貼片電容材質(zhì)分類

1、貼片電容材質(zhì)分類文稿歸稿存檔編號(hào)：KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58- 這個(gè)是按美國電工協(xié)會(huì)(ElA)標(biāo)準(zhǔn)，不同介質(zhì)材料的MLCC按溫度穩(wěn)定 性分成三類：超穩(wěn)定級(jí)(工類)的介質(zhì)材料為CoG或MP0；穩(wěn)定級(jí)(II 類)的介質(zhì)材料為X7R；能用級(jí)(IlI)的介質(zhì)材料Y5V。X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C到+125OC時(shí) 其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變 化而變化，大約每10年變化1%C,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容

2、器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變 化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做 的比較大。COG, X7R, X5R, Y5V均是電容的材質(zhì)，兒種材料的溫度系數(shù)和工作范圍是依 次遞減的，不同材質(zhì)的頻率特性也是不同的。NP0、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積 下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器 的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容 器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一 NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì) 是由£

3、如、侈和一些其它稀有氧化物組成的。NPo電容器是電容量和介質(zhì)損 耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55。C到÷125°C時(shí)容量變化為0±30ppm°C,電容量隨頻率的變化小于土0.3Co NPo電容的漂移或滯 后小于±0. 05%,NPO(COG)多層片式陶瓷電容器,它只是一種電容COG (ChiP On GIaSS)即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以 大大減小LCD模塊的體積，且易于大批量生產(chǎn)，適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品 的LCD,如：手機(jī)，PDA等便攜式產(chǎn)品，這種安裝方式，在IC生產(chǎn)商的 推動(dòng)下，將會(huì)是今后Ie與LCD的主要連接方式。相對大

4、于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使 用壽命的變化小于土0. l%o NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損 耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性 好。下表給出了 NPo電容器可選取的容量范圍。NPo電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合 電容。二X7R電容器X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C到÷125oC時(shí) 其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變 化而變化，大約每10年變化1

5、%C,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的匸業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變 化是可以接受的條件下。它的主要待點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做 的比較大。下表給出了 X7R電容器可選取的容量范圍。三Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫 度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種 陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它 的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降 5% o盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效 串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的

6、頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其 是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了 Z5U電容器的取值范圍。Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下：工作溫度范圍÷10°C -一 +85°C溫度特 性+22%56%介質(zhì)損耗 最大4%四Y5V電容器Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30°C到85°C范圍內(nèi) 其容量變化可達(dá)+22%到-82% oY5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4. 7 UF電容器。Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下：工作溫度范圍-30°C -一 +85oC溫度特 性+22% -一82%介質(zhì)損耗 最大5%五，NPO

7、(COG)多層片式陶瓷電容器,它只是一種電容。COG (ChiP On GIaSS)即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以 大大減小LCD模塊的體積，且易于大批量生產(chǎn)，適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品 的LCD,如：手機(jī)，PDA等便攜式產(chǎn)品，這種安裝方式，在IC生產(chǎn)商的 推動(dòng)下，將會(huì)是今后Ie與LCD的主要連接方式。X7R與X5R材質(zhì)的溫度系數(shù)不同。X5R材質(zhì)所能做出來的電容容值會(huì)更高 一些，與X7R同樣容值電壓的電容相比，X5R的價(jià)格也要便宜一些。NPO(COG)具有溫度補(bǔ)償特性，精度能做到5%,但是不能做到太高的容值。X是最低溫度-55度7是最高承受溫度125度R是使用溫度內(nèi)容值變化 的范H+-1

8、5%同理X5R只是最高溫度為85度X 7 R和X 5 R是E I A的代碼，表示不同的溫度特性，溫度變化率相 同，都是1 5 %,只是X 7 R上限工作溫度是1 2 5度，X 5 R上限是8 5度，從材料上來說，比較接近，都是BT作為主燒塊的陶瓷材料，X 5 R的K值大點(diǎn)，可以做更大的容量，一般大容量的MLCC都是X 5 R,不能用X 7 R做.電容參數(shù)X5R, X7R, Y5V, CoG等代表什么意思呢這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別，溫度特性以及誤差等參 數(shù)，不同的值也對應(yīng)著一定的電容容量的范圍。具體來說，就是:X7R常用于容量為3300pF'0. 33UF的電容，這類電容適

9、用于濾波，耦合等 場合，電介質(zhì)常數(shù)比較大，當(dāng)溫度從0° C變化為70° C時(shí)，電容容量的 變化為±15%；Y5P與Y5V常用于容量為150PFnF的電容，溫度范圍比較寬，隨著溫度 變化，電容容量變化范圍為±10%或者+22%-82%o對于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系，大家可以參考表4-1。例如，X5R的 意思就是該電容的正常工作溫度為-55° C"+85o C,對應(yīng)的電容容量變化 為 ±15%。表4-1電容的溫度與容量誤差編碼低溫高溫容量變化X: -55 o C4+65 o CA±1.0%Y: -30 o C5+85

10、 o CB+ 1.5%Z: +10 o C6+105 o CC+ 2. 2%7+125 o CD+ 3. 3%8+150 o CE±4. 7%9+200 o CF土 7. 5%P+ 10%R+ 15%S±22%T+22% -33%U+22% -56%V+22% -82%在我們選擇無極性電容式，不知道大家是否有注意到電容的X5R, X7R,Y5V, COG等等看上去很奇怪的參數(shù)，有些摸不著頭腦，本人特意為此查閱了相關(guān)的文獻(xiàn)，現(xiàn)在翻譯出來奉獻(xiàn)給大家。這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別，溫度特性以及誤差等參 數(shù)，不同的值也對應(yīng)著一定的電容容量的范圍。具體來說，就是：X7R常用

