電氣工程師復(fù)習題

1、電氣工程師復(fù)習題 一、判斷題 1直流電的電壓的方向不變定，但是電壓幅值可以是時間的函數(shù)。（´） 2交流電的幅值是時間的函數(shù)。（´） 3電阻對通過它的電流有阻礙作用，是一種耗能元件。（Ö） 4電阻是表示對通過它的電流阻礙能力大小的度量。（Ö） 5電阻的大小與電阻體的材料、橫截面積和電阻體的長度有關(guān)。（Ö） 6電阻器的阻值與使用環(huán)境溫度無關(guān)。（´） 7金屬材料具有正的電阻溫度系數(shù)。（Ö） 8電容器的耐電壓值與所用絕緣材料的性質(zhì)有關(guān)。（Ö） 9使用中的電容器有串聯(lián)、并聯(lián)和混聯(lián)等連接方式。（Ö） 10恒壓源的內(nèi)阻

2、越小越好，恒流源的內(nèi)阻越大越好。（Ö）（題目不好。恒壓源的內(nèi)阻為零；恒流源的內(nèi)阻為無限大。） 11通過電容器的交流電流相位超前電壓相位90°。（Ö） 12電容器允許直流電流通過，而不允許交流電流通過。（´） 13在電路中，電容器對于直流有充電、放電效應(yīng)。（Ö） 14電容器對通過它的交流電有阻礙作用，是一種耗能元件。（´） 15電容器具有儲存電能的功能。（Ö） 16電容器對通過它的交流電的阻礙能力常用容抗表示。（Ö） 17與電氣元件并聯(lián)的電容器有交流旁路作用。（Ö） 18與電氣元件串聯(lián)的電容器有隔直作用。（

3、Ö） 19電感器具有儲存電能的功能。（Ö） 20電感器有儲存電能的作用，楞次定律不適用于電感器。（´） 21電感器上的電流和電壓可以突變。（´） 22電感器和電容器在電路中有儲存電能的作用。（Ö） 23電感器對通過它的交流電有阻礙作用，屬于耗能元件。（´） 24電感器具有儲存電能的功能，這種磁能存儲能力和電感器的電感量大小有關(guān)。（Ö） 25通過電感器的交流電流相位超前交流電壓相位90°。（´） 26電感器和電容器都是儲能元器件。（Ö） 27電感器或電容器的等效串聯(lián)電阻是它們耗能的主要原因。（&#

4、214;） 28阻抗是個復(fù)數(shù)，由電阻和電抗兩部分組成。（Ö） 29復(fù)數(shù)阻抗含有實部和虛部，實部表示電阻，虛部表示電抗。（Ö） 30復(fù)數(shù)阻抗含有幅值、幅角（相位角）兩個要素。（Ö） 31交流電不可以利用變壓器改變電壓、阻抗和電流。（´） 32直流電橋可以用交流電供電。（´） 33利用RC元件可以構(gòu)成正弦振蕩電路。（Ö） 34有功功率P表征元件消耗能量的特性；無功功率Q表征元件儲存能量的特性。（Ö） 35軟磁性材料、硬磁性材料在使用過程中在磁路中加空氣間隙是為了提高磁性材料在使用過程中的抗磁飽和能力。（´）（題目不結(jié)合

5、實際。） 36軟磁性材料的剩磁很強，而硬磁性材料的剩磁很弱。（´） 37永久磁鐵用軟磁性材料制成。（´） 38磁路磁阻與磁路長度、磁性材料、磁路橫截面積有關(guān)。（Ö） 39半導(dǎo)體PN結(jié)不具有單相導(dǎo)電性。（´）40半導(dǎo)體中載流子是電子。（）41MOSFET場效應(yīng)晶體管的輸入阻抗比雙極性晶體管的輸入阻抗低。（´） 42可控硅的通電流能力不高。（´） 43場效應(yīng)晶體管（FET）是電流驅(qū)動控制元件。（´） 44半導(dǎo)體二極管的管壓降（PN結(jié)電壓）與溫度無關(guān)。（´） 45按照材料，半導(dǎo)體三極管分主要鍺三極管和硅三極管。（

