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1、第第8章章 模擬和雙極集模擬和雙極集成電路的版圖設(shè)計(jì)成電路的版圖設(shè)計(jì) 主要內(nèi)容主要內(nèi)容 8.1 模擬CMOS集成電路 8.2 鋁柵CMOS集成電路 8.3 雙極集成電路8.1 模擬模擬CMOS集成電路集成電路8.1.1模擬集成電路和數(shù)字集成電路的比較模擬集成電路和數(shù)字集成電路的比較8.1.2 MOS器件的對(duì)稱性器件的對(duì)稱性 對(duì)稱是模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的重要技巧之一，包括器件對(duì)稱、布局布線對(duì)稱等。常用的匹配規(guī)則有： 1) 把匹配器件相互靠近放置 2) 保持器件相同方向 圖(c)和(d)的方案更合理。圖8.1 (a)差分對(duì)管;(b)M1和M2管的柵極取向不同的版圖; (c)柵在一條直線上的版圖;(

2、d)柵平行排列的版圖“柵陰影”效應(yīng)使源區(qū)或漏區(qū)邊緣的擴(kuò)散產(chǎn)生細(xì)微的不對(duì)稱。圖8.2 由注入傾斜造成柵陰影區(qū) 考慮柵陰影后,圖(a)的結(jié)構(gòu)更好一些。 柵陰影效應(yīng) (a)兩個(gè)MOS管的柵在同一直線上; (b)兩個(gè)柵相互平行 3) 增加虛擬器件提高對(duì)稱性 注意器件周圍保持相同的環(huán)境。 (a)M2管旁邊的的金屬線引起不對(duì)稱;(b)在M1管相對(duì)稱位置安排同樣一條線來消除不對(duì)稱性4) 共中心(四方交叉) 共中心版圖 5) 器件采用指狀交叉布線方式 一維交叉耦合 8.2 鋁柵鋁柵CMOS集成電路集成電路8.2.1 鋁柵鋁柵CMOS電路版圖電路版圖 鋁柵工藝中沒有多晶層，版圖的層次只有P-阱、P+擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)、光刻?hào)拧⒔佑|孔、金屬和壓焊塊等。 1. 反相器反相器2. 門電路門電路(a) 2輸入或非門 (b) 3輸入或非門 3. 無隔離環(huán)無隔離環(huán)D觸發(fā)器觸發(fā)器(a) 有鋁層的照片 (b) 去除鋁層后的照片 從照片提取的D觸發(fā)器電路圖 8.3 雙極集成電路雙極集成電路8.3.1 雙極晶體管的版圖圖形雙極晶體管的版圖圖形 1. NPN管管 NPN管最常用的版圖圖形有4種。2. PNP管管 (1) 橫向PNP管 橫向PNP管的結(jié)構(gòu)及其寄生的PNP管 橫向PNP管

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