功放模塊系統(tǒng)設(shè)計(jì)基本技術(shù)

1、目錄目錄133 23 45無線通信領(lǐng)域無線通信領(lǐng)域直放站制式分類：直放站制式分類：無線通信領(lǐng)域無線通信領(lǐng)域直放站應(yīng)用解決方案分類：直放站應(yīng)用解決方案分類：無線通信領(lǐng)域無線通信領(lǐng)域直放站技術(shù)特點(diǎn)分類：直放站技術(shù)特點(diǎn)分類：模擬直放站模擬直放站數(shù)字直放站數(shù)字直放站按照應(yīng)用場(chǎng)景分類：按照應(yīng)用場(chǎng)景分類：MDAS小功率多路分布系統(tǒng)小功率多路分布系統(tǒng)DAS大功率多路分布系統(tǒng)大功率多路分布系統(tǒng)FRU /BBU微基站微基站無線通信行業(yè)的發(fā)展方向：無線通信行業(yè)的發(fā)展方向：數(shù)字化、集成化、寬帶化、互聯(lián)互通數(shù)字化、集成化、寬帶化、互聯(lián)互通IP化、高效綠色環(huán)保、小型化化、高效綠色環(huán)保、小型化.無線通信領(lǐng)域無線通信領(lǐng)域功

2、放在無線通信產(chǎn)品中的應(yīng)用：功放在無線通信產(chǎn)品中的應(yīng)用：無線通信領(lǐng)域無線通信領(lǐng)域功放產(chǎn)品分類：功放產(chǎn)品分類： 產(chǎn)品類型豐富，制式覆蓋產(chǎn)品類型豐富，制式覆蓋TDDTDD、FDDFDD；頻段覆蓋；頻段覆蓋700MHz700MHz3.5GHz3.5GHz；瞬時(shí)帶寬瞬時(shí)帶寬40MHz40MHz，平均功率從，平均功率從1W1W300W300W，峰值功率達(dá)到，峰值功率達(dá)到2000W2000W。 HPA HPA 普通高功放普通高功放 HEPA HEPA 高效率功放高效率功放 SMPA SMPA 高效率功放高效率功放 MCPA MCPA 多載波線性功放（多載波線性功放（DPDDPD、FFFF、RFAPRFAP等

3、）等）TBSTBS系統(tǒng)產(chǎn)品系統(tǒng)產(chǎn)品TMSTMS系統(tǒng)產(chǎn)品系統(tǒng)產(chǎn)品涉及專業(yè)分類涉及專業(yè)分類u 技術(shù)專業(yè)技術(shù)專業(yè)RF 系統(tǒng)設(shè)計(jì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)RF Power model 設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)MCU、DSP監(jiān)控軟硬件設(shè)計(jì)監(jiān)控軟硬件設(shè)計(jì)FPGA數(shù)字單元軟硬件設(shè)計(jì)數(shù)字單元軟硬件設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)造u 射頻技術(shù)射頻技術(shù)w匹配問題（包括功放管匹配）：功放管輸入輸出匹配、級(jí)間匹配、端口匹配；匹配問題（包括功放管匹配）：功放管輸入輸出匹配、級(jí)間匹配、端口匹配；w功率的分配與合成；功率的分配與合成；w射頻隔離：前后級(jí)隔離、單元電路之間的隔離；射頻隔離：前后級(jí)隔離、單元電路之間的隔離；w取樣檢測(cè)：

4、耦合取樣、輸入輸出功率檢測(cè)、反射功率檢測(cè)；取樣檢測(cè)：耦合取樣、輸入輸出功率檢測(cè)、反射功率檢測(cè)；w信號(hào)的控制：柵壓、信號(hào)的控制：柵壓、AGCAGC、ALCALC、EQEQ、調(diào)幅、調(diào)相、調(diào)時(shí)延、調(diào)幅、調(diào)相、調(diào)時(shí)延、ATTATT、TDDTDD切換等。切換等。模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)造u 功放標(biāo)準(zhǔn)電路（見標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)規(guī)范）功放標(biāo)準(zhǔn)電路（見標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)規(guī)范）模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)造u 板材及微帶電路設(shè)計(jì)板材及微帶電路設(shè)計(jì) 要求：熟練掌握要求：熟練掌握ADSADS、ansoftansoft、HFSSHFSS、Wave officeWave office等軟件至少等軟件至少1 1種；種；模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)