6、4;） 46在P型半導(dǎo)體中，空穴的數(shù)量大大超過自由電子；在N型半導(dǎo)體中，自由電子的數(shù)量大大超過空穴。（Ö） 47雙極型半導(dǎo)體三極管是一種電流控制器件。（Ö） 48共發(fā)射極放大電路具有電壓放大倍數(shù)高、電流放大倍數(shù)高和功率增益大的特點。（Ö） 49通頻帶是諧振電路一項很重要的技術(shù)指標。（Ö） 50場效應(yīng)晶體管(FET)是電流驅(qū)動控制器件，具有所需驅(qū)動功率小的特點。（´） 51場效應(yīng)晶體管（FET）為電壓控制器件，場效應(yīng)晶體管（FET）的輸入阻抗較普通雙極型三極管的輸入阻抗要高很多，并且高頻工作特性也要好許多。（Ö） 52場效應(yīng)晶體管(FE

7、T)是電壓控制器件，具有輸入阻抗高的特點。（Ö） 53雙極型三極管為電壓控制器件，而場效應(yīng)晶體管（FET）為電流控制器件。（´） 54用作放大元件時，運算放大器應(yīng)開環(huán)工作。（Ö） 55運算放大器的閉環(huán)放大倍數(shù)與運算放大器的開環(huán)放大倍數(shù)有關(guān)，與閉環(huán)電路外圍元件的參數(shù)無關(guān)。（） 56構(gòu)成振蕩電路無須加正反饋回路。（´） 57構(gòu)成振蕩電路不需要加正反饋回路。（´） 58電感器和電容器是組成LC諧振電路的重要元件，構(gòu)成振蕩電路必須加正反饋回路。（Ö） 59Q值是LC諧振電路的一項重要技術(shù)指標。（Ö） 60石英晶體振蕩器的Q值比LC諧

8、振電路的Q值高很多。（Ö） 70石英晶體振蕩器的Q值比比諧振電路的Q值高很多，所以石英晶體振蕩器的振蕩頻率穩(wěn)定性要比比諧振電路的振蕩頻率穩(wěn)定性高很多。（Ö） 71Q值是表示儲能元器件（例如電感器或電容器）耗能特性的一個技術(shù)指標，Q值越高，則表示儲能元器件的耗能越小。（Ö） 72按進制劃分數(shù)字信號有2進制、4進制、8進制和16進制等。（Ö？） 73CRC（循環(huán)冗余校驗算法）在數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。（Ö） 74數(shù)字取樣信號頻率的高低和取樣生成的數(shù)據(jù)量大小有關(guān)。（Ö） 75數(shù)字邏輯電路有正邏輯、負邏輯兩種表示方法。正邏輯0態(tài)表示低電

9、平狀態(tài)，1態(tài)表示高電平狀態(tài)。（Ö） 76補碼是表示數(shù)的正、負的專用碼符，位于二進制數(shù)最高位的前面?！?”表示正數(shù)，“1”表示負數(shù)。與十進制+37對應(yīng)的碼為00100101。（Ö） 77奇偶校驗是一種簡單的檢驗數(shù)據(jù)在傳輸過程中有無數(shù)據(jù)位出錯的方法，但是糾錯檢錯能力有限。（Ö） 78CRC校驗（循環(huán)冗余差錯校驗）是檢驗數(shù)據(jù)在傳輸過程中有無數(shù)據(jù)位出錯的常用方法，實用中得到了廣泛的應(yīng)用。（Ö） 79組合邏輯電路的輸出狀態(tài)僅與現(xiàn)輸入狀態(tài)有關(guān)，無記憶功能。（Ö） 80組合邏輯電路無記憶功能，輸出狀態(tài)僅與現(xiàn)輸入狀態(tài)有關(guān)。（Ö） 44時序邏輯電路中不

