重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院-邏輯門(mén)電路

1、第二章第二章 邏輯門(mén)電路邏輯門(mén)電路基本要求基本要求1、了解分立元件與、或、非、或非、與非門(mén)的電路組成、了解分立元件與、或、非、或非、與非門(mén)的電路組成、 工作原理、邏輯功能及其描述方法；工作原理、邏輯功能及其描述方法；2、掌握邏輯約定及邏輯符號(hào)的意義；、掌握邏輯約定及邏輯符號(hào)的意義；3、熟練掌握、熟練掌握TTL與非門(mén)典型電路的分析方法、電壓傳輸與非門(mén)典型電路的分析方法、電壓傳輸特性、輸入特性、輸入負(fù)載特性、輸出特性；了解噪特性、輸入特性、輸入負(fù)載特性、輸出特性；了解噪聲容限、聲容限、TTL與非門(mén)性能的改進(jìn)方法；與非門(mén)性能的改進(jìn)方法；4、掌握、掌握OC門(mén)、三態(tài)門(mén)的工作原理和使用方法，正確理門(mén)、三態(tài)

2、門(mén)的工作原理和使用方法，正確理解解OC門(mén)負(fù)載電阻的計(jì)算及線與、線或的概念；門(mén)負(fù)載電阻的計(jì)算及線與、線或的概念；5、掌握、掌握CMOS反相器、與非門(mén)、或非門(mén)、三態(tài)門(mén)的邏輯反相器、與非門(mén)、或非門(mén)、三態(tài)門(mén)的邏輯功能分析，功能分析，CMOS反相器的電壓及電流傳輸特性；反相器的電壓及電流傳輸特性；6、熟練掌握、熟練掌握CMOS傳輸門(mén)及雙向模擬開(kāi)關(guān)。傳輸門(mén)及雙向模擬開(kāi)關(guān)。 獲得高、低電平的基本方法：利用半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通、截止（即開(kāi)、關(guān)）兩種工作狀態(tài)。邏輯0和1： 電子電路中用高、低電平來(lái)表示。邏輯門(mén)電路：用以實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路。簡(jiǎn)稱(chēng)門(mén)電路?；竞统Ｓ瞄T(mén)電路有與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)（反相器）、與

3、非門(mén)、或非門(mén)、與或非門(mén)和異或門(mén)等。概述概述 分立元件門(mén)電路分立元件門(mén)電路PN結(jié)示意圖結(jié)示意圖 在在PNPN結(jié)上加上引線和封裝，就成為結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型觸型、面接觸型和平面型三大類(lèi)。三大類(lèi)。一一, ,二極管的結(jié)構(gòu)二極管的結(jié)構(gòu)PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦越Y(jié)及其單向?qū)щ娞匦詳U(kuò)散：擴(kuò)散：如果在半導(dǎo)體中存在載流如果在半導(dǎo)體中存在載流子子濃度差濃度差時(shí)，則會(huì)發(fā)生載時(shí)，則會(huì)發(fā)生載流子由高濃度區(qū)移動(dòng)至低流子由高濃度區(qū)移動(dòng)至低濃度區(qū)的現(xiàn)象。（多子的濃度區(qū)的現(xiàn)象。（多子的運(yùn)動(dòng)）運(yùn)動(dòng)）漂移：漂移：當(dāng)對(duì)半導(dǎo)體加上一定方向的當(dāng)對(duì)半導(dǎo)

4、體加上一定方向的電場(chǎng)電場(chǎng)時(shí)，作為載流子的空穴時(shí)，作為載流子的空穴與自由電子受電場(chǎng)的作用力與自由電子受電場(chǎng)的作用力而移動(dòng)的現(xiàn)象。（少子的運(yùn)而移動(dòng)的現(xiàn)象。（少子的運(yùn)動(dòng)）動(dòng)）I復(fù)合：復(fù)合：半導(dǎo)體內(nèi)的空穴與自由電子半導(dǎo)體內(nèi)的空穴與自由電子結(jié)合而消失的現(xiàn)象。結(jié)合而消失的現(xiàn)象。 PN結(jié)結(jié)一、一、PN結(jié)結(jié)(PN Junction)的形成的形成1. 載流子的載流子的濃度差濃度差引起多子的引起多子的擴(kuò)散擴(kuò)散2. 復(fù)合使交界面復(fù)合使交界面形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)(耗盡層耗盡層) 空間電荷區(qū)特點(diǎn)空間電荷區(qū)特點(diǎn):無(wú)載流子無(wú)載流子阻止擴(kuò)散進(jìn)行阻止擴(kuò)散進(jìn)行利于少子的漂移利于少子的漂移3. 擴(kuò)散和漂移達(dá)到擴(kuò)散和漂移達(dá)到

5、動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散電流擴(kuò)散電流 = 漂移電流漂移電流 總電流總電流 = 0內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)二、二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. 外加外加正向正向電壓電壓(正向偏置正向偏置) forward biasP區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)+ UR外電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使多子向外電場(chǎng)使多子向PN結(jié)移動(dòng)結(jié)移動(dòng),中和部分離子中和部分離子使空間電荷區(qū)變窄使空間電荷區(qū)變窄 IFIF = I多子多子 I少子少子 I多子多子限流電阻限流電阻2. 外加外加反向反向電壓（反向偏置電壓（反向偏置) reverse bias P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū) +UR內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使少子背離外電場(chǎng)使少子背離PN結(jié)移動(dòng)結(jié)移動(dòng) 空間電

