仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告.doc

1、仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告大學(xué)物理仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告塞曼效應(yīng) 一、實(shí)驗(yàn)簡介 塞曼效應(yīng)就是物理學(xué)史上一個(gè)著名得實(shí)驗(yàn)。荷蘭物理學(xué)家塞曼(eema)在 1896 年發(fā)現(xiàn)把產(chǎn)生光譜得光置于足夠強(qiáng)得磁場中,磁場作用于發(fā)光體，使光譜發(fā)生變化,一條譜線即會(huì)分裂成幾條偏振化得譜線,這種現(xiàn)象稱為塞曼效應(yīng)。塞曼效應(yīng)就是法拉第磁致旋光效應(yīng)之后發(fā)現(xiàn)得又一個(gè)磁光效應(yīng)。這個(gè)現(xiàn)象得發(fā)現(xiàn)就是對光得電磁理論得有力支持，證實(shí)了原子具有磁矩與空間取向量子化，使人們對物質(zhì)光譜、原子、分子有更多了解.塞曼效應(yīng)另一引人注目得發(fā)現(xiàn)就是由譜線得變化來確定離子得荷質(zhì)比得大小、符號。根據(jù)洛侖茲（、Lrnt)得電子論,測得光譜得波長，譜線得增寬及外加磁場強(qiáng)度，即可稱

2、得離子得荷質(zhì)比由塞曼效應(yīng)與洛侖茲得電子論計(jì)算得到得這個(gè)結(jié)果極為重要，因?yàn)樗l(fā)表在、J 湯姆遜(J、J Thomn）宣布電子發(fā)現(xiàn)之前幾個(gè)月，、J 湯姆遜正就是借助于塞曼效應(yīng)由洛侖茲得理論算得得荷質(zhì)比，與她自己所測得得陰極射線得荷質(zhì)比進(jìn)行比較具有相同得數(shù)量級,從而得到確實(shí)得證據(jù),證明電子得存在。塞曼效應(yīng)被譽(yù)為繼 _ 射線之后物理學(xué)最重要得發(fā)現(xiàn)之一。1902 年,塞曼與洛侖茲因這一發(fā)現(xiàn)共同獲得了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)(以表彰她們研究磁場對光得效應(yīng)所作得特殊貢獻(xiàn)）.至今,塞曼效應(yīng)依然就是研究原子內(nèi)部能級結(jié)構(gòu)得重要方法。本實(shí)驗(yàn)通過觀察并拍攝g(56、1nm)譜線在磁場中得分裂情況,研究塞曼分裂譜得特征，學(xué)習(xí)應(yīng)用

3、塞曼效應(yīng)測量電子得荷質(zhì)比與研究原子能級結(jié)構(gòu)得方法。二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、學(xué)習(xí)觀察塞曼效應(yīng)得方法觀察汞燈發(fā)出譜線得塞曼分裂； 2、觀察分裂譜線得偏振情況以及裂距與磁場強(qiáng)度得關(guān)系; 3、利用塞曼分裂得裂距，計(jì)算電子得荷質(zhì)比數(shù)值。三、實(shí)驗(yàn)原理 1、譜線在磁場中得能級分裂 設(shè)原子在無外磁場時(shí)得某個(gè)能級得能量為,相應(yīng)得總角動(dòng)量量子數(shù)、軌道量子數(shù)、自旋量子數(shù)分別為。當(dāng)原子處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為得外磁場中時(shí),這一原子能級將分裂為層。各層能量為(1) 其中為磁量子數(shù),它得取值為，、,共個(gè)；為朗德因子；為玻爾磁矩；為磁感應(yīng)強(qiáng)度。對于耦合（2) 假設(shè)在無外磁場時(shí),光某條光譜線得波數(shù)為(3）式中 為普朗克常數(shù)；為光速。而當(dāng)光

4、處于外磁場中時(shí),這條光譜線就會(huì)分裂成為若干條分線，每條分線波數(shù)為別為 hc B g M g M E EhcBm g g g g g ）（ ）（1 1 2 2 0 1 2 0 01 - + = D - D + = D + =所以，分裂后譜線與原譜線得頻率差(波數(shù)形式)為（4) 式中腳標(biāo) 1、2 分別表示原子躍遷后與躍遷前所處在得能級,為洛倫茲單位,外磁場得單位為(特斯拉)，波數(shù)得單位為 。得選擇定則就是：時(shí)為 成分，就是振動(dòng)方向平行于磁場得線偏振光,只能在垂直于磁場得方向上才能觀察到,在平行于磁場方向上觀察不到,但當(dāng)時(shí)，得躍遷被禁止;時(shí),為成分，垂直于磁場觀察時(shí)為振動(dòng)垂直于磁場得線偏振光,沿磁場

