第9章__半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

1、精選課件第第9 9章章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱存儲(chǔ)器）是存儲(chǔ)大量二進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱存儲(chǔ)器）是存儲(chǔ)大量二進(jìn)制數(shù)據(jù)的邏輯部件。制數(shù)據(jù)的邏輯部件。它是數(shù)字系統(tǒng)，特別是計(jì)算機(jī)，它是數(shù)字系統(tǒng)，特別是計(jì)算機(jī)，不可缺少的組成部分。不可缺少的組成部分。 存儲(chǔ)器的容量越大，計(jì)算機(jī)的處理能力越強(qiáng)，存儲(chǔ)器的容量越大，計(jì)算機(jī)的處理能力越強(qiáng)，工作速度越快。工作速度越快。因此，存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的大規(guī)模集因此，存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的大規(guī)模集成電路技術(shù)制造，盡可能地提高存儲(chǔ)器的容量。成電路技術(shù)制造，盡可能地提高存儲(chǔ)器的容量。 本章介紹常用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)、工作原本章介紹常用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)、工作原理

2、和使用方法。理和使用方法。精選課件9.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基礎(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基礎(chǔ)9.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）9.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM）9.4 閃存（閃存（Flash Memories）9.5 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展第第9章章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器精選課件9.1 9.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基礎(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基礎(chǔ)1. 1. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)框圖半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)框圖 存儲(chǔ)存儲(chǔ)1 1或或0 0的電路稱為的電路稱為存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元的集合形成，存儲(chǔ)單元的集合形成存儲(chǔ)陣存儲(chǔ)陣列列（通常按行列排成矩陣）。（通常按行列排成矩陣）。 字字: :存儲(chǔ)陣列中二進(jìn)制數(shù)據(jù)存

3、儲(chǔ)陣列中二進(jìn)制數(shù)據(jù)的的信息單位信息單位（與計(jì)算機(jī)不同！）。（與計(jì)算機(jī)不同！）。 最小的信息單位是最小的信息單位是1 1位（位（BitBit），），8 8位二進(jìn)制信息稱為位二進(jìn)制信息稱為1 1個(gè)個(gè)字節(jié)字節(jié)(Byte)(Byte)，4 4位二進(jìn)制信息則稱為位二進(jìn)制信息則稱為1 1個(gè)個(gè)半字節(jié)半字節(jié)(Nibble)(Nibble)。存儲(chǔ)器由尋址電路、存儲(chǔ)陣列和讀寫電路組成。存儲(chǔ)器由尋址電路、存儲(chǔ)陣列和讀寫電路組成。 精選課件 為便于對(duì)每個(gè)字進(jìn)行必要的操作，存儲(chǔ)陣列按字組織成直觀的為便于對(duì)每個(gè)字進(jìn)行必要的操作，存儲(chǔ)陣列按字組織成直觀的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)圖圖。例如，。例如，6464位存儲(chǔ)陣列：位存儲(chǔ)陣列：8

4、 8字字8 8位，位， 1616字字4 4位，位， 6464字字1 1位。位。 字字地地址址位地址位地址字字地地址址位地址字字地地址址 每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置由每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置由行序號(hào)和列序號(hào)唯一確定行序號(hào)和列序號(hào)唯一確定。每個(gè)字的。每個(gè)字的行序號(hào)稱為它行序號(hào)稱為它的地址的地址，用二進(jìn)制碼表示（，用二進(jìn)制碼表示（A An-1n-1AA1 1A A0 0）；）；列序號(hào)表示二進(jìn)制位在每個(gè)字中的位列序號(hào)表示二進(jìn)制位在每個(gè)字中的位置置。例如，按例如，按4 4位組織的、地址為位組織的、地址為1414的字存儲(chǔ)單元的信息是的字存儲(chǔ)單元的信息是11101110。精選課件 存儲(chǔ)單元的總數(shù)定義為存儲(chǔ)單元的總數(shù)定義為

5、存儲(chǔ)器的容量存儲(chǔ)器的容量，它等于存儲(chǔ)器的，它等于存儲(chǔ)器的字?jǐn)?shù)和每字位數(shù)之積。字?jǐn)?shù)和每字位數(shù)之積。 例如，例如，10位地址碼，每字位地址碼，每字8位，則存儲(chǔ)容量為位，則存儲(chǔ)容量為 210 Bytes =1024Bytes=1kB=8kbits。 1MB=220B GB=230B精選課件 讀操作（取數(shù)操作）：輸入An-1A1A0，尋址電路將地址碼轉(zhuǎn)換成字線上的有效電平選中字存儲(chǔ)單元。在片選信號(hào)CS有效和讀寫信號(hào)為高電平時(shí)，讀寫電路通過(guò)存儲(chǔ)陣列的位線，將選中的字存儲(chǔ)單元的m位數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線上-110。 寫操作（存數(shù)操作）：輸入An-1A1A0，尋址電路將地址轉(zhuǎn)換成字線上的有效電平選中字存儲(chǔ)單元。

6、在片選信號(hào)CS有效和讀寫信號(hào)為低電平時(shí)，讀寫電路通過(guò)存儲(chǔ)陣列的位線將數(shù)據(jù)總線上的m位數(shù)據(jù)-110寫入選中的字存儲(chǔ)單元中保存。存儲(chǔ)器具有2種基本的操作：寫操作和讀操作。精選課件 在復(fù)雜的數(shù)字系統(tǒng)（例如數(shù)字計(jì)算機(jī)）中，多個(gè)功能電路間在復(fù)雜的數(shù)字系統(tǒng)（例如數(shù)字計(jì)算機(jī)）中，多個(gè)功能電路間利用一組公共的信號(hào)線（導(dǎo)線或其他傳導(dǎo)介質(zhì)）實(shí)現(xiàn)互連，并分利用一組公共的信號(hào)線（導(dǎo)線或其他傳導(dǎo)介質(zhì)）實(shí)現(xiàn)互連，并分時(shí)傳輸信息，這樣的一組信號(hào)線稱為時(shí)傳輸信息，這樣的一組信號(hào)線稱為總線總線。 在存儲(chǔ)器中，在存儲(chǔ)器中，數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線-110是雙向總線（輸入是雙向總線（輸入/輸輸出，常用表示出，常用表示I/Om-1，I/O1