6、荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)變寬IRIR = I少子少子 0PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大 反偏截止，電阻很大，電流近似為零反偏截止，電阻很大，電流近似為零擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成正向電流擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成正向電流IF漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成反向電流漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成反向電流IR 對(duì)于對(duì)于P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱(chēng)為成的空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺。在空間電荷區(qū)，由于缺少載流子所以也稱(chēng)少載流子所以也稱(chēng)耗盡層耗盡層。同時(shí)對(duì)多子的擴(kuò)散起阻擋。同時(shí)對(duì)多子的擴(kuò)散起阻擋作用，所以又叫作用，所

7、以又叫阻擋層阻擋層。物理過(guò)程如下物理過(guò)程如下:濃度差濃度差多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng) 促使少子漂移促使少子漂移 阻止多子擴(kuò)散阻止多子擴(kuò)散 動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡 PN結(jié)結(jié)二、二、二極管的開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)特性二極管符號(hào)：正極負(fù)極+uD IF 0.5 0.7iD(mA) uD(V)伏安特性UBR0Ui0.5V時(shí)，二極管導(dǎo)通。 + ui RL +uo D開(kāi)關(guān)電路 + ui=0V RL +uo Dui=0V時(shí)的等效電路 + + ui=5V RL +uo D 0.7Vui=5V 時(shí)的等效電路uououi0V時(shí)，二極管截止，如同開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，uo0V。ui5V時(shí)，二極管導(dǎo)通，

8、如同0.7V的電壓源，uo4.3V。二極管的反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開(kāi)關(guān)速度。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性D正偏時(shí)，正偏時(shí)，PN結(jié)電阻較小。加上反結(jié)電阻較小。加上反壓后，形成較大的壓后，形成較大的I2；爾后，隨著結(jié)；爾后，隨著結(jié)電阻的增加，反向電流逐漸減小，直電阻的增加，反向電流逐漸減小，直至漏電流至漏電流Is。DRDUiV+iVt1V2VDIt1I2Iret21 . 0 IIs反向恢復(fù)過(guò)程反向恢復(fù)過(guò)程:反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間 tre說(shuō)明說(shuō)明: 轉(zhuǎn)換時(shí)間：截止導(dǎo)通 較小 導(dǎo)通截止較大 故D的開(kāi)關(guān)時(shí)間以tre來(lái)衡量。 所需的時(shí)間。電流由,I 1 . 0RVI222判斷二極管在電路中的工作狀態(tài)，常用的方法

9、是：判斷二極管在電路中的工作狀態(tài)，常用的方法是： 首先假設(shè)二極管斷開(kāi)，然后求得二極管陽(yáng)極與首先假設(shè)二極管斷開(kāi)，然后求得二極管陽(yáng)極與陰極之間將承受的電壓陰極之間將承受的電壓U UUU導(dǎo)通電壓，二極管正向偏置，導(dǎo)通；導(dǎo)通電壓，二極管正向偏置，導(dǎo)通；UU0D1導(dǎo)通導(dǎo)通UAB=12VUCD=18V結(jié)論：結(jié)論：D D2 2導(dǎo)通，導(dǎo)通，D D1 1截止。截止。12V3K6V12V3K6VABCDUCDUABD D2 2優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通12V3K6VABUAB=6V0D D1 1截止截止2 2、整流電路、整流電路u2 tuo t單相半波整流電路單相半波整流電路RL u2 uo 2、限幅電路、限幅電路ui u

10、O UREFRDR=1k ，UREF=3V tui3uot3tui sin6 二、用萬(wàn)用表檢測(cè)二極管二、用萬(wàn)用表檢測(cè)二極管在在 R 1k 擋進(jìn)行測(cè)量，擋進(jìn)行測(cè)量，紅紅表筆是表筆是(表內(nèi)表內(nèi))負(fù)極負(fù)極 , 黑黑表筆是表筆是(表內(nèi)表內(nèi))正極正極測(cè)量時(shí)手不要接觸引腳測(cè)量時(shí)手不要接觸引腳1. 用萬(wàn)用表指針式檢測(cè)用萬(wàn)用表指針式檢測(cè) 1k 0 0 0一般硅管正向電阻為幾千歐一般硅管正向電阻為幾千歐鍺管正向電阻為幾百歐鍺管正向電阻為幾百歐正反電阻相差不大為劣質(zhì)管正反電阻相差不大為劣質(zhì)管正反電阻都是無(wú)窮大或零正反電阻都是無(wú)窮大或零則二極管內(nèi)部斷路或短路則二極管內(nèi)部斷路或短路一一, ,雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型雙

11、極性晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)如圖雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1.3.1所示。所示。它有兩種它有兩種類(lèi)型類(lèi)型:NPN型和型和PNP型。型。圖圖1.3.1 三極管結(jié)構(gòu)示意圖三極管結(jié)構(gòu)示意圖 發(fā)射極發(fā)射極Emitter 基極基極Base集電極集電極Collector 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)二、三二、三極管的開(kāi)關(guān)特性極管的開(kāi)關(guān)特性 NPN型三極管截止、放大、飽和3 種工作狀態(tài)的特點(diǎn)工作狀態(tài)截 止放 大飽 和條 件iB00iBIBSiBIBS偏置情況發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏uBE0，uBC0，uBC0，uBC0集電極電流iC0iCiBiCICSce間電壓uCEVCCuCEVCCiCRcuCEUCE