5、造u RFRF信號(hào)傳輸信號(hào)傳輸1） 同軸線2） 平行雙線3） 微帶線4） 帶狀線5） 波導(dǎo)6） 槽線7） 共面波導(dǎo)模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)造u 系統(tǒng)增益分配及系統(tǒng)增益分配及NFNF等仿真計(jì)算等仿真計(jì)算 要求：熟練掌握要求：熟練掌握APPCADAPPCAD等軟件至少等軟件至少1 1種；種；模塊內(nèi)部構(gòu)造模塊內(nèi)部構(gòu)造u 關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器1、鐵氧體隔離器為什么具有單向?qū)ㄌ匦裕ɑ蛐盘匦裕?？、鐵氧體隔離器為什么具有單向?qū)ㄌ匦裕ɑ蛐盘匦裕?、鐵氧體隔離器關(guān)鍵材料是什么？、鐵氧體隔離器關(guān)鍵材料是什么？3、鐵氧體屬于磁性材料，具有磁性嗎？、鐵氧體屬于磁性材料，具有磁性嗎？4、永磁體

6、屬于磁性材料，原材料具有磁性嗎？、永磁體屬于磁性材料，原材料具有磁性嗎？5、隔離器在功放產(chǎn)品應(yīng)用中，有哪些常見問題，在設(shè)計(jì)中如何考慮？、隔離器在功放產(chǎn)品應(yīng)用中，有哪些常見問題，在設(shè)計(jì)中如何考慮？關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器 手工裝配類手工裝配類 雙隔離器類雙隔離器類 大功率大功率SMT 貼片貼片類類 同軸隔離器類同軸隔離器類隔離器環(huán)形器 SMT 貼片類貼片類關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器序號(hào)隔離器結(jié)構(gòu)件材質(zhì)或廠家表面處理作用1 1腔體殼鐵 、A3A3鋼鍍鎳或鍍銀接地、散熱2 2鐵氧體釔鐵石榴石單面鍍銀提供旋磁3 3負(fù)載（衰減片）ALNALN（ANNAREN ANNAREN 、

7、KDIKDI、KMCKMC）一面鍍銀一面涂漆吸收反射功率4 4中心導(dǎo)體鈹銅和黃銅 鍍銀鍍銀信號(hào)載體5 5永磁體（磁鋼）釹鐵硼、釤鈷、鍶鈣鍍鎳或鍍鋅提供外加偏置場(chǎng)6 6勻磁片鐵鍍鎳或鍍銀均勻磁場(chǎng)7 7溫度補(bǔ)償片無溫度補(bǔ)償8 8蓋板不銹鐵無緊固零件9 9屏蔽片不銹鐵鍍鎳或鍍銀屏蔽和均勻磁場(chǎng)1010墊片紫銅鍍銀1111膠水“聚乙烯”橡膠固定引腳1212標(biāo)簽1313（其它）鐵氧體帶戒指環(huán)固定關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器鐵氧體鐵氧體-特性及應(yīng)用：特性及應(yīng)用： 利用這種材料利用這種材料在直流磁場(chǎng)和微波場(chǎng)共同作用下呈現(xiàn)出的旋磁效應(yīng)制成的微在直流磁場(chǎng)和微波場(chǎng)共同作用下呈現(xiàn)出的旋磁效應(yīng)制成的微波鐵氧體

8、器件如環(huán)行器、隔離器等波鐵氧體器件如環(huán)行器、隔離器等，鐵氧體隔離器：鐵氧體隔離器：是一種單向傳輸電磁波，微波信號(hào)功率沿正向方向傳輸，將功是一種單向傳輸電磁波，微波信號(hào)功率沿正向方向傳輸，將功率幾乎全部傳輸給負(fù)載；而負(fù)載反射功波則不可逆。率幾乎全部傳輸給負(fù)載；而負(fù)載反射功波則不可逆。鐵氧體環(huán)形器：鐵氧體環(huán)形器：是多端口傳輸電磁波的微波器件，常用的是三端口。是多端口傳輸電磁波的微波器件，常用的是三端口。 永磁體作用：永磁體作用：為鐵氧體工作提供為鐵氧體工作提供偏置磁場(chǎng)偏置磁場(chǎng)，永磁體的極性決定了隔離器的信號(hào)時(shí)順時(shí)針方向傳輸還是，永磁體的極性決定了隔離器的信號(hào)時(shí)順時(shí)針方向傳輸還是逆時(shí)針方向傳輸。逆時(shí)

