電磁兼容屏蔽技術(shù)

1、第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)6.2.1 概述概述6.2.2 電屏蔽電屏蔽 6.2.3 磁屏蔽磁屏蔽6.2.4 電磁屏蔽電磁屏蔽6.2.5 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響6.2.7 屏蔽設(shè)計要點屏蔽設(shè)計要點6.2.6 電磁密封處理電磁密封處理第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)26.2.1 概概 述述p 屏蔽類型屏蔽類型：p 屏蔽是用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o(hù)區(qū)域封閉起來，以抑制和屏蔽是用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o(hù)區(qū)域封閉起來，以抑制和 控制電場、磁場和電磁波由一個區(qū)域?qū)α硪粋€區(qū)域的控制電場、磁場和電磁波由一個區(qū)域?qū)α硪粋€區(qū)域的感應(yīng)感應(yīng)和和輻輻

2、射射；屏蔽技術(shù)用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁；屏蔽技術(shù)用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁 波輻射（和場耦合）的傳輸途徑波輻射（和場耦合）的傳輸途徑。p 主動屏蔽：屏蔽干擾源，被動屏蔽：屏蔽敏感體。主動屏蔽：屏蔽干擾源，被動屏蔽：屏蔽敏感體。波波 電磁電磁波波屏屏蔽蔽低低頻頻近近場場第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)01ESEE01HSEH01(dB)20 logESEE01(dB)20 logHSEH屏蔽效能屏蔽效能( SE )屏蔽效能屏蔽效能：屏蔽體的性質(zhì)的定量評價。：屏蔽體的性質(zhì)的定量評價。定義定義：或或或或電屏蔽效能電屏蔽效能磁屏蔽效能磁屏蔽效能E

3、0、H0 未加屏蔽時空間中某點的電（磁）場；未加屏蔽時空間中某點的電（磁）場；E1、H1 加屏蔽后空間中該點的電（磁）場；加屏蔽后空間中該點的電（磁）場；第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)無屏蔽場強無屏蔽場強有屏蔽場強有屏蔽場強屏蔽效能屏蔽效能 SE（dB）10120100140100016010000180100000110010000001120衰減量與屏蔽效能的關(guān)系衰減量與屏蔽效能的關(guān)系第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)機箱類型機箱類型屏蔽效能屏蔽效能 SE（dB）民用產(chǎn)品民用產(chǎn)品40以下以下軍用設(shè)備軍用設(shè)備60TEMPEST設(shè)備設(shè)備80屏蔽室、屏

4、蔽艙屏蔽室、屏蔽艙100以上以上屏蔽效能的要求屏蔽效能的要求第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)6 靜電場屏蔽靜電場屏蔽1 1 靜電場的屏蔽靜電場的屏蔽 空空腔腔第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)2. 低頻交變電場屏蔽低頻交變電場屏蔽目的：目的：抑制低頻電容性耦合干擾抑制低頻電容性耦合干擾00001/SRSSNSRRRSRCUUUCCCC（1）未加屏蔽）未加屏蔽21221/PPNRRC UUUCCCC（2） 加屏蔽（加屏蔽（忽略忽略CSR1的影響的影響）11322/()SpRRCUUCCC CCC未加屏蔽的耦合未加屏蔽的耦合SRCSR0CRUS UN0 加

5、屏蔽的耦合加屏蔽的耦合SRCSR1CRUS UN1 C1C2C3Up 分析方法：分析方法：應(yīng)用電路理論分析應(yīng)用電路理論分析第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)討論討論:（1）屏蔽體不接地，若）屏蔽體不接地，若3C （2）屏蔽體接地）屏蔽體接地31CC、221/()RRC CCCCpSUU212211/SNSRRC UUUCCCC10NU21221/PPNRRC UUUCCCC11322/()SpRRCUUCCC CCC屏蔽體接地屏蔽體接地SRCSR1CRUS UN1 C1C2第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)111212SRSSRSNRSRRCUCUUCC

