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1、晶體管的頻率特性與功率特性 晶體管的頻率特性 晶體管的功率增益和最高振蕩頻率晶體管的大電流特性晶體管的二次擊穿 晶體管的安全工作區(qū)第1頁(yè)/共68頁(yè) 在交流工作狀態(tài)下,P-N結(jié)的電容效應(yīng)將對(duì)晶體管的工作特性產(chǎn)生影響。 當(dāng)頻率升高時(shí),晶體管的放大特性要發(fā)生變化,使晶體管的放大能力下降。 當(dāng)晶體管的放大能力下降到一定程度時(shí),就無(wú)法使用,這就表明晶體管的使用頻率有一個(gè)極限。 第2頁(yè)/共68頁(yè)主要的高頻參數(shù) 截止頻率 特征頻率 高頻功率增益 最高振蕩頻率 第3頁(yè)/共68頁(yè)4.1 晶體管的頻率特性第4頁(yè)/共68頁(yè)截止頻率 (共基極截止頻率) 表示共基極短路電流放大系數(shù)的幅值|下降到低頻值0的1/ 時(shí)的頻率
2、。 即 = 時(shí),|=0/ 。 ff2ff2第5頁(yè)/共68頁(yè)截止頻率 表示共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)的 幅值|下降到低頻值0的1/ 時(shí)的頻率。 即 = 時(shí),|=0/ ff2ff2第6頁(yè)/共68頁(yè) 反映了電流放大系數(shù)的幅值 |隨頻率上升而下降的快慢, 但并不是晶體管電流放大的頻率極限。 晶體管電流放大的頻率極限是后面將要講到的特征頻率。 f第7頁(yè)/共68頁(yè)特征頻率 表示共射短路電流放大系數(shù)的幅值 下降到|=1時(shí)的頻率。 它是晶體管在共射運(yùn)用中具有電流放大作用的頻率極限。 TfTf第8頁(yè)/共68頁(yè) 從圖可以看出,上述幾個(gè)頻率參數(shù)間有如下關(guān)系 且 很接近 當(dāng)工作頻率滿足 關(guān)系時(shí),|隨頻率的增加,按-6d
3、B/倍頻的速度下降。 fffTTfffff第9頁(yè)/共68頁(yè)最高振蕩頻率 表示最佳功率增益等于1時(shí)的頻率。晶體管具有功率增益的頻率極限。當(dāng) 時(shí),晶體管停止振蕩。 mfmfmff 第10頁(yè)/共68頁(yè)共基極短路電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系1.共基極交流短路電流放大系數(shù)的定性分析2.共基極交流短路電流放大系數(shù)的定量分析(略)3.共基極交流短路電流放大系數(shù)和截止頻率 f第11頁(yè)/共68頁(yè)定性分析 共基極交流短路電流放大系數(shù)定義為輸出交流短路時(shí),集電極輸出交流電流ic與發(fā)射極輸入交流電流ie之比,并用表示。(交流信號(hào)用小寫字母表示。)0vecBC0ii第12頁(yè)/共68頁(yè)發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容分流電流iCTe 當(dāng)發(fā)射極
4、輸入一交變信號(hào)時(shí),發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)寬度將隨著交變信號(hào)變化,因而需要一部分電子電流對(duì)發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容進(jìn)行充放電。(有一部分電子電流被勢(shì)壘電容分流,形成分流電流iCTe) 所以高頻時(shí)發(fā)射極電流為 ine 發(fā)射結(jié)注入基區(qū)交流電子電流 ipe 發(fā)射結(jié)反注入空穴電流(基區(qū)注入發(fā)射結(jié)的空穴電流)CTepeneeiiii第13頁(yè)/共68頁(yè)交流發(fā)射效率 頻率增高,結(jié)電容分流電流iCTe增大,導(dǎo)致交流發(fā)射效率下降。 所以,交流發(fā)射效率隨頻率的升高而下降。 eCTepeeneiii1ii第14頁(yè)/共68頁(yè)擴(kuò)散電容分流電流iCDe 在交流狀態(tài)下,注入基區(qū)的少子濃度和基區(qū)積累電荷將隨著結(jié)壓降的變化而變化。因此,注入基區(qū)
