路23.2.2程序流程圖34測(cè)試方案與測(cè)試結(jié)果34.1測(cè)試方案34.2 測(cè)試結(jié)果及分析34.21測(cè)試結(jié)果(數(shù)據(jù))34.2.2測(cè)試分析與結(jié)論4附錄1：電路原理圖5附錄2：源程序6XXXXXXXX（X題）【XX組】1系統(tǒng)方案本系統(tǒng)主要由測(cè)量模塊、電源模塊，顯示模塊、單片機(jī)最小系統(tǒng)模塊組成，下面分別論證這幾個(gè)模塊的選擇。1.1 測(cè)量模塊的論證與選擇方案一：將覆銅板的一端看做地，則覆銅板內(nèi)任意一點(diǎn)與端點(diǎn)存在電阻，將覆銅板接入電橋，通過(guò)判斷每一點(diǎn)的電阻值大小，來(lái)確定每一點(diǎn)的相對(duì)位

4、置。其仿真如下（圖1），當(dāng)改變測(cè)量點(diǎn)的位置時(shí)，其電阻分壓通過(guò)后級(jí)運(yùn)放有明顯變化。該方案優(yōu)點(diǎn)如是功耗小，不用外界電源接入覆銅板。缺點(diǎn)是復(fù)雜，不宜調(diào)試調(diào)試。 圖1 橋式電路仿真 方案二：通過(guò)分析覆銅板橫向和縱向接入電路時(shí)，內(nèi)部的等勢(shì)面大致如圖（橫向圖2，縱向圖3）所示：利用此原理可測(cè)得覆銅板內(nèi)任意一點(diǎn)的電位，進(jìn)而判斷其位置。 圖2 圖3雖然方電橋法功耗較低，調(diào)試較為復(fù)雜，也不易精確確定某個(gè)點(diǎn)的位置。相比之下，方案二思路簡(jiǎn)單，調(diào)試方便，配以低偏置電壓運(yùn)放和高精度A/D可以達(dá)到測(cè)量要求。綜合以上二種方案，選擇方案二。1.2 電源模塊的論證與選擇方案一：采用7805等穩(wěn)壓芯片，特點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單，但難以滿足

5、較大電流。方案二：12V到5V采用LM2576開關(guān)穩(wěn)壓芯片，電壓穩(wěn)定主要給單片機(jī)供電。 12V轉(zhuǎn)3.5V（圖5）為測(cè)量電路提供電源，要求有較大的輸出電流，電壓穩(wěn)定性要高，因此用13005做的線性電源。由于高精度低偏置電壓OPA2227需要+5v，-5v 供電，因此用TI公司的TPS60400做負(fù)壓產(chǎn)生。綜合以上二種方案，選擇方案二。1.3 顯示模塊的論證與選擇方案一：采用字符型LCD1602液晶顯示器。微功耗、尺寸小，超薄輕巧，價(jià)格便宜，但顯示信息量較少，僅限于字符，不能顯示圖形，難以滿足設(shè)計(jì)需求。方案二：采用無(wú)字庫(kù)LCD12864，12864是128*64點(diǎn)陣液晶模塊，控制器為 KS0108

6、或兼容 ST7920 T6963C 。12864顯示信息量大、字跡清晰、穩(wěn)定，美觀、視覺舒適低功耗，能夠顯示圖形。系統(tǒng)選擇方案二，可以用中文LCD2864液晶進(jìn)行豐富的菜單顯示，使整個(gè)控制系統(tǒng)更加人性化。1.3 單片機(jī)的論證與選擇方案一：使用STC12c887，電路簡(jiǎn)單，運(yùn)算速度低，內(nèi)置AD位數(shù)低，難以滿足要求。方案二：在整個(gè)電路中，電阻計(jì)算,坐標(biāo)位置顯示，和上電校驗(yàn)等復(fù)雜任務(wù)的處理都要依靠單片機(jī)來(lái)完成，所以采用一款我們熟煉，可靠，高運(yùn)算性能的單片機(jī)，是保證我們完成整個(gè)任務(wù)的基石，在眾多優(yōu)秀芯片中STM系列較好，他們都采用高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，

