QT2晶體管圖示儀操作解釋

1、QT2 晶體管操作解釋1. 集電極電源極性按鈕，極性可按面板指示選擇。2. 集電極峰值電壓保險(xiǎn)絲： 1.5A。3. 峰值電壓%:峰值電壓可在 010V、050V、0100V、0500V之連續(xù)可調(diào)，面 板上的標(biāo)稱值是近似值，參考用。4. 功耗限制電阻:它是串聯(lián)在被測管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測 半導(dǎo)體管集電極的負(fù)載電阻。5. 峰值電壓范圍:分 010V/5A、 050V/1A、 0100V/0.5A、 0500V/0.1A 四擋。 當(dāng)由低擋改換高擋觀察半導(dǎo)體管的特性時(shí)， 須先將峰值電壓調(diào)到零值， 換擋后再按需要的電 壓逐漸增加，否則容易擊穿被測晶體管。AC 擋的設(shè)置專為二極管或其

2、他元件的測試提供雙向掃描，以便能同時(shí)顯示器件正反向 的特性曲線。6. 電容平衡:由于集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容，都將形成電容性電流， 因而在電流取樣電阻上產(chǎn)生電壓降， 造成測量誤差。 為了盡量減小電容性電流， 測試前應(yīng)調(diào) 節(jié)電容平衡，使容性電流減至最小。7. 輔助電容平衡:是針對集電極變壓器次級(jí)繞組對地電容的不對稱，而再次進(jìn)行電容 平衡調(diào)節(jié)。8. 電源開關(guān)及輝度調(diào)節(jié):旋鈕拉出，接通儀器電源，旋轉(zhuǎn)旋鈕可以改變示波管光點(diǎn)亮 度。9. 電源指示:接通電源時(shí)燈亮。10. 聚焦旋鈕:調(diào)節(jié)旋鈕可使光跡最清晰。11. 熒光屏幕:示波管屏幕，外有座標(biāo)刻度片。12. 輔助聚焦:與聚焦旋鈕配合使用。13

3、. Y軸選擇（電流/度）開關(guān)：具有22擋四種偏轉(zhuǎn)作用的開關(guān)?？梢赃M(jìn)行集電極電流、 基極電壓、基極電流和外接的不同轉(zhuǎn)換。14. 電流/度 X0.1倍率指示燈：燈亮?xí)r，儀器進(jìn)入電流/度0.1倍工作狀態(tài)。15. 垂直移位及電流 /度倍率開關(guān)： 調(diào)節(jié)跡線在垂直方向的移位。 旋鈕拉出， 放大器增益 擴(kuò)大 10倍，電流 /度各擋 IC 標(biāo)值0.1，同時(shí)指示燈 14亮.16. Y 軸增益：校正 Y 軸增益。17. X 軸增益：校正 X 軸增益。18. 顯示開關(guān)：分轉(zhuǎn)換、接地、校準(zhǔn)三擋，其作用是：轉(zhuǎn)換：使圖像在I、川象限內(nèi)相互轉(zhuǎn)換，便于由NPN管轉(zhuǎn)測PNP管時(shí)簡化測試操作。 接地：放大器輸入接地，表示輸入為零

4、的基準(zhǔn)點(diǎn)。校準(zhǔn)：按下校準(zhǔn)鍵，光點(diǎn)在X、Y軸方向移動(dòng)的距離剛好為10度，以達(dá)到10度校正目的。19. X 軸移位：調(diào)節(jié)光跡在水平方向的移位。20. X 軸選擇（電壓 /度）開關(guān)：可以進(jìn)行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種 功能的轉(zhuǎn)換，共 17 擋。21. “級(jí)/簇”調(diào)節(jié)：在 010的范圍內(nèi)可連續(xù)調(diào)節(jié)階梯信號(hào)的級(jí)數(shù)。22. 調(diào)零旋鈕 ：測試前，應(yīng)首先調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)零電平的位置。當(dāng)熒光屏上已 觀察到基極階梯信號(hào)后， 按下測試臺(tái)上選擇按鍵 “零電壓 ”，觀察光點(diǎn)停留在熒光屏上的位置， 復(fù)位后調(diào)節(jié)零旋鈕， 使階梯信號(hào)的起始級(jí)光點(diǎn)仍在該處， 這樣階梯信號(hào)的零電位即被準(zhǔn)確校 正。23. 階梯信號(hào)