7、，I/O0）；）； 地址總線地址總線An-1A1A0和和控制總線控制總線（CS， ）則是單向總線）則是單向總線（輸入）。（輸入）。 在存儲(chǔ)器內(nèi)部，屬于同一位的存儲(chǔ)單元共用位線，陣列中的在存儲(chǔ)器內(nèi)部，屬于同一位的存儲(chǔ)單元共用位線，陣列中的存儲(chǔ)單元通過(guò)位線與讀寫電路交換數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元通過(guò)位線與讀寫電路交換數(shù)據(jù)。WR/精選課件2.2.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器的寫操作時(shí)間和讀操作時(shí)間相當(dāng)（都是納秒的寫操作時(shí)間和讀操作時(shí)間相當(dāng)（都是納秒級(jí)），工作時(shí)能夠隨時(shí)快速地讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)。即工作時(shí)讀寫存級(jí)），工作時(shí)能夠隨時(shí)快速地讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)。即工作時(shí)讀寫存儲(chǔ)器具有存入和取

8、出數(shù)據(jù)儲(chǔ)器具有存入和取出數(shù)據(jù)2 2種功能。種功能。 工作時(shí)只能快速地讀取已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、而不能快速地隨時(shí)寫工作時(shí)只能快速地讀取已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、而不能快速地隨時(shí)寫入新數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器稱為入新數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器稱為只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMRead Only MemoryROMRead Only Memory）。）。 閃存（閃存（Flash MemoryFlash Memory）工作時(shí)可以進(jìn)行讀或?qū)懖僮?，但閃存工作時(shí)可以進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳎W存的每個(gè)存儲(chǔ)單元寫操作時(shí)間長(zhǎng)，不能隨機(jī)寫入數(shù)據(jù)，適合對(duì)眾多的每個(gè)存儲(chǔ)單元寫操作時(shí)間長(zhǎng)，不能隨機(jī)寫入數(shù)據(jù)，適合對(duì)眾多存儲(chǔ)單元批量地寫入數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元批量地寫入數(shù)據(jù)。 按功能

9、，存儲(chǔ)器分為按功能，存儲(chǔ)器分為只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（或稱為只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（或稱為存取存儲(chǔ)器）和閃存。存取存儲(chǔ)器）和閃存。 只讀存儲(chǔ)器的寫操作時(shí)間只讀存儲(chǔ)器的寫操作時(shí)間( (毫秒級(jí)毫秒級(jí)) )遠(yuǎn)比讀操作時(shí)間（納秒級(jí)）遠(yuǎn)比讀操作時(shí)間（納秒級(jí)）長(zhǎng)，數(shù)據(jù)必須在工作前寫入存儲(chǔ)器，上電工作后只能從存儲(chǔ)器中長(zhǎng)，數(shù)據(jù)必須在工作前寫入存儲(chǔ)器，上電工作后只能從存儲(chǔ)器中讀出數(shù)據(jù)，才不影響數(shù)字系統(tǒng)的工作速度。讀出數(shù)據(jù)，才不影響數(shù)字系統(tǒng)的工作速度。 精選課件按尋址方式，存儲(chǔ)器分為順序?qū)ぶ反鎯?chǔ)器和隨機(jī)尋址存儲(chǔ)器。 順序?qū)ぶ反鎯?chǔ)器是按地址順序存入或讀出數(shù)據(jù)，其存儲(chǔ)陣列的存儲(chǔ)單元連接成移位寄存器。有先進(jìn)先出

10、（FIFOFirst In First Out）和先進(jìn)后出（FILO- First In Last Out）2種順序?qū)ぶ反鎯?chǔ)器。 隨機(jī)尋址存儲(chǔ)器:可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址寫入或讀出數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。隨機(jī)尋址存儲(chǔ)器的尋址電路通常采用1個(gè)或2個(gè)譯碼器。 采用隨機(jī)尋址方式的隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAMRandom Access Memory）。只讀存儲(chǔ)器（ROM）和閃存也采用隨機(jī)尋址方式。 存儲(chǔ)器還可分為易失型存儲(chǔ)器和非易失型存儲(chǔ)器。如果掉電（停電）后數(shù)據(jù)丟失，則是易失型存儲(chǔ)器；否則，是非易失型存儲(chǔ)器。RAM是易失型存儲(chǔ)器，而ROM和閃存是非易失型存儲(chǔ)器。精選課件常用存儲(chǔ)器的尋址方式和功能

11、常用存儲(chǔ)器的尋址方式和功能存儲(chǔ)器功能尋址方式掉電后說(shuō) 明隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM） 讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)丟失只讀存儲(chǔ)器（ROM）讀隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)不丟失工作前寫入數(shù)據(jù)閃存（Flash Memory）讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)不丟失先進(jìn)先出存儲(chǔ)器（FIFO） 讀、寫順序?qū)ぶ窋?shù)據(jù)丟失先進(jìn)后出存儲(chǔ)器（FILO） 讀、寫順序?qū)ぶ窋?shù)據(jù)丟失精選課件9.2 9.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAMRAM）9.2.1 9.2.1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAMSRAM）9.2.2 9.2.2 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAMDRAM） 存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)器的核心。根據(jù)存儲(chǔ)單元記憶存儲(chǔ)單元是