7、亦適于常規(guī)編程器，在單芯片上，擁有靈巧的32 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，且價(jià)格相比同類產(chǎn)品非常便宜，具有很高的性價(jià)比功能強(qiáng)大、應(yīng)用成熟，可以更好的完成任務(wù)。所以在系統(tǒng)我們采用我們常用的高性能微控制器STM32。2系統(tǒng)理論分析與計(jì)算2.1 坐標(biāo)點(diǎn)測(cè)量方法的分析與計(jì)算 用分壓法，分壓即電阻串聯(lián)分壓，在電路中被測(cè)覆銅板將和已知電阻R1串聯(lián)，R1的阻值為100歐，經(jīng)測(cè)試，當(dāng)電壓為3.5V時(shí)，整個(gè)覆銅板的總壓降約為1mv,經(jīng)過(guò)高精度低偏置運(yùn)算放大器OPA2227放大，其放大倍數(shù)為 R2/(R1+R1)* = 500則氣壓將為理論為500 mv,但是由于覆

8、銅板的電阻太小，加上后部導(dǎo)線的影響，其兩端壓降約為260mv。經(jīng)過(guò)調(diào)整后的STM32內(nèi)部AD可達(dá)16位完全可滿足要。 確定坐標(biāo)時(shí)分別兩步，首先將覆銅板接入如圖3電路，其等勢(shì)面可確定，即電勢(shì)從左到右依次減小，理想情況下，在一定范圍內(nèi)，從上到下可近似認(rèn)為相等。經(jīng)實(shí)際測(cè)量確實(shí)符合這一規(guī)律。則取銅板內(nèi)一點(diǎn)，測(cè)其點(diǎn)位就可以確定點(diǎn)的橫坐標(biāo)。第二，再通過(guò)控制電路繼電器控制電路將電極轉(zhuǎn)變（如圖4），理想情況下，在一定范圍內(nèi)橫向上可以認(rèn)為電勢(shì)近似相等，從上到下依次遞減。再測(cè)這一點(diǎn)的電位便可確定其縱坐標(biāo)。以上分析均在理想情況下進(jìn)行的，實(shí)際測(cè)量時(shí)可能存在誤差，需要矯正與調(diào)整。 根據(jù)理論計(jì)算結(jié)果，測(cè)量電路的總電流約為

9、350mA，而覆銅板的壓降放大500 倍后約為260mv,銅板的電阻為V/500/350= 0.0014歐，橫向時(shí)每10mm的距離壓降為35mv經(jīng)16位AD采樣完全可以滿足3mm的精度。2.2 誤差分析與矯正方法分析與計(jì)算 在實(shí)際測(cè)量時(shí)，發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)主要存在三方面的誤差。 第一，由于覆銅板兩端點(diǎn)的導(dǎo)線長(zhǎng)度不可能完全相等，而且還要加入繼電器轉(zhuǎn)換電路，致使覆銅板兩端的電位存在誤差。解決辦法是在電位較低的一段前加入電阻補(bǔ)償，使其產(chǎn)生壓降，這樣既可調(diào)節(jié)使兩端點(diǎn)位相同。本系統(tǒng)采用加入康銅絲的方法。 第二，由于銅板內(nèi)部的銅分布不均，導(dǎo)致內(nèi)部等勢(shì)面變形，在銅板的邊緣部分這種變形尤為明顯，在靠近中心的部分，這種現(xiàn)