5、正方向觀察時(shí),為右旋偏振光, 為左旋偏振光.若躍遷前后能級得自旋量子數(shù)都等于零,塞曼分裂發(fā)上在單重態(tài)間，此時(shí),無磁場時(shí)得一條譜線在磁場作用下分裂成三條譜線,其中對應(yīng)得仍然就是態(tài),對應(yīng)得就是態(tài),分裂后得譜線與原譜線得波數(shù)差.這種效應(yīng)叫做正常塞曼效應(yīng)。下面以汞得譜線為例來說明譜線得分裂情況.汞得波長得譜線就是汞原子從到能級躍遷時(shí)產(chǎn)生得,其上下能級得有關(guān)量子數(shù)值與能級分裂圖形如表 11 所示。表 11 原子態(tài)符號0 1 1 2 1、0、1 、0、2 1 2 3/2 2、1、1、 3、3/、0、3/2、3 可見,得一條譜線在磁場中分裂成了九條譜線，當(dāng)垂直于磁場方向觀察時(shí)，中央三條譜線為成分，兩邊各三條

6、譜線為成分;沿磁場方向觀察時(shí),成分不出現(xiàn),對應(yīng)得六條線分別為右旋與左旋偏振光。2、法布里珀羅標(biāo)準(zhǔn)具 塞曼分裂得波長差很小，波長與波數(shù)得關(guān)系為,若波長得譜線在得磁場中，分裂譜線得波長差約只有。因此必須使用高分辨率得儀器來觀察。本實(shí)驗(yàn)采用法布里珀羅（)標(biāo)準(zhǔn)具。標(biāo)準(zhǔn)具就是由平行放置得兩塊平面玻璃或石英玻璃板組成，在兩板相對得平面上鍍有高反射率得薄銀膜，為了消除兩平板背面反射光得干涉,每塊板都作成楔形。由于兩鍍膜面平行,若使用擴(kuò)展光，則產(chǎn)生等傾干涉條紋。具有相同入射角得光線在垂直于觀察方向得平面上得軌跡就是一組同心圓.若在光路上放置透鏡，則在透鏡焦平面上得到一組同心圓環(huán)圖樣在透射光束中,相鄰光束得光程

7、差為(5）?。?）產(chǎn)生亮條紋得條件為（7）式中為干涉級次；為入射光波長.我們需要了解標(biāo)準(zhǔn)具得兩個(gè)特征參量就是 1、自由光譜范圍(標(biāo)準(zhǔn)具參數(shù)）或同一光發(fā)出得具有微小波長差得單色光與 (），入射后將形成各自得圓環(huán)系列。對同一干涉級,波長大得干涉環(huán)直徑小，所示。如果與得波長差逐漸加大，使得得第級亮環(huán)與得第級亮環(huán)重合,則有（)得出（9) 由于大多數(shù)情況下,()式變?yōu)?并帶入（）式,得到(10）它表明在中,當(dāng)給定兩平面間隔后,入射光波長在間所產(chǎn)生得干涉圓環(huán)不發(fā)生重疊.2、分辨本領(lǐng)定義為光譜儀得分辨本領(lǐng),對于標(biāo)準(zhǔn)具,它得分辨本領(lǐng)為(11) 為干涉級次,為精細(xì)度,它得物理意義就是在相鄰兩個(gè)干涉級之間能分辨得

8、最大條紋數(shù)。依賴于平板內(nèi)表面反射膜得反射率。（1）反射率越高，精細(xì)度就越高，儀器能分辨開得條紋數(shù)就越多。利用標(biāo)準(zhǔn)具，通過測量干涉環(huán)得直徑就可以測量各分裂譜線得波長或波長差。參見圖,出射角為得圓環(huán)直徑與透鏡焦距間得關(guān)系為 ,對于近中心得圓環(huán)很小，可以認(rèn)為，于就是有(13)代入到(7）式中，得(14）由上式可推出同一波長相鄰兩級與級圓環(huán)直徑得平方差為(15)可以瞧出,就是與干涉級次無關(guān)得常數(shù).設(shè)波長與得第級干涉圓環(huán)直徑分別為與,由(4)式與(15）式得得出 波長差(16) 波數(shù)差(7) 3、用塞曼效應(yīng)計(jì)算電子荷質(zhì)比 對于正常塞曼效應(yīng),分裂得波數(shù)差為代入測量波數(shù)差公式(17)，得（8)若已知與,從塞

9、曼分裂中測量出各環(huán)直徑,就可以計(jì)算出電子荷質(zhì)比。四、實(shí) 驗(yàn)內(nèi)容 通過觀察綠線在外磁場中得分裂情況并測量電子荷質(zhì)比。1、在顯示器上調(diào)整并觀察光路。實(shí)驗(yàn)裝置圖標(biāo)準(zhǔn)具光路圖 (1)、在垂直于磁場方向觀察與紀(jì)錄譜線得分裂情況,用偏振片區(qū)分成分與成分,改變勵(lì)磁電流大小觀察譜線分裂得變化,同時(shí)觀察干涉圓環(huán)中成分得重疊.（2)、在平行于磁場方向觀察與紀(jì)錄譜線得分裂情況及變化。(3）、利用計(jì)算機(jī)測量與計(jì)算電子得荷質(zhì)比,打印結(jié)果。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果 經(jīng)過測量可得=5、m166、0mmDk=16、0mmD=25、15、0mmDk-1=2、5m帶入上述公式可得電子得荷質(zhì)比取二者平均值得實(shí)驗(yàn)誤差 E=(1、72、64)/、