12、存儲(chǔ)器的核心。根據(jù)存儲(chǔ)單元記憶0 0或或1 1的原理，的原理，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAMStatic RAMSRAMStatic RAM）和動(dòng)）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAMDynamic RAM)(DRAMDynamic RAM)。 按所用元件的不同，分雙極型和按所用元件的不同，分雙極型和MOSMOS型兩種。鑒于型兩種。鑒于MOSMOS電路電路具有功耗低、集成度高的優(yōu)點(diǎn)，目前大容量的存儲(chǔ)器都是具有功耗低、集成度高的優(yōu)點(diǎn)，目前大容量的存儲(chǔ)器都是MOSMOS型型存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器。精選課件 T1T4構(gòu)成CMOS基本RS觸發(fā)器，存儲(chǔ)0或

13、1。1. SRAM的靜態(tài)存儲(chǔ)單元 T5和T6是行字線Xi選通基本RS觸發(fā)器的NMOS開(kāi)關(guān)管，實(shí)現(xiàn)基本RS觸發(fā)器的三態(tài)輸入/輸出，即開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)傳遞0或1，截止時(shí)為高阻態(tài)。 T7和T8則是列字線Yj選通基本RS觸發(fā)器的NMOS開(kāi)關(guān)管，控制位線與讀寫電路的連接。 T7、T8和讀寫電路是一列共用。9.2.1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM） SRAM的存儲(chǔ)單元是用基本RS觸發(fā)器記憶0或1的靜態(tài)存儲(chǔ)單元。精選課件 當(dāng)Xi=Yj=1時(shí)，T5T8導(dǎo)通，將基本RS觸發(fā)器與讀/寫電路相連。 如果CS=0、 ，則三態(tài)門緩沖器G1和G2為高阻態(tài)，而G3為工作態(tài)?；綬S觸發(fā)器的狀態(tài)輸出到數(shù)據(jù)總線上，即Dk=Q，實(shí)現(xiàn)

14、讀操作。 如果CS=0、 ，則三態(tài)門緩沖器G1和G2為工作態(tài)，而G3為高阻態(tài)。輸入電路強(qiáng)制基本RS觸發(fā)器的狀態(tài)與輸入數(shù)據(jù)Dk一致，即Q=Dk，實(shí)現(xiàn)寫操作。 當(dāng)CS=1時(shí)，三態(tài)門緩沖器G1、G2和G3為高阻態(tài)，數(shù)據(jù)總線Dk為高阻態(tài)?；綬S觸發(fā)器既不能輸出，也不能接受數(shù)據(jù)。1/WR0/WR精選課件 當(dāng)Yj=0時(shí)，T7和T8截止，基本RS觸發(fā)器同樣不能與讀/寫電路相連，其狀態(tài)保持不變，存儲(chǔ)單元同樣未被選中。 顯然，當(dāng)?shù)綦姇r(shí)基本顯然，當(dāng)?shù)綦姇r(shí)基本RSRS觸發(fā)器的數(shù)觸發(fā)器的數(shù)據(jù)丟失，所以，據(jù)丟失，所以，SRAMSRAM是揮發(fā)型存儲(chǔ)器。是揮發(fā)型存儲(chǔ)器。 當(dāng)Xi=0時(shí)，T5和T6截止，基本RS觸發(fā)器不能與

15、讀/寫電路相連，其狀態(tài)保持不變，存儲(chǔ)單元未被選中。本單元不影響同列的其他存儲(chǔ)單元與位線交換數(shù)據(jù)。精選課件2.2.基本基本SRAMSRAM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)3232行行1616列列的存儲(chǔ)陣列，組成的存儲(chǔ)陣列，組成256256字字22位位的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。雙地址譯碼雙地址譯碼存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元T1T6位線開(kāi)關(guān)位線開(kāi)關(guān)管管T7、T8存存儲(chǔ)儲(chǔ)陣陣列列精選課件OEOE是輸出使能，低電平有效；是輸出使能，低電平有效；片選信號(hào)為：片選信號(hào)為： 低電平有效；低電平有效；存儲(chǔ)容量：存儲(chǔ)容量：8kB=8k8kB=8k8bit=65536bit8bit=65536bit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MCM626

16、421EECSMCM6264MCM6264的功能表的功能表WR/E1E2OEA12A0D7D0方式1Z未選中0Z未選中0111A12A0Z輸出禁止0101A12A0O讀010A12A0I寫Z-高阻態(tài)O-數(shù)據(jù)輸出I-數(shù)據(jù)輸入精選課件3. SRAM3. SRAM的操作定時(shí)的操作定時(shí) 為了保證存儲(chǔ)器準(zhǔn)確無(wú)誤地工作，作用到存儲(chǔ)器的地址、數(shù)為了保證存儲(chǔ)器準(zhǔn)確無(wú)誤地工作，作用到存儲(chǔ)器的地址、數(shù)據(jù)和控制信號(hào)必須遵守一定的時(shí)間順序，即操作定時(shí)。據(jù)和控制信號(hào)必須遵守一定的時(shí)間順序，即操作定時(shí)。(1) 讀周期讀周期 讀操作要求指定讀操作要求指定字存儲(chǔ)單元的地址、片選信號(hào)和輸出使能有字存儲(chǔ)單元的地址、片選信號(hào)和輸出