12、S0.3V工作特點(diǎn)ce間等效電阻很大，相當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)可變很小，相當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合3. 3. 晶體管的共射特性曲線晶體管的共射特性曲線（1）輸入特性曲線輸入特性曲線 iB=f(vBE) vCE=constvCE = 0VvCE 1V圖圖1.3.6（2）輸出特性曲線輸出特性曲線iC=f(vCE) iB=const輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)：截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相接近零的區(qū)域，相當(dāng)當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時(shí)，的曲線的下方。此時(shí)， vBE小于死區(qū)電壓，集電結(jié)反小于死區(qū)電壓，集電結(jié)反偏偏。放大區(qū)：放大區(qū)：iC平行于平行于vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，軸的區(qū)域，曲線基本

13、平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。,BCIIIIBC ）的控制作用。）的控制作用。（）對(duì)）對(duì)（表現(xiàn)出表現(xiàn)出CCBIIIIB 圖圖1.3.7飽和區(qū)：飽和區(qū)：iC明顯受明顯受vCE控制，該區(qū)域內(nèi)，控制，該區(qū)域內(nèi)，vCE=VCES0.7V (硅管硅管)。此時(shí)，此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。Q2ui iB e Rb biC (mA) 直流負(fù)載線 VCC Rc 0+VCCiC uo工作原理電路輸出特性曲線80A60A40A20AiB=00 UCES VCC uCE(V) 0 0.5 uBE(V)輸入特性曲線iB(A)Q1Q R

14、c cRbRc+VCCbce截止?fàn)顟B(tài)飽和狀態(tài)iBIBSui=UIL0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3VRbRc+VCCbce0.7V0.3V飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)10kui iB eRb b+VCC=+5ViC uo Rc1k c=40ui=0.3V時(shí)，因?yàn)閡BE0.5V，iB=0，三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)，ic=0。因?yàn)閕c=0，所以輸出電壓：ui=1V時(shí)，三極管導(dǎo)通，基極電流：因?yàn)?iBIBS，三極管工作在飽和狀態(tài)。輸出電壓：uoUCES0.3V動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性T從：從：截止導(dǎo)通 ，建立電荷需要時(shí)間ton導(dǎo)通截止，存儲(chǔ)電荷消散需要時(shí)間 toff 開(kāi)關(guān)時(shí)間開(kāi)關(guān)時(shí)間:max9 . 0cIm

15、ax1 . 0cIcit0iVt0fsoffrdontttttt開(kāi)啟 延時(shí) 上升關(guān)閉 存儲(chǔ) 下降dtrtstft0Ut0tontoff場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 FET (Field Effect Transistor)類(lèi)型類(lèi)型結(jié)型結(jié)型 JFET (Junction Field Effect Transistor)絕緣柵型絕緣柵型 IGFET (Insulated Gate FET)特點(diǎn)：特點(diǎn)：1. 單極性器件單極性器件(一種載流子導(dǎo)電一種載流子導(dǎo)電)3. 噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、壽命長(zhǎng)、工藝簡(jiǎn)單、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、壽命長(zhǎng)、工藝簡(jiǎn)單、易集成、功耗小、體積小、成本低易集成、功耗小

16、、體積小、成本低2. 輸入電阻高輸入電阻高(107 1015 ，IGFET可高達(dá)可高達(dá)1015 )一、增強(qiáng)型一、增強(qiáng)型N溝道溝道MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管1. 結(jié)構(gòu)與符號(hào)結(jié)構(gòu)與符號(hào)P型襯底型襯底（摻雜濃度低）（摻雜濃度低）N+N+用擴(kuò)散的方法用擴(kuò)散的方法制作兩個(gè)制作兩個(gè) N 區(qū)區(qū)在硅片表面生一在硅片表面生一層薄層薄SiO2絕緣層絕緣層S D用金屬鋁引出用金屬鋁引出源極源極S和漏極和漏極DG在絕緣層上噴金在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極屬鋁引出柵極GB耗盡層耗盡層S 源極源極 SourceG 柵極柵極 Gate D 漏極漏極 D

17、rainSGDB3. 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線DSGSD)(Uufi 2 4 64321uGS /ViD /mAUDS =10VUGS (th)當(dāng)當(dāng) uGS UGS(th) 時(shí)：時(shí)：2GS(th)GSDOD)1( UuIiuGS = 2UGS(th) 時(shí)的時(shí)的 iD 值值4. 輸出特性曲線輸出特性曲線GSDSD)(Uufi 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)uDS uGS UGS(th)uDS iD , 直到預(yù)夾斷直到預(yù)夾斷飽和飽和(放大區(qū)放大區(qū))uDS ，iD 不變不變 uDS 加在耗盡層上，溝道電阻不變加在耗盡層上，溝道電阻不變截止區(qū)截止區(qū)uGS UGS(th) 全夾斷全夾斷 iD = 0 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟

18、電壓uDS /ViD /mAuGS = 2 V4 V6 V8 V截止區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)(放大區(qū)放大區(qū))(恒流區(qū)恒流區(qū))可可變變電電阻阻區(qū)區(qū)N 溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型SGDBiDP 溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型SGDBiD2 2uGS /ViD /mAUGS(th)uDS /ViD /mA 2V 4V 6V 8VuGS = 8V6V4V2VMOSFET符號(hào)、特性的比較符號(hào)、特性的比較三三 、場(chǎng)效應(yīng)、場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)特性管的開(kāi)關(guān)特性工作原理電路uiuiGDSRD+VDDGDSRD+VDDGDSRD+VDD截止?fàn)顟B(tài)uiUTuo0N溝道增強(qiáng)型MOS四、四、 分立元件門(mén)電路分立元件門(mén)電路1 1、二極管與門(mén)二極管與