9、針方向傳輸。鐵氧體和永磁體的區(qū)別鐵氧體和永磁體的區(qū)別：微波鐵氧體可以吸收微波能量，并在磁場(chǎng)作用下有旋磁特性，微波鐵氧體可以吸收微波能量，并在磁場(chǎng)作用下有旋磁特性，永磁體不可以吸收微波能量，能充磁能，為鐵氧體提供偏置磁場(chǎng)。永磁體不可以吸收微波能量，能充磁能，為鐵氧體提供偏置磁場(chǎng)。 關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-隔離器隔離器u隔離器應(yīng)用質(zhì)量問題：隔離器應(yīng)用質(zhì)量問題：1、鐵氧體隔離器負(fù)載燒毀。、鐵氧體隔離器負(fù)載燒毀。

10、（Antone 項(xiàng)目項(xiàng)目）2、鐵氧體隔離器內(nèi)導(dǎo)體連接片燒毀。、鐵氧體隔離器內(nèi)導(dǎo)體連接片燒毀。3、鐵氧體隔離器諧波抑制不夠。、鐵氧體隔離器諧波抑制不夠。(PA-4145FWB0中試中試）4、鐵氧體隔離器、鐵氧體隔離器IMD指標(biāo)不夠。指標(biāo)不夠。5 5、鐵氧體隔離器平面度不夠，導(dǎo)致接觸不良，散熱效果不好。、鐵氧體隔離器平面度不夠，導(dǎo)致接觸不良，散熱效果不好。（玻利維亞訂單玻利維亞訂單）6、鐵氧體隔離器密封不好，能量輻射。、鐵氧體隔離器密封不好，能量輻射。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-耦合器耦合器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-耦合器耦合器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-3dB-3dB電橋電橋關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型

11、-延時(shí)線延時(shí)線線性互易元件線性互易元件 常用的線性互易元件包括：匹配負(fù)載、衰減器、移相器、短路活塞、常用的線性互易元件包括：匹配負(fù)載、衰減器、移相器、短路活塞、功分器、微波電橋、定向耦合器、阻抗變換器、濾波器和功分器、微波電橋、定向耦合器、阻抗變換器、濾波器和延時(shí)線延時(shí)線等。等。貼片延時(shí)線貼片延時(shí)線同軸線同軸線腔體延時(shí)濾波器腔體延時(shí)濾波器可調(diào)延時(shí)器可調(diào)延時(shí)器關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線時(shí)延的計(jì)算方法時(shí)延的計(jì)算方法 關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 貼片延時(shí)線的材料工藝貼片延時(shí)線的材料工藝1 1、材料工藝：、材料工藝：PTFEPTFE和和LT

12、CCLTCC。2 2、電路設(shè)計(jì)：射頻帶狀線；、電路設(shè)計(jì)：射頻帶狀線；3 3、多層、多層PCBPCB基片壓合疊成。基片壓合疊成。XDL09-8-080的參數(shù)：l 帶狀線形式，抗外部干擾能力強(qiáng)帶狀線形式，抗外部干擾能力強(qiáng)l S型彎曲走線，感抗小型彎曲走線，感抗小l 介質(zhì)材料韌性好，不容易壓折介質(zhì)材料韌性好，不容易壓折l 3層信號(hào)面，層信號(hào)面，4層地平面層地平面關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 可調(diào)延時(shí)線可調(diào)延時(shí)線主要參數(shù)：主要參數(shù)：1910MHz2010MHz時(shí)延可調(diào)節(jié)量時(shí)延可調(diào)節(jié)量0.5ns相位波動(dòng)相位波動(dòng)1以內(nèi)以內(nèi)插損插損2.3dB以內(nèi)以內(nèi)回波回波-19dBOIP3為為28dBm控制電壓