17、使能有效，讀寫信號(hào)為高電平。效，讀寫信號(hào)為高電平。信號(hào)作用順序是信號(hào)作用順序是:1)指定字存儲(chǔ)單元的地址有效；指定字存儲(chǔ)單元的地址有效；2)片選信號(hào)和輸出使能有效，即片選信號(hào)和輸出使能有效，即由高變低；由高變低；3)經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，指定字存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，指定字存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線上。單元的數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線上。 精選課件)0/(WR (2)寫周期寫周期 寫操作要求指定字存儲(chǔ)單元的地址、片選信號(hào)和讀寫信號(hào)寫操作要求指定字存儲(chǔ)單元的地址、片選信號(hào)和讀寫信號(hào)有效有效 。,0/期間在WR數(shù)據(jù)寫入到指定的字存儲(chǔ)單元。數(shù)據(jù)寫入到指定的字存儲(chǔ)單元。 大多數(shù)的大多數(shù)的SRAM，讀周期和寫周期相近，

18、為幾十個(gè)納秒。，讀周期和寫周期相近，為幾十個(gè)納秒。 信號(hào)間的定時(shí)關(guān)系信號(hào)間的定時(shí)關(guān)系1)指定字存儲(chǔ)單元的地址有效；指定字存儲(chǔ)單元的地址有效；2)片選信號(hào)有效，即由高變低；片選信號(hào)有效，即由高變低；3)待寫入的數(shù)據(jù)有效；待寫入的數(shù)據(jù)有效；4)讀寫信號(hào)有效，即由高變低；讀寫信號(hào)有效，即由高變低；精選課件4. 4. 同步同步SRAMSRAM和異步和異步SRAMSRAM 解決的辦法是：解決的辦法是：SRAMSRAM與與CPUCPU共用系統(tǒng)時(shí)鐘，共用系統(tǒng)時(shí)鐘，CPUCPU在時(shí)鐘的有效在時(shí)鐘的有效沿前給出沿前給出SRAMSRAM需要的地址、數(shù)據(jù)、片選、輸出使能和讀寫信號(hào)，需要的地址、數(shù)據(jù)、片選、輸出使能和

19、讀寫信號(hào)，時(shí)鐘有效沿到則將它們存于時(shí)鐘有效沿到則將它們存于SRAMSRAM的寄存器中；的寄存器中；CPUCPU不必等待，可不必等待，可以執(zhí)行其他指令，直到以執(zhí)行其他指令，直到SRAMSRAM完成完成CPUCPU要求的讀或?qū)懖僮?，通知要求的讀或?qū)懖僮?，通知CPUCPU做相應(yīng)的處理。之后，做相應(yīng)的處理。之后，CPUCPU與與SRAMSRAM又可以進(jìn)行下一次信息交換。又可以進(jìn)行下一次信息交換。 在計(jì)算機(jī)中，在計(jì)算機(jī)中，SRAM通常存儲(chǔ)中央處理器（通常存儲(chǔ)中央處理器（CPU）需要的）需要的程序和數(shù)據(jù)。因?yàn)槌绦蚝蛿?shù)據(jù)。因?yàn)镾RAM的工作速度遠(yuǎn)低于的工作速度遠(yuǎn)低于CPU的速度，的速度，2者交者交換信息時(shí)換

20、信息時(shí)CPU必須等待，使計(jì)算機(jī)達(dá)不到理想的工作速度。必須等待，使計(jì)算機(jī)達(dá)不到理想的工作速度。 具有信號(hào)同步寄存器的具有信號(hào)同步寄存器的SRAM稱為同步稱為同步SRAM，否則，稱為，否則，稱為異步異步SRAM。同步同步SRAM可以幫助可以幫助CPU高速執(zhí)行指令，即提高計(jì)高速執(zhí)行指令，即提高計(jì)算機(jī)的工作速度。算機(jī)的工作速度。精選課件 同步同步SRAM的核心是異步的核心是異步SRAM(地址譯碼器和存儲(chǔ)陣列地址譯碼器和存儲(chǔ)陣列)；同步同步SRAM與器件外部連接的地址、數(shù)據(jù)、片選、輸出使能和讀與器件外部連接的地址、數(shù)據(jù)、片選、輸出使能和讀寫信號(hào)均在時(shí)鐘寫信號(hào)均在時(shí)鐘CP的上升沿鎖存于寄存器中，供的上升沿

21、鎖存于寄存器中，供SRAM完成讀完成讀或?qū)懖僮??；驅(qū)懖僮?。精選課件 為了加速為了加速CPU與與SRAM的信息交流，同步的信息交流，同步SRAM通常具有通常具有地址爆發(fā)特征地址爆發(fā)特征。即輸入一個(gè)地址碼，同步。即輸入一個(gè)地址碼，同步SRAM可以讀或?qū)懴噜徔梢宰x或?qū)懴噜彽亩鄠€(gè)地址單元。的多個(gè)地址單元。 假設(shè)計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)假設(shè)計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)2位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)，初態(tài)為位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)，初態(tài)為00。在爆發(fā)控。在爆發(fā)控制（制（Burst Control）BC=1時(shí)，爆發(fā)邏輯電路的輸出為時(shí)，爆發(fā)邏輯電路的輸出為 計(jì)數(shù)器 Q1 Q0 =1 =1 & BC CP A0 A1 A0 A1 可獲得可獲得4個(gè)相鄰的址

22、碼，供個(gè)相鄰的址碼，供SRAM進(jìn)行讀或?qū)懖僮?。進(jìn)行讀或?qū)懖僮?。精選課件9.2.2 9.2.2 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAMDRAM）1. DRAM1. DRAM的動(dòng)態(tài)的動(dòng)態(tài)MOSMOS存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元 NMOS管T和存儲(chǔ)電容CS組成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元。 當(dāng)電容存儲(chǔ)有足夠的電荷時(shí)，電容電壓為高電平，存儲(chǔ)1； 當(dāng)電容沒(méi)有存儲(chǔ)電荷時(shí)，電容電壓為低電平，存儲(chǔ)0。 缺點(diǎn)是缺點(diǎn)是電容不能長(zhǎng)期保持其電容不能長(zhǎng)期保持其電荷，必須定期（大約電荷，必須定期（大約816個(gè)個(gè)mS內(nèi)）補(bǔ)充電荷（稱為刷新操內(nèi)）補(bǔ)充電荷（稱為刷新操作），比作），比SRAM操作復(fù)雜。操作復(fù)雜。 精選課件工作原理如下：工作原理如