6、CCC（3）屏蔽體接地時，）屏蔽體接地時，CSR1的影響的影響屏蔽效能屏蔽效能:01(dB)20lgNNUSEUCSR1CRUS UN1 C2等效電路等效電路第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)屏蔽體的材料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體的材料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體的形狀對屏蔽效能有明顯的影響屏蔽體的形狀對屏蔽效能有明顯的影響電場屏蔽的設(shè)計要點電場屏蔽的設(shè)計要點屏蔽體要靠近受保護(hù)的設(shè)備屏蔽體要靠近受保護(hù)的設(shè)備屏蔽體要有良好的接地屏蔽體要有良好的接地第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)6.2.2 磁場屏蔽磁場屏蔽1原理原理 高頻磁場屏蔽高頻磁

7、場屏蔽高頻磁場高頻磁場金屬板金屬板渦流渦流反磁場反磁場 低頻磁場屏蔽（低頻磁場屏蔽（f 磁場反射損耗磁場反射損耗, 當(dāng)頻率升高時，電場和磁場損耗趨向于一致，匯合當(dāng)頻率升高時，電場和磁場損耗趨向于一致，匯合 在平面波的反射損耗數(shù)值上。在平面波的反射損耗數(shù)值上。 p 距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。p 頻率影響：頻率升高時，電場的波阻抗變低，磁場波的波阻抗變高。同時屏蔽材頻率影響：頻率升高時，電場的波阻抗變低，磁場波的波阻抗變高。同時屏蔽材 料的阻抗發(fā)生變化（變大）。對于平面波，由于波阻抗一

8、定（料的阻抗發(fā)生變化（變大）。對于平面波，由于波阻抗一定（377 ），因此隨），因此隨 著頻率升高，反射損耗降低。著頻率升高，反射損耗降低。第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 多次反射修正多次反射修正 B（dB）2 1222eeeejtttjt20.1e10tA而而/20(20lgee10)ttAA0.12ln100.23AtA2()1mwmwZZZZ故：故：20.10.2320lg 1() 10eAjAmwmwZZBZZwmZZ當(dāng)當(dāng) 時，時，則則0.220lg1 10e10lg1 2 10cos(0.23 ) 10AjAAABA 10dBA當(dāng)當(dāng) 時，通

9、常可忽略時，通常可忽略B。20.10.23e10etAjA11mwmwZZKKZZ第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)反射損耗：反射損耗：168.1 10lg(/)wrrRf23321.7 10lg(/)errRr f電場源電場源214.5610lg(/)mrrRr f磁場源磁場源0.220lg 1() 10e10lg12 10cos(0.23 )10AjAmwmwAAZZBZZAwmZZ（ ）8.980.131(dB)rrAttf (dB)SERAB屏蔽效能屏蔽效能：吸收損耗：吸收損耗：遠(yuǎn)場平面波源遠(yuǎn)場平面波源多次反射修正：多次反射修正：小結(jié)小結(jié)第第6

10、 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)屏蔽效能的頻率特性屏蔽效能的頻率特性綜合屏蔽效能綜合屏蔽效能( (0.5mm鋁板鋁板) )良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)41.5 10 mcf例例1 1 有一個大功率線圈的工作頻率為有一個大功率線圈的工作頻率為20kHz ，在離線圈，在離線圈0.5m處處 置一鋁板置一鋁板 以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度 為為0.5mm 。試計算其屏蔽效能。試計算其屏蔽

11、效能。(0.61)r解解： 屏蔽體處于哪個場區(qū)：屏蔽體處于哪個場區(qū)：1 ,0.61,rr 近場近場大功率線圈大功率線圈 強磁場，主要為磁屏蔽強磁場，主要為磁屏蔽.故故214.56 10lg()14.5634.8449.4(dB)rmrRr f0.1317.24(dB)rrAtf 第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)020.08wmmZfrZ+ +49.4+7.24 1.8154.83dBmSERA B又又0.10.210lg 1 2 10cos(0.23 ) 101.81dBAABA 故故753.69 10/6.68 10 mrrZf第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽

12、技術(shù)屏蔽技術(shù)2+ +SEA R B式中：式中： 2. 雙層屏蔽體的屏蔽效能雙層屏蔽體的屏蔽效能121112220.1310.131rrrrAAAtftf 12221212(1)(1)20lg20lg44RRRkkkk總反射損耗總反射損耗多次反射修正多次反射修正總吸收損耗總吸收損耗t2x21t1d第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)1212,wwmmZZKKZZ102(1)0.23212(1)0.232020lg 1e20lg 1e20lg 1ejAjdjABNNN的多次反射的多次反射的多次反射的多次反射空氣層中空氣層中的多次反射的多次反射2212121211,11KKNNKK