10、象不顯著。因此需要實(shí)際的測(cè)量一些數(shù)據(jù)，當(dāng)檢測(cè)邊緣地帶時(shí)進(jìn)行軟件的補(bǔ)償。 第三，由于電源隨機(jī)性，上電時(shí)的輸出電壓不那么穩(wěn)，導(dǎo)致每次測(cè)量時(shí)同一點(diǎn)的電位有差別，雖然只是幾個(gè)毫伏，但經(jīng)過(guò)運(yùn)放的處理，誤差非常明顯，但是任意兩點(diǎn)間的差值比較穩(wěn)定。解決辦法為在測(cè)量前加入矯正環(huán)節(jié)，具體是先測(cè)量一組數(shù)據(jù)存入單片機(jī)，當(dāng)上電時(shí)檢測(cè)指定點(diǎn)的電壓,在與單片機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，從而確定差值，再在以后每一個(gè)數(shù)據(jù)上加上或者減去這一差值既可得到較為準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。 2.3 低功耗設(shè)計(jì)的分析與計(jì)算 本系統(tǒng)的采用電阻分壓的方法進(jìn)行測(cè)量。從理論上分析，若想要得到較為大的分壓值就需要較大的電流，但這樣又增加了系統(tǒng)的功耗。進(jìn)行多級(jí)放大可

11、以解決之一問題，即在較小的電流下得到較小的壓差，在經(jīng)過(guò)第二級(jí)的放大。是這一差別更加顯著，從而提高了精度，降低了功耗。 系統(tǒng)功耗的計(jì)算：W = U*I,其中U為加在系統(tǒng)上的總電壓，I為流過(guò)系統(tǒng)的總電流，I = I1 +I2，I1為單片機(jī)部分消耗的電流，大約為200mA，I2為測(cè)量電路消耗的電流，大約為300mA，這樣系統(tǒng)的總功耗約為5W。3電路與程序設(shè)計(jì)3.1電路的設(shè)計(jì)3.1.1系統(tǒng)總體框圖系統(tǒng)總體框圖如圖4所示圖4 系統(tǒng)總體框圖3.1.2 電源模塊子系統(tǒng)框圖與電路原理圖1、12V到5V電路原理圖 采用LM2576開關(guān)穩(wěn)壓芯片，電壓穩(wěn)定主要給單片機(jī)供電。 圖5 12V到5V子系統(tǒng)電路2、12V轉(zhuǎn)

12、3.5V子系統(tǒng)電路 12V轉(zhuǎn)3.5V（圖5）為測(cè)量電路提供電源，要求有較大的輸出電流，電壓穩(wěn)定性要高，因此用13005做的線性電源。 圖5 12V轉(zhuǎn)3.5V子系統(tǒng)電路2、5V到-5，+5V子系統(tǒng)框圖與電路原理圖由于高精度低偏置電壓OPA2227需要+5v，-5v 供電，因此用TI公司的TPS60400做負(fù)壓產(chǎn)生，如右圖。:3.1 3測(cè)量電路子系統(tǒng)框圖與電路原理圖 測(cè)量電路專門為檢測(cè)覆銅板電位而設(shè)計(jì)，由于覆銅板的整體電阻很小，必須在測(cè)量回路中加以較大的電流才會(huì)得到明顯的電壓輸出，選用3.5V與10歐電阻串聯(lián)，在滿足精度的前提下盡量降低功耗。由于確定覆銅板內(nèi)某一點(diǎn)位置時(shí)要變換覆銅板兩側(cè)電極，就需要

13、一組繼電器電路來(lái)控制轉(zhuǎn)換。3.14 運(yùn)放電路子系統(tǒng)框圖與電路原理圖測(cè)量電路中，覆銅板的整體壓降僅為1mv左右，為了提高精度，必須采用高精度，低偏置運(yùn)算放大器，本系統(tǒng)采用的是OPA2227，原理圖如右圖所示。3.15 單片機(jī)最小系統(tǒng)子系統(tǒng)框圖與電路原理圖STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核。按性能分成兩個(gè)不同的系列：STM32F103“增強(qiáng)型”系列和STM32F101“基本型”系列。增強(qiáng)型系列時(shí)鐘頻率達(dá)到72MHz，是同類產(chǎn)品中性能最高的產(chǎn)品；基本型時(shí)鐘頻率為36MHz，以16位產(chǎn)品的價(jià)格得到比16位產(chǎn)品大幅提升的性能，是16位產(chǎn)品