5、的少數(shù)載流子,一部分消耗于基區(qū)復(fù)合,形成復(fù)合電流iVR外,還有一部分將消耗于對(duì)擴(kuò)散電容充放電,產(chǎn)生擴(kuò)散電容分流電流iCDe,真正到達(dá)基區(qū)集電結(jié)邊界的電子電流只有inc(0)。 )0(iiiincVRCDene第15頁(yè)/共68頁(yè)交流基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) 頻率越高,分流電流iCDe越大,到達(dá)集電結(jié)的電子電流inc(0)越小 所以,基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*也隨著頻率的升高而下降。 neCDeVRnenc*iii1i)0(i第16頁(yè)/共68頁(yè)集電結(jié)空間電荷區(qū)輸運(yùn)系數(shù) 到達(dá)集電結(jié)邊界的電子電流inc(0),通過(guò)集電結(jié)空間電荷區(qū)時(shí)需要一定的傳輸時(shí)間;耗盡層中產(chǎn)生位移電流用于維持空間電荷區(qū)邊界的變化,使到達(dá)集電區(qū)邊界的電子電
6、流減少到inc(xm) 。 頻率越高,位移電流越大,使d隨著頻率增高而下降。)0(i)x(incmncd第17頁(yè)/共68頁(yè)集電結(jié)勢(shì)壘電容分流電流iCTc 到達(dá)集電區(qū)的交變電子電流,在通過(guò)集電區(qū)時(shí) ,還需要用一部分電子電流對(duì)集電結(jié)勢(shì)壘電容充放電,形成勢(shì)壘電容的分流電流iCTc ,真正到達(dá)集電極的電子電流只有incc inc(xm)=incc+iCTc 第18頁(yè)/共68頁(yè)集電區(qū)衰減因子c 集電極輸出電流ic應(yīng)該等于從發(fā)射極傳輸過(guò)來(lái)的電子電流incc和集電結(jié)反向電流ipc之和。)x(iimncncccpcnccciii第19頁(yè)/共68頁(yè)共基極交流短路電流放大系數(shù) 在各個(gè)傳輸過(guò)程中,由于結(jié)電容對(duì)傳輸電
7、流的分流作用,使傳輸電流的幅值減小,對(duì)電容充放電所產(chǎn)生的延遲時(shí)間,使輸出信號(hào)同輸入信號(hào)間存在相位差(延遲或不同步)。 *nenceneeci)0(iiiii第20頁(yè)/共68頁(yè) 交流放大系數(shù)是復(fù)數(shù),其幅值隨著頻率的升高而下降,相位差隨著頻率的升高而增大。0 共基極短路電流放大系數(shù)的低頻值 截止頻率 ffj10f第21頁(yè)/共68頁(yè)共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)及其截止頻率 共射短路電流放大系數(shù):工作在共射狀態(tài)下的晶體管在輸出端交流短路VCE0=0時(shí),集電極交流電流ic與基極輸入電流ib之比。 00CEVbcii第22頁(yè)/共68頁(yè)共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)/1/0jebjm共射交流放大系數(shù)也是復(fù)數(shù)幅值隨著頻
8、率升高而下降相位滯后隨著頻率升高而增大 (與 類似)第23頁(yè)/共68頁(yè) 與 的關(guān)系ff0)1 (mffff說(shuō)明 共射短路電流放大系數(shù)比共基短路電流放大系數(shù)下降更快。 因此,共基電路比共射電路頻帶更寬。 第24頁(yè)/共68頁(yè)4.3 高頻功率增益和最高振蕩頻率 功率增益表示晶體管對(duì)功率的放大能力。 本節(jié)從等效電路入手,用簡(jiǎn)化方法求出功率增益表達(dá)式,用h參數(shù)導(dǎo)出功率增益的一般表達(dá)式和最佳功率增益表示式。 第25頁(yè)/共68頁(yè)功率增益輸出功率和輸入功率的比值。 ioPPPG 最佳功率增益 信號(hào)源所供給的最大功率與晶體管向負(fù)載輸出的最大功率之比,即是輸入輸出阻抗各自匹配時(shí)的功率增益。GPm 第26頁(yè)/共68