19、門(mén)+VCC(+5V) R 3k Y D1A D2B5V0VABY &uA uBuYD1 D20V 0V0V 5V5V 0V5V 5V0.7V0.7V0.7V5V導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 導(dǎo)通截止 截止A BY0 00 11 01 10001Y=ABA D1B D2 5V 0V YR3k2 2、二極管或門(mén)二極管或門(mén)ABY 1uA uBuYD1 D20V 0V0V 5V5V 0V5V 5V0V4.3V4.3V4.3V截 止 截 止截 止 導(dǎo) 通導(dǎo) 通 截 止導(dǎo) 通 導(dǎo) 通A BY0 00 11 01 10111Y=A+B A =30 +5V Y 電路圖 1 邏輯符號(hào) A Y 1k 4.3k

20、 3 3、三極管非門(mén)三極管非門(mén)uA0V時(shí)，三極管截止，iB0，iC0，輸出電壓uYVCC5VuA5V時(shí)，三極管導(dǎo)通?；鶚O電流為：iBIBS，三極管工作在飽和狀態(tài)。輸出電壓uYUCES0.3V。mA1mA3 . 47 . 05Bi三極管臨界飽和時(shí)的基極電流為：mA16. 01303 . 05BSIAY0110AY AA1電路圖邏輯符號(hào)YYGSDB+VDD+10V RD20k當(dāng)uA0V時(shí)，由于uGSuA0V，小于開(kāi)啟電壓UT，所以MOS管截止。輸出電壓為uYVDD10V。當(dāng)uA10V時(shí)，由于uGSuA10V，大于開(kāi)啟電壓UT，所以MOS管導(dǎo)通，且工作在可變電阻區(qū)，導(dǎo)通電阻很小，只有幾百歐姆。輸出電

21、壓為uY0V。AY 4、場(chǎng)效應(yīng)管非門(mén)集成門(mén)電路集成門(mén)電路 TTL非門(mén)非門(mén) 1.1.電路結(jié)構(gòu)電路結(jié)構(gòu)bcebcebcebce2e1bce1e2TTL與非門(mén)與非門(mén)CBAF+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 多發(fā)射極多發(fā)射極輸入級(jí)輸入級(jí)中間中間倒相級(jí)倒相級(jí)推拉式推拉式輸出級(jí)輸出級(jí)輸入級(jí)由多發(fā)射極晶體管輸入級(jí)由多發(fā)射極晶體管T1和基極電組和基極電組R1組成，它組成，它實(shí)現(xiàn)了輸入變量實(shí)現(xiàn)了輸入變量A、B、C的與運(yùn)算。的與運(yùn)算。BFRD1D3Vcc（5V）D2ACD4中間級(jí)是放大中間級(jí)是放大級(jí)，由級(jí)，由T2、R2和和R3組成，組成，T2的集電極的集電極C2和和發(fā)射極發(fā)射極E

22、2可以可以分提供兩個(gè)相分提供兩個(gè)相位相反的電壓位相反的電壓信號(hào)信號(hào)C2E2輸出級(jí)：由輸出級(jí)：由T3、T4、T5和和R4、R5組成，其中組成，其中T3、T4構(gòu)成復(fù)合構(gòu)成復(fù)合管，與管，與T5組成推拉式輸出結(jié)構(gòu)組成推拉式輸出結(jié)構(gòu)，具有較強(qiáng)的負(fù)載能力。，具有較強(qiáng)的負(fù)載能力?！?”1VVb1=0.3+0.7=1VVb1=0.3+0.7=1V三個(gè)三個(gè)PN結(jié)結(jié)導(dǎo)通需導(dǎo)通需2.1V+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1VVV 0.30.30.3二、工作原理二、工作原理T1T1飽和飽和T2T2截止截止T5T5截止截止1. 輸入有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí)不足以讓不足以讓T2、T

23、5導(dǎo)通導(dǎo)通+5VFR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC“0”1Vuouo=5-uR2-ube3-ube4 3.6V高電平！高電平！ 1. 輸入有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí)(續(xù)續(xù))T1T1飽和飽和T2T2截止截止T5T5截止截止T3T3飽和飽和T4T4放大放大結(jié)論結(jié)論1:輸入有低時(shí)輸入有低時(shí),輸出為高輸出為高T1:T1:倒置倒置全飽和導(dǎo)通全飽和導(dǎo)通Vb1=2.1VVc1=1.4V全反偏全反偏 1V截止截止+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)）時(shí)2.1V1.4VT1管管:Ve1=3.6V Vb1

24、=2.1V Vc1=1.4VT1管在倒置工作狀態(tài)管在倒置工作狀態(tài)3.6VT2,T5管飽和導(dǎo)通,Vce2=0.3V所以:Vc2=1V T3與T4截止T2:T2:飽和飽和T5:T5:飽和飽和T3:T3:截止截止T4:T4:截止截止截止截止+5VFR2R13kT2R3T1T5b1c1ABC飽和飽和uF=0.3V 2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)）時(shí)(續(xù)續(xù))飽和飽和3.6VT1:T1:倒置倒置T2:T2:飽和飽和T5:T5:飽和飽和T3:T3:截止截止T4:T4:截止截止結(jié)論結(jié)論2:輸入全高時(shí)輸入全高時(shí),輸出為低輸出為低T5飽和,Vce5=0.3V工作原理小結(jié)工作原理小結(jié):1. 輸入

