朱玲艷多晶硅片拋光的技術(shù)研究

1、河南工業(yè)大學(xué)研究生課程論文封面(2012-2013學(xué)年第2學(xué)期)課程論文題目:多晶硅片拋光的技術(shù)研究研究生：朱玲艷提交日期： 2013 年 6 月 20 日 研究生簽名： 學(xué) 號(hào)20129273學(xué) 院材料科學(xué)與工程學(xué)院課程名稱近代材料科學(xué)與技術(shù)進(jìn)展課程性質(zhì)非學(xué)位課程學(xué)生類別全日制學(xué)術(shù)型任課教師鄒文俊教師評(píng)語(yǔ)：成績(jī)?cè)u(píng)定： 任課教師簽名： 年 月 日多晶硅片拋光的技術(shù)研究朱玲艷河南工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，鄭州，450001摘要：介紹了多晶硅片化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的原理和工藝過(guò)程。分析了拋光液的pH值，磨料，分散劑對(duì)拋光效果的影響。并列舉出了一種多晶硅的化學(xué)機(jī)械拋光液。簡(jiǎn)單介紹了拋光過(guò)程中的拋光墊。

2、關(guān)鍵詞：多晶硅 化學(xué)機(jī)械拋光 拋光液 拋光墊 The Technology Research of Polysilicon PolishingZhu Ling-yan（Henan University of Technology,School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou, 450001）Abstract: This paper introduces the principle and process of chemical mechanical polishing technology of polysilicon.The i

3、nfluence of the pH value of polishing solution, abrasive, dispersant on polishing effect is analyzed.It also cites a chemical mechanical polishing solution of polysilicon.And it simply introduces the polishing pad in the polishing process.Keywords: polysilicon chemical mechanical polishing polishing

4、 solution polishing pad引言硅（S i）是最重要的半導(dǎo)體材料，它在自然界中含量豐富，僅次于氧而排第二。單質(zhì)硅有結(jié)晶型和無(wú)定形兩種，結(jié)晶型硅是一種有灰色金屬光澤的晶體，與金剛石有類似的晶格。晶體硅通常分為單晶硅和多晶硅。多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。其熔點(diǎn)1410，沸點(diǎn)2355。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800以上即有延性，1300時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高

5、溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒(méi)有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等1-2。多晶硅根據(jù)純度的不同可以分為冶金級(jí)(金屬硅)、太陽(yáng)能級(jí)、電子級(jí)三種。冶金級(jí)硅(MG)是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成。一般含Si為95%左右,高達(dá)99.8%以上。太

6、陽(yáng)級(jí)硅(SG)的純度介于冶金級(jí)硅與電子級(jí)硅之間,一般認(rèn)為含Si在99.99%99.9999%( 46個(gè)9)。電子級(jí)硅(EG)一般要求含Si在99.9999%以上,超高純達(dá)到99.9999999%99.999999999%( 911個(gè)9)。而專業(yè)劃分太陽(yáng)能級(jí)多晶硅、電子級(jí)多晶硅的標(biāo)準(zhǔn)，則是針對(duì)硼（B）和磷（P）雜質(zhì)的含量而言的。冶金級(jí)多晶硅主要用于制取高純多晶硅，本身沒(méi)有工業(yè)應(yīng)用價(jià)值。太陽(yáng)能級(jí)多晶硅主要用于太陽(yáng)能電池光伏產(chǎn)業(yè)以及太陽(yáng)能伴熱方面，消耗量占整個(gè)多晶硅生產(chǎn)的95%以上。電子級(jí)多晶硅主要用于半導(dǎo)體工業(yè)及電子信息產(chǎn)業(yè), 是制造單晶硅的主要原料, 可做各種晶體管、整流二極管、可控硅、集成電路

7、、電子計(jì)算機(jī)芯片以及紅外探測(cè)器等。可見(jiàn)，多晶硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，電子信息產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能電池光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料3-6。1 多晶硅的拋光原理拋光是指用拋光材料對(duì)金屬、木材、石材、玻璃、陶瓷、塑料等制品表面進(jìn)行整平處理，降低粗糙度，使凹凸的表面變得平滑、精美，增加表層的光澤度。拋光是切削加工、塑性加工和化學(xué)作用的綜合過(guò)程。微細(xì)顆磨粒進(jìn)行的是切削加工，摩擦引起高溫而產(chǎn)生擠擦工件表面層的是塑性加工，拋光劑的介質(zhì)在溫度和壓力作用下與金屬表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)是化學(xué)作用。拋光主要為得到光滑的表面，而非以提高尺寸和幾何精度為目的。拋光既可作為零件的最終工序，也可用于鍍膜前的表面預(yù)處理。作為中間工序，拋光可為油漆、電鍍

