電子電路輔導(dǎo)課件

1、1模 擬電子技術(shù)2 電子技術(shù)由電子技術(shù)由模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)和和數(shù)數(shù)字電子技術(shù)字電子技術(shù)兩部分構(gòu)成。兩者的兩部分構(gòu)成。兩者的區(qū)別在于所處理的信號不同：前區(qū)別在于所處理的信號不同：前者處理的是模擬信號（者處理的是模擬信號（在時間上在時間上或數(shù)值上連續(xù)變化的信號或數(shù)值上連續(xù)變化的信號），相），相應(yīng)的電路稱為模擬電路；后者處應(yīng)的電路稱為模擬電路；后者處理的是數(shù)字信號（理的是數(shù)字信號（在時間上或數(shù)在時間上或數(shù)值上都是不連續(xù)的，即所謂離散值上都是不連續(xù)的，即所謂離散的信號的信號），相應(yīng)的電路稱為數(shù)字），相應(yīng)的電路稱為數(shù)字電路。電路。(1-3)1. 半導(dǎo)體基本知識和半導(dǎo)體基本知識和pn結(jié)結(jié)1） 導(dǎo)體、

2、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體 物質(zhì)按其導(dǎo)電性能分類物質(zhì)按其導(dǎo)電性能分類,可分為可分為導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣絕緣體體和和半導(dǎo)體半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。其內(nèi)部存在有兩種載流子：間。其內(nèi)部存在有兩種載流子：自由電子自由電子和和空穴空穴。在常態(tài)下，它們的導(dǎo)電能力很弱，更。在常態(tài)下，它們的導(dǎo)電能力很弱，更接近于絕緣體；但在摻入雜質(zhì)接近于絕緣體；但在摻入雜質(zhì)(其它元素其它元素)、受熱、光照或受到其它條件影響后，它的導(dǎo)受熱、光照或受到其它條件影響后，它的導(dǎo)電能力將明顯增強而接近于導(dǎo)體。電能力將明顯增強而接近于導(dǎo)體。一、一、 半導(dǎo)體基礎(chǔ)和常用半導(dǎo)體器件半

3、導(dǎo)體基礎(chǔ)和常用半導(dǎo)體器件(1-4) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。比如：以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。比如：當受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)當受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)（往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)（其其它元素它元素），會使它的導(dǎo)電能力明顯改），會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。變。(1-5)通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成制成晶體晶體。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為稱為本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體。在硅和

4、鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成與其相臨的原子之間形成共價鍵共價鍵，它們共用一，它們共用一對價電子。對價電子。(1-6)硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4+4+4+4+4表示除表示除去價電子去價電子后的原子后的原子(1-7)共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為鍵中，稱為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電

5、子很難，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為脫離共價鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導(dǎo)體，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是子是8個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強的結(jié)合力，共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4(1-8)+4+4+4+4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理自由電子自由電子空穴空穴被束縛電子被束縛電子(1-9)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量

6、相等的兩種載流本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即子，即自由電子自由電子和和空穴空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強，溫度是影響半導(dǎo)征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。的一大特點。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度（單位體積內(nèi)的載流子數(shù)量）。濃度（單位體積內(nèi)的載流子數(shù)量）。(1-10)2） 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯

7、著變化。就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為稱為n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體），使空穴（電子型半導(dǎo)體），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）。（空穴型半導(dǎo)體）。(1-11)n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體n型半導(dǎo)體中的載流子是什么？型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1、由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同、由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。2、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。、本征半導(dǎo)體中

8、成對產(chǎn)生的電子和空穴。3、摻雜濃度遠大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，、摻雜濃度遠大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為子稱為多數(shù)載流子多數(shù)載流子（多子多子），空穴稱為），空穴稱為少數(shù)載少數(shù)載流子（少子）。流子（少子）。(1-12)p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼硼b（或（或銦銦in），晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原），晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原子被硼原子或銦原子（雜質(zhì)）所取代；硼原子子被硼原子或銦原子（雜質(zhì)）所取代；硼原子的最外層有三個價電子，與相臨的半導(dǎo)體原子的最外層有