10、含存儲電路。（´） 81表示觸發(fā)器邏輯功能的主要方法有觸發(fā)器的特性表、觸發(fā)器的電路原理圖、觸發(fā)器的邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖、觸發(fā)器的輸出波形圖、觸發(fā)器的邏輯方程式籌。（Ö） 82觸發(fā)器是脈沖數(shù)字電路的基本電路。（Ö）83利用觸發(fā)器可以組成組合邏輯電路和時序邏輯電路。（´） 84利用基本RS觸發(fā)器，同步RS觸發(fā)器，JK觸發(fā)器，D觸發(fā)器和T觸發(fā)器等可以使組成各種功能的邏輯電路。（Ö） 85D觸發(fā)器可以使其輸出邏輯電平隨輸入邏輯電平的變化而變化。（Ö） 86觸發(fā)器的邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖是表示觸發(fā)器邏輯功能的一種方法。（Ö） 87施密特電路和單穩(wěn)態(tài)

11、電路有波形整形的功能。（Ö） 52變壓器具有變電壓、變電流的作用，不具有變阻抗的作用。（´） 88變壓器具有變電壓、變電流和變阻抗的作用。（Ö） 89變壓器和光電耦合器具有信號隔離功能。（Ö） 90變壓器是利用電磁感應(yīng)原理傳輸電能或信號的器件，具有變電壓、變電流、變阻抗和隔離的作用，可以用于直流電的變換。（´） 91電動機是一種電能-機械能的轉(zhuǎn)換裝置，而發(fā)電機是將其它形式的能量轉(zhuǎn)化為電能的轉(zhuǎn)換裝置。（Ö） 92利用電動機的調(diào)速控制可以實現(xiàn)節(jié)能，電動機常用的調(diào)速方法有：(1)變領(lǐng)法，(2)變壓法，(3)變頻變壓法(VVVF)。（

12、4;）（VVVFVariable Voltage and Variable Frequency的縮寫） 93直流電動機不可以調(diào)速運行。（´） 94交流電橋既可以測直流電阻，也可以側(cè)電感器和電容器的參數(shù)，故稱為萬用電橋，而直流電橋只能測電阻。（Ö） 95壓敏電阻在電路中可以用作過電壓保護器件。（Ö） 96霍爾傳感器可以把電信號變成磁信號輸出。（´）（題目不好。原理可以，但沒有這樣用的） 97霍爾傳感器是一種將磁信號轉(zhuǎn)換為電信號的半導(dǎo)體器件，其物理基礎(chǔ)是磁電效應(yīng)。（Ö） 98A/D變換的精度和A/D變換的位數(shù)有關(guān)。（Ö） 99繼電器控制邏

13、輯電路的控制功能有限，而PLC控制邏輯電路的控制功能比繼電器控制邏輯電路的控制功能要更強和使用更方便。（Ö） 100可編程邏輯控制器PLC在工業(yè)控制領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。（Ö） 101PLC在自動控制技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。（Ö） 102PLC控制器的控制功能比繼電器控制邏輯的控制功能強，實現(xiàn)也更為簡便。（Ö） 103目前單片機、PLC和嵌入式技術(shù)在自動控制中得到了很好的應(yīng)用。（Ö） 104電路的合理接地對提高電路的工作性能，降低干擾具有很重要的作用。（Ö） 105電路的接地可有可無。（´） 106取樣信號頻率的高低和取樣生

14、成的數(shù)據(jù)量太小有關(guān)，取樣信號頻率越高則取樣生成的數(shù)據(jù)量越小。在有噪聲的環(huán)境下，取樣信號的頻率還應(yīng)更低。（´） 107數(shù)字取樣信號頻率的高低和取樣生成的數(shù)據(jù)量大小有關(guān)。（Ö） 108MP3是一種常用的數(shù)字音頻信號壓縮算法。（Ö） 109采用雙絞線或者屏蔽線可以有效地抑制干擾進入傳輸線。（Ö） 110我國專利法中規(guī)定專利有發(fā)明專利、實用新型專利和外觀設(shè)計專利。（Ö） 111中華人民共和國專利法第四十二條規(guī)定，發(fā)明專利權(quán)的期限為二十年，實用新型專利權(quán)和外觀設(shè)計專利權(quán)的期限為十年，均自申請之日起計算。（Ö）1、x 2、x 3、 4、 5、 6

15、、x 7、 8、 9、 10、 11、 12、x 13 14、x 15、 16、 17、 18、 19、 20、x 21、x 22、 23、x 24、 25、x 26 27 28 29 3031 x 32 x 33 34 35 x 36 x 37 x 38 39 x 40 （） 41 x 42 x 43 x 44 x 45 46 47 48 49 50 x 51 52 （x） 53 x 54 55（） 56 x 57 x 58 59 60 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 x 91 92 93 x 94