11、于容量為3300pF'0. 33UF的電容，這類電容適用于濾波，耦合等 場合，電介質(zhì)常數(shù)比較大，當(dāng)溫度從0。C變化為70° C時(shí)，電容容量的 變化為±15%；Y5P與Y5V常用于容量為150PFnF的電容，溫度范圍比較寬，隨著溫度 變化，電容容量變化范圍為±10%或者+22%-82%o對于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系，大家可以參考表4-1。例如，X5R的 意思就是該電容的正常工作溫度為-55° C>85o C,對應(yīng)的電容容量變化 為 ±15%。表4-1電容的溫度與容量誤差編碼下面我們僅就常用的NP0、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下

12、它們的性能和應(yīng) 用以及釆購中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對于上 述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公 司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO.X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由 于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介 質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在 電路中作用不同來選用不同的電容器。一 NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償待性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì) 是由£如、侈和一些其它稀有氧化物組成的。NPo電容器是電容量和介質(zhì)

13、損 耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55°C到÷125°C時(shí)容量變化為0±30ppm°C,電容量隨頻率的變化小于土0.3Co NPo電容的漂移或滯 后小于±0. 05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使 用壽命的變化小于土0. l%o NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損 耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性 好。下表給出了 NPo電容器可選取的容量范圍。NPo電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合 電容。二X7R電容器X7R電容器被稱為溫

14、度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C到÷125°C時(shí) 其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變 化而變化，大約每10年變化1%C,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變 化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做 的比較大。下表給出了 X7R電容器可選取的容量范圍。三Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫 度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于

15、上述三種 陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它 的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5% o盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效 串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其 是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了 Z5U電容器的取值范圍。Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下：工作溫度范圍+10°C -一 +85°C溫度特 性+22%56%介質(zhì)損耗最大4%四Y5V電容器Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30C到85°C范圍內(nèi) 其容量變化可達(dá)+22%到-8

16、2% oYbV的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4. 7 PF電容器。Y5V電容器的取值范圍如下表所示Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下：工作溫度范圍-30°C - +85oC溫度特 性+22%82%介質(zhì)損耗 最大5%貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。NP0, X7R及Y5V電容的特性及主要用途NPO的待性及主要用途屬1類陶瓷介質(zhì)，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨時(shí)間、溫度、電壓變化，適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場合。特性：電容范圍 IPF0. IUF (1 + 0. 2V rms IMHZ) 環(huán)境溫度：-55°C+125°C組別：CG 溫度特性：0&#

17、177;30ppm°C 損耗角正切值：15x10-4絕緣電阻：MlOGQ抗電強(qiáng)度：2. 5倍額定電壓5秒 浪涌電流：W50毫安X7R的特性及主要用途屬2類陶瓷介質(zhì)，電氣性能較穩(wěn)定，隨時(shí)間、溫度、電壓的變化，其特性變化不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以 下的頻率場合。特性：電容范圍 300pF3. 3UF (1.0÷0. 2V rms IKHZ)環(huán)境溫度：-55OC+125°C 組別:2X1溫度特性：±15%損耗角正切值：IOOVOltS: 2. 5% max50VOltS: 2. 5% max25VOltS: 3. 0% max1

18、6VOltS: 3. 5% maxIOVOItS: 5. 0% max絕緣電阻：4G或MlooS/C （單位：MQ）抗電強(qiáng)度：2. 5倍額定電壓5秒浪涌電流：W50毫安Y5V的特性及主要用途 屬2類陶瓷介質(zhì)，具有很高的介電系數(shù)，能較容易做到小體積，大容 量，其容量隨溫度變化比較明顯，但成本較低。廣泛應(yīng)用于對容量，損 耗要求不高的場合。特性：電容范圍 IOOOPF22UF （0. 3V IKHZ）環(huán)境溫度：- 30°C+85°C溫度特性：±22%-82%損耗角正切值：50VoIts: 3.5%25VOltS: 5. 0%16VOIts: 7.0%絕緣電阻：M4GQ或

19、MIOOS/C （單位：M）抗電強(qiáng)度：2. 5倍額定電壓5秒 浪涌電流：W50毫安貼片電容 貼片電容（單片陶瓷電容器）是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NP0、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格， 不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的MP0、X7R、Z5U和Y5V 來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家 的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方 法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該 公司的產(chǎn)品手冊。NPO> X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體 積下由于填充

20、介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容 器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電 容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一 NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介 質(zhì)是由鈾、侈和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55°C 到125°C時(shí)容量變化為0±30ppm°C,電容量隨頻率的變化小于 ÷0.3Co MPo電容的漂移或滯后小于土 0. 05%,相對大于±2%的薄膜電 容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使

21、用壽命的變化小于 ÷0. l%o NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的待 性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了 NPO 電容器可選取的容量范圍。封 裝 DC=50V DC=IOOV0805 0. 5-一IOOOPF 0. 5-820pF1206 0. 5-120OPF 0. 5-一180OPF1210 560-560OPF 560-270OPF2225 IOOOPF-一0. 033 F IOOOPF-一0. 018 FNPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦 合電容。二X7R電容器X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電

22、容器。當(dāng)溫度在-55°C到125°C 時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的 變化而變化，大約每10年變化1%C,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量 變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以 做的比較大。下表給出了 X7R電容器可選取的容量范圍。封 裝 DC=50V DC=IOOV0805 330pF-一0. 056 F 330pF-0. 012 H F1206 IOOOPF-0. 15 F IOOOPF-0. 047 F1210 IOOOPF-0. 22 HF IOOOPF-一0. 1 F2225 0. 01 F-一1 UF 0.01 F-0. 56 u F三Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用 溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。