9、頁(yè)共射等效電路第27頁(yè)/共68頁(yè)共射晶體管的最佳功率增益表達(dá)式TcbTPmCrffG28第28頁(yè)/共68頁(yè) 實(shí)際晶體管中,集電極的輸出阻抗除集電結(jié)勢(shì)壘電容外,還存在延伸電極電容和管殼寄生電容等,用Cc表示集電極的總輸出電容。 28fCrfGcbTPm第29頁(yè)/共68頁(yè)mf最佳功率增益GPm=1時(shí)的頻率,它是晶體管真正具有功率放大能力的頻率限制。最高振蕩頻率最高振蕩頻率表達(dá)式218eTbcTmLfrCff第30頁(yè)/共68頁(yè)ceTbTPmCLfrffG2282f頻帶寬度 高頻優(yōu)值(增益-帶寬乘積)表達(dá)式 高頻優(yōu)值全面地反映了晶體管的功率和頻率性能,而且只與晶體管本身的參數(shù)有關(guān),因此高頻優(yōu)值是設(shè)計(jì)和
10、制造高頻功率晶體管的重要依據(jù)之一。第31頁(yè)/共68頁(yè)4.4 晶體管的大電流特性 較大功率的晶體管需要工作在高耐壓和大電流條件下。而在大電流區(qū)域,晶體管的直流和交流特性都會(huì)發(fā)生明顯變化,電流增益和特征頻率等參數(shù)都會(huì)隨著集電極電流增大而迅速下降,從而使集電極最大工作電流受到了限制。第32頁(yè)/共68頁(yè)集電極最大電流IcM 共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)下降到其最大值M的一半時(shí)所對(duì)應(yīng)的集電極電流第33頁(yè)/共68頁(yè)ccocMV/4PI IcM的數(shù)值由輸出功率PO和電源電壓Vcc決定。要提高晶體管的輸出功率就必須提高IcM。第34頁(yè)/共68頁(yè)大電流工作時(shí)產(chǎn)生的三個(gè)效應(yīng) 通過(guò)晶體管的電流是電流密度和結(jié)面積的乘
11、積,可見要增大電流有兩種方法:增大結(jié)面積和增加電流密度。 增大結(jié)面積的方法并不可取,(結(jié)面積的增大會(huì)導(dǎo)致成品率的降低,并會(huì)增大結(jié)電容而使晶體管的高頻性能變差)。 然而,電流密度的增加會(huì)導(dǎo)致電流放大系數(shù)、特征頻率和基極電阻的下降。 以下定性分析大電流密度時(shí)產(chǎn)生的三個(gè)效應(yīng)。第35頁(yè)/共68頁(yè) 小注入:為維持電中性所增加的多子可忽略 大注入:為維持電中性所增加的多子不可忽略基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng) 小注入 大注入 基區(qū)多子濃度增大導(dǎo)致基區(qū)電導(dǎo)率增大 “基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)”(基區(qū)電導(dǎo)率受注入電流調(diào)制)第36頁(yè)/共68頁(yè)發(fā)射極電流集邊效應(yīng)(基區(qū)電阻自偏壓效應(yīng) ) 晶體管工作在大電流狀態(tài)時(shí),較大的基極電流流過(guò)基極電
12、阻,將在基區(qū)中產(chǎn)生較大的橫向壓降,使發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓從邊緣到中心逐漸減小,發(fā)射極電流密度則由中心到邊緣逐漸增大,由此產(chǎn)生發(fā)射極電流集邊效應(yīng)。 由基區(qū)電阻的不均勻所導(dǎo)致第37頁(yè)/共68頁(yè)梳狀電極平面晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖 第38頁(yè)/共68頁(yè) 橫向壓降隨著基區(qū)薄層電阻的增大而增大,隨著y的增加而上升。 即發(fā)射極條寬越寬,距離發(fā)射極中心越遠(yuǎn),則基區(qū)橫向壓降越大,發(fā)射極電流集邊效應(yīng)就越明顯。 此外,工作電流越大,基區(qū)橫向壓降也越大,發(fā)射極電流集邊效應(yīng)也就越明顯。第39頁(yè)/共68頁(yè)防止發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 為了減小基區(qū)橫向壓降,防止發(fā)射極電流集邊效應(yīng),應(yīng)盡量縮小發(fā)射極寬度。 但實(shí)際晶體管中,最小條寬的選擇