8、提供漆膜、鍍層附著能力強(qiáng)的表面，以提高漆膜、鍍層的質(zhì)量。拋光可提高工件抗疲勞和抗腐蝕的性能，經(jīng)拋光的零件表面粗糙度一般可達(dá)到Ra0.4m。在集成電路制造中，互連技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)不斷提高，一層上面又沉積一層，使得在硅片表面形成了不規(guī)則的形貌?，F(xiàn)有技術(shù)中使用的一種平坦化方法就是化學(xué)機(jī)械拋光（簡(jiǎn)稱CMP），它是目前最為普遍的半導(dǎo)體材料表面平整技術(shù)，是將機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，兼收了二者的優(yōu)點(diǎn)，可以獲得比較完美的晶片表面7。硅片CMP一般采用的是堿性二氧化硅拋光液，化學(xué)反應(yīng)方程式為：Si+H2O+2OH-=>SiO32-+2H2,它是利用堿與硅的化學(xué)腐蝕反應(yīng)生成可溶性硅酸鹽，再通過(guò)細(xì)小柔軟、比

9、表面積大、帶有負(fù)電荷的SiO2膠粒的吸附作用及其與拋光墊和片子間的機(jī)械摩擦作用，及時(shí)除去反應(yīng)產(chǎn)物，從而達(dá)到去除硅片表面損傷層與沾污雜質(zhì)的拋光目的，這個(gè)化學(xué)和機(jī)械共同作用的過(guò)程就是硅片CMP拋光的過(guò)程。2 多晶硅的拋光工藝硅片CMP拋光工藝就是使用一種含磨料的混合物和拋光墊去拋光一硅片表面。在典型的化學(xué)機(jī)械拋光方法中，將硅片直接與旋轉(zhuǎn)拋光墊接觸，在硅片背面施加壓力。在拋光期間，硅片和拋光臺(tái)/拋光墊旋轉(zhuǎn)，同時(shí)在硅片背面保持向下的力，將磨料和化學(xué)活性溶液（通常稱為拋光液或拋光漿料）涂于拋光墊片上，該拋光液與正在拋光的薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)開(kāi)始進(jìn)行拋光過(guò)程。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所的劉玉玲工程師曾

10、對(duì)硅片CMP拋光工藝技術(shù)進(jìn)行了研究8。其硅片拋光過(guò)程的示意圖如圖1所示，圖中硅片利用蠟粘貼在陶瓷盤(pán)上，拋光過(guò)程中，將硅片加壓于一旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，同時(shí)加入適當(dāng)?shù)膾伖庖?，以達(dá)到平坦度極佳的鏡面拋光效果。為了確保硅片的拋光加工精度，根據(jù)工藝要求對(duì)硅片進(jìn)行三道拋光工序，分別是粗拋光、細(xì)拋光和精拋光。粗拋工序的目的是去除晶片表面由加工工序殘留下的表面損傷層，并達(dá)到要求的幾何尺寸加工精度，一般拋光加工量約15 µm20 µm；細(xì)拋工序的目的是進(jìn)一步降低晶片表面平整度以及粗糙度，一般拋光加工量約為3 µm6 µm；精拋工序的目的是“去霧”， 確保晶片表面有極高的納米形

11、貌特性，一般拋光加工量約小于1 µm；每道工序的目的不同，進(jìn)而在拋光壓力、拋光液的組份、粒度、濃度及溶液的pH值、拋光墊的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度、拋光溫度及拋光加工量等均有所差別。其實(shí)驗(yàn)設(shè)備和材料是：12P拋光機(jī)；NALCO2398拋光液；Suba 800拋光墊；Suba 500拋光墊；Politex拋光墊；陶瓷盤(pán)；WAX蠟；DI水。3 CMP拋光液 3.1拋光液的pH值拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過(guò)原有的光澤。拋光液的pH值決定了最基本的拋光加工環(huán)境，會(huì)對(duì)表面膜的形成、材料的去除分解及溶解度、拋光液的粘性等方