23、下：（1 1）寫操作）寫操作 當(dāng)當(dāng)X Xi i=1=1、Refreh=0Refreh=0和和 時(shí)，時(shí)，G G1 1處于工作態(tài)處于工作態(tài)、G G2 2和和G G3 3處于處于高阻態(tài)高阻態(tài)，NMOSNMOS管管T T導(dǎo)通導(dǎo)通。 如果如果D Dinin=1=1，則存儲(chǔ)電容，則存儲(chǔ)電容C CS S充充電，獲得足夠的電荷，實(shí)現(xiàn)電，獲得足夠的電荷，實(shí)現(xiàn)寫寫1 1操作操作； 如果如果D Dinin=0=0，則存儲(chǔ)電容，則存儲(chǔ)電容C CS S放放電，電荷消失，實(shí)現(xiàn)電，電荷消失，實(shí)現(xiàn)寫寫0 0操作操作。0/WR精選課件 （2 2）讀操作）讀操作 當(dāng)當(dāng)Xi=1、Refreh=1和和 時(shí)，時(shí)，G1處于高阻態(tài)、處于高

24、阻態(tài)、G2和和G3處于工作態(tài)，處于工作態(tài)，NMOS管管T導(dǎo)通導(dǎo)通。 如果存儲(chǔ)電容如果存儲(chǔ)電容CS有電荷，則通有電荷，則通過(guò)過(guò)T向位線的分布電容向位線的分布電容CW放電，位放電，位線電壓增加，經(jīng)靈敏放大緩沖器線電壓增加，經(jīng)靈敏放大緩沖器G2輸出輸出1（Dout=1），實(shí)現(xiàn)），實(shí)現(xiàn)讀讀1操作操作； 如果存儲(chǔ)電容如果存儲(chǔ)電容CS沒(méi)有電荷，則沒(méi)有電荷，則位線電壓不變，靈敏放大緩沖器位線電壓不變，靈敏放大緩沖器G2輸出輸出0（Dout=0），實(shí)現(xiàn)），實(shí)現(xiàn)讀讀0操作操作。1/WR Refresh=1使G3工作，讀出的數(shù)據(jù)通過(guò)G3又寫入到存儲(chǔ)電容中（類似于寫操作）。 精選課件 由于電容不能長(zhǎng)期保持電荷，由于

25、電容不能長(zhǎng)期保持電荷，所以必須對(duì)存儲(chǔ)電容定期刷新。所以必須對(duì)存儲(chǔ)電容定期刷新。 如前所述，讀操作自動(dòng)刷新如前所述，讀操作自動(dòng)刷新選定的存儲(chǔ)單元。但是，讀操作選定的存儲(chǔ)單元。但是，讀操作是隨機(jī)的，所以，在是隨機(jī)的，所以，在DRAMDRAM中，必中，必須設(shè)置刷新定時(shí)電路，定時(shí)啟動(dòng)須設(shè)置刷新定時(shí)電路，定時(shí)啟動(dòng)刷新周期。刷新周期。 對(duì)本電路，通過(guò)定時(shí)讀即可對(duì)本電路，通過(guò)定時(shí)讀即可實(shí)現(xiàn)定時(shí)刷新。實(shí)現(xiàn)定時(shí)刷新。(3)刷新操作刷新操作精選課件2.2.基本基本DRAMDRAM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)單元是單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元，排列成存儲(chǔ)單元，排列成1024行行1024列的存儲(chǔ)陣列。列的存儲(chǔ)陣列。 地址

26、位數(shù)多，通常采地址位數(shù)多，通常采用時(shí)分復(fù)用輸入地址用時(shí)分復(fù)用輸入地址. 高10位地址碼A19 A10首先輸入到10條地址信號(hào)線上 ，RAS存入。 低10位地址碼A9 A0輸入到10條地址信號(hào)線上 ，CAS存入。精選課件3. 3. 基本基本DRAMDRAM的讀寫周期的讀寫周期從讀或?qū)懼芷陂_(kāi)始，從讀或?qū)懼芷陂_(kāi)始，RAS和和CAS依次變低將行地址和列地依次變低將行地址和列地址順序送入址順序送入DRAM并譯碼。并譯碼。隨后，在讀周期中，隨后，在讀周期中， ，有效數(shù)據(jù)輸出到有效數(shù)據(jù)輸出到Dout；在寫周期中，在寫周期中， ，輸，輸入數(shù)據(jù)通過(guò)入數(shù)據(jù)通過(guò)Din寫入到指定單寫入到指定單元中保存。元中保存。1/

27、WR0/WR精選課件4. DRAM4. DRAM的類型的類型 除前述的基本DRAM外， 為了提高DRAM的訪問(wèn)速度，出現(xiàn)了快速頁(yè)模式DRAM(FPM DRAMFast Page Mode DRAM)、 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM (EDO DRAM-Extended Data Output DRAM)、 爆發(fā)式擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM(BEDO DRAM-Burst Extended Data Output DRAM)和 同步DRAM (SDRAM-Synchronous DRAM)。 精選課件 對(duì)于對(duì)于FPM DRAM，輸入一個(gè)行地址，其后可輸入多個(gè)列地，輸入一個(gè)行地址，其后可輸入多個(gè)列地址，它們和行