25、有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí) V VF F=3.6V=3.6V2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)）時(shí) V VF F=0.3V=0.3VT1:T1:倒置倒置T2:T2:飽和飽和T3:T3:截止截止T4:T4:截止截止T5:T5:飽和飽和T1T1飽和飽和T2T2截止截止T3T3飽和飽和T4T4放大放大T5T5截止截止CBAF3. 邏輯功能邏輯功能74LS00 的引腳排列圖VCC 3A 3B 3Y 4A 4B 4Y 1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND 14 13 12 11 10 9 874LS20 1 2 3 4 5 6 7VCC 2A 2B NC 2C 2D

26、2Y 1A 1B NC 1C 1D 1Y GND74LS20 的引腳排列圖 14 13 12 11 10 9 874LS00 1 2 3 4 5 6 774LS00內(nèi)含4個(gè)2輸入與非門(mén)，74LS20內(nèi)含2個(gè)4輸入與非門(mén)。( (三三) )、電壓傳輸特性、電壓傳輸特性ViVo&VVVCC輸出電壓輸出電壓V VO O隨輸入電壓隨輸入電壓V Vi i變化的關(guān)系曲線，即變化的關(guān)系曲線，即 V VO O = = f f(V(Vi i) )。測(cè)試電路測(cè)試電路傳輸特性曲線傳輸特性曲線V0(V)Vi(V)1233.6VBCDE0.6V 1.4V0A 電壓傳輸特性電壓傳輸特性電壓傳輸特性分析電壓傳輸特性分

27、析V0(V)Vi(V)1233.6VBCDE0.6V 1.4V0ABCBC段：段：線性區(qū)，當(dāng)線性區(qū)，當(dāng)0.6VV0.6VVi i1.4V1.4V1.4VV VO O0.3V0.3V幾個(gè)參數(shù)幾個(gè)參數(shù)VOH輸出高電平：輸出高電平：VOL輸出低電平：輸出低電平：與非門(mén)輸入有低時(shí)，與非門(mén)輸入有低時(shí)，Vo VOH 產(chǎn)品規(guī)范值產(chǎn)品規(guī)范值:VOH2.4V典典 型型 值值: VOH3.5V標(biāo)準(zhǔn)高電平標(biāo)準(zhǔn)高電平: VOH=VSH=2.4V與非門(mén)輸入全高時(shí)，與非門(mén)輸入全高時(shí)，Vo VOL 產(chǎn)品規(guī)范值產(chǎn)品規(guī)范值:VOL0.4V典典 型型 值值: VOL0.3V標(biāo)準(zhǔn)高低平標(biāo)準(zhǔn)高低平: VOL=VSL=0.4V1. V

28、OH 和和 VOL都是對(duì)具體門(mén)輸出高、低電平都是對(duì)具體門(mén)輸出高、低電平電壓值電壓值的的 要求。要求。2.高電平表示一種狀態(tài)，低電平表示另一種狀態(tài)，高電平表示一種狀態(tài)，低電平表示另一種狀態(tài)， 一種狀態(tài)對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍，而不是一個(gè)固定值。一種狀態(tài)對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍，而不是一個(gè)固定值。說(shuō)明：說(shuō)明：0V5V2.4VVSLVSH0.4VVOFF關(guān)門(mén)電平：關(guān)門(mén)電平：VON開(kāi)門(mén)電平：開(kāi)門(mén)電平：VT門(mén)坎電平：門(mén)坎電平：與非門(mén)在保證輸出為高電平時(shí)，與非門(mén)在保證輸出為高電平時(shí)，允許的最大輸入低電平值。允許的最大輸入低電平值。 VOFF0.8V與非門(mén)在保證輸出為低電平時(shí)，與非門(mén)在保證輸出為低電平時(shí)，允許的最小輸入

29、高電平值。允許的最小輸入高電平值。 VON2 VVVVVOFFONT4 . 12此時(shí)輸入有低此時(shí)輸入有低此時(shí)輸入全高此時(shí)輸入全高噪聲容限噪聲容限VSHVONVOFFVSLVNHVNL1100定義：定義：高電平噪聲容限高電平噪聲容限VNH VSH VON 2.420.4V低電平噪聲容限低電平噪聲容限VNL VOFF VSL 0.80.4V0.4V在保證輸出高、低電平基本不變?cè)诒ＷC輸出高、低電平基本不變的條件下，輸入電平的允許波動(dòng)的條件下，輸入電平的允許波動(dòng)范圍稱(chēng)為范圍稱(chēng)為輸入端噪聲容限輸入端噪聲容限。 電路的噪聲容限越大電路的噪聲容限越大, ,其其抗干擾能力越強(qiáng)抗干擾能力越強(qiáng)輸入端輸入端“1”,

