電子技術(shù)試卷

1、?電子技術(shù)根底?總分：100分時間：90分、填空題每空1分1、 常用的半導(dǎo)體材料有。2、PN結(jié)具有單向?qū)щ娦阅?即：加_電壓時PN結(jié)導(dǎo)通；力卩壓時PN結(jié)截止.3、 晶體二極管的重要特性是 二極管的死區(qū)電壓是V錯二極管的死區(qū)電壓是V硅二極管導(dǎo)通時的正向壓降約 V錯二極管導(dǎo)通時的正向壓降約為V4、 三極管的符號：NPNS, PNP型05、 三極管的三個極是、: 三個區(qū)是、，-兩個結(jié)是、06、 三極管工作的三個區(qū)： 。7、 三極管工作在飽和區(qū)的條件：。8、 畫直流通路時，將電容視為,其它不變，畫交流通路時，將較大容量的電容視為 0判斷題每條2分123456789101、晶體三極管的穿透電流I CE的

2、大小不隨溫度而變化2、晶體二極管內(nèi)是一個PN結(jié)，所以具有單向?qū)щ娦浴?、晶體二極管和三極管是線性元件。4、正向電壓大于一定的數(shù)值后，二極管才會導(dǎo)通。5、晶體二極管加正向電壓時一定導(dǎo)通。6、晶體二極管、三極管是線性器件。7、一般來說，硅二極管的死區(qū)電壓小于鍺二極管的死區(qū)電壓8、晶體三極管集電極和發(fā)射極可以互換。9、一般來說，硅晶體二極管的死區(qū)電壓小于鍺晶體二極管的死區(qū)電壓10、晶體管的穿透電流Ice越小，其穩(wěn)定性越好。三、選擇題每條2分123456789101. PN結(jié)形成后，它的最大特點是具 A導(dǎo)電性B絕緣性C純電阻性 D單向?qū)щ娦?. 當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏時，該管工作 A放

3、大區(qū)B截止區(qū)C飽和區(qū) D擊穿區(qū)3、三極管的兩個PN結(jié)都反偏時，那么三極管所處的狀 A放大狀態(tài) B 飽和狀態(tài) C 截止?fàn)顟B(tài) D、擊穿狀態(tài)4. 當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏時，該管工作 A放大區(qū) B 截止區(qū)C 飽和區(qū) D 擊穿區(qū)5. 放大電路中，核心元件oA電阻 B 電容 C 二極管 D 三極管6. 在單相橋式整流電路中，如果電源變壓器二次側(cè)電壓有效值是U,那么每只整流二極管 所承受的最高反向電壓A U 2 B .26 C 2 . 2 U2 D 3 . 2 U27、當(dāng)晶體三極管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電極電壓應(yīng)為A前者反偏，后者也反偏；B:前者正偏，后者反偏：C:前者正偏，后者也正

4、偏：D:前者反偏，后者正偏。&三極管的輸入特性曲線是之間的關(guān)系曲線。A、lc與 Ib B Ic與VCe C VBe與 Ib D lc與Vbe9、工作在放大區(qū)的某三極管，當(dāng)Ib從20uA增大到40uA時，lc從2mA變?yōu)?mA那么它的 B值約為A、10B 、50 C 、100 D 、1510畫放大器直流通路時，可將電容看作A、接地B 、開路 C 、短路 D 、不變四、畫圖題1畫出單相半波整流電路和單相橋式整流電路2、畫出下列圖電路的直流通路和交流通路四、作圖題畫出面電路圖的直流通路和交流通路2、在共發(fā)射極放大電路中，假設(shè)三極管的B =50) lEQ=2mA, Rc=1K 1，求：放大器的輸入電阻R ,輸出電阻Ro3、三極管的lc=5.06mA, lB=0.04mA求發(fā)射極電流Ie的值五、計算題1、在