13、（控制電壓（0V9V）工作溫度工作溫度-40851900MHz可調(diào)延時(shí)線可調(diào)延時(shí)線關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 腔體延時(shí)濾波器腔體延時(shí)濾波器FD-G8514-IS01延時(shí)濾波器延時(shí)濾波器項(xiàng)目名稱項(xiàng)目名稱電氣指標(biāo)電氣指標(biāo)頻率范圍（頻率范圍（MHzMHz）890890910910910910975975帶帶 寬（寬（MHzMHz）20206565回波損耗（回波損耗（dBdB）2020（常溫）；（常溫）；1717（高低溫）（高低溫）插入損耗（插入損耗（dBdB）0.600.60（常溫）；（常溫）；0.700.70（高低（高低溫）溫）0.400.40（常溫）；（常溫）；0.450.45（高低

14、溫）（高低溫）帶內(nèi)波動(dòng)（帶內(nèi)波動(dòng)（dBdB）0.150.15（常溫）；（常溫）；0.200.20（高低（高低溫）溫）0.100.10（常溫）；（常溫）；0.130.13（高低溫）（高低溫）相位波動(dòng)（相位波動(dòng)（degdeg）1.51.5（常溫）；（常溫）；2.02.0（高低溫）（高低溫）1.01.0（常溫）；（常溫）；1.31.3（高低溫）（高低溫）中心頻率群時(shí)延（中心頻率群時(shí)延（nsns）/ /13.913.90.2942.5MHz0.2942.5MHz功率容量（功率容量（W W）常溫、常壓下，常溫、常壓下，100100（平均功率）；（平均功率）；800800（峰值功率）（峰值功率）關(guān)鍵器件選

15、型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 延時(shí)器件在前饋功放中的應(yīng)用延時(shí)器件在前饋功放中的應(yīng)用FeedForwardFeedForward環(huán)路對(duì)消原理圖環(huán)路對(duì)消原理圖關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 延時(shí)器件在延時(shí)器件在RF_AP功放中的應(yīng)用功放中的應(yīng)用關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線 延時(shí)器件的選用延時(shí)器件的選用l 從功率大小和插損角度考慮，要求插損小而功率大的器件選用從功率大小和插損角度考慮，要求插損小而功率大的器件選用延時(shí)濾波器延時(shí)濾波器。l 考慮考慮SMT工藝、一致性、布局空間大小，最好選用工藝、一致性、布局空間大小，最好選用貼片延時(shí)線貼片延時(shí)線。l 考慮成本、可調(diào)可生產(chǎn)性，采用考慮成

16、本、可調(diào)可生產(chǎn)性，采用同軸線繞制同軸線繞制。l 考慮成本、可調(diào)可生產(chǎn)性、而且時(shí)延調(diào)節(jié)范圍比較小，采用考慮成本、可調(diào)可生產(chǎn)性、而且時(shí)延調(diào)節(jié)范圍比較小，采用可調(diào)延時(shí)電路可調(diào)延時(shí)電路。 思考題：思考題：同軸線和貼片延時(shí)線同軸線和貼片延時(shí)線 延時(shí)（或相位）和頻響的關(guān)系？延時(shí)（或相位）和頻響的關(guān)系？ 1、同軸線的延時(shí)和頻響是線性的，所以時(shí)延與頻段無關(guān)；、同軸線的延時(shí)和頻響是線性的，所以時(shí)延與頻段無關(guān)； 2、貼片延時(shí)線延時(shí)和頻響是非線性的，不同的頻段時(shí)延是不同、貼片延時(shí)線延時(shí)和頻響是非線性的，不同的頻段時(shí)延是不同的；但，在窄帶范圍內(nèi)是線性。的；但，在窄帶范圍內(nèi)是線性。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-延時(shí)線延時(shí)線

17、 貼片延時(shí)線的選用貼片延時(shí)線的選用考慮耦合很關(guān)鍵，考慮耦合后考慮耦合很關(guān)鍵，考慮耦合后時(shí)延隨頻率增加而增加，與指標(biāo)相符時(shí)延隨頻率增加而增加，與指標(biāo)相符插損隨頻率變化較大，與指標(biāo)相符插損隨頻率變化較大，與指標(biāo)相符不考慮耦合時(shí)不考慮耦合時(shí)時(shí)延基本不隨頻率變化，與理論一致時(shí)延基本不隨頻率變化，與理論一致插損隨頻率變化較小，與經(jīng)驗(yàn)一致插損隨頻率變化較小，與經(jīng)驗(yàn)一致進(jìn)一步分析進(jìn)一步分析1.3GHz2.5GHz內(nèi)，考慮耦合時(shí)的時(shí)延內(nèi)，考慮耦合時(shí)的時(shí)延大于不考慮耦合時(shí)的時(shí)延，即大于不考慮耦合時(shí)的時(shí)延，即相同長(zhǎng)度的帶相同長(zhǎng)度的帶狀線，如果繞成強(qiáng)耦合的形狀，可以獲得更狀線，如果繞成強(qiáng)耦合的形狀，可以獲得更大的時(shí)