30、“0”？+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 1.輸入負(fù)載特性輸入負(fù)載特性ViRI( (四四) )、輸入、輸入/ /輸出特性輸出特性ViUT=1.4V 時(shí)時(shí),相當(dāng)輸入低電平相當(dāng)輸入低電平，所以輸出為高電平。所以輸出為高電平。)5(11beiURRRuRR33 . 4R較小時(shí)較小時(shí)R增大時(shí)增大時(shí)RVi=UT 時(shí)，輸入變高，時(shí)，輸入變高，輸出變低電平。此時(shí)輸出變低電平。此時(shí)Vi1.4V。1.4ViVR0+5VR13kT1ABCRViVi=UT 時(shí)，時(shí)，T2、T5導(dǎo)通，導(dǎo)通，Vb12.1V,使使Vi鉗在鉗在1.4V。R單位單位: K1. 懸空的輸入端懸空的輸入端（RI）

31、相當(dāng)于接高相當(dāng)于接高電平。電平。2. 為了防止干擾，可將懸空的輸入為了防止干擾，可將懸空的輸入端接高電平。端接高電平。開(kāi)門(mén)電阻開(kāi)門(mén)電阻 RON關(guān)門(mén)電阻關(guān)門(mén)電阻 ROFF在保證與非門(mén)輸出為在保證與非門(mén)輸出為低低時(shí)，時(shí)，允許輸入電阻允許輸入電阻R R的最的最小小值。值。在保證與非門(mén)輸出為在保證與非門(mén)輸出為高高時(shí)，允時(shí)，允許輸入電阻許輸入電阻R R的最的最大大值。值。RON2 KROFF0.8 K當(dāng)當(dāng)RI RON時(shí)時(shí)，相當(dāng)輸入高電平。相當(dāng)輸入高電平。當(dāng)當(dāng)RI ROFF時(shí)時(shí)，相當(dāng)輸入低電平。相當(dāng)輸入低電平。門(mén)電路輸出驅(qū)動(dòng)同類(lèi)門(mén)的個(gè)數(shù)門(mén)電路輸出驅(qū)動(dòng)同類(lèi)門(mén)的個(gè)數(shù)+5VR4R2R5T3T4T1前級(jí)前級(jí)T1T

32、1前級(jí)輸出為前級(jí)輸出為 高電平時(shí)高電平時(shí)拉電流負(fù)載。拉電流負(fù)載。 IiH1IiH3IiH2IOH (1)扇出系數(shù)扇出系數(shù)因因IL拉拉受限制，故負(fù)載數(shù)量有限。受限制，故負(fù)載數(shù)量有限。2.輸出特性輸出特性+5VR2R13kT2R3T1T5b1c1前級(jí)前級(jí)IOLIiL1IiL2IiL3前級(jí)輸出為前級(jí)輸出為 低電平時(shí)低電平時(shí)灌電流負(fù)載。灌電流負(fù)載。 因因IL灌灌受限制，故負(fù)載數(shù)量有限。受限制，故負(fù)載數(shù)量有限。輸出低電平時(shí)，流入前級(jí)的電流（灌電流）：輸出低電平時(shí)，流入前級(jí)的電流（灌電流）：21iLiLOLIII輸出高電平時(shí)，前級(jí)流出的電流（拉電流）：輸出高電平時(shí)，前級(jí)流出的電流（拉電流）：21iHiHO

33、HIII一般與非門(mén)的扇出系數(shù)為一般與非門(mén)的扇出系數(shù)為8。 由于由于IOL、IOH的限制，每個(gè)門(mén)電路輸出端所的限制，每個(gè)門(mén)電路輸出端所帶門(mén)電路的個(gè)數(shù)有限，一般帶門(mén)電路的個(gè)數(shù)有限，一般 N灌灌N拉拉。(2)扇入系數(shù)：指扇入系數(shù)：指TTL門(mén)電路的輸入端的個(gè)數(shù)門(mén)電路的輸入端的個(gè)數(shù)+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5TTL與非門(mén)的改進(jìn)與非門(mén)的改進(jìn)存在問(wèn)題存在問(wèn)題：TTLTTL門(mén)電路工作速度相對(duì)較快，但由于當(dāng)輸門(mén)電路工作速度相對(duì)較快，但由于當(dāng)輸出為低電平時(shí)出為低電平時(shí)T T5 5工作在深度飽和狀態(tài)，當(dāng)輸出由低轉(zhuǎn)工作在深度飽和狀態(tài)，當(dāng)輸出由低轉(zhuǎn)為高電平，由于在基區(qū)和集電區(qū)有存儲(chǔ)電荷不能馬上為高電

34、平，由于在基區(qū)和集電區(qū)有存儲(chǔ)電荷不能馬上消散，而影響工作速度消散，而影響工作速度。有源泄放有源泄放由由T6、R6和和R3構(gòu)成構(gòu)成的有源泄的有源泄放電路來(lái)放電路來(lái)代替代替T2射射極電阻極電阻R3 T T2 2、T T5 5同時(shí)導(dǎo)通，同時(shí)導(dǎo)通，因此電壓傳輸特性曲因此電壓傳輸特性曲線過(guò)渡區(qū)變窄，曲線線過(guò)渡區(qū)變窄，曲線變陡，輸入低電平噪變陡，輸入低電平噪聲容限聲容限V VNLNL提高了提高了0.7V0.7V左右。左右。減少了電路的開(kāi)啟時(shí)間減少了電路的開(kāi)啟時(shí)間縮短了電路關(guān)閉時(shí)間?？s短了電路關(guān)閉時(shí)間。平均平均 tpd6 610ns10nsR3R6T6其他類(lèi)型的TTL門(mén)電路 TTL或非門(mén)電路TTL與或非門(mén)電