28、地址分別組成全地址，選中字存儲(chǔ)單元并進(jìn)行讀或址，它們和行地址分別組成全地址，選中字存儲(chǔ)單元并進(jìn)行讀或?qū)懖僮鲗懖僮鳌?擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM（EDO DRAM）可以）可以擴(kuò)展輸出數(shù)據(jù)的擴(kuò)展輸出數(shù)據(jù)的有效時(shí)間有效時(shí)間，直到，直到CAS再次有效為止，見(jiàn)最后一行波形。再次有效為止，見(jiàn)最后一行波形。 以讀操作為例，在以讀操作為例，在FPM DRAM中，當(dāng)列地址選通信號(hào)中，當(dāng)列地址選通信號(hào)CAS無(wú)效時(shí)，沒(méi)有輸出數(shù)據(jù)，見(jiàn)倒數(shù)第二行波形。無(wú)效時(shí)，沒(méi)有輸出數(shù)據(jù)，見(jiàn)倒數(shù)第二行波形。精選課件9.3 9.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）9.3.1 9.3.1 掩模只讀存儲(chǔ)器掩模只讀存儲(chǔ)器(Mask

29、 ROM)(Mask ROM)9.3.2 9.3.2 可編程只讀存儲(chǔ)器（可編程只讀存儲(chǔ)器（PROMPROM）精選課件9.3 9.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）ROM： 工作時(shí)只能快速地讀取已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、而不能快速地隨工作時(shí)只能快速地讀取已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)、而不能快速地隨時(shí)寫入新數(shù)據(jù)。時(shí)寫入新數(shù)據(jù)。優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：最突出的特征是掉電后數(shù)據(jù)不丟失，用于存儲(chǔ)數(shù)字系統(tǒng)中最突出的特征是掉電后數(shù)據(jù)不丟失，用于存儲(chǔ)數(shù)字系統(tǒng)中固定不變的數(shù)據(jù)和程序固定不變的數(shù)據(jù)和程序 。 ROM分為可編程分為可編程PROM （Programmable ROM）和掩模）和掩模ROM(Mask ROM)。 Mask ROM：數(shù)據(jù)

30、是制造過(guò)程中寫入的，可永久保存，但使：數(shù)據(jù)是制造過(guò)程中寫入的，可永久保存，但使用者不能改寫。用者不能改寫。 PROM：數(shù)據(jù)是由使用者通過(guò)編程工具寫入的。：數(shù)據(jù)是由使用者通過(guò)編程工具寫入的。 ROM的尋址方式與的尋址方式與RAM相同，采用隨機(jī)尋址相同，采用隨機(jī)尋址，即用地址譯，即用地址譯碼器選擇字存儲(chǔ)單元。碼器選擇字存儲(chǔ)單元。 ROM可以用雙極型或單極型（可以用雙極型或單極型（MOS）元件實(shí)現(xiàn)）元件實(shí)現(xiàn)。 精選課件9.3.1 9.3.1 掩模只讀存儲(chǔ)器掩模只讀存儲(chǔ)器(Mask ROM)(Mask ROM) NMOS管管T是存儲(chǔ)元件。是存儲(chǔ)元件。 在圖（在圖（a）中，）中， T的柵極與的柵極與字線

31、字線Xi相連。相連。 當(dāng)當(dāng)Xi=1、OE=0時(shí)，時(shí)，T導(dǎo)通，導(dǎo)通，位線為低電平位線為低電平，G為工作態(tài)為工作態(tài)，DOUT=1，存儲(chǔ)單元記憶，存儲(chǔ)單元記憶1。在圖在圖(b)中，中，T的柵極與字線的柵極與字線Xi不不相連。相連。 當(dāng)當(dāng)Xi=1、OE=0時(shí)，時(shí)，T不導(dǎo)通，不導(dǎo)通，位線為高電平，位線為高電平，G為工作態(tài)，為工作態(tài)，DOUT=0，存儲(chǔ)單元記憶，存儲(chǔ)單元記憶0。掩模只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元用半導(dǎo)體元件的有或無(wú)表示掩模只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元用半導(dǎo)體元件的有或無(wú)表示1或或0 制作NMOS管不制作NMOS管 1掩模只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元掩模只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元 精選課件2掩模只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)掩模只讀存儲(chǔ)

32、器的結(jié)構(gòu) 地址譯碼器輸出高電平有效。在存地址譯碼器輸出高電平有效。在存儲(chǔ)陣列中，字線與位線的交叉處是存儲(chǔ)儲(chǔ)陣列中，字線與位線的交叉處是存儲(chǔ)單元，有元件為單元，有元件為1，無(wú)元件為，無(wú)元件為0。210010101013XXXAAAAAAAAD 存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)輸出變量是數(shù)據(jù)為存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)輸出變量是數(shù)據(jù)為1所對(duì)應(yīng)的地址變量組成的最小項(xiàng)的邏輯和所對(duì)應(yīng)的地址變量組成的最小項(xiàng)的邏輯和 。A1A0D3D2D1D000110101101110101011010010010110210101011300101012XXAAAAADXXAAAAAADXXAAAAAAD精選課件9.3.2 9.3.2 可編程只讀存儲(chǔ)器

33、（可編程只讀存儲(chǔ)器（PROMPROM） 掩模掩模ROM的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由制造商在生產(chǎn)過(guò)程中寫入，對(duì)系的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由制造商在生產(chǎn)過(guò)程中寫入，對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品很不方便。因此，出現(xiàn)了由用戶寫入統(tǒng)設(shè)計(jì)者開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品很不方便。因此，出現(xiàn)了由用戶寫入數(shù)據(jù)的可編程數(shù)據(jù)的可編程ROM（PROM） 可編程可編程ROM分為可改寫一次的分為可改寫一次的PROM（沿用（沿用PROM的名的名稱）和可反復(fù)改寫的稱）和可反復(fù)改寫的EPROM(Erasable Programmable ROM) 用紫外光擦除的EPROM記為UV EPROM(Ultraviolet EPROM，常簡(jiǎn)記為EPROM)，用電方法擦除的EPROM記為E