13、102( )( )wmwwmwZZZZ dNZZZZ dt2x21t1d第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)通常兩層之間的空氣中的多次反射起主要作用，則通常兩層之間的空氣中的多次反射起主要作用，則022020lg 1ejdBN120.262rrAAtf 當(dāng)兩屏蔽層采用同一金屬材料且相同厚度時，當(dāng)兩屏蔽層采用同一金屬材料且相同厚度時，21(1)240 log4KRRK022020lg 1ejdBN第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)（3）薄膜屏蔽：）薄膜屏蔽：工程塑料機箱具有造型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點。工程塑料機箱具有造型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點。如

14、何使機箱具有屏蔽作用？如何使機箱具有屏蔽作用？通過噴涂、真空沉積以及粘貼等技術(shù)在機箱上包裹一層導(dǎo)電通過噴涂、真空沉積以及粘貼等技術(shù)在機箱上包裹一層導(dǎo)電薄膜。薄膜。設(shè)薄膜厚度為設(shè)薄膜厚度為t，電磁波在薄膜中的波長為電磁波在薄膜中的波長為 ，當(dāng)，當(dāng) ，稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。t4tt由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能主要由反射損耗和多次反射修正因子確定主要由反射損耗和多次反射修正因子確定，可以按金屬平，可以按金屬平板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)行計算。板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)行計算。第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技

15、術(shù)屏蔽技術(shù)屏蔽層厚屏蔽層厚度度105nm1250nm21960nm頻率頻率1MHz 1GHz 1MHz1GHz1MHz 1GHz吸收損耗吸收損耗A 0.0140.492反射損耗反射損耗 R109791097910979修正因子修正因子B-47-17-25-0.6-3.50屏蔽效能屏蔽效能SE62628384108171銅薄膜屏蔽層屏蔽效能銅薄膜屏蔽層屏蔽效能第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)2. 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響實際機箱上有許多泄漏源實際機箱上有許多泄漏源: :信號線的出入口，電流線的出入信號線的出入口，電流線的出入口，通風(fēng)散熱

16、孔，接縫處的縫隙等?？冢L(fēng)散熱孔，接縫處的縫隙等。第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)020log()iiESEE(1,2, )iSE in設(shè)各泄漏因素的屏蔽效能為設(shè)各泄漏因素的屏蔽效能為 ，即，即總泄漏場總泄漏場/200120log()20log(10)inSEiESEE / 2001110innSEiiiEEE故故1 1、 綜合屏蔽效能的計算公式綜合屏蔽效能的計算公式/20010iSEiEE第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)例例2 設(shè)某一頻率下，機殼屏蔽材料本身有設(shè)某一頻率下，機殼屏蔽材料本身有110dB的屏蔽效能，的屏蔽效能， 各泄漏因素造成屏蔽效

17、能為：各泄漏因素造成屏蔽效能為：（1）濾波與連接器面板：）濾波與連接器面板： 101dB ；（；（2）通風(fēng)孔）通風(fēng)孔92dB;（3）門泄漏：）門泄漏：88dB;（4）接）接 縫泄漏：縫泄漏：83dB。求機箱的總屏蔽效能。求機箱的總屏蔽效能。解解：110/20101/2092/2088/2083/2020lg(1010101010) SE5555520lg(0.32 100.89 102.51 103.98 107.08 10 ) 20 5lg(0.320.892.51 3.987.08) 76.6(dB)第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)2、 縫隙的電磁泄漏縫隙的電磁泄漏故

18、故 /0et gpEE020log()20loge27.3(dB)ppEttSEEgg 設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其間隙為間隙為g ，屏蔽板厚度為，屏蔽板厚度為t ，入射波，入射波電場為電場為 E0，經(jīng)縫隙泄漏到屏蔽體中，經(jīng)縫隙泄漏到屏蔽體中的場為的場為Ep ，當(dāng)，當(dāng)g 10/3 時，有時，有g(shù)t第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)例例3 3 在例在例1中開一縫隙，若其寬度為中開一縫隙，若其寬度為0.5mm、0.25mm 、0.1mm ， 分別求其屏蔽效能。分別求其屏蔽效能。 解解：0.5mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.25mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.1mm ,g 當(dāng)當(dāng)無