13、往往受光刻和制版工藝水平的限制。 因此,在選擇條寬時(shí),既要防止電流集邊,使發(fā)射結(jié)面積得到充分利用,而盡量選用較小的條寬;但又不能選取過(guò)小的條寬,使工藝難度增大。第40頁(yè)/共68頁(yè)最大耗散功率就是晶體管的主要熱限制參數(shù)。 因?yàn)榫w管在受到電學(xué)特性限制的同時(shí),還要受到熱學(xué)特性的限制??偤纳⒐β?PC 晶體管工作時(shí),電流通過(guò)發(fā)射結(jié)、集電結(jié)和體串聯(lián)電阻都會(huì)發(fā)生功率耗散cs2rIVIVIPCCBCBEEC第41頁(yè)/共68頁(yè)CBCCVIP 在正常工作狀態(tài)下,發(fā)射結(jié)正向偏置電壓VBE遠(yuǎn)小于集電極反向偏置電壓VCB,體串聯(lián)電阻rcs也很小。 因此,晶體管的功率主要耗散在集電結(jié)上。第42頁(yè)/共68頁(yè)耗散功率轉(zhuǎn)換
14、為熱量,使集電結(jié)變成晶體管的發(fā)熱中心,集電結(jié)溫度升高。 當(dāng)結(jié)溫Tj高于環(huán)境溫度Ta時(shí),熱量就靠溫差由管芯通過(guò)管殼向外散發(fā)。 散發(fā)出的熱量隨著溫差(Tj-Ta)的增大而增大。 在散熱條件一定的情況下,耗散功率PC越大,結(jié)溫就越高。 最高結(jié)溫Tjm:晶體管能正常地、長(zhǎng)期可靠工作的P-N結(jié)溫度。 與材料的電阻率和器件的可靠性有關(guān)。第43頁(yè)/共68頁(yè)表示晶體管散熱能力的大小 任意兩點(diǎn)間的溫差與其熱流之比穩(wěn)態(tài)熱阻:直流工作狀態(tài)下的熱阻 RT瞬態(tài)熱阻:在開關(guān)和脈沖電路中,隨時(shí)間變化的晶體管的熱阻 RTs 第44頁(yè)/共68頁(yè) 穩(wěn)態(tài) 瞬態(tài) TajmCmRTTPTTCRtTajmTsajmCmseRTTRTTP
15、1最大耗散功率表達(dá)式第45頁(yè)/共68頁(yè) 盡量降低晶體管的熱阻RT; 選用最高結(jié)溫Tjm高的材料; 盡量降低使用時(shí)的環(huán)境溫度Ta。 提高晶體管最大耗散功率的主要措施第46頁(yè)/共68頁(yè)4.6 功率晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū) 二次擊穿是功率晶體管早期失效或損壞的重要原因,它已成為影響功率晶體管安全可靠使用的重要因素。 自從1957年發(fā)現(xiàn)二次擊穿現(xiàn)象以來(lái),二次擊穿一直受到極大的重視。第47頁(yè)/共68頁(yè)晶體管二次擊穿的實(shí)驗(yàn)曲線第48頁(yè)/共68頁(yè) 擊穿曲線上可用A、B、C、D四點(diǎn)將其分為四個(gè)區(qū)域。 當(dāng)電壓VCE增加到集電結(jié)的雪崩擊穿電壓時(shí),首先在A點(diǎn)發(fā)生雪崩擊穿; 雪崩擊穿后,集電極電流IC隨電壓增加很
16、快上升。當(dāng)電流增加到B點(diǎn),并在B點(diǎn)經(jīng)過(guò)短暫的停留后,晶體管將由高壓狀態(tài)躍變到低壓大電流C點(diǎn),若電路無(wú)限流措施,電流將繼續(xù)增加,進(jìn)入低壓大電流區(qū)域CD段,直至最后燒毀。第49頁(yè)/共68頁(yè) 二次擊穿 器件承受的電壓突然降低,電流繼續(xù)增大,器件由高壓小電流狀態(tài)突然躍入低壓大電流狀態(tài)的一種現(xiàn)象。第50頁(yè)/共68頁(yè) 二次擊穿對(duì)晶體管具有一定的毀壞作用。 在二次擊穿狀態(tài)下停留一定時(shí)間后,會(huì)使器件特性惡化或失效。 若外加限流電阻,并適當(dāng)減小使用功率,對(duì)于二次擊穿耐量高的晶體管,可以得到可逆的二次擊穿特性,利用此特性可以制成二次擊穿振蕩器。 二次擊穿耐量低的晶體管,經(jīng)多次二次擊穿后必然失效。第51頁(yè)/共68頁(yè)