34、EPROM或E2PROM(Electrical EPROM)精選課件1 1PROMPROM的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元 熔絲有熔絲有3種：鎳鉻鐵合金、多晶硅和種：鎳鉻鐵合金、多晶硅和2個(gè)背靠背的個(gè)背靠背的PN結(jié)。結(jié)。鎳鉻鐵合金和多晶硅等效為熔絲型導(dǎo)線，可熔斷為開(kāi)路。這鎳鉻鐵合金和多晶硅等效為熔絲型導(dǎo)線，可熔斷為開(kāi)路。這2類類PROM出廠時(shí)全部存儲(chǔ)單元為出廠時(shí)全部存儲(chǔ)單元為1。 2個(gè)背靠背的個(gè)背靠背的PN結(jié)類型的結(jié)類型的PROM出廠時(shí)全部存儲(chǔ)單元為出廠時(shí)全部存儲(chǔ)單元為0。編程。編程器使承受反向電壓的二極管雪崩擊穿，造成永久短路，寫入器使承受反向電壓的二極管雪崩擊穿，造成永久短路，寫入1。 PROM的存儲(chǔ)

35、單元由一個(gè)的存儲(chǔ)單元由一個(gè)NMOS管和管和一個(gè)熔絲組成。一個(gè)熔絲組成。 在編程過(guò)程中，編程器產(chǎn)生足夠大的在編程過(guò)程中，編程器產(chǎn)生足夠大的電流注入欲寫電流注入欲寫0單元，燒斷熔絲；寫單元，燒斷熔絲；寫1單元單元?jiǎng)t不注入電流。則不注入電流。 正常工作時(shí)，熔絲不會(huì)被燒斷，保留正常工作時(shí)，熔絲不會(huì)被燒斷，保留熔絲的單元存儲(chǔ)熔絲的單元存儲(chǔ)1，燒斷熔絲的單元存儲(chǔ)，燒斷熔絲的單元存儲(chǔ)0。由于燒斷的熔絲不能修復(fù)，故由于燒斷的熔絲不能修復(fù)，故PROM只能只能編程一次。編程一次。 精選課件2 2UV EPROMUV EPROM的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元 可多次編程的可多次編程的EPROM必須必須采用可修復(fù)的元件。采用可

36、修復(fù)的元件。 UV EPROM使用的可修復(fù)的使用的可修復(fù)的元件是元件是有兩個(gè)柵極有兩個(gè)柵極的疊柵雪的疊柵雪崩注入崩注入MOS管管(SIMOS）。）。 在浮柵上注入足夠的負(fù)電荷后，開(kāi)啟電壓增加，正常的柵源電在浮柵上注入足夠的負(fù)電荷后，開(kāi)啟電壓增加，正常的柵源電壓則不能使壓則不能使SIMOS管導(dǎo)通。管導(dǎo)通。 一個(gè)柵極埋置于絕緣材料一個(gè)柵極埋置于絕緣材料SiO2中，不引出電極，稱為中，不引出電極，稱為浮柵浮柵。另一個(gè)疊于浮柵之上引出電極，稱為另一個(gè)疊于浮柵之上引出電極，稱為控制柵極控制柵極。 浮柵上浮柵上未注入負(fù)電荷未注入負(fù)電荷前，前，SIMOS管的管的開(kāi)啟電壓低開(kāi)啟電壓低，正常的柵，正常的柵源電壓

37、可使源電壓可使SIMOS 管導(dǎo)通。管導(dǎo)通。精選課件 浮柵上無(wú)電荷時(shí)浮柵上無(wú)電荷時(shí)，字線高電平使，字線高電平使SIMOSSIMOS導(dǎo)通，等效為存儲(chǔ)單元有元件，存導(dǎo)通，等效為存儲(chǔ)單元有元件，存儲(chǔ)儲(chǔ)1 1； 浮柵上有電荷時(shí)浮柵上有電荷時(shí)，字線高電平不能，字線高電平不能使使SIMOSSIMOS導(dǎo)通，等效為存儲(chǔ)單元無(wú)元件，導(dǎo)通，等效為存儲(chǔ)單元無(wú)元件，存儲(chǔ)存儲(chǔ)0 0。 因此，因此，SIMOSSIMOS管是用浮柵上是否有負(fù)管是用浮柵上是否有負(fù)電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的。電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的。 UV EPROM出廠時(shí)浮柵上無(wú)電荷。為了在浮柵上注入電荷，控制柵極和漏極對(duì)源極同時(shí)作用比正常電源電壓高許多的電壓. UV

38、EPROM的封裝頂部有一個(gè)石英窗，的封裝頂部有一個(gè)石英窗，紫外光可直接照射紫外光可直接照射到到SIMOS管上，照射管上，照射15到到20分鐘后，浮柵上的電子獲得足夠的能分鐘后，浮柵上的電子獲得足夠的能量，穿過(guò)量，穿過(guò)SiO2回到襯底中。回到襯底中。 精選課件3 3E E2 2PROMPROM的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元 E2PROM也是利用隧道也是利用隧道MOS管的浮柵上是否有負(fù)電荷來(lái)管的浮柵上是否有負(fù)電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的 。 隧道隧道MOS管：與管：與SIMOS管的管的區(qū)別是漏區(qū)與浮柵之間有一區(qū)別是漏區(qū)與浮柵之間有一個(gè)極薄的個(gè)極薄的SiO2交疊區(qū)，厚度交疊區(qū)，厚度約約80（埃）。（埃）