19、縫隙時的屏蔽效能：無縫隙時的屏蔽效能：SE = 54.83 dB54.6pSE 27.3pSE 136.5pSE 54.83/2027.3/2020lg(1010)27.2dBSE 54.83/2054.6/2020lg(1010)48.8dBSE 54.83/20136.5/2020lg(1010)54.8dBSE 第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)縫隙的處理縫隙的處理襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊( (帶橡膠芯的和空心的帶橡膠芯的和空心的) ) 導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠( (不同導(dǎo)電填充物的不同導(dǎo)電填充物的) ) 指形簧片指形簧片( (不同表面涂覆層的不同表面

20、涂覆層的) ) 螺旋管襯墊螺旋管襯墊( (不銹鋼的和鍍錫鈹銅的不銹鋼的和鍍錫鈹銅的) ) 導(dǎo)電布導(dǎo)電布第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)3、截止波導(dǎo)式通風(fēng)孔、截止波導(dǎo)式通風(fēng)孔 的屏蔽效能的屏蔽效能截止頻率截止頻率： 矩形波導(dǎo)：矩形波導(dǎo)：fc10 = 1510 9/ a （Hz）alllDW圓形波導(dǎo)：圓形波導(dǎo)：fc11 =17.610 9/ D（Hz）六角波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：fc10 =1510 9/ W （Hz）（a、D、W 的單位為：的單位為：cm）原理原理： 電磁波頻率遠(yuǎn)低電磁波頻率遠(yuǎn)低于波導(dǎo)的最低截止頻于波導(dǎo)的最低截止頻率，因而產(chǎn)生很大的率，因而產(chǎn)生很大的衰減。衰減。第第

21、6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 屏蔽效能屏蔽效能矩形波導(dǎo)：矩形波導(dǎo)：圓形波導(dǎo)：圓形波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：9220lge20lge8.691.823 101 ( /) dBlccSElllfff（l 的單位為：的單位為：cm）2(2 / )1 (/)ccc fff27.3dBlSEa32.0dBlSED27.3dBlSEW當(dāng)當(dāng) f fc 時：時：設(shè)計要求：設(shè)計要求： l 3a、l3D、l3W fc = （510）f第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 不能有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管不能有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管 當(dāng)有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管時，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁

22、泄漏。當(dāng)有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管時，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁泄漏。需要注意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強筋，這時將光纜穿過需要注意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強筋，這時將光纜穿過截止波導(dǎo)時也會引起泄漏。截止波導(dǎo)時也會引起泄漏。 波導(dǎo)管的安裝波導(dǎo)管的安裝 最可靠的方法是焊接，在屏蔽體上開一個尺寸與波導(dǎo)管截面最可靠的方法是焊接，在屏蔽體上開一個尺寸與波導(dǎo)管截面相同的孔，然后將波導(dǎo)管的四周與屏蔽體連續(xù)焊接起來。相同的孔，然后將波導(dǎo)管的四周與屏蔽體連續(xù)焊接起來。 如果波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏如果波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏蔽體上，需要在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁

23、密封襯墊。蔽體上，需要在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁密封襯墊。第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗截止波導(dǎo)通風(fēng)窗 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的原理是將大量的截止波導(dǎo)焊接在一起，的原理是將大量的截止波導(dǎo)焊接在一起，構(gòu)成截止波導(dǎo)陣列，這樣可以形成很大的開口面積，同時能夠構(gòu)成截止波導(dǎo)陣列，這樣可以形成很大的開口面積，同時能夠防止電磁波泄漏。防止電磁波泄漏。 27.320lgdBlSENW第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計 確定波導(dǎo)的截止頻率確定波導(dǎo)的截止頻率 確定波導(dǎo)的截面尺寸確定波導(dǎo)的截面尺寸 確定