16、 95 96 97 98 99 100 101 102 103 105 x 106 x 107 108 109 110 111二、單選題 1電阻器是一種線性電子元器件。（說明：這是有問題的題。既然說到功率，應(yīng)該交代是保持電壓不變還是保持電流不變。否則，是無法判斷的。） A電阻器串聯(lián)后會使電阻器的總電阻值變大 B電阻器串聯(lián)后會使電阻器的總功率值變?。ㄈ绻娏鞑蛔兡?？） C電阻器串聯(lián)后的總功率值和每個串聯(lián)電阻器的功率值無關(guān) D電阻值越串聯(lián)越大，但會使電阻器的總功率值變?。ㄈ绻娏鞑蛔兡?？） 2電阻器是一種線性電子元器件，電阻器的電阻滿足線性疊加定律。（說明：同上。） A電阻器并聯(lián)后會使電阻器的總電

17、阻值變小，總功率值加大。 B電阻器并聯(lián)后會使電阻器的總電阻值和總功率值變小。 C電阻器并聯(lián)后的總阻值和總功率和每個并聯(lián)電阻器的電阻值和功率值無關(guān)。 D電阻值越并聯(lián)越大，但電阻器并聯(lián)會使電阻器的總功率值變小。 3通過如圖所示電路中的電流I為（）。 A. (U1-U2)/4 B. (U2-U1)/4 C. 4 (U2-U1) D. 4 (U1-U2) 4如圖所示電路中的電阻Rab為（）。 A. 6W B. 12W C. 24W D. 36W5電容器串聯(lián)會使總電容量變小。 A電容器串聯(lián)會使電容器的總電容量加大 B電容器串聯(lián)會使電容器的總耐電壓值加大 C電容器串聯(lián)會使電容器的總電容量加大，并且電容器的

18、總耐電壓值也會加大 D電容器串聯(lián)的總耐電壓值取決于串聯(lián)電容器耐電壓值中最小那只電容器的耐電壓值 6電容器串聯(lián)會使總電容量變小。 A電容器串聯(lián)會使電容器的總電容量加大，但是電容器的總耐電壓值會減小。 B電容器串聯(lián)會使電容器的總電容量減小，但是電容器的總耐電壓值會加大。 C電容器串聯(lián)會使電容器的總電容量加大，而且電容器的總耐電壓值也會加大。 D電容器串聯(lián)會位電容器的總電容量加大，但是電容器的總耐電壓值取決于串聯(lián)電容器的耐電壓值中最小的那只電容器的耐電壓值。 7電容器并聯(lián)會使總電容量變大。 A電容器并聯(lián)使用會使電容器的總耐電壓值加大 B電容器并聯(lián)使用會使電容器的總電容量加大，但是電容器的總耐電壓值會

19、減小 C電容器并聯(lián)會位電容器的總電容量加大，但是電容器的總耐電壓值取決于并聯(lián)電容器的耐電壓值中最小的那只電容器的耐電壓值。 D電容器并聯(lián)會使電容器的總電容量加大，而且電容器的總耐電壓值也會加大 8電感器越并聯(lián)總電感量減小。 A電感器越并聯(lián)總電感量越小，同時允許通過的總電流也越大 B電感器并聯(lián)總電感量會加大 C電感器越并聯(lián)總電感量加大，同時允許通過的總電流越大 D電感器并聯(lián)允許通過的總電感器的電流的大和每個參與并聯(lián)的電感器無關(guān)9電感器的并聯(lián)會使電感器的總電感量減小。 A電感器并聯(lián)會使電感器的總電感量變大，但是允許通過總電感器的電流大小要視每個電感器的具體情況而定。 B電感器越并電感量越大，同時允