5、選擇開關(guān)：可以調(diào)節(jié)每級(jí)電流大小注入被測管的基極，作為測試各種特性曲線的基極信號(hào)源，共 22 擋。一般選用基極電流 /級(jí)，當(dāng)測試場效應(yīng)管時(shí)選用基極源電壓/級(jí)。24. 串聯(lián)電阻開關(guān)： 當(dāng)階梯信號(hào)選擇開關(guān)置于電壓 / 級(jí)的位置時(shí)， 串聯(lián)電阻將串聯(lián)在被測 管的輸入電路中。25. 重復(fù)關(guān)按鍵：彈出為重復(fù)，階梯信號(hào)重復(fù)出現(xiàn)；按下為關(guān)，階梯信號(hào)處于待觸 發(fā)狀態(tài)。26. 階梯信號(hào)待觸發(fā)指示燈：重復(fù)按鍵按下時(shí)燈亮，階梯信號(hào)進(jìn)入待觸發(fā)狀態(tài)。27. 單簇按鍵開關(guān)： 單簇的按動(dòng)其作用是使預(yù)先調(diào)整好的電壓（電流） /級(jí)，出現(xiàn)一次階梯信號(hào)后回到等待觸發(fā)位置，因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。28. 極

6、性按鍵：極性的選擇取決于被測管的特性。29. 測試臺(tái)：其結(jié)構(gòu)如圖 A-24 所示。圖 A-24 XJ4810 型半導(dǎo)體管特性圖示儀測試臺(tái)30. 測試選擇按鍵： 左”、右”、二簇”可以在測試時(shí)任選左右兩個(gè)被測管的特性，當(dāng)置于二簇”時(shí)，即通過電子開關(guān)自動(dòng)地交替顯示左右二簇特性曲線，此時(shí)“級(jí)/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置，以利于觀察。二簇特性曲線比較時(shí)，請不要誤按單簇按鍵?！傲汶妷?”鍵：按下此鍵用于調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)在零電平的位置，見（22）項(xiàng)。零電流”鍵：按下此鍵時(shí)被測管的基極處于開路狀態(tài)，即能測量ICEO特性。31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機(jī)附件） ，可測試 F1、 F2 型管座的功率晶體

7、 管。33、 34、 35. 晶體管測試插座。36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端） 。在儀器右側(cè)板上分布有圖 A-25 所示的旋鈕和端子：圖 A-25XJ4810 型半導(dǎo)體管特性圖示儀右側(cè)板37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時(shí)，可改變右簇曲線的位置，更方便于配對晶體管各種 參數(shù)的比較。38. Y 軸信號(hào)輸入： Y 軸選擇開關(guān)置外接時(shí)，Y 軸信號(hào)由此插座輸入。39. X 軸信號(hào)輸入： X 軸選擇開關(guān)置外接時(shí)，X 軸信號(hào)由此插座輸入。40. 校準(zhǔn)信號(hào)輸出端： 1V、 0.5V 校準(zhǔn)信號(hào)由此二孔輸出。7.2 測試前注意事項(xiàng)為保證儀器的合理使用， 既不損壞被測晶體管， 也不損壞儀器內(nèi)部線路， 在使

8、用儀器前 應(yīng)注意下列事項(xiàng)：1. 對被測管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個(gè)大概的了解和估計(jì)，特別要了解被測管的集電極 最大允許耗散功率 PCM、最大允許電流 ICM和擊穿電壓 BVEBO、BVCBO 。2. 選擇好掃描和階梯信號(hào)的極性，以適應(yīng)不同管型和測試項(xiàng)目的需要。3. 根據(jù)所測參數(shù)或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零， 更改掃描電壓范圍時(shí)， 也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。 選擇一定的功耗電阻，測試反向特性時(shí)，功耗電阻要選大一些，同時(shí)將X、Y 偏轉(zhuǎn)開關(guān)置于合適擋位。測試時(shí)掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。4. 對被測管進(jìn)行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，