18、延；所以可以以更小的尺寸獲得相同大的時(shí)延；所以可以以更小的尺寸獲得相同的時(shí)延量。的時(shí)延量。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-巴倫巴倫關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-巴倫巴倫l 變壓器巴倫變壓器巴倫l 傳輸線巴侖傳輸線巴侖l 微帶線寬帶巴侖微帶線寬帶巴侖饋電平衡饋電平衡磁耦合式磁耦合式、反向式反向式、對(duì)稱式對(duì)稱式、扼流式等平衡器類型。扼流式等平衡器類型。 功放常用的種類功放常用的種類l 帶狀線巴侖帶狀線巴侖l LC巴侖巴侖關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-巴倫巴倫關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-巴倫巴倫關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-巴倫巴倫平衡式輸入輸出的優(yōu)點(diǎn)：l抗干擾能力強(qiáng)l抗電源噪聲l抗地噪聲能力強(qiáng)l具有偶數(shù)諧波抑制功能所

19、以平衡式輸入輸出電路在功放電路中應(yīng)用較多：如AD8362檢波管，SC18*預(yù)失真芯片系列。微帶線是單端非平衡端口，與平衡式端口相連時(shí)需要巴倫進(jìn)行變換。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-A-A類類ICIC微波放大管微波放大管晶體管：晶體管：泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。晶體管有時(shí)多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）兩大類。雙極性晶體管（雙極性晶體管（BJTBJT）：）：根據(jù)不同的摻雜方式在同一硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，構(gòu)成晶體管。放大作用表現(xiàn)為小的基極電流可以控制大的集電極電流，屬流控器件，單電源供電。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETFET）

20、：）：利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，屬壓控器件。它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極性晶體管，分為結(jié)型和絕緣柵型（MOSMOS管管）兩種不同的結(jié)構(gòu)。我們常用的大功率LDMOS管屬于N溝道的增強(qiáng)型MOS管，雙電源供電。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-LDO-LDO電源電源p 線性電源線性電源 傳統(tǒng)線性電源傳統(tǒng)線性電源 低壓差線性電源（低壓差線性電源（LDO)LDO)p 開關(guān)類電源開關(guān)類電源 Charge pump (inductor less DC-DC)Charge pump (inductor less DC-DC) DC-DC (inductor) DC-DC (

21、inductor) LDO LDO（Low Dropout Linear RegulatorLow Dropout Linear Regulator）俗稱低壓差線性穩(wěn)壓管，是一個(gè)功率很低的微型片上系統(tǒng)。）俗稱低壓差線性穩(wěn)壓管，是一個(gè)功率很低的微型片上系統(tǒng)。它通常由具有低導(dǎo)通電阻的它通常由具有低導(dǎo)通電阻的MOSMOS調(diào)整元件、基準(zhǔn)電壓源、誤差放大器和各種保護(hù)電路等功能模塊集成在調(diào)整元件、基準(zhǔn)電壓源、誤差放大器和各種保護(hù)電路等功能模塊集成在同一個(gè)芯片上而成。同一個(gè)芯片上而成。 具有低壓差、高效率、高性能、高具有低壓差、高效率、高性能、高PSRRPSRR、小體積、低成本等特點(diǎn)。、小體積、低成本等特點(diǎn)

22、。壓差靜態(tài)電流待機(jī)電流瞬態(tài)響應(yīng)線性調(diào)整率負(fù)載調(diào)整率電源抑制比精度功耗LDO關(guān)鍵參數(shù)關(guān)鍵參數(shù)關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-電阻、電感、電容電阻、電感、電容常用電阻分類常用電阻分類普通貼片電阻、精密取樣電阻、功率負(fù)載、熱敏電阻等。電阻的射頻特性：電阻的射頻特性：w電阻射頻模型w理想電阻R；w并聯(lián)電容Ca,Cb；w串聯(lián)引線電感Ls；關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-電阻、電感、電容電阻、電感、電容常用電感分類常用電感分類實(shí)心電感、空心繞線電感、繞線電感、閉磁電感、磁珠等。電感的射頻特性：電感的射頻特性：w電感射頻模型：w理想電感L，Z=jL；w串聯(lián)電阻Rs；w引線串聯(lián)電感Ls；w并聯(lián)電容C1，C2關(guān)鍵器件選型關(guān)