24、波導(dǎo)的截面形狀確定波導(dǎo)的截面形狀 根據(jù)通風(fēng)面積確定波導(dǎo)數(shù)目根據(jù)通風(fēng)面積確定波導(dǎo)數(shù)目N 確定單根波導(dǎo)的屏蔽效能確定單根波導(dǎo)的屏蔽效能 確定波導(dǎo)的長度確定波導(dǎo)的長度 進(jìn)行屏蔽效能校核進(jìn)行屏蔽效能校核第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 波導(dǎo)的截止頻率：波導(dǎo)的截止頻率：fc = f = 50GHz 波導(dǎo)的截面形狀：選用正方形截面波導(dǎo)波導(dǎo)的截面形狀：選用正方形截面波導(dǎo) 波導(dǎo)的截面尺寸：波導(dǎo)的截面尺寸：fc = 1510 9/ aa = 1510 9/ fc = 3mm 波導(dǎo)數(shù)目波導(dǎo)數(shù)目N = 0.4510 6/ (33) = 50000每個通風(fēng)窗的波導(dǎo)每個通風(fēng)窗的波導(dǎo)數(shù)目：數(shù)目：25

25、000例例4 4 一屏蔽室的工作頻率范圍是一屏蔽室的工作頻率范圍是10KHz 10GHz，要求通風(fēng)孔的，要求通風(fēng)孔的 總通風(fēng)面積為總通風(fēng)面積為0. 45m2 ，設(shè)計總屏蔽效能為，設(shè)計總屏蔽效能為95dB的截止波導(dǎo)通的截止波導(dǎo)通風(fēng)窗。風(fēng)窗。 解：解：第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 波導(dǎo)的長度：波導(dǎo)的長度：13 18920.7mm27.327.3a SEl 單根波導(dǎo)的屏蔽效能單根波導(dǎo)的屏蔽效能120lg9594189 dBSESEN第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)4 4、 金屬孔板的屏蔽效能金屬孔板的屏蔽效能第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技

26、術(shù)屏蔽技術(shù)屏蔽效能的計算公式屏蔽效能的計算公式SE = ARBK1K2+K3式中：式中：A 孔的吸收損耗孔的吸收損耗 R 孔的反射損耗孔的反射損耗 B 孔的多次反射損耗孔的多次反射損耗 K1 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系數(shù) K2 低頻穿透修正系數(shù)低頻穿透修正系數(shù) K3 孔間耦合修正系數(shù)孔間耦合修正系數(shù)a. 孔的吸收損耗孔的吸收損耗 A 按截止波導(dǎo)計算按截止波導(dǎo)計算 矩形孔：矩形孔：Ar = 27.3 t / a 圓形孔：圓形孔：Ac = 32.0 t / D t 孔的深度（孔的深度（cm）a 矩形孔的最大寬度（矩形孔的最大寬度（cm）D 圓形孔的直徑（圓形孔的直徑（cm）第第6 6章章: :電磁

27、兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)b. 孔的反射損耗孔的反射損耗 R 其中：其中： 矩形孔矩形孔 圓形孔圓形孔 遠(yuǎn)場遠(yuǎn)場 近區(qū)、電場近區(qū)、電場2(1)20 lg20 lg()44wwmmZKRZZKZmwZKZ00223.682mrmmcZjfWZZjfD0001201/( 2)2wwwewmZZZjfrZjfr 近區(qū)、磁場近區(qū)、磁場第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)a 每一孔洞的面積（每一孔洞的面積（cm2）P 孔間導(dǎo)體寬度孔間導(dǎo)體寬度 / 趨膚深度趨膚深度20.10.23120lg 1() 10e1AjAKBKc. 多次反射修正多次反射修正Bd. 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系

28、數(shù)K1 e. 低頻穿透修正系數(shù)低頻穿透修正系數(shù)K2f. 孔間耦合修正系數(shù)孔間耦合修正系數(shù)K3 110lgKan 2.3220lg 135Kp 320lg 1 tanh(8.686)KAn 每每cm2內(nèi)的孔洞數(shù)內(nèi)的孔洞數(shù)第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)解解 a. A = 32 t / D = 12.8 dB例例 某飛機控制盒用鋁板加工而成，鋁板厚度某飛機控制盒用鋁板加工而成，鋁板厚度t = 2mm，兩側(cè)面板，兩側(cè)面板 上的總孔數(shù)為上的總孔數(shù)為289, 孔的形狀為圓形，孔徑孔的形狀為圓形，孔徑D = 5mm，孔的，孔的中心間距為中心間距為18mm。設(shè)平面波的頻率為。設(shè)平面波的