20、許通過的總電流也越大。 C電感器越并電感量越小，同時允許通過的總電流越大。 D電感器并聯(lián)電感量會加大，但是允許通過的最大電流取決于所并電感器中允許通過電流最小的那只電感器的電流。 10電感器的并聯(lián)會使電感器的總電感量減小。 A電感器并聯(lián)會使通過電感器的總電流減小 B電感器并聯(lián)電感量越大 C電感器并聯(lián)個數(shù)越多電感量越小，同時允許通過的總電流越大 D電感器并聯(lián)對總電感量投影響 11對于兩個電感串聯(lián)，下列正確的說法是（）。 A總電感量必定不變 B總電感量必定減小 C總電感量必定增大D總電感量與兩個電感的極性有關(guān) 12電感器具有存儲電能的能力。A電感器對通過的交流電有一種叫感抗的阻礙能力 B電感器的電

21、感量越大存儲電能的能力越小 C含磁芯電感器的電感量與磁芯材料的磁特性有關(guān)，與其匝數(shù)無關(guān) D含磁芯電感器的電感量與匝數(shù)有關(guān)，與磁芯材料的磁特性無關(guān) 13線性電子元器件滿足疊加原理。 A電阻器是線性電子元器件 B電感器不是線性電子元器件（空心電感呢？） C半導(dǎo)體二極管是線性電子元器件 D半導(dǎo)體三極管是線性電子元器件 14已知正弦電流i1=10sin(wt+30°)A、i2=10sin(wt-60°)A，則i1超前i2的相位角為_。 A90° B-90° C30° D60° 15對一個RC交流電路電壓uC與電流i的關(guān)系為_。 A電流i超前電

22、壓uC角度90° B電流i超前電壓uC角度小于90° C電流i滯后電壓uC角度90° D電流i滯后電壓uC角度小于90° 16已知正弦電壓u= u1+ u2，且、u1=5sinwt（V）、u2=5sinwt（V），則u的有效值為_。 A5V B V25 C10V DV2 10 17以下關(guān)于LR電路時間常數(shù)t的正確說法是_。 A(s)RL=tB(s)R L = C(s)2LR=t D(s)2RL=t 18LC振蕩電路的諧振頻率f0可以用下列哪個公式計算？A LC1 BLCp2 CLC DLC p21 19正弦電流通過電容器元件時，下列關(guān)系正確的是_。 AU

23、 Cj&w BCUjw&- Ct U Cjdd&w DCiuw= 20某負載取得的有功功率為10kW，視在功率為20kW（注：應(yīng)為kV×A），則功率因數(shù)為 _。 A0.5 B2 C2.5 D1.0 21正弦電流通過電感元件時，下列關(guān)系正確的是（）。 A. dt diLU=& B. LUjIw&&-= C. Liw D. ULjI &&w= 22以下關(guān)于LC電路時間常數(shù)的正確說法是（）。（應(yīng)該是RC電路?。?A. RL=t (s) B. L R =t (s) C. LR2=t (s) D. RL=t (s) 23磁性材料磁

24、路磁阻的大小和磁性材料的磁飽和點位置有關(guān)。 A磁性材料磁路磁阻和磁性材料的類型、磁路長度無關(guān) B磁性材料磁路磁阻和磁性材料無關(guān)，和磁路長度有關(guān) C磁性材料磁路磁阻和磁路長度無關(guān)，但是和磁性材料有關(guān) D磁性材料磁路磁阻和磁性材料的類型、磁路長度和磁路的形狀有關(guān) 24軟磁性材料的磁特性和它磁滯曲線的矩形系數(shù)有關(guān) A剩磁越強的磁性材料的磁特性越硬 B剩磁越弱的磁性樹料的磁特性越硬 C磁性材料的磁特性軟、硬與她的矩形系數(shù)無關(guān)，只與磁性材料的磁特性有關(guān) D硬磁性材料適合于用作變壓器的鐵芯(磁芯) 25硬磁性材料的磁特性和它磁滯曲線的矩形系數(shù)有關(guān)。 A磁性材料的矩形系數(shù)越大，則磁性材料的磁特性越軟，反之，

25、如果磁性材料的矩形系數(shù)越小，則磁性材料的磁特性越硬。 B磁性材料的磁特性軟、硬與它的矩形系數(shù)無關(guān)，只與磁性材料的磁特性有關(guān)。 C剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越強的磁性材料的磁特性越軟。 D剩磁越強的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越弱的磁性材料的磁特性越軟。 26硬磁性材料的磁特性和它的磁滯曲線的矩形系數(shù)有關(guān)。 A剩磁越強的磁性材料的磁特性越硬 B剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬 C磁性材料的磁特性軟、硬與它磁滯曲線的矩形系數(shù)無關(guān) D磁性材料的磁滯曲線矩形系數(shù)越大，則磁性材料的磁特性越軟 27若某元件的u-i特性曲線如下圖所示，則此元件為（）。 A線性、非時變電阻 B線性、時變電阻