35、路+5VR4R2T3T4T5R3TTL與非門(mén)的輸出電阻與非門(mén)的輸出電阻很低。這時(shí)，直接線與很低。這時(shí)，直接線與會(huì)使電流會(huì)使電流 i 劇烈增加。劇烈增加。i 功耗功耗 T4熱擊穿熱擊穿UOL 與非門(mén)與非門(mén)2：不允許直接不允許直接“線與線與”與非門(mén)與非門(mén)1 截止截止與非門(mén)與非門(mén)2 導(dǎo)通導(dǎo)通UOHUOL與非門(mén)與非門(mén)1：i+5VR4R2T3T4T5R3問(wèn)題：?jiǎn)栴}：TTL與非門(mén)能否直接線與？與非門(mén)能否直接線與？+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1二種特殊門(mén)二種特殊門(mén)(一）、集電極開(kāi)路門(mén)一）、集電極開(kāi)路門(mén)(OC門(mén)門(mén))電路電路無(wú)無(wú)T3,T4VCC2RL 負(fù)載電阻負(fù)載電阻VCC11.正

36、常使用時(shí)，輸出端必須外接正常使用時(shí)，輸出端必須外接負(fù)載電阻負(fù)載電阻RL。2. VCC1和和VCC2可以不等?？梢圆坏?。集電極懸空集電極懸空FABC&符號(hào)符號(hào)&ABCFFABC&VCCF1F2F3FF=F1F2F3RL輸出級(jí)輸出級(jí) VCCRLT5T5T5 F直接將兩個(gè)邏直接將兩個(gè)邏輯門(mén)的輸出連輯門(mén)的輸出連接起來(lái)，希望接起來(lái)，希望實(shí)現(xiàn)與的邏輯實(shí)現(xiàn)與的邏輯功能。功能。 OC門(mén)的用途門(mén)的用途1) 實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“線與線與”功功能能F=F1F2F3?任一導(dǎo)通任一導(dǎo)通F=0VCCRLF1F2F3F 全部截止全部截止F=1F=F1F2F3?所以：所以：F=F1F2F3VCCRLF1F2F3

37、F （二）、三態(tài)門(mén)電路（二）、三態(tài)門(mén)電路 通常數(shù)字邏輯是二值的，即僅通常數(shù)字邏輯是二值的，即僅0，1值，其值，其所對(duì)應(yīng)電路的輸出電平是高、低兩種狀態(tài)。在所對(duì)應(yīng)電路的輸出電平是高、低兩種狀態(tài)。在實(shí)際電路中，還有一種輸出既非高電平又非低實(shí)際電路中，還有一種輸出既非高電平又非低電平的狀態(tài)，被稱(chēng)之為第三狀態(tài)。于是數(shù)字電電平的狀態(tài)，被稱(chēng)之為第三狀態(tài)。于是數(shù)字電路的輸出就有：路的輸出就有：0、1和和Z（高阻）的三種狀態(tài)。（高阻）的三種狀態(tài)。這種電路稱(chēng)三態(tài)邏輯電路或稱(chēng)這種電路稱(chēng)三態(tài)邏輯電路或稱(chēng)三態(tài)門(mén)電路三態(tài)門(mén)電路。+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5AB DE 電路電路E稱(chēng)為控制端、使能端稱(chēng)為控

38、制端、使能端1截止截止ABF +5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5AB 原理原理E 結(jié)論結(jié)論：E1時(shí)，電路具備自時(shí)，電路具備自身邏輯功能身邏輯功能截止截止截止截止高阻態(tài)高阻態(tài)+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5AB E 0導(dǎo)通導(dǎo)通結(jié)論結(jié)論： E0時(shí)，電路輸出為時(shí)，電路輸出為高阻狀態(tài)。高阻狀態(tài)。FZ（高阻）（高阻）1V1V輸出高阻輸出高阻0E1EABF 功能表功能表低電平起作用低電平起作用符號(hào)符號(hào)高電平起作用高電平起作用輸出高阻輸出高阻0E1EABF 功能表功能表&ABFE&ABFE三、三、TTL系列集成電路系列集成電路74：標(biāo)準(zhǔn)系列，前面介紹的TTL門(mén)電

39、路都屬于74系列，其典型電路與非門(mén)的平均傳輸時(shí)間tpd10ns，平均功耗P10mW。74H：高速系列，是在74系列基礎(chǔ)上改進(jìn)得到的，其典型電路與非門(mén)的平均傳輸時(shí)間tpd6ns，平均功耗P22mW。74S：肖特基系列，是在74H系列基礎(chǔ)上改進(jìn)得到的，其典型電路與非門(mén)的平均傳輸時(shí)間tpd3ns，平均功耗P19mW。74LS：低功耗肖特基系列，是在74S系列基礎(chǔ)上改進(jìn)得到的，其典型電路與非門(mén)的平均傳輸時(shí)間tpd9ns，平均功耗P2mW。74LS系列產(chǎn)品具有最佳的綜合性能，是TTL集成電路的主流，是應(yīng)用最廣的系列。四、四、TTL集成邏輯門(mén)的使用注意事項(xiàng)集成邏輯門(mén)的使用注意事項(xiàng)（一）（一）、輸出端的連接