29、頻率為f = 5MHz，求控制盒的，求控制盒的屏蔽效能。屏蔽效能。b. 2(1)20 lg20 lg31.2dB44KKRK2001121.45 103.682120mcwZKjfDjZ0.23120lg 1() 10e120lg 1 10e0.47dBAjAAjAKBK c. 第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)孔陣面積：孔陣面積：d. 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系數(shù)K1 e. 低頻穿透修正系數(shù)低頻穿透修正系數(shù)K2f. 110lg10lg(0.196 0.37) 11.39dBKan2.3220lg 1350Kp 320lg 1/ tanh(12.8/8

30、.686)0.91dBK 22(1.870.5)(1.8 80.5)390 cm總孔數(shù)：總孔數(shù)：2144/3900.37 1/cmn332(185) 1013 1015.163.5 10rpf故故 SE = A + R + B + K1 + K2 + K3 = 55.8 dB第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)5、通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)焊接式安裝焊接式安裝壓緊式安裝壓緊式安裝第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)操作器件的處理操作器件的處理器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)顯示窗的處

31、理顯示窗的處理第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)貫通導(dǎo)體的處理貫通導(dǎo)體的處理不允許金屬導(dǎo)線不采取任何措施直接穿過屏蔽體！不允許金屬導(dǎo)線不采取任何措施直接穿過屏蔽體！第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)貫通導(dǎo)體的處理貫通導(dǎo)體的處理第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)2.6 電磁密封處理電磁密封處理 減少結(jié)合處的緊固螺釘，增加設(shè)備美觀性和可維護(hù)性減少結(jié)合處的緊固螺釘，增加設(shè)備美觀性和可維護(hù)性 降低對機械加工的要求，允許接觸面有較低的平整度降低對機械加工的要求，允許接觸面有較低的平整度 在縫

32、隙處不會產(chǎn)生高頻泄漏在縫隙處不會產(chǎn)生高頻泄漏1. 電磁密封襯墊電磁密封襯墊電磁密封襯墊是解決縫隙電磁泄漏的有效而方便的方法電磁密封襯墊是解決縫隙電磁泄漏的有效而方便的方法使用電磁密封襯墊的主要優(yōu)點使用電磁密封襯墊的主要優(yōu)點第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 機箱結(jié)合面的縫隙長度超過機箱結(jié)合面的縫隙長度超過/20 要求機箱的屏蔽效能大于要求機箱的屏蔽效能大于40dB 設(shè)備的發(fā)射或敏感頻率超過設(shè)備的發(fā)射或敏感頻率超過100MHz 無法采用機械加工來得到更好的導(dǎo)電連續(xù)性無法采用機械加工來得到更好的導(dǎo)電連續(xù)性 結(jié)合面采用了不同材料，而且設(shè)備要在惡劣環(huán)境下工作結(jié)合面采用了不同材料，而

33、且設(shè)備要在惡劣環(huán)境下工作 需要對環(huán)境采取密封措施需要對環(huán)境采取密封措施使用電磁密封襯墊的場合使用電磁密封襯墊的場合第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 保持接觸面清潔，且沒有非導(dǎo)電保護(hù)層保持接觸面清潔，且沒有非導(dǎo)電保護(hù)層 選用導(dǎo)電性能好的襯墊材料選用導(dǎo)電性能好的襯墊材料 對襯墊施加足夠的壓力對襯墊施加足夠的壓力 襯墊有足夠的厚度襯墊有足夠的厚度 注意襯墊與屏蔽體接觸表面間的電化學(xué)腐蝕注意襯墊與屏蔽體接觸表面間的電化學(xué)腐蝕 當(dāng)需要活動接觸時，應(yīng)使用指形簧片當(dāng)需要活動接觸時，應(yīng)使用指形簧片使用電磁密封襯墊的關(guān)鍵使用電磁密封襯墊的關(guān)鍵第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏

34、蔽技術(shù) 回彈力回彈力 導(dǎo)電性導(dǎo)電性 最小形變量最小形變量 襯墊厚度襯墊厚度 電化學(xué)相容性電化學(xué)相容性 壓縮永久形變壓縮永久形變電磁密封襯墊的主要性能指標(biāo)電磁密封襯墊的主要性能指標(biāo)第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 金屬絲網(wǎng)襯墊金屬絲網(wǎng)襯墊 用鈹銅絲、不銹鋼絲編織成管狀長條。為了增用鈹銅絲、不銹鋼絲編織成管狀長條。為了增強金屬網(wǎng)的彈性，有時在網(wǎng)管內(nèi)加入橡膠芯。強金屬網(wǎng)的彈性，有時在網(wǎng)管內(nèi)加入橡膠芯。 常用電磁密封襯墊常用電磁密封襯墊 屏蔽效能：電場屏蔽效能：電場 130dB（10MHz），）， 105dB（1GHz）磁場磁場 80dB（100kHz）第第6 6章章: :電磁兼

35、容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 在硅橡膠內(nèi)填充占總重量在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70 80比例的金屬顆粒，比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時具等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時具有較好的導(dǎo)電性。有較好的導(dǎo)電性。 導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 導(dǎo)電布襯墊導(dǎo)電布襯墊 導(dǎo)電布包裹發(fā)泡橡膠構(gòu)成。導(dǎo)電布包裹發(fā)泡橡膠構(gòu)成。 導(dǎo)電布由銅、銅鎳與黑色樹脂制成。有導(dǎo)電編織纖維、導(dǎo)電布由銅、銅鎳與黑色樹脂制成。有導(dǎo)電編織纖維、導(dǎo)電非編織

36、纖維和導(dǎo)電絲網(wǎng)等幾種類型。導(dǎo)電非編織纖維和導(dǎo)電絲網(wǎng)等幾種類型。100dB以上的屏蔽效果以上的屏蔽效果（20MHz10GHz）第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù) 指形簧片指形簧片鈹銅制成的簧片，具有鈹銅制成的簧片，具有很好的彈性和導(dǎo)電性。很好的彈性和導(dǎo)電性。第第6 6章章: :電磁兼容電磁兼容-屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)襯墊種類襯墊種類優(yōu)點優(yōu)點缺點缺點適用場合適用場合導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠具有環(huán)境密封和電磁密封具有環(huán)境密封和電磁密封作用，高頻屏蔽效能高作用，高頻屏蔽效能高需要的壓力大、價需要的壓力大、價格高格高需要環(huán)境密封和較高屏需要環(huán)境密封和較高屏蔽效能的場合蔽效能的場合金屬絲網(wǎng)條金屬絲網(wǎng)

37、條成本低、不易損壞成本低、不易損壞高頻屏蔽效能低、高頻屏蔽效能低、沒有環(huán)境密封作用沒有環(huán)境密封作用干擾頻率在干擾頻率在1GHz以下以下的場合的場合指形簧片指形簧片屏蔽效能高、允許滑動接屏蔽效能高、允許滑動接觸、形變范圍大觸、形變范圍大價格高、沒有環(huán)境價格高、沒有環(huán)境密封作用密封作用有滑動接觸的場合、較有滑動接觸的場合、較高屏蔽效能的場合高屏蔽效能的場合螺旋管螺旋管屏蔽效能高、價格低、復(fù)屏蔽效能高、價格低、復(fù)合型能提供環(huán)境密封和電合型能提供環(huán)境密封和電磁密封磁密封過量壓縮時容易損過量壓縮時容易損壞壞需要環(huán)境密封和較高屏需要環(huán)境密封和較高屏蔽效能的場合、有良好蔽效能的場合、有良好壓縮限位的場合壓縮限位的場合多重導(dǎo)電橡膠多重導(dǎo)電橡膠彈性好、價格低、可提供彈性好、價格低、可提供環(huán)境密封環(huán)境密封表層導(dǎo)電層較薄、表層導(dǎo)電層較薄、反復(fù)使用時易脫落反復(fù)使用時易脫落需要環(huán)境密封和一般屏需要環(huán)境密封和一般屏蔽效能的場合、不能提蔽效能的場合、不能提供較大壓力的場合供較大壓力的場合導(dǎo)電布導(dǎo)電布柔軟、需要壓力小、價格柔軟、需要壓力小、價格低低溫濕環(huán)境中容易損溫濕環(huán)境中容易損壞壞不能提供較大壓力的場不能