26、 C非線性、非時變電阻 D非線性、時變電阻 28測得晶體三極管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.05mA、2.55mA、2.5mA則該晶體管的b為_。 A100 B51 C50 D60 29半導(dǎo)體二極管的PN結(jié)對通過它的電流會產(chǎn)生正向電壓降。 A硅半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為0.3V，鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為0.7V。 B硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均為0.7V。硅半導(dǎo)體材料二極管的溫度穩(wěn)定性較鍺半導(dǎo)體材料二極管的溫度穩(wěn)定性要好。 C硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均為0.3V。鍺半導(dǎo)體材料二極管的溫度穩(wěn)定性較硅半導(dǎo)體材料二極管的溫度穩(wěn)定性要好。 D硅半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為

27、0.7V，鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為0.3V。 30半導(dǎo)體二極管的PN結(jié)對通過它的電流會產(chǎn)生正向電壓降。 A硅半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為0.3V B硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均為0.7V C硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均為0.3V D鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降為0.3V 31半導(dǎo)體二極管的PN結(jié)有正、反向工作特性。 A半導(dǎo)體二極管PN結(jié)的正向?qū)娮韬艽?B半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管工作在PN結(jié)的正向?qū)▍^(qū) C半導(dǎo)體二極管PN結(jié)正向?qū)妷旱拇笮∨c溫度有關(guān) D半導(dǎo)體二極管PN結(jié)的反向電阻很小 32鍺半導(dǎo)體草料二極管的正向電壓降為0.7V左右。（說明：題干錯誤。） ALED二極

28、管的正向電壓降大約為0.3V左右（LED是發(fā)光二極管Light Emitting Diode的縮寫） B硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均大約為0.3V左右 C硅、鍺半導(dǎo)體材料二極管的正向電壓降均大約為0.7V左右 D半導(dǎo)體二極管的PN結(jié)對通過它的電流會產(chǎn)生電壓降 33半導(dǎo)體三極管有放大工作區(qū)、截止工作區(qū)和飽和工作區(qū)三個工作區(qū)。 A在半導(dǎo)體三極管的飽和區(qū)仍有放大作用 B半導(dǎo)體三極管的放大區(qū)主要用于開關(guān)作用 C半導(dǎo)體三極管的放大區(qū)用于信號放大作用 D半導(dǎo)體三極管的正常工作區(qū)是截止區(qū)和飽和區(qū)（數(shù)字電路呢？） 34半導(dǎo)體三極管的放大工作區(qū)、截止工作區(qū)和飽和工作區(qū)是半導(dǎo)體三極管的三個工作區(qū)。 A在半

29、導(dǎo)體三極管的飽和區(qū)仍有較小的放大作用。 B半導(dǎo)體三極管的正常工作區(qū)是截止區(qū)和飽和區(qū)。（數(shù)字電路呢？） C半導(dǎo)體三極管的放大區(qū)用于信號放大作用。 D半導(dǎo)體三極管的放大區(qū)主要用于開關(guān)作用，而飽和區(qū)和截止區(qū)主要用做信號放大作用。 35如下圖所示電路有R=1kW，輸出電壓為（）。A. 10V B. 3.5V C. 6.5V D. 3V 36雙極型晶體管（BJT）的放大區(qū)用于信號放大作用。（BJT是雙極結(jié)型晶體管Bipolar Junction Transistor的縮寫）A放大工作區(qū)、截止工作區(qū)和飽和工作區(qū)是雙極型晶體管的三個工作區(qū) B雙極型晶體管的正常工作區(qū)是截止區(qū)和飽和區(qū)（數(shù)字電路呢？） C雙極型