12、面造成影響。常用的拋光液分為酸性和堿性兩大類。酸性拋光液具有可溶性好、酸性范圍內(nèi)氧化劑較多、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn)，常用于拋光金屬材料，例如銅、鎢、鋁、鈦等。當(dāng)pH<7時(shí)，隨著pH值的增大，由于電化學(xué)反應(yīng)、晶片表面氧化及蝕刻作用減弱，機(jī)械摩擦作用占據(jù)主導(dǎo)地位，導(dǎo)致拋光效率降低，表面刮痕尺寸增大，所以酸性拋光液的pH最優(yōu)值為4，常通過(guò)加入有機(jī)酸來(lái)控制9-11。酸性拋光液的缺點(diǎn)是腐蝕性大，對(duì)拋光設(shè)備要求高，選擇性不高，所以常向拋光液中添加抗蝕劑BTA提高選擇性，但BTA的加入易降低拋光液的穩(wěn)定性12。堿性拋光液具有腐蝕性小、選擇性高等優(yōu)點(diǎn)，通常用于拋光非金屬材料，例如硅、氧化物及光阻材料等。當(dāng)pH

13、>7時(shí)，隨著pH值的增大，表面原子、分子之間的結(jié)合力減弱，容易被機(jī)械去除，拋光效率提高，但表面刮痕尺寸增大；當(dāng)pH>12.5時(shí)，由于晶片表面親水性增強(qiáng)，拋光效率開(kāi)始降低，所以堿性拋光液的pH最優(yōu)值為l0一11.5，常通過(guò)向水溶液中加入Na0H、KOH或NH40H來(lái)控制13。堿性拋光液的致命缺點(diǎn)是不容易找到在弱堿性中氧化勢(shì)高的氧化劑，導(dǎo)致拋光效率偏低。堿性拋光液的氧化劑主要有Fe(N03)3、K3Fe(CN)6、NH40H和一些有機(jī)堿。因此確定適宜的拋光液pH值是硅片加工過(guò)程中重要的工藝參數(shù)之一14。3.2 磨料化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中磨料的作用是借助于機(jī)械力，將晶片表面經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后形成的

14、鈍化膜去除，從而達(dá)到表面平整化的目的。目前常用的磨料有膠體硅、SiO2、Al2O3及CeO2等。磨料的種類決定了磨粒的硬度、尺寸，從而影響拋光效果。磨料的濃度會(huì)影響拋光效果。磨粒的尺寸也會(huì)對(duì)拋光效果產(chǎn)生影響，磨粒尺寸越小，表面損傷層厚度小。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在硅片的精拋過(guò)程中，每次磨削層的厚度僅為磨粒尺寸的四分之一。為了有效地減小表面粗糙度和損傷層厚度，通常采用小尺寸的膠體硅(1520nm)來(lái)代替粗拋時(shí)的膠體硅(5070nm)；同時(shí)通過(guò)加強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)及提高產(chǎn)物的排除速度來(lái)提高拋光效率。3.3 分散劑理想的拋光液在復(fù)雜的化學(xué)環(huán)境及動(dòng)態(tài)的加工條件下，都應(yīng)具有足夠的穩(wěn)定性。但實(shí)際應(yīng)用中，拋光液的磨料容易發(fā)生聚集

15、(硬聚集)，產(chǎn)生了微量的大尺寸磨料顆粒，導(dǎo)致加工表面受力分布不均勻，粗糙度增大，表面缺陷增多，拋光過(guò)程難以控制，同時(shí)也影響了后續(xù)的表面清洗工作15。為了消除硬聚集現(xiàn)象，通常在拋光之前對(duì)拋光液進(jìn)行必要的過(guò)濾。但過(guò)濾并不能完全消除聚集現(xiàn)象，其原因是在實(shí)際拋光過(guò)程中，加工參數(shù)的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致磨料的瞬時(shí)聚集(軟聚集)，從而影響加工表面質(zhì)量。因此，為了消除聚集現(xiàn)象，使磨料懸浮均勻，通常在拋光液(特別是離子濃度大且酸堿度很高的拋光液)中加入適量的分散劑16。分散劑可以使磨料顆粒之間產(chǎn)生排斥力，防止磨料聚集。從而保證拋光液的穩(wěn)定性，減少加工表面缺陷。但隨著分散劑的加入，磨料顆粒與加工表面之間會(huì)發(fā)生交互作用，形成

16、表面活性分子，導(dǎo)致摩擦力減小，拋光效率降低。3.4 一種多晶硅的CMP拋光液2008年安集徽電子（上海）有限公司公開(kāi)了一種多晶硅的CMP拋光液，其含有多元醇型非離子表面活性劑、胍類化合物、研磨顆粒和水。其發(fā)明的拋光液可以在堿性條件下較好地拋光多晶硅。其中，多元醇型非離子表面活性劑可顯著降低多晶硅的去除速率，而不降低二氧化硅的去除速率，從而顯著降低多晶硅與二氧化硅的選擇比；胍類化合物也可調(diào)節(jié)多晶硅與二氧化硅的選擇比，同時(shí)具有調(diào)節(jié)pH的作用，使得本發(fā)明的拋光液無(wú)需添加常規(guī)pH調(diào)節(jié)劑，大大減少了金屬離子污染和環(huán)境污染。上述的多元醇型非離子表面活性劑較佳的為多元醇與脂肪酸經(jīng)酯化反應(yīng)生成的酯類表面活性劑