14、用戶的最佳選擇。兩個(gè)系列都內(nèi)置32K到128K的閃存，不同的是SRAM的最大容量和外設(shè)接口的組合。時(shí)鐘頻率72MHz時(shí)，從閃存執(zhí)行代碼，STM32功耗36mA，是32位市場(chǎng)上功耗最低的產(chǎn)品，相當(dāng)于0.5mA/MHz。在STM32F105和STM32F107互連型系列微控制器之前，意法半導(dǎo)體已經(jīng)推出STM32基本型系列、增強(qiáng)型系列、USB基本型系列、增強(qiáng)型系列；新系列產(chǎn)品沿用增強(qiáng)型系列的72MHz處理頻率。內(nèi)存包括64KB到256KB閃存和 20KB到64KB嵌入式SRAM。新系列采用LQFP64、LQFP100和LFBGA100三種封裝，不同的封裝保持引腳排列一致性，結(jié)合STM32平臺(tái)的設(shè)計(jì)理

15、念，開發(fā)人員通過(guò)選擇產(chǎn)品可重新優(yōu)化功能、存儲(chǔ)器、性能和引腳數(shù)量，以最小的硬件變化來(lái)滿足個(gè)性化的應(yīng)用需求。STM32F0 系列產(chǎn)品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0 處理器內(nèi)核，整合增強(qiáng)的技術(shù)和功能，瞄準(zhǔn)超低成本預(yù)算的應(yīng)用。該系列微控制器縮短了采用 8 位和 16 位微控制器的設(shè)備與采用 32 位微控制器的設(shè)備之間的性能差距，能夠在經(jīng)濟(jì)型用戶終端產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)先進(jìn)且復(fù)雜的功能。系統(tǒng)采用STM32F103C3。3.2程序的設(shè)計(jì)3.2.1程序功能描述與設(shè)計(jì)思路單片機(jī)上電進(jìn)行初始化，由于要減小誤差，必須進(jìn)行初始系統(tǒng)的矯正，程序有自動(dòng)監(jiān)測(cè)矯正成功與否的設(shè)置。若不成功就繼續(xù)進(jìn)行矯正，若成功則馬上采集X

16、軸的數(shù)據(jù)，采集完畢，用單片機(jī)控制測(cè)量電路的轉(zhuǎn)換，進(jìn)行Y軸的測(cè)量與轉(zhuǎn)化。當(dāng)以上兩步完畢后，啟動(dòng)液晶顯示程序，顯示坐標(biāo)，象限等相關(guān)數(shù)據(jù)。一個(gè)周期的采集完畢后，系統(tǒng)進(jìn)入等待狀態(tài)，等待下一次的測(cè)量。3.2.2程序流程圖1、主程序流程圖4測(cè)試方案與測(cè)試結(jié)果4.1測(cè)試方案 首先檢查利用仿真軟件進(jìn)行功能仿真，從理論上進(jìn)行分析計(jì)算，用MATLAB對(duì)覆銅板的電位分布進(jìn)行繪圖，確保方案的可行性，有了理論 的保障，才能進(jìn)行實(shí)際操作與測(cè)量。1.首先用理想的電源，在理想的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試，測(cè)出橫縱坐標(biāo)的電壓值。2.接入實(shí)際的電路進(jìn)行測(cè)量，把測(cè)量的數(shù)據(jù)與理想狀態(tài)下進(jìn)行比對(duì)，查找出誤差的原因， 進(jìn)一步采取措施減小誤差。 3.

17、將硬件誤差調(diào)至最低，為進(jìn)一步提高精度進(jìn)行軟件補(bǔ)償。 4.2 測(cè)試結(jié)果及分析4.2.1測(cè)試結(jié)果(數(shù)據(jù))測(cè)試方法：在X軸-6到6，Y軸-4到4之間實(shí)際測(cè)量，沒5MM一個(gè)刻度起家而過(guò)如下表。 表1 X軸：R=10,U=3.5（室溫下）坐標(biāo)6 543210-1- 2 -3-4 -5-6U/mv800784678748727708688666646627610 592577在橫向通電下，列的電壓值大致相同。 表2 Y軸：R =10，U =3.5（室溫下）坐標(biāo)6543210-1-2-3-4-5-6電位差1371048065544949547292122164190在縱向通電下，每一列存在壓差且近似均勻分布