9、三個價電子，與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴空穴。這個空穴可能。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的動的帶負電的離子帶負電的離子。(1-13)總總 結(jié)結(jié)1、n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中中電子電子是是多子多子，其中大部分是所摻雜，其中大部分是所摻雜質(zhì)提供的電子，本征半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。質(zhì)提供的電子，本征半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。 n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中中空穴空穴是是少子少子，少子的遷移也能形成，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多起導(dǎo)電作用的主要是多子子。近似認

10、為多子與雜質(zhì)濃度相等。近似認為多子與雜質(zhì)濃度相等。2、p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中中空穴空穴是是多子多子，電子電子是是少子少子。(1-14)3） pn結(jié)結(jié)pn 結(jié)的形成結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，采用半導(dǎo)在同一片半導(dǎo)體基片上，采用半導(dǎo)體工藝分別制造體工藝分別制造p型半導(dǎo)體（型半導(dǎo)體（p區(qū)）和區(qū)）和n型半導(dǎo)體（型半導(dǎo)體（n區(qū)），經(jīng)過多數(shù)載流子區(qū)），經(jīng)過多數(shù)載流子的擴散運動，在它們的交界面處就形的擴散運動，在它們的交界面處就形成了成了 pn結(jié)。結(jié)。(1-15)+空間空間電荷電荷區(qū)區(qū)n n型區(qū)型區(qū)p p型區(qū)型區(qū) 內(nèi)電場內(nèi)電場(1-16) pn結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦詐n結(jié)結(jié)加上正向電壓加上正向電壓、

11、正向偏置正向偏置的意思的意思都是：都是： p區(qū)加正、區(qū)加正、n區(qū)加負電壓區(qū)加負電壓(p+, n-)。pn結(jié)結(jié)加上反向電壓加上反向電壓、反向偏置反向偏置的意思的意思都是：都是： p區(qū)加負、區(qū)加負、n區(qū)加正電壓區(qū)加正電壓(p- , n+)。(1-17)結(jié)論：u所謂所謂pn結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦允侵福菏侵福?. pn結(jié)外加正向電壓（正向偏置，即結(jié)外加正向電壓（正向偏置，即p+， n-）時）時pn結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通，其正向?qū)娮韬?，其正向?qū)娮韬苄?，有較大的正向電流通過（主要由多數(shù)小，有較大的正向電流通過（主要由多數(shù)載流子組成）；載流子組成）；2. pn結(jié)外加反向電壓（反向偏置，即結(jié)外加反向電壓（

12、反向偏置，即p-，n+）時時pn結(jié)截止結(jié)截止，其反向電阻很大，只流，其反向電阻很大，只流過很小的反向電流（主要由少數(shù)載流子組過很小的反向電流（主要由少數(shù)載流子組成）；此電流很小，?？梢暈槌桑?；此電流很小，常可視為0。(1-18)2. 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管(1)、基本結(jié)構(gòu)、基本結(jié)構(gòu)pn結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。引線引線外殼外殼觸絲線觸絲線基片基片點接觸型點接觸型(1-19)pn結(jié)結(jié)面接觸型面接觸型pn陽極陰極(1-20)(2)、伏安特性、伏安特性ui門檻電壓（死區(qū)電壓）門檻電壓（死區(qū)電壓）uth 硅管硅管 0.5v,鍺管鍺管 0.2v。導(dǎo)通電

13、壓（壓降）導(dǎo)通電壓（壓降）udon硅管硅管 0.60.7v,鍺管鍺管 0.20.3v。反向擊穿電反向擊穿電壓壓u(br)(1-21)(3)、主要參數(shù)、主要參數(shù) 1）額定正向平均電流（最大整流電流）額定正向平均電流（最大整流電流） if二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。向平均電流。2）最高反向工作電壓最高反向工作電壓ur 保證二極管安全工作時允許外加的最高反保證二極管安全工作時允許外加的最高反向電壓值。一般取向電壓值。一般取ur=(=(1/22/3)u(br) 。(1-22)3）反向電流）反向電流 ir指二極管外加最高反向工作電壓時的反向