39、。 當(dāng)漏極接地，控制柵加足夠大的電壓時(shí)，交疊區(qū)產(chǎn)生很強(qiáng)當(dāng)漏極接地，控制柵加足夠大的電壓時(shí)，交疊區(qū)產(chǎn)生很強(qiáng)的電場(chǎng)，電子穿過(guò)交疊區(qū)到達(dá)浮柵（注入電子），這種現(xiàn)的電場(chǎng)，電子穿過(guò)交疊區(qū)到達(dá)浮柵（注入電子），這種現(xiàn)象稱為象稱為隧道效應(yīng)隧道效應(yīng)。隧道效應(yīng)是雙向的，即漏柵間加前述相。隧道效應(yīng)是雙向的，即漏柵間加前述相反的電壓，則電子離開(kāi)浮柵（擦除電子）。反的電壓，則電子離開(kāi)浮柵（擦除電子）。精選課件3 3E E2 2PROMPROM的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元 E2PROM的存儲(chǔ)單元：的存儲(chǔ)單元：隧道隧道MOS管與管與普通普通MOS管串聯(lián)。管串聯(lián)。 浮柵上無(wú)電荷時(shí)浮柵上無(wú)電荷時(shí)，隧道，隧道MOS管導(dǎo)通，管導(dǎo)通，等效

40、為存儲(chǔ)單元有元件，存儲(chǔ)等效為存儲(chǔ)單元有元件，存儲(chǔ)1； 浮柵上有電荷時(shí)浮柵上有電荷時(shí)，隧道，隧道MOS管截至，管截至，等效為存儲(chǔ)單元無(wú)元件，存儲(chǔ)等效為存儲(chǔ)單元無(wú)元件，存儲(chǔ)0。 編程器利用隧道效應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)單元的隧道編程器利用隧道效應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)單元的隧道MOS管注入或擦除電管注入或擦除電子。子。 隧道隧道MOS管的電子注入和擦除是在漏極與控制柵極之間利用管的電子注入和擦除是在漏極與控制柵極之間利用隧道效應(yīng)進(jìn)行的，這個(gè)特點(diǎn)和存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)決定了隧道效應(yīng)進(jìn)行的，這個(gè)特點(diǎn)和存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)決定了E2PROM只能只能以字為單位以字為單位改寫數(shù)據(jù)。改寫數(shù)據(jù)。精選課件 閃存亦是利用浮柵上有無(wú)負(fù)電荷存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的，存儲(chǔ)器

41、結(jié)構(gòu)也和ROM相同，因此，傳統(tǒng)上歸類于ROM。 但是，閃存具有較強(qiáng)的在系統(tǒng)讀寫入能力（工作時(shí)能讀寫），其優(yōu)勢(shì)是傳統(tǒng)ROM不可比的。 閃存的出現(xiàn)使計(jì)算機(jī)的軟盤壽終正寢，大有取代硬盤之勢(shì)。此外，閃存在掌上電腦、手機(jī)、數(shù)字照相機(jī)等消費(fèi)電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。9.4 閃存（閃存（Flash Memories）精選課件1.1.閃存的存儲(chǔ)單元閃存的存儲(chǔ)單元 閃存閃存MOS管：與管：與SIMOS 相似，但相似，但有有2點(diǎn)不同：點(diǎn)不同： 一是浮柵與襯底間的一是浮柵與襯底間的SiO2厚度不厚度不同，同，SIMOS厚（厚（3040nm）, 閃存閃存MOS管?。ü鼙。?015nm）；）；閃存MOS管的擦除和注入電壓小。

42、 二是閃存二是閃存MOS管的源極和漏極的管的源極和漏極的N+區(qū)不對(duì)稱，漏區(qū)小，源區(qū)大；浮柵區(qū)不對(duì)稱，漏區(qū)小，源區(qū)大；浮柵與源區(qū)交疊，形成比與源區(qū)交疊，形成比EEPROM的隧道的隧道MOS管更小的隧道區(qū)。管更小的隧道區(qū)。 由于存儲(chǔ)陣列的閃存MOS管的源極全部連接在一起，利用隧道效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)眾多存儲(chǔ)單元的批量擦除。 精選課件2.2.閃存的特點(diǎn)和應(yīng)用閃存的特點(diǎn)和應(yīng)用理想的存儲(chǔ)器具有大容量、非易失、在系統(tǒng)讀寫能力、較高的操作速度理想的存儲(chǔ)器具有大容量、非易失、在系統(tǒng)讀寫能力、較高的操作速度和低成本等特點(diǎn)。和低成本等特點(diǎn)。ROM、PROM、UV EPROM、EEPROM、SRAM和和DRAM，在前述的

43、，在前述的某些方面各具有一定優(yōu)勢(shì)。某些方面各具有一定優(yōu)勢(shì)。只有閃存綜合具有理想存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，只是在寫入速度方面比只有閃存綜合具有理想存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，只是在寫入速度方面比SRAM和和DRAM差差。 存儲(chǔ)器非易失高密度單管存儲(chǔ)單元在系統(tǒng)寫入寫速度*閃存YESYESYESYES較快SRAMNONONOYES最快DRAMNOYESYESYES快MASK ROMYESYESYESNOPROMYESYESYESNOUV EPROMYESYESYESNOEEPROMYESNONOYES最慢 * 寫入速度是與SRAM比較的。 精選課件9.5 9.5 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展 存儲(chǔ)器有存儲(chǔ)器有3類總線：類總線：數(shù)據(jù)總線、地址總線和控制總線數(shù)據(jù)總線、