30、晶體管的飽和區(qū)仍有信號放大作用 D雙極型晶體管的放大區(qū)主要用于開關(guān)作用，而飽和區(qū)和截止區(qū)主要用做信號放大作用 37場效應(yīng)晶體管（FET）的放大工作區(qū)、截止工作區(qū)和飽和工作區(qū)是場效應(yīng)晶體管的三個工作區(qū)。（說明：題干不妥。場效應(yīng)管特性主要的3個區(qū)域是可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和截止區(qū)。） A在場效應(yīng)晶體管的飽和區(qū)仍有較小的放大作用。 B場效應(yīng)晶體管的正常工作區(qū)是截止區(qū)和飽和區(qū)。（數(shù)字電路呢？） C場效應(yīng)晶體管的放大區(qū)用于信號放大作用。 D場效應(yīng)晶體管的放大區(qū)主要用于開關(guān)作用，而飽和區(qū)和截止區(qū)主要用做信號放大作用。 38下面哪一種表東方法不是邏輯電路輸入輸出的表示方法? A輸入輸出邏輯表達式 B卡諾圖 C矩

31、陣表達式 D輸入與輸出波形圖 39如果10:1理想降壓變壓器次級繞組連接有50W的負載電阻，則這個變壓器初級繞組的等效電阻為_。 A500W B5kW C0.5W D5W 40變壓器不具備以下哪個功能? A對輸入與輸出的交流電進行電壓比變換 B對輸入與輸出的阻抗進行阻抗比變換 C對輸入與輸出的電流進行電流比變換 D對輸入與輸出的電功率實現(xiàn)功率變換 41利用變壓器可以實現(xiàn)變壓器輸入輸出電路的阻抗變換。 A變壓器不能對輸入與輸出的交流電進行電壓比變換 B變壓器可以對輸入與輸出的直流電壓送行電壓比變換 C變壓器可以對輸入與輸出的直流電功率實現(xiàn)功率變換 D變壓器可以對輸入與輸出的交流電實現(xiàn)電壓比變換

32、42變壓器具有變電壓、變電流和可以實現(xiàn)變壓器輸入輸出電路的阻抗變換功能。 A變壓器可以對輸入的直流電功率實現(xiàn)功率變換，但對輸入的交流電功率不能實現(xiàn)功率變換。 B變壓器既可以對輸入的交流電實現(xiàn)變電壓，同時也可以對輸入的直流電壓進行變電壓。 C變壓器可以對輸入的直流電進行變電壓，但是不能對輸入的交流電進行變電壓。 D利用變壓器可以對輸入的交流電流實現(xiàn)電流比變換。43變壓器可以對輸入的交流電流實現(xiàn)變流比的變換。 A變壓器可以實現(xiàn)對變壓器輸入、輸出電路阻抗的變換 B變壓器可以對輸入的交流電功率實現(xiàn)功率變換 C變壓器不能對輸入的交流電進行變電壓變換 D變壓器可以對輸入的直流電流進行變電壓變換 44利用變

33、壓器可以實現(xiàn)變壓器輸入輸出電路的阻抗變換。 A變壓器可以對輸入的直流電功率實現(xiàn)功率變換 B變壓器可以對輸入直流電壓進行變電壓 C變壓器不能對輸入的交流電進行變電壓 D利用變壓器可以對輸入的交流電實現(xiàn)變電壓、變電流、阻抗變換 45交流電動機是用交流電驅(qū)動的電動機，可以實現(xiàn)交流調(diào)速運行。 A直流電動機不可以調(diào)速，而交流電動機可以調(diào)速 B直流、交流電動機都可以調(diào)地并且有多種調(diào)速方法 C交流電動機調(diào)速是利用改變供電電壓的方法，使用不方便（說明：選項不好。隨著可控硅技術(shù)的發(fā)展，變壓調(diào)速很常見。） D交流電動機不可以調(diào)速 46交流電動機可以實現(xiàn)交流調(diào)速運行。 A交流電動機調(diào)速運行不節(jié)能 B交流電動機調(diào)速是

