項(xiàng)目計(jì)劃書(shū)-蘇州東大科技園發(fā)展有限公司

1、蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司介紹蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司是一家外商獨(dú)資的高科技公司， 其控股公司注冊(cè)于香港和開(kāi)曼群島。公司由海歸人士創(chuàng)立，于2008年8月在蘇州獨(dú)墅湖高教園區(qū)成立，主要從事設(shè)RF LDMOS頻半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是國(guó)內(nèi) 唯一一家從事LDMOS頻半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的公司。我們公司的技術(shù)能力是能實(shí)現(xiàn)工作頻率高至 5GHz輸出功率達(dá)到500W勺單一射 頻功率器件產(chǎn)品。主要應(yīng)用領(lǐng)域是 GSM/CDMA動(dòng)基站，以及 WCDMACDMA EVDO TD-SCDM相動(dòng)基站以及相應(yīng)直放站，小基站的射頻應(yīng)用，還有WiMax領(lǐng)域，除此之外還廣泛應(yīng)用于軍事、ISM（工業(yè)、科學(xué)、

2、醫(yī)療）、廣播、商業(yè)航空電子設(shè)備和非蜂窩 通信設(shè)備之中等。本公司在基于LDMOS術(shù)的高效率、高功率射頻放大器的產(chǎn)品技術(shù)擁有多項(xiàng)專(zhuān) 利，包括：公司專(zhuān)有的基于硅工藝的高功率 FETfc術(shù)、超薄晶片60untfc術(shù)（可高效 垂直散熱）、可調(diào)節(jié)帶寬的硬件平臺(tái)技術(shù)（具有高效率的線性特性）、在OFDM:增強(qiáng)耐用性技術(shù)等。公司研制生產(chǎn)的LDMO射頻分立器件、IC和射頻Module具有以下一些特點(diǎn)：公司專(zhuān)有的基于硅工藝的高功率 LDMOS技術(shù)在高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用上增強(qiáng)耐用性的技術(shù)高功率下高效率散熱的技術(shù)可調(diào)節(jié)帶寬的硬件產(chǎn)品平臺(tái)與國(guó)內(nèi)客戶聯(lián)合做器件和模組的產(chǎn)品整合頻率范圍450MHz-3.8GHz輸出功率10W-30

3、0WJ單一器件產(chǎn)品與國(guó)內(nèi)的科技園與大學(xué)研究平臺(tái)合作可降低研發(fā)成本在產(chǎn)品推出的時(shí)候，公司將發(fā)布基于 LDMOS技術(shù)和GaAsMMIC勺高效率、高功 率射頻放大器關(guān)鍵的產(chǎn)品技術(shù)和自有專(zhuān)利，包括：公司專(zhuān)有的基于硅工藝的高功率FETfc術(shù)專(zhuān)利超薄晶片（60um）技術(shù)，可高效垂直散熱可調(diào)節(jié)帶寬的硬件平臺(tái)技術(shù)，具有高效率的線性特性在OFDMt增強(qiáng)耐用性的技術(shù)計(jì)劃在200孫底之前發(fā)布4項(xiàng)功率FE”導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)利和3項(xiàng)電路專(zhuān)利在中國(guó)的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是Freescale 飛思卡爾，而公司的競(jìng)爭(zhēng)策略和優(yōu)勢(shì)如下亞洲第一家高頻率、高功率半導(dǎo)體器件制造商和產(chǎn)品集成廠家運(yùn)營(yíng)于大中華地區(qū)，具本地技術(shù)力量、自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，更直接地

4、為客戶服務(wù)在大中華地區(qū)與華為、中興通訊、鴻?；騇T舟企業(yè)建立戰(zhàn)略伙伴或策略投資伙伴的關(guān)系， 使我們可以在商務(wù)和產(chǎn)品制造方面得到增強(qiáng)為大中華地區(qū)3GIW新興產(chǎn)業(yè)的客戶提供領(lǐng)先的技術(shù)和價(jià)格具競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo) 體產(chǎn)品。靈活開(kāi)創(chuàng)性的商業(yè)模式，客戶化的設(shè)計(jì)理念，與重要客戶一起做產(chǎn)品設(shè)計(jì)集成，以在公司和客戶之間達(dá)到解決方案和成本上的雙贏為新興的市場(chǎng)需求做客戶化的設(shè)計(jì)集成有靈活的產(chǎn)品制造和測(cè)試策略與國(guó)內(nèi)知名大學(xué)建立合作平臺(tái)，節(jié)省項(xiàng)目開(kāi)發(fā)資源，培訓(xùn)和招募有天分的人才附： 蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)公司負(fù)責(zé)人馬強(qiáng)先生簡(jiǎn)介馬強(qiáng)于1990加入摩托羅拉半導(dǎo)體產(chǎn)品部，從事無(wú)線通信 RFPowe儲(chǔ)件設(shè)計(jì)。從 1996年至2001年，作為無(wú)線