40、、輸出端的連接 1、 具有推拉輸出結(jié)構(gòu)的具有推拉輸出結(jié)構(gòu)的TTL門(mén)電路的輸出端不允許并聯(lián)使用門(mén)電路的輸出端不允許并聯(lián)使用 。 2、輸出端不允許直接接電源輸出端不允許直接接電源VCC或直接接地。或直接接地。 3、三態(tài)輸出門(mén)的輸出端可并聯(lián)使用，但在同一時(shí)刻只能有一個(gè)、三態(tài)輸出門(mén)的輸出端可并聯(lián)使用，但在同一時(shí)刻只能有一個(gè)門(mén)工作，其它門(mén)輸出呈高阻態(tài)。門(mén)工作，其它門(mén)輸出呈高阻態(tài)。 4、集電極開(kāi)路門(mén)輸出端可并聯(lián)使用，但公共端和電源、集電極開(kāi)路門(mén)輸出端可并聯(lián)使用，但公共端和電源VCC之間之間應(yīng)接上拉電阻應(yīng)接上拉電阻RL。 5、TTL門(mén)電路的等效負(fù)載電阻不可小于門(mén)電路的等效負(fù)載電阻不可小于200歐歐。（二）、

41、閑置輸入端的處理（二）、閑置輸入端的處理 1、對(duì)于與非門(mén)的閑置輸入端可以直接接電源電壓、對(duì)于與非門(mén)的閑置輸入端可以直接接電源電壓VCC，或，或通過(guò)通過(guò)13千歐的電阻接電源千歐的電阻接電源VCC。也可以利用一個(gè)反相器將閑置。也可以利用一個(gè)反相器將閑置輸入端接地。輸入端接地。 2、如前級(jí)驅(qū)動(dòng)能力允許時(shí)，可將閑置輸入端與有用端并聯(lián)使、如前級(jí)驅(qū)動(dòng)能力允許時(shí)，可將閑置輸入端與有用端并聯(lián)使用。用。 3、或非門(mén)不使用的閑置輸入端應(yīng)接地，對(duì)與或非中不使用的、或非門(mén)不使用的閑置輸入端應(yīng)接地，對(duì)與或非中不使用的與門(mén)至少有一個(gè)輸入端接地。與門(mén)至少有一個(gè)輸入端接地。 （三）、改變輸入端對(duì)地所接電阻（三）、改變輸入端對(duì)

42、地所接電阻R的值時(shí)，可改變門(mén)電路輸出的值時(shí)，可改變門(mén)電路輸出狀態(tài)。狀態(tài)。 1、當(dāng)輸入端對(duì)地所接電阻小于、當(dāng)輸入端對(duì)地所接電阻小于800歐時(shí)，相當(dāng)于此端輸入的歐時(shí)，相當(dāng)于此端輸入的為低電平。為低電平。 2、當(dāng)輸入端對(duì)地所接電阻大于、當(dāng)輸入端對(duì)地所接電阻大于2千歐時(shí)，相當(dāng)于此端輸入的千歐時(shí)，相當(dāng)于此端輸入的為高電平。為高電平。NMOS管管驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)管PMOS管管負(fù)載管負(fù)載管一、一、CMOS反相器反相器VDDAFSPDNGPVPVNDPSNGN漏極相連漏極相連做輸出端做輸出端PMOSPMOS管的襯底總是接到管的襯底總是接到電路的電路的最高電位最高電位NMOSNMOS管的襯底總是接到管的襯底總是接到電

43、路的電路的最低電位最低電位柵 極 相 連柵 極 相 連做輸入端做輸入端電路電路2.6CMOS集成門(mén)電路集成門(mén)電路A=1導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止V=0V即即F0VDDAFVPVN工作原理工作原理設(shè)設(shè)VDD10V，A1時(shí)，時(shí)，VA10V A0時(shí)，時(shí)，VA0 VVgsP=0 VVgsN=10 VA=0截止截止導(dǎo)通導(dǎo)通V=10V即即F1VDDAFVPVN設(shè)設(shè)VDD10V，A1時(shí)，時(shí)，VA10V A0時(shí)，時(shí)，VA0 VVgsP=10 VVgsN=0 VA VP VN Y 0 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 1 1 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 0 結(jié)論：結(jié)論：二、二、CMOS與非門(mén)與非門(mén)VDDVP2VP1VN2VN1ABF電路電路負(fù)

44、載管并聯(lián)負(fù)載管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)管串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管串聯(lián)工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABFA=0,B=0:設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VVgsP1= VgsP2 = 10 VVgsN1= VgsN2 = 0 VVN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1001工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN2、VP1：截止：截止VP2、VN1：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=101

45、1工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN2、VP1：截止：截止VP2、VN1：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1101A=1,B=0:VN1、VP2：截止：截止VN2、VP1：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V110A=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN1、VP2：截

46、止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=1,B=0:VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=1,B=1:VP1、VP2：截止：截止VN1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0_ABY 邏輯關(guān)系邏輯關(guān)系:A B VP1 VP2 VN1 VN2 F 0 0 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 截止截止 10 1 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 11 0 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 11 1 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 0負(fù)載管負(fù)載管驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)管三、三、CMOS或非門(mén)或非門(mén)電路電路VDDVP2VP1VN2VN1ABF負(fù)載管串聯(lián)負(fù)載管串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)工作

47、原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止VgsP1= VgsP2 = 10 V001工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止010A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1

48、時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V100A=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0A=1,B=0:F=0VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V110A=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0A=1,B=0:F=0VP1、VN2：截止：截止VN1、VP