23、鍵器件選型-電阻、電感、電容電阻、電感、電容常用電容分類常用電容分類普通介質(zhì)MLCC電容、鉭電容、鋁電解電容、高Q微波電容等。電容的射頻特性：電容的射頻特性：w多層射頻電容模型：w理想電容C，Z=1/jC；w串聯(lián)電阻Rs；w引線串聯(lián)電感Ls；w并聯(lián)電容Cp；w并聯(lián)電阻Rp。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 二極管分類二極管分類 二極管按其實(shí)現(xiàn)的功能主要分為：限幅二極管、整流二極管、開關(guān)器件（PIN管）、檢波二極管、變?nèi)荻O管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、光敏二極管、TVS二極管、以及發(fā)光二極管等等。 三極管三極管三極管一般稱為雙極性晶體管，是通過制作工

24、藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起構(gòu)成。兩PN結(jié)作用，可使三極管成為一個(gè)具有控制電流作用的器件，可用作放大微弱信號(hào)和做無觸點(diǎn)的開關(guān)。有PNP和NPN兩種結(jié)構(gòu)。主要是Si管和Ge管。關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管定義場(chǎng)效應(yīng)管定義場(chǎng)效應(yīng)管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體內(nèi)載流子，使通過半導(dǎo)體內(nèi)的電流大小隨電場(chǎng)強(qiáng)度的改變而變化的由電壓控制電流的放大器件。英文簡(jiǎn)寫為：MOSFET1、按封裝分：分為塑料封裝和金屬封裝2、按功率分：分為大、中、小功率3、按頻率分: 分為高、中、低頻4、按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分：結(jié)型（JFET)和絕緣柵型（IGFET)5、按溝道分：分為N溝道和P溝

25、道其中絕緣柵型又可以細(xì)分為N溝道增強(qiáng)型和耗盡型，P溝道增強(qiáng)型和耗盡型。 場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分類關(guān)鍵器件選型關(guān)鍵器件選型-二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.1 4.1 信號(hào)的峰值功率、平均功率和峰均比信號(hào)的峰值功率、平均功率和峰均比PARPAR解釋：平均功率是系統(tǒng)輸出的實(shí)際功率。在某個(gè)概率下峰值功率跟平均功率的比就稱為在某個(gè)概率下的峰均比，如PAR=9.10.1%,各種概率下的峰均比就形成了CCDF曲線（互補(bǔ)累積分布函數(shù)）。在概率為0.01%處的PAR，一般稱為CREST因子。4.2 4.2 噪聲噪聲噪聲是指在信號(hào)處理過程

26、中遇到的無法確切預(yù)測(cè)的干擾信號(hào)（各類點(diǎn)頻干擾不是算噪聲）。常見的噪聲有來自外部的天電噪聲，汽車的點(diǎn)火噪聲，來自系統(tǒng)內(nèi)部的熱噪聲，晶體管等在工作時(shí)產(chǎn)生的散粒噪聲，信號(hào)與噪聲的互調(diào)產(chǎn)物。關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.3 4.3 三階交調(diào)三階交調(diào)三階交調(diào)（雙音三階交調(diào)）是用來衡量非線性的一個(gè)重要指標(biāo)，在這里仍以放大器為例來說明三階交調(diào)指標(biāo)。用兩個(gè)相隔f，且電平相等的單音信號(hào)同時(shí)輸入一個(gè)射頻放大器，則放大器的輸出頻譜大致如下：三階交調(diào)常用dBc表示，即交調(diào)產(chǎn)物與主輸出信號(hào)的比。關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.4 4.4 三階截止點(diǎn)三階截止點(diǎn)任一微波單元電路，輸入雙音信號(hào)同時(shí)增加1dB，輸出三階交調(diào)產(chǎn)物將增加