17、或聚乙二醇表面活性劑。而多元醇型非離子表面活性劑的重量百分比濃度較佳的為0.000120，更佳的為0.00110。酯類表面活性劑較佳的為多元醇脂肪酸酯、聚乙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯多元醇脂肪酸酯。多元醇較佳的為乙二醇、一縮二乙二醇、二縮三乙二醇、丙二醇、甘油、聚甘油、聚氧乙烯甘油、季戊四醇、失水木糖醇、聚氧乙烯失水木糖醇、山梨醇、聚氧乙烯山梨醇、失水山梨醇、聚氧乙烯失水山梨醇、蔗糖或聚乙二醇。聚乙二醇表面活性劑較佳的為分子量為20020000的聚乙二醇（PEG）。而胍類化合物較佳的為胍、碳酸胍、乙酸胍、磷酸氫二胍、鹽酸胍、硝酸胍、硫酸胍、氨基胍、氨基胍碳酸氫鹽、氨基胍磺酸鹽、氨基胍硝酸鹽或氨基胍

18、鹽酸鹽。胍類化合物的重量百分比濃度較佳的為0.0013，更佳的為0.012。胍類化合物在本發(fā)明的拋光液中，具有調(diào)節(jié)多晶硅與二氧化硅的選擇比的作用。在其他成分及其含量均相同的情況下，胍類化合物含量越高，多晶硅與二氧化硅的選擇比會(huì)隨之上調(diào)。但胍類化合物對(duì)選擇比的調(diào)節(jié)作用的程度遠(yuǎn)小于多元醇型非離子表面活性劑對(duì)選擇比的影響，因此可作為一種微調(diào)節(jié)的成分使用。通過(guò)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)即可獲得具有合適多晶硅/二氧化硅選擇比的拋光液。研磨顆粒較佳的為二氧化硅、氧化鋁、摻雜鋁的二氧化硅、覆蓋鋁的二氧化硅、二氧化鈰、二氧化鈦或高分子研磨顆粒。其粒徑較佳的為20150納米，重量百分比較佳的為0.530。本發(fā)明的拋光液的pH值

19、較佳的為812。本發(fā)明的拋光液中還可以含有鹽酸、硫酸和硝酸等酸性pH調(diào)節(jié)劑，粘度調(diào)節(jié)劑或消泡劑等，通過(guò)它們來(lái)控制拋光液的pH和粘度等特性。表1給出了本發(fā)明的多晶硅CMP拋光液16的配方，表2給出了對(duì)比拋光液1和拋光液736（截選的716）的配方及拋光效果數(shù)據(jù)。由表2數(shù)據(jù)可見(jiàn)，本發(fā)明的拋光液736（截選的716）均顯著降低多晶硅的去除速率，而不降低二氧化硅的去除速率，從而降低了多晶硅與二氧化硅的選擇比。表3給出了拋光液3740的配方及拋光效果數(shù)據(jù)。由表3的數(shù)據(jù)可見(jiàn)，在其他成分及其含量均相同的情況下，胍類化合物含量越高，多晶硅與二氧化硅的選擇比會(huì)隨之略微上調(diào)。胍類化合物對(duì)選擇比的調(diào)節(jié)作用的程度遠(yuǎn)小

20、于多元醇型非離子表面活性劑對(duì)選擇比的影響程度。因此，可以通過(guò)多元醇型非離子表面活性劑和胍類化合物的含量來(lái)調(diào)節(jié)拋光液的多晶硅/二氧化硅選擇比。表4給出了對(duì)比拋光液24和拋光液41的組成配方和拋光效果。由表4數(shù)據(jù)可見(jiàn)，拋光液41有較好的拋光效果，且相對(duì)于對(duì)比拋光液24，減少了金屬離子的污染和環(huán)境污染。4 拋光墊拋光墊在整個(gè)拋光過(guò)程中起著重要作用，它除了可以使拋光液有效均勻分布外，還要能夠提供新補(bǔ)充進(jìn)來(lái)的拋光液，并能順利地將反應(yīng)后的拋光液及反應(yīng)產(chǎn)物排出。為了保持拋光過(guò)程的穩(wěn)定性、均勻性和重復(fù)性，拋光墊材料的物理性能、化學(xué)性能及表面形貌都須保持穩(wěn)定的特性。因此，在拋光墊材料的選用上必須考慮以下的參數(shù)：