18、 表3 Y軸：Y = 0，X=6到-6 R=10,U=3.5（室溫下）坐標(biāo)6 543210-1- 2 -3-4 -5-6U/mv6056056605603603601600599597596595 594593由上表可知，在橫向通電時(shí)可確定某一列，在縱向通電時(shí)科確定哪一行，進(jìn)而確定點(diǎn)的坐標(biāo)。另外MATLAB做出其數(shù)學(xué)模型（圖9，圖10） 圖9 Y軸模型 圖10 Y軸模型 4.3.2測(cè)試分析與結(jié)論根據(jù)上述測(cè)試數(shù)據(jù)，可以得出以下結(jié)論：1. 通過(guò)實(shí)際使用測(cè)試，和對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的分析，橫向每10mm的電壓差為10-20mv，在A區(qū)電壓差大，兩側(cè)小。2. 縱向每10mm有5到10mv 的變化，在A區(qū)壓差下，

19、邊緣壓差大。3. 通過(guò)16位AD采樣可以完成5mm到3mm的誤差范圍，并能準(zhǔn)確顯示象限，又有畫圓的功能。4. 綜上所述，本設(shè)計(jì)達(dá)到基本要求，兩項(xiàng)發(fā)揮要求。4.4 總結(jié) 儀器類的作品往往各方面都具有嚴(yán)格的要求，尤其是精確度這方面，所以高精度是我們?cè)谠O(shè)計(jì)整個(gè)電路時(shí)的基本原則，所以在作品在最終測(cè)試時(shí)，確實(shí)在這一塊發(fā)揮很好，達(dá)到我們預(yù)計(jì)結(jié)果。我們?cè)谕瓿深}目基本要求的同時(shí)，還對(duì)功能做了擴(kuò)展，做了良好的人機(jī)交互界面，使其更具實(shí)用性。 能夠完成整個(gè)作品的制作與我們豐富的理論知識(shí)與優(yōu)秀的動(dòng)手能力和有好的合作是分不開的，我想我們已經(jīng)準(zhǔn)備好迎接更多更大挑戰(zhàn)。 參考文獻(xiàn)：信號(hào)與系統(tǒng)，沈元隆 周井全編，北京：人民郵電

20、出版社，2007年；C程序設(shè)計(jì)，譚浩強(qiáng)著，北京：清華大學(xué)，2005年；電子技術(shù)基礎(chǔ)-模擬部分，康華光編，北京：高等教育出版社，2006年；電子技術(shù)基礎(chǔ)-數(shù)字部分，康華光編，北京：高等教育出版社，2006年；單片機(jī)原理及應(yīng)用，李建忠著，西安：西安電子科技大學(xué)，2002 年；晶體管電路設(shè)計(jì)，鈴木雅臣著，北京：科學(xué)出版社，2006年；15附錄1：電路原理圖（部分）附錄2：源程序(部分) 文件名稱: 電子設(shè)計(jì)大賽 手寫繪圖* 開發(fā)應(yīng)用芯片；STM32F103ZET6* 開發(fā)平臺(tái)： KEIL 4.12* 日期： 2013095*/#include "stm32f10x.h"#incl

21、ude "1602.h"#include "12864.h"#include "delay.h"#include "sys.h"#include "wrup.h"#include <math.h>const u8 num10=0,1,2,3,4,5,6,7,8,9;/ 數(shù)字顯示代碼u8 dis6;u16 ad;u32 tempu32 = 0;u8 gototime = 0;u8 time = 0;float pianyi_X,pianyi_Y;float caiyang1;float

22、 caiyang2;float caiyang3;float caiyang4;u8 jdq1_flag=0;/繼電器1允許標(biāo)志位u8 jdq2_flag=0;/繼電器2允許標(biāo)志位typedef enum FAILED = 0, PASSED = !FAILED areaStatus;/typedef enum one,two,three,four quatationStatus;typedef struct u16 xval; /X軸電壓 u16 yval; /y軸電壓 float xvalue; /x 坐標(biāo)值 float yvalue; /y 坐標(biāo)值 areaStatus x_xiansh