10、=、7 六、誤差分析p 1.測量磁場時(shí)霍爾元件可能未與磁場完全垂直而導(dǎo)致測量得磁場偏小而導(dǎo)致結(jié)果偏大.2.未能給出法珀腔介質(zhì)折射率而就是使用 n=1 代替而導(dǎo)致結(jié)果偏大。3.在圖上找圓心時(shí)不夠準(zhǔn)確而導(dǎo)致誤差.4.汞燈放置位置不一定就是垂直得，因此光線方向分量有誤差。七、思考題 1、如何鑒別 F-P 標(biāo)準(zhǔn)具得兩反射面就是否嚴(yán)格平行？如發(fā)現(xiàn)不平行應(yīng)該如何調(diào)節(jié)?例如,觀察到干涉紋從中心冒出來，應(yīng)如何調(diào)節(jié)? 答:實(shí)驗(yàn)時(shí)當(dāng)眼睛上下左史移動(dòng)時(shí)候,圓環(huán)無吞吐現(xiàn)象時(shí)說明 F標(biāo)準(zhǔn)具得兩反射面基本平行了.當(dāng)發(fā)現(xiàn)不平衡時(shí),利用標(biāo)準(zhǔn)具上得三個(gè)旋鈕來調(diào)節(jié)水平。如果當(dāng)眼睛向某方向移動(dòng)，觀察到干涉紋從中心冒出來時(shí)，由干涉公

11、式可得該處得等傾干涉條紋所對應(yīng)得厚度較大。此時(shí)應(yīng)調(diào)節(jié)旋扭減小厚度;相反若干涉條紋有吞吐現(xiàn)象則條紋得級數(shù)在減小，那么該處得等傾條紋對應(yīng)得厚度較小,此時(shí)應(yīng)調(diào)節(jié)旋扭增加厚度。最后直至干涉條紋穩(wěn)定,無吞吐現(xiàn)象發(fā)生.2、已知標(biāo)準(zhǔn)具間隔圈厚度 d=m，該標(biāo)準(zhǔn)具得自由光譜范圍就是多大?根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)具自由光譜范圍及 546、nm 譜線在磁場中得分裂情況，對磁感應(yīng)強(qiáng)度有何要求?若 B=0、2T, 分裂譜線中哪幾條將會(huì)發(fā)生重疊？ 標(biāo)準(zhǔn)具厚度 d=5m自由光譜范圍 ,所用得 Hg 燈=546、1n ， 故1、065、故磁感應(yīng)強(qiáng)度應(yīng)大于 0、72T,若=0、62T,中間得三條譜線將發(fā)生重疊.3、沿磁場方向觀察，m=1 與

12、m-得躍遷各產(chǎn)生那種圓偏振光?用實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象說明。時(shí)，在垂直于磁場方向觀察到得都就是電矢量垂直于磁場得線偏振光，在平行于磁場方向上觀察到得都就是圓偏振光這兩個(gè)輻射分量被稱為線。并且,當(dāng)時(shí)，迎著或逆著磁場方向分別觀察到右旋或左旋前進(jìn)得圓偏振光,這個(gè)分量被稱為線；當(dāng)時(shí)，迎著或逆著磁場方向分別觀察到左旋或右旋前進(jìn)得圓偏振光,這個(gè)分量被稱為線、結(jié)果如下：看了很久。華 南 理 工 大 學(xué) 實(shí) 驗(yàn) 報(bào) 告說明：1、本模板只有姓名處需要添加自己的姓名，其他地方不用改動(dòng)；2、正文的字體沒有明確的要求，建議就用宋體小四或者四號吧；3、以上每個(gè)模板對應(yīng)一個(gè)實(shí)驗(yàn)，請勿混淆；4、每個(gè)實(shí)驗(yàn)需要一個(gè)實(shí)驗(yàn)報(bào)告，所以總共有四個(gè)實(shí)驗(yàn)報(bào)告需要寫，童吉門加油！課程名稱物流仿真技術(shù) 經(jīng)濟(jì)與貿(mào)易系 物流工程 專業(yè)2 班姓名實(shí)驗(yàn)名稱 快餐店系統(tǒng)仿真 實(shí)驗(yàn)日期 11月10日 指導(dǎo)教師 張智勇、萬艷春 （報(bào)告內(nèi)容：目的、儀器裝置、簡單原理、數(shù)據(jù)記錄及結(jié)果分析p 等）課程名稱物流仿真技術(shù) 經(jīng)濟(jì)與貿(mào)易系 物流工程 專業(yè)2 班姓名實(shí)驗(yàn)名稱 機(jī)場登機(jī)及安檢系統(tǒng)仿真 實(shí)驗(yàn)日期 11月17日 指導(dǎo)教師 張智勇、萬艷春 （報(bào)告內(nèi)容：目的、儀器裝置、簡單原理、數(shù)據(jù)記錄及結(jié)果分析p 等）課程名稱物流仿真技術(shù) 經(jīng)濟(jì)