21、材質(zhì)、密度、厚度、表面形態(tài)、化學(xué)穩(wěn)定性、壓縮性、彈性系數(shù)和硬度等。一般拋光墊有3種不同材質(zhì)結(jié)構(gòu)以對(duì)應(yīng)粗拋光、細(xì)拋光或精拋光的需要17。A）聚氨酯拋光墊，這種拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化的聚氨酯，其表面有許多空球體微孔封閉單元結(jié)構(gòu)。這些微孔能起到收集加工去除物、傳送拋光液以及保證化學(xué)腐蝕等作用，有益于提高拋光均勻性和拋光效率?？壮叽缭酱笃溥\(yùn)輸能力越強(qiáng)，但孔徑過(guò)大時(shí)會(huì)影響拋光墊的密度和剛度。但是對(duì)于此類的拋光墊，拋光液不能滲透到拋光墊的內(nèi)部，只存在于工件和拋光墊的空隙中，影響拋光后的殘?jiān)驋伖飧碑a(chǎn)物的及時(shí)排出，容易阻塞拋光墊表層中的微孔。因此一般在拋光墊表面要做一些溝槽，以利于拋光殘?jiān)呐懦Ｓ捎?/p>

22、這種拋光墊具有耐磨性好、拋光效率高和形變小的特點(diǎn)，粗拋光常選用這種拋光墊。B）無(wú)紡布拋光墊，這類拋光墊的原材料為聚合物棉絮類纖維，此類拋光墊具有滲水性好的特點(diǎn)，拋光液能夠滲透到拋光墊的內(nèi)部，容納拋光液的效果好，常用于細(xì)拋光工藝中。C）帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)防布拋光墊，這種拋光墊以無(wú)紡布為主體，中間一層為聚合物，表面層為多孔的絨毛結(jié)構(gòu)。這類拋光墊具有硬度小、壓縮比大和彈性好等特點(diǎn)，廣泛使用于精拋光工藝中。從圖2(c)中可以看出這類拋光墊由于絨毛較長(zhǎng)，當(dāng)拋光墊受到壓力時(shí)拋光液會(huì)進(jìn)入空洞中，而在壓力釋放時(shí)會(huì)恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)，將舊的拋光液和反應(yīng)物排出，并補(bǔ)充新的拋光液，從而得到好的拋光效果。（a）聚氨酯拋光墊

23、 （b）無(wú)紡布拋光墊 （c）帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)防布拋光墊圖2 拋光墊的SEM照片拋光墊的多孔性和表面粗糙度是影響拋光液傳輸效率的重要參數(shù)，隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng)，拋光布表面會(huì)變得光滑，孔隙將會(huì)被堵塞而減少，拋光速率將下降，此時(shí)必須對(duì)其進(jìn)行修正，使其盡量恢復(fù)原樣。5 總結(jié)多晶硅的拋光主要是化學(xué)機(jī)械拋光。CMP技術(shù)已經(jīng)發(fā)展和應(yīng)用了多年，但還有很多理論和技術(shù)問(wèn)題需要解決，尤其是大直徑硅片的化學(xué)機(jī)械拋光。針對(duì)不同廠家和不同規(guī)格的生產(chǎn)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況，對(duì)系統(tǒng)過(guò)程變量進(jìn)行調(diào)整，使其優(yōu)化與穩(wěn)定，從而建立完善適合自己的拋光工藝，相信在不久的將來(lái)，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)將會(huì)更加成熟與完善。參考文獻(xiàn)1張維,劉暢.我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)

24、現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)簡(jiǎn)述.新材料產(chǎn)業(yè)J.2011,2:51-54.2趙賢俊,朱英敏,帥虎,于克利.多晶硅產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì).化學(xué)工業(yè)J.2007,9(25):19-22.3楊國(guó)鑫,鄭永孝.多晶硅產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)分析.2007,3(16):44-46. 4卜新平.國(guó)內(nèi)外多晶硅行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì).化學(xué)工業(yè)J.2008,7(26):32-41.5關(guān)旭東. 硅集成電路工藝基礎(chǔ)M . 北京: 北京大學(xué)出版社, 2003.6余思明. 半導(dǎo)體硅材料學(xué)M . 長(zhǎng)沙: 中南工業(yè)大學(xué)出版社, 1992.7劉玉嶺,檀柏梅,張楷亮. 超大規(guī)模集成電路襯底材料性能及加工測(cè)試工程M. 北京：冶金工業(yè)出版社,2002.8劉玉嶺

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