9、一般宜先小一點(diǎn)， 再根據(jù)需要逐步加大。測試時(shí)不應(yīng)超過被測管的集電極最大允許功耗。5. 在進(jìn)行 ICM 的測試時(shí)，一般采用單簇為宜，以免損壞被測管。6. 在進(jìn)行 IC 或 ICM 的測試中，應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況選擇，不應(yīng)超過本儀器 規(guī)定的最大電流，見表 A-3。電壓范圍N 010 050 0100 0500允許最大電流 /A 5 1 0.5 0.1表 A-3 最大電流對照表7. 進(jìn)行高壓測試時(shí)，應(yīng)特別注意安全，電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢，應(yīng) 及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。7.3 基本操作步驟1. 按下電源開關(guān)，指示燈亮，預(yù)熱 15 分鐘后，即可進(jìn)行測試。2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦，使

10、光點(diǎn)清晰。3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關(guān)置于測試所需位置。4. 對X、Y軸放大器進(jìn)行10度校準(zhǔn)。5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。6. 選擇需要的基極階梯信號(hào)，將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位，調(diào)節(jié)級(jí)/簇旋鈕，使階梯信號(hào)為 10 級(jí)/簇，階梯信號(hào)置重復(fù)位置。7. 插上被測晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。7.4 測試實(shí)例1. 晶體管hFE和B值的測量以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為 VCE =1V、IC=10mA。 將光點(diǎn)移至熒光屏的左下角作座表零點(diǎn)。儀器部件的置位詳見表A-4。表A-4 3DK2晶體管hFE、B測試時(shí)儀器部件的

11、置位 部件置位部件置位峰值電壓范圍 010V Y 軸集電極電流 1 mA /度 集電極極性 + 階梯信號(hào) 重復(fù)功耗電阻250Q階梯極性+X軸集電極電壓 1V/度 階梯選擇20 A逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線， 如圖 A-26 所示.讀出 X 軸集電極 電壓Vce =1V時(shí)最上面一條曲線（每條曲線為 20A,最下面一條IB=0不計(jì)在內(nèi)）IB值和 Y 軸 IC 值，可得hFE = = =42.5即可得到圖 A-27 所示的電流放大若把 X 軸選擇開關(guān)放在基極電流或基極源電壓位置，特性曲線。即3 =圖 A-26 晶體三極管輸出特性曲線 圖 A-27 電流放大特性曲線PNP 型三極管

12、 hFE 和 3的測量方法同上，只需改變掃描電壓極性、階梯信號(hào)極性、并 把光點(diǎn)移至熒光屏右上角即可。2. 晶體管反向電流的測試以 NPN 型 3DK2 晶體管為例， 查手冊得知 3DK2 ICBO 、ICEO 的測試條件為 VCB 、VCE 均為10V。測試時(shí)，儀器部件的置位詳見表A-5。逐漸調(diào)高 “峰值電壓 ”使 X 軸 VCB=10V ，讀出 Y 軸的偏移量， 即為被測值。 被測管的接 線方法如圖1-28，其中圖 A-28 (a)測ICBO值，圖 A-28 ( b)測ICEO值、圖 A-28 (c) 測 IEBO 值。圖 A-28 晶體管反向電流的測試表 A-5 3DK2 晶體管反向電流測