5、結(jié)構(gòu)部門(mén)經(jīng)理，負(fù)責(zé)RF Powe印導(dǎo)體工藝發(fā)展。2001年加入愛(ài)立信微電子，作為工藝技術(shù)主管和戰(zhàn)略合伙人，負(fù)責(zé)RF Powe印導(dǎo)體技術(shù) 的 研 發(fā) 。 2002年 隨 著 愛(ài) 立信微 電 子 和 Infineon 的 合 并 ， 成 為 Infineon Semiconductor 技術(shù)部主管(Director of Technology) 。馬強(qiáng)先生的專(zhuān)長(zhǎng)在于：RF Power1寸頻高功率半導(dǎo)體技術(shù)器件的物理學(xué)和工藝流程設(shè)計(jì)RF Powerfi勺集成電路設(shè)計(jì)RF Powe摘件在客戶系統(tǒng)中的工程應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)，如LDMOSGaAs有很高的認(rèn)知、熟悉晶圓制造業(yè)，在 Wafer 制造過(guò)程和晶圓廠

6、的產(chǎn)能方面有豐富經(jīng)驗(yàn)馬強(qiáng)先生是RF LDMOS率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，成功地領(lǐng)導(dǎo)了開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，經(jīng)過(guò)工藝流程、產(chǎn)品化和操作等工程技術(shù)的整合，創(chuàng)造了頂尖的LDMO博導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品平臺(tái)，使得 Motorola、Ericsson和Infineon這幾家大公司在 RF Power半導(dǎo)體 技術(shù)和產(chǎn)品上處于世界領(lǐng)先的地位。在RF Powe印導(dǎo)體業(yè)界被視為頂尖的專(zhuān)家；領(lǐng)導(dǎo)過(guò)超過(guò)20名工程師的RF Powers發(fā)團(tuán)隊(duì)管理 400萬(wàn)美金/ 年的研發(fā)預(yù)算制定技術(shù)策略并負(fù)責(zé) Ericsson 和 Infineon 的32V LD9 LD8/GM8 LD8I5口 GM7 (第七代技術(shù))的研發(fā)(2001-2008年)負(fù)責(zé)GM

7、8/LD8/LD8IC產(chǎn)品從6英寸到8英寸制造工藝的技術(shù)轉(zhuǎn)移(2005-2007)領(lǐng)導(dǎo)了 GM7(第七代技術(shù))從瑞典工廠到德國(guó)工廠的技術(shù)轉(zhuǎn)移(2001-2002)領(lǐng)導(dǎo)Motorola的研發(fā)和工程團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了 28V白HV率DHV勃放，應(yīng)用于基站 ( 1997-2000)領(lǐng)導(dǎo)Motorola的半導(dǎo)體研發(fā)和工程團(tuán)隊(duì)，開(kāi)發(fā)了 3.6V的3.6V LV1, LV1.5, LV2, LV琳DLV砌放，用于手機(jī)終端(1994-2000)對(duì)Motorola RF Power集成功率放大器技術(shù)的發(fā)展有突出貢獻(xiàn)(1994-2000)主導(dǎo)了 Motorola12.5V的MV和MV*品的Device器件技術(shù)研制(1991-1993)擁有 10余項(xiàng)專(zhuān)利；20多篇技術(shù)論文MIT和斯坦福大學(xué)的SRC導(dǎo)師；ISPSD射頻部門(mén)研習(xí)會(huì)主席；CSICS/IWPC勺 Panel Member.馬強(qiáng)和他率領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)成員都有在國(guó)際頂尖半導(dǎo)體公