27、3dB，而主輸出信號(hào)僅增加1dB（不考慮壓縮），這樣輸入信號(hào)電平增加到一定值時(shí)，輸出三階交調(diào)產(chǎn)物與主輸出信號(hào)相等，這一點(diǎn)稱為三階截止點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的輸入信號(hào)電平稱為輸入三階截止點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)電平稱為輸出三階截止點(diǎn)。注意：三階截止點(diǎn)信號(hào)電平是不可能達(dá)到的，因?yàn)樵谶@時(shí)早已超過微波單元電路的承受能力。關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.74.7回波損耗回波損耗回波損耗也是射頻上用得比較多得一個(gè)名詞，它和前面得反射系數(shù)、駐波比都是用來反映端口得匹配狀況的?；夭〒p耗表示端口的反射波的功率與入射波功率之比?；夭〒p耗與反射系數(shù)的關(guān)系為： 回波損耗20log（）由公式可以計(jì)算：回波損耗為26dB時(shí)，對(duì)應(yīng)的反射系數(shù)為0.

28、05，駐波比為1.1。由此也可以估計(jì)一下，駐波為2時(shí)的回波損耗是多少（9.5dB），也就可以理解對(duì)于功放后級(jí)的駐波要求為何嚴(yán)格。關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.8 4.8 鄰道泄漏（鄰道泄漏（ACLRACLR）鄰道泄漏指標(biāo)是用來衡量發(fā)射機(jī)的帶外輻射特性，定義：鄰道功率與主信道功率之比，通常用dBc表示，如下圖：主 信 道鄰 道保 護(hù) 帶射機(jī)的領(lǐng)道泄漏必然回對(duì)其他小區(qū)造成干擾，為了減小這種干擾，領(lǐng)道泄漏必須盡可能的小，WCDMA的要求是：第一鄰道（偏離載頻5MHz）的ACLR45dBC ；第二鄰道（偏離載頻10MHz）的ACLR 50dBC 。 關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.9 4.9 頻譜發(fā)射頻譜發(fā)

29、射模板模板對(duì)于WCDMA而言，頻譜發(fā)射模板用于限制偏離發(fā)射載波中心頻率2.5MHz12.5MHz頻段內(nèi)的雜散發(fā)射功率，下面以WCDMA協(xié)議3GPP TS 25.141 V3.6.0 中規(guī)定的NodeB發(fā)射機(jī)的頻譜發(fā)射模板指標(biāo)要求為例來說明。Table 6.11: Spectrum emission mask values, BS maximum output power P 43 dBmFrequencyoffset ofmeasurement filter 3dBpoint, fFrequency offsetof measurementfilter centrefrequency, f_o

30、ffsetMaximumlevelMeasurementbandwidth2.5f2.7MHz2.515MHzf_offset2.715MHz-14dBm30kHz2.7f3.5MHz2.715MHzf_offset3.515MHz-1415(f_offset-2.715)dBm30kHz3.515MHzf_offset4.0MHz-26dBm30kHz3.5f7.5MHz4.0MHzf_offset8.0MHz-13dBm1MHz7.5fMHz8.0MHzf_offsetf_offsetmax-13dBm1MHz關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)4.10 4.10 雜散輻射雜散輻射雜散輻射是指發(fā)信機(jī)在

31、頻譜發(fā)射模板規(guī)定的頻率范圍之外的頻段內(nèi)發(fā)射的、信號(hào)之外的其他信號(hào)，它包括諧波分量、寄生輻射、交調(diào)產(chǎn)物、發(fā)射機(jī)互調(diào)產(chǎn)物等。這些雜散輻射都會(huì)對(duì)其他的無線通信系統(tǒng)造成干擾，對(duì)該指標(biāo)的規(guī)定是為了提高系統(tǒng)的電磁兼容性能，以便與其他系統(tǒng)（如GSM）共存，當(dāng)然這也保證了系統(tǒng)自身的正常運(yùn)行，下面以WCDMA協(xié)議3GPP TS 25.141 V3.6.0 (2001-06) 中規(guī)定的NodeB發(fā)射機(jī)的雜散輻射模板指標(biāo)要求之一為例來說明：關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)Table 6.17: BS Mandatory spurious emissions limits, Category BBandMaximumLevelMeasurement BandwidthNote9kHz150kHz-36dBm1kHzBandwidthasinITU-RSM.329-8,subclause4.1150kHz30MHz-36dBm10kHzBandwidthasinITU-RSM.329-8,subclause4.130MHz1GHz-36dBm100kHzBandwidthasinITU-RSM.329-8,