17、二次擊穿的機(jī)理熱型(熱不穩(wěn)定型):二次擊穿是局部溫度升高和電流集中往復(fù)循環(huán)的結(jié)果。 而循環(huán)和溫度升高都需要一定的時(shí)間,因此熱型二次擊穿的觸發(fā)時(shí)間較長(zhǎng)。(慢速型) 電流型(雪崩注入型):由雪崩注入引起 雪崩擊穿即刻發(fā)生,所以此種擊穿的特點(diǎn)是器件由高壓小電流狀態(tài)向低壓大電流狀態(tài)過(guò)渡十分迅速,所需延遲時(shí)間很短,因此電流型二次擊穿是快速型的二次擊穿。第52頁(yè)/共68頁(yè)晶體管的安全工作區(qū)(SOA) 晶體管能安全可靠地工作,并具有較長(zhǎng)壽命的工作范圍。 由最大集電極電流ICM,極限電壓BVCE0,最大功耗線和二次擊穿臨界線PsB所限定的區(qū)域。第53頁(yè)/共68頁(yè)功率晶體管直流安全工作區(qū) 第54頁(yè)/共68頁(yè) 最
18、大功耗線(圖中實(shí)線) 由最大耗散功率PCm、熱阻、最高結(jié)溫和環(huán)境溫度決定。 功耗線右邊(區(qū))為功率耗散過(guò)荷區(qū)。功率過(guò)大,將產(chǎn)生大量熱量,造成引線熔斷和鎳鉻電阻燒毀等。第55頁(yè)/共68頁(yè) 二次擊穿臨界線(圖中虛線) 由實(shí)驗(yàn)測(cè)定,它隨改善二次擊穿特性措施的實(shí)施而逐漸靠近最大功耗線。 區(qū)域?yàn)闊嵝投螕舸﹨^(qū)。工作在此區(qū)內(nèi),晶體管將產(chǎn)生過(guò)熱點(diǎn),最終導(dǎo)致材料局部熔化,結(jié)間產(chǎn)生熔融孔而永久失效。第56頁(yè)/共68頁(yè) 區(qū)為雪崩注入二次擊穿區(qū),若外電路無(wú)限流措施,同樣會(huì)造成晶體管永久失效。 區(qū)為雪崩擊穿區(qū)。在、兩區(qū)內(nèi),若采取限流措施,均不會(huì)造成晶體管永久失效, 區(qū)為電流過(guò)荷區(qū),電流過(guò)荷區(qū)將會(huì)使、特征頻率等參數(shù)嚴(yán)重
19、下降,晶體管性能惡化。 第57頁(yè)/共68頁(yè) 晶體管的安全工作區(qū)(圖中陰影部分) 安全工作區(qū)的大小與電路工作狀態(tài)有關(guān)。 從設(shè)計(jì)和制造的角度考慮,盡量擴(kuò)大晶體管的安全工作區(qū)仍是高頻功率管的重要任務(wù)。第58頁(yè)/共68頁(yè) 如何擴(kuò)大安全工作區(qū) 首先,努力做到使安全工作區(qū)由最大集電極電流ICM,最高集電極電壓BVCE0和最大功耗線所限定。 (改善器件的二次擊穿特性,將二次擊穿臨界線移到最大功耗線之外,至少也要移到最大功耗線上。) 其次,通過(guò)選擇合適的材料和正確的設(shè)計(jì)。 (提高器件的耐壓;增大器件的最大電流;降低熱阻,提高晶體管的耗散功率)第59頁(yè)/共68頁(yè)擴(kuò)散電容分流電流iCDe 在交流狀態(tài)下,注入基區(qū)的少子濃度和基區(qū)積累電荷將隨著結(jié)壓降的變化而變化。因此,注入基區(qū)的少數(shù)載流子,一部分消耗于基區(qū)復(fù)合,形成復(fù)合電流iVR外,還有一部分將消耗于對(duì)擴(kuò)散電容充放電,產(chǎn)生擴(kuò)散電容分流電流iCDe,真正到達(dá)基區(qū)集電結(jié)邊界的電子電流只有inc(0)。 )0(iiiincVRCDene第60頁(yè)/共68頁(yè)mf最佳功率增益GPm=1時(shí)的頻率,它是晶體管真正具有功率放大能力的頻率限制。最高振蕩頻率最高振蕩頻率表達(dá)式218eTbcTmLfrCff第61頁(yè)/共68頁(yè)4.4 晶體管的大電
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