14、電指二極管外加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此此反向電流越小越好反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數(shù)。二極管的應(yīng)用主要以上均是二極管的直流參數(shù)。二極管的應(yīng)用主要是利用它的單向?qū)щ娦允抢盟膯蜗驅(qū)щ娦? 包括整流、限幅、保護等。包括整流、限幅、保護等。4) 最高工作頻率最高工作頻率fm保證二極管的單向?qū)щ娮饔玫淖罡吖ぷ黝l率。

15、保證二極管的單向?qū)щ娮饔玫淖罡吖ぷ黝l率。(1-23)(4)二極管的應(yīng)用舉例 二極管是電子線路中常用的基本半導(dǎo)體器件之一。二極管是電子線路中常用的基本半導(dǎo)體器件之一。它被廣泛應(yīng)用于它被廣泛應(yīng)用于整流整流、檢波、檢波、箝位、限幅箝位、限幅以及數(shù)以及數(shù)字開關(guān)電路中。字開關(guān)電路中。u例 二極管箝位電路u右圖電路中，設(shè)da、db 都是硅二極管；求下列幾種 情況下電路輸出端的電位vf。 1) va= vb= 0v; 2) va= 3v, vb=0v; 3) va= vb =3vvf+5vvavbrdadb(1-24)解：1）此時da, db均導(dǎo)通， vf=0+0.6=0.6v2）此時db導(dǎo)通，da截止，

16、vf=0+0.6=0.6v3）此時da, db均導(dǎo)通， vf=3+0.6=3.6v 電路中，利用二極管正向?qū)▔航岛苄〉奶仉娐分?，利用二極管正向?qū)▔航岛苄〉奶攸c，使輸出端點，使輸出端f f的電位維持在一個不變的數(shù)值上，的電位維持在一個不變的數(shù)值上，這就是二極管的這就是二極管的箝位箝位作用。在第作用。在第2 2）題中，）題中，d db b就就起著起著箝位箝位作用，而作用，而d da a則起著則起著隔離隔離作用。作用。vf+5vvavbrdadb(1-25) u例 二極管限幅電路右示電路中,ui=5sint v,d為理想二極管,e=2v;試畫出uo波形。u解當uie時，d導(dǎo)通，uo=ui；當ui

17、e時，d截止，uo=e。因此可畫得uo波形如右。本例中，利用二極管的單向?qū)щ娞匦?，使uoe，這就是二極管的限幅作用。ui/v0teu0/vet52-5520dre+_+_uiuo+_(1-26)特殊二極管特殊二極管 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管uiuzizizmax uz iz穩(wěn)壓誤差穩(wěn)壓誤差曲線越曲線越陡，電陡，電壓越穩(wěn)壓越穩(wěn)定。定。+-符號及伏安特性符號及伏安特性穩(wěn)壓穩(wěn)壓工作區(qū)工作區(qū)(1-27)穩(wěn)壓二極管的參數(shù)穩(wěn)壓二極管的參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓 uz（2）電壓溫度系數(shù)）電壓溫度系數(shù)ct( u)（%/）穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。（3）動態(tài)電阻）動態(tài)電阻zziu

18、zr （4）穩(wěn)定電流）穩(wěn)定電流iz； 最大、最小穩(wěn)定電流最大、最小穩(wěn)定電流izmax、 izmian。（5）最大允許功耗）最大允許功耗maxzzzmiup (1-28) 光電二極管光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。反向電流隨光照強度的增加而上升。iv照度增加照度增加(1-29) 發(fā)光二極管發(fā)光二極管有正向電流流有正向電流流過時，發(fā)出一定過時，發(fā)出一定波長范圍的光，波長范圍的光，目前的發(fā)光管可目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到以發(fā)出從紅外到可見波段的光，可見波段的光，它的電特性與一它的電特性與一般二極管類似。般二極管類似。(1-30)3. 雙極型晶體管雙極型晶體管(半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管)1