23、i; /x符號(hào) areaStatus y_xianshi; /y符號(hào) XYAttitude;XYAttitude Attiude;#define jdq1_1 GPIOA->BSRR = GPIO_Pin_5 #define jdq1_0 GPIOA->BRR = GPIO_Pin_5/A5#define jdq2_1 GPIOA->BSRR = GPIO_Pin_6/A6#define jdq2_0 GPIOA->BRR = GPIO_Pin_6void RCC_Configuration(void);void NVIC_Configuration(void);voi

24、d Delay(_IO uint32_t nCount);void GPIO_Configuration(void);void dis_x(u16 x_v);void dis_y(u16 y_v);/u16 GetVolt(u16 advalue) / / return (u16)(advalue * 330 / 4096); /求的結(jié)果擴(kuò)大了100倍，方便下面求出小數(shù)/ /*求平均值函數(shù)*/void filter(void)/ int sum = 0;/u8 count;/u8 i; / for(i=0;i<3;i+)/ / for ( count=0;count<N;count

25、+)/ / sum += AD_Valuecounti;/ / After_filteri=sum/N;/ sum=0;/ / void disp_v(float valye) u8 s; u16 adcx; u16 t; adcx=valye; valye-=adcx; t=10000*valye; dis0=adcx/10+0x30; dis1=adcx%10+0x30; dis2='.' dis3=t/1000+0x30; dis4=t%1000/100+0x30; dis5=t%1000%100/10+0x30; LCD_Write(LCD_Write_Con_Cmd,

26、 0x93); for(s=0;s<6;s+) LCD_Write(LCD_Write_Dis_Data, diss); int get_mv(float mv) u16 adcx; u16 t; adcx=mv; mv-=adcx; t=10000*mv; return(t/1000)*100+(t%1000/100)*10+(t%1000%100/10);void display_location(float mv,areaStatus flag) /顯示X坐標(biāo) u16 adcx; u16 t; u8 s; u8 dis5; adcx=mv; mv-=adcx; t=10000*mv

27、; dis1=adcx%10+0x30; dis2='.' dis3=t/1000+0x30; dis4=t%1000/100+0x30; if(flag=FAILED) dis0='-' else dis0='+' LCD_Write(LCD_Write_Con_Cmd, 0x9b); for(s=0;s<5;s+) LCD_Write(LCD_Write_Dis_Data, diss); void display_loca(float mv,areaStatus flag) /顯示y坐標(biāo) u16 adcx; u16 t; u8 s; u

28、8 dis5; adcx=mv; mv-=adcx; t=10000*mv; dis1=adcx%10+0x30; dis2='.' dis3=t/1000+0x30; dis4=t%1000/100+0x30; if(flag=FAILED) dis0='-' else dis0='+' LCD_Write(LCD_Write_Con_Cmd, 0x9d); for(s=0;s<5;s+) LCD_Write(LCD_Write_Dis_Data, diss); int caiyang(void) u16 i; for(i = 0;i &

29、lt; 256;i+) /根據(jù)過(guò)采樣技術(shù)，每提高一位AD分辨率，需要增加4倍的采樣率；從12位AD分辨率增加到16位AD分辨率，即增加4位，所以需要增加256倍的采樣率 gototime = 0; TIM_Cmd(TIM2, ENABLE); /開啟時(shí)鐘 ADC_SoftwareStartConvCmd(ADC1, ENABLE); /軟件啟動(dòng)ADC轉(zhuǎn)換 while(!ADC_GetFlagStatus(ADC1, ADC_FLAG_EOC ); /等待轉(zhuǎn)換結(jié)束 ad = 0;ad = ADC_GetConversionValue(ADC1); /讀取ADC值 tempu32 += ad; /累加 while(gototime = 0); /延時(shí)：390.5us。采樣率：10/秒 TIM_Cmd(TIM2, DISABLE); /關(guān)閉時(shí)鐘 ad = tempu32 >> 8; /16位分辨率,累加值右移4位