13、試時(shí)儀器部件的置位項(xiàng)目部件位置ICBOICEO峰值電壓范圍 010V 010V極性 X軸集電極電壓 2V/度2V/度Y軸集電極電流 10卩A度 10卩A度倍率 Y軸位移拉出0.1 Y軸位移拉出0.1 功耗限制電阻 5KQ 5K Q測試曲線如圖 A-29 所示。讀數(shù)：ICBO=0.5A ( VCB=10V)ICEO=A (VCE=10V )圖 A-29 反向電流測試曲線PNP 型晶體管的測試方法與 NPN 型晶體管的測試方法相同。可按測試條件，適當(dāng)改變 擋位，并把集電極掃描電壓極性改為 “”，把光點(diǎn)調(diào)到熒光屏的右下角(階梯極性為“+時(shí)”)或右上角(階梯極性為 “”時(shí))即可。3. 晶體管擊穿電壓的

14、測試以 NPN 型 3DK2 晶體管為例，查手冊得知 3DK2 BVCBO 、 BVCEO、 BVEBO 的測試條 件IC分別為100200A和100"。測試時(shí)，儀器部件的置位詳見表A-6。逐步調(diào)高 峰值電壓”被測管按圖 A-30 (a)的接法，Y軸IC=0.1mA時(shí)，X軸的偏移 量為BVCEO值；被測管按圖A-30 (b)的接法，Y軸IC=0.2m A時(shí)，X軸的偏移量為 BVCEO 值；被測管按圖 A-30 (c)的接法，Y軸IC=0.1mA時(shí)，X軸的偏移量為BVEBO值。表 A-6 3DK2 晶體管擊穿電壓測試時(shí)儀器部件的置位 置位 項(xiàng)目部件BVCBOBVCEOBVEBO峰值電壓

15、范圍 0100V 0100V 010V極性 + + +X軸集電極電壓 10V/度10V/度1V/度Y軸集電極電流 20卩A度20卩A度20卩A度功耗限止電阻 1 k A 5 k Q 1 k5 k Q 1 k盤5 k Q測試曲線如圖 A-30 所示。圖 A-30 反向擊穿電壓曲線( NPN )圖 A-31 反向擊穿電壓曲線( PNP)讀數(shù)：BVCBO=70V (IC=100A)BVCEO=60V ( IC=200 A )BVEBO=7.8V (IC=100A )PNP型晶體管的測試方法與 NPN型晶體管的測試方法相似。 其測試曲線如圖1-31所示。4. 穩(wěn)壓二極管的測試以2CW19穩(wěn)壓二極管為例

16、，查手冊得知2CW19穩(wěn)定電壓的測試條件 IR=3mA。測試時(shí)。 儀器部件置位詳見表 A-7。逐漸加大 “峰值電壓 ”，即可在熒光屏上看到被測管的特性曲線，如圖 A-32 所示。表 A-72CW19 穩(wěn)壓二極管測試時(shí)儀器部件的置位部件 置位 部件 置位峰值電壓范圍 AC 010V X軸集電極電壓 5V/度功耗限止電阻 5 k Q Y軸集電極電流 1mA/度讀數(shù)：正向壓降約 0.7V，穩(wěn)定電壓約12.5V。5. 整流二極管反向漏電電流的測試以2DP5C整流二極管為例，查手冊得知2DP5的反向電流應(yīng) 500nA測試時(shí)，儀器各部件的置位詳見表 A-8。逐漸增大 “峰值電壓 ”，在熒光屏上即可顯示被測

17、管反向漏電電流特性， 如圖 A-33 所示。 讀數(shù)：IR=4div X 0.2AX 0倍(率)=80 nA測量結(jié)果表明，被測管性能符合要求。圖 A-32 穩(wěn)壓二極管特性曲線圖 A-33 二極管反向電流測試表 A-8 2DP5C 整流二極管測試時(shí)儀器部件的置位 部件置位部件 置位峰值電壓范圍 010V Y軸集電極電流 0.2卩A度功耗限制電阻 1 k Q倍率Y軸位移拉出0.1X軸集電極電壓 1V/度6. 二簇特性曲線比較測試以 NPN 型 3DG6 晶體管為例，查手冊得知 3DG6 晶體管輸出特性的測試條件為 IC=10 mA、VCE=10V。測試時(shí)，儀器部件的置位詳見表A-9。將被測的兩只晶體管，分別插入測試臺(tái)左、右插座內(nèi)