19、 ）基本結(jié)構(gòu)）基本結(jié)構(gòu)becnnp基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極npn型型pnp集電極集電極基極基極發(fā)射極發(fā)射極bcepnp型型(1-31)becibieicnpn型三極管型三極管becibieicpnp型三極管型三極管(1-32)（1）輸入特性）輸入特性ib( a)ube(v)204060800.40.8uce 1v 死區(qū)電壓死區(qū)電壓:硅管硅管0.5v，鍺管鍺管0.2v。導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓ube(on)： 硅管硅管ube(on) 0.60.7v,鍺管鍺管ube(on) 0.20.3v。(1-33)（2）輸出特性）輸出特性ic(ma )1234uce(v)36912ib=020 a40 a60

20、 a80 a100 a此區(qū)域此區(qū)域滿足滿足ic= ib稱稱為線性為線性區(qū)（放區(qū)（放大區(qū)）；大區(qū)）；發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)正偏，正偏，集電結(jié)集電結(jié)反偏。反偏。當當uce大于一大于一定的數(shù)值時定的數(shù)值時ic只與只與ib有關(guān)，有關(guān)，ic= ib。(1-34)ic(ma )1234uce(v)36912ib=020 a40 a60 a80 a100 a此區(qū)域中此區(qū)域中uce ube,發(fā)射發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏結(jié)、集電結(jié)均正偏， ibic，uce 0.3v稱為稱為飽和區(qū)。飽和區(qū)。(1-35)ic(ma )1234uce(v)36912ib=020 a40 a60 a80 a100 a此區(qū)域中此區(qū)域中 : ib=0,

21、ic=iceo,ube 死區(qū)電死區(qū)電壓，稱為截止壓，稱為截止區(qū)。此時，區(qū)。此時，發(fā)發(fā)射結(jié)、集電結(jié)射結(jié)、集電結(jié)均反偏。均反偏。(1-36)小結(jié)：小結(jié)：1.1.三極管有三個工作區(qū)：放大區(qū)、飽和區(qū)和截三極管有三個工作區(qū)：放大區(qū)、飽和區(qū)和截 止區(qū)；止區(qū)；2.2.三極管工作在放大區(qū)時：發(fā)射結(jié)正偏，集電三極管工作在放大區(qū)時：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏；對結(jié)反偏；對npnnpn管，集電極（管，集電極（c c）的電位最高，）的電位最高，基極（基極（b b）電位其次，發(fā)射極（）電位其次，發(fā)射極（e e）電位最低；）電位最低；對對pnppnp管，集電極（管，集電極（c c）的電位最低，基極（）的電位最低，基極（b b

22、）電位其次，發(fā)射極電位其次，發(fā)射極(e)(e)電位最高；電位最高；(1-37)3.三極管工作在飽和區(qū)時：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都三極管工作在飽和區(qū)時：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏；對正偏；對npnnpn管，基極（管，基極（b b）的電位最高，集電）的電位最高，集電極（極（c c）和發(fā)射極（）和發(fā)射極（e e）的電位都低于基極（）的電位都低于基極（b b）的電位；對的電位；對pnppnp管，基極（管，基極（b b）的電位最低，集）的電位最低，集電極（電極（c c）和發(fā)射極）和發(fā)射極(e)(e)電位都高于基極（電位都高于基極（b b）的電位；的電位；4.三極管工作在截止區(qū)時：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都三極管工作在截止區(qū)時：

23、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏；對反偏；對npnnpn管，基極（管，基極（b b）的電位最低，集）的電位最低，集電電(1-38)極（極（c c）和發(fā)射極（）和發(fā)射極（e e）的電位都高于基極（）的電位都高于基極（b b）的電位；對的電位；對pnppnp管，基極（管，基極（b b）的電位最高，集）的電位最高，集電極（電極（c c）和發(fā)射極）和發(fā)射極(e)(e)電位都低于基極（電位都低于基極（b b）的電位。的電位。三極管工作于放大區(qū)時各極電位情況三極管工作于放大區(qū)時各極電位情況becibieic+ +_becibieic_ _+npnpnp(1-39)（3）主要參數(shù)）主要參數(shù)前面的電路中，三極管的發(fā)射極是

24、輸前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。還有共基、共集接法。共射共射直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)：bc_ii 1.電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)和和 _(1-40)工作于動態(tài)的三極管，真正的信號工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號?；鶚O電流是疊加在直流上的交流信號?；鶚O電流的變化量為的變化量為 ib，相應(yīng)的集電極電流變，相應(yīng)的集電極電流變化為化為 ic，則，則交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為：為：biic (1-41)例：例：uce=6v時：時：ib=40 a, ic=1.5ma； ib=6

25、0 a, ic=2.3ma。5 .3704. 05 . 1iibc_ 4004. 006. 05 . 13 . 2iibc 在以后的計算中，一般作近似處理：在以后的計算中，一般作近似處理： = 注意：前提是三極管工作在放大區(qū)。注意：前提是三極管工作在放大區(qū)。(1-42)2.集集-基極反向截止電流基極反向截止電流icbo aicboicbo是集是集電結(jié)反偏電結(jié)反偏時由少子時由少子漂移形成漂移形成的反向電的反向電流，它受流，它受溫度變化溫度變化的影響。的影響。(1-43)3.集集-射極反向截止電流射極反向截止電流iceo（穿透電流）（穿透電流） aiceoiceo= (1+)icbo(1-44)4

26、.集電極最大電流集電極最大電流icm集電極電流集電極電流ic上升會導(dǎo)致三極管的上升會導(dǎo)致三極管的 值的下降，當值的下降，當 值下降到正常值的三分值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為之二時的集電極電流即為icm。所以集電極電流應(yīng)為：所以集電極電流應(yīng)為：ic= ib+iceo而而iceo受溫度影響很大，當溫度上升受溫度影響很大，當溫度上升時，時，iceo增加很快，所以增加很快，所以ic也相應(yīng)增加。也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差三極管的溫度特性較差。以下三個參數(shù)為極限參數(shù)：(1-45)5. .集集- -射極反向擊穿電壓射極反向擊穿電壓當集當集-射極之間的電壓射極之間的電壓uce超過一定的數(shù)超

27、過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是是2525 c c、基極開路時的擊穿電壓基極開路時的擊穿電壓u(br)ceo。6.集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗pcm集電極電流集電極電流ic流過三極管，所發(fā)出的流過三極管，所發(fā)出的焦耳熱為：焦耳熱為：pc=icuce必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以對必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以對pc有限制。有限制。pc pcm(1-46)icuceicuce=pcmicmu(br)ceo安全工作區(qū)安全工作區(qū)(1-47)4. 單極型三極管（場效應(yīng)管單極型三極管（場效應(yīng)管 fet） 場效應(yīng)晶體管（場效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫縮寫fet）簡稱場效應(yīng)管。由一種多數(shù)載流子參與）簡稱場效應(yīng)管。由一種多數(shù)載流子參與導(dǎo)電導(dǎo)電,也稱為也稱為單極型晶體管單極型晶體管。 它是它是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有元件，有3個電極個電極柵極，柵極，漏極漏極，源極，源極，它的，它的特點是柵極的輸入電阻極高，采用二氧化硅材特點是柵極的輸入電阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，料的可以達到幾百兆歐，它屬于電壓控制型它屬于電壓控制型（電場效應(yīng)控制型）半導(dǎo)體器件。（電場效應(yīng)控制型）半導(dǎo)體器件