34、利用調(diào)節(jié)供電電壓的方法，使用不方便（說明：同上。） C交、直流電動機都可以調(diào)速運行，并且有多種調(diào)速方法 D直流電動機不可以調(diào)運運行，而交流電動機可以調(diào)速運行 47直流電動機是用直流電驅(qū)動的電動機，可以實現(xiàn)直流調(diào)速運行。 A直流、交流電動機都可以調(diào)速，并且有多種調(diào)速方法 B直流電動機可以調(diào)速，而交流電動機不可以調(diào)速 C交流電動機調(diào)速是利用變頻的方法，使用不方便 D交流電動機不可以由速，而直流電機可以利用改變它的直流供電電壓的方法調(diào)速，實現(xiàn)較為方便 48交流電動機是用交流電驅(qū)動的電動機，可以實現(xiàn)交流調(diào)速運行。 A交、直流電動機都可以調(diào)速，并且有多種調(diào)速方法 B直流電動機不可以調(diào)速，而交流電動機可以

35、調(diào)速 C交流電動機調(diào)速是利用調(diào)壓的方法，使用不方便（說明：同上。） D交流電動機不可以調(diào)速，而直流電機可以利用改變它的直流供電電壓的方法調(diào)速 49霍爾元件是一種將變化的磁信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵龅男盘枡z測器件。 A霍爾元件可以將溫度信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出，得到了廣泛的使用。 B霍爾元件是一種特殊傳感器，主要用于將位移信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵觥＃ㄥe嗎？） C霍爾元件是一種用于電磁檢測的半導(dǎo)體傳感器，可以用來測量位移、加速度等參量，具有使用方便，測量精度高的特點。 D霍爾元件是一種磁信號傳感檢測器件，它有5個信號端子，可以用來測量有關(guān)磁場變化的量，得到了廣泛的使用。 50霍爾傳感器是一種磁®電信號

36、的檢測裝置(器件)。 A霍爾傳感器可以用來測量溫度 B霍爾傳感器不可以將位移信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵?C霍爾傳感器可以用來測量位移、加速度等參量 D霍爾傳感器是一種半導(dǎo)體紅外傳感器51霍爾元件是一種磁信號傳感檢測器件。（說明：不好。前3個選項都不是錯誤的。） A霍爾元件是一種用于磁®電信號檢測的半導(dǎo)體傳感器 B霍爾元件主要用于將位移信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枡z測的半導(dǎo)體傳感器 C霍爾元件是一種用于電®磁檢測的半導(dǎo)體傳感器 D霍爾元件可以將溫度信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵?52紅外傳感器可以把被檢測紅外信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出，是一種信號檢測裝置(器件)。（說明：不好。前兩個選項都不是錯誤的。） A紅

37、外傳感器可以將熱信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出，得到了廣泛的使用。 B紅外傳感器是一種特殊傳感器，主要用于將位移信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵觥?C紅外傳感器是一種利用電磁感應(yīng)原理制成的傳感器，可以用來測量位移、加速度等參量，具有使用方便，測量精度高的特點。 D霍爾元件是一種半導(dǎo)體紅外傳感器，它有5個信號端子，可以用來測量有關(guān)磁場變化的量，得到了廣泛的使用。 53紅外傳感器是一種信號檢測裝置（器件）。（說明：不好。） A紅外傳感器可以將溫度信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出，得到了廣泛應(yīng)用 B紅外傳感器主要用于將位移信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栞敵?C紅外傳感器可以用來測量位移、加速度等參量 D霍爾元件是一種半導(dǎo)體紅外傳感器 54下面哪個

38、器件不是可編程器件？（） A. FPGA B. PLD C. ASIC D. CPLD 55指出下面哪一種不是總線。 A. I2C B. SPI C. Modbus D. 網(wǎng)線 56在現(xiàn)場總線技術(shù)中常采用以下哪種方法來檢測被傳輸數(shù)字信號在傳輸過程中是否出錯? ACRC（循環(huán)冗余差錯校驗) B奇偶校驗 C數(shù)據(jù)位長度校驗 D被傳輸數(shù)字信號周期 1A 2A 3B 4B 5B 6B 7C 8A 9C 10C 11D 12A 13A 14A 15A 16D 17B 18D 19A 20A 21B 22A 23D 24A 25D 26A 27A 28C 29D 30D 31C 32D 33C 34C 35

39、A 36A 37() 38C 39B 40D 41D 42D 43A 44D 45B 46C 47A 48A 49C 50C 51() 52() 53() 54C 55D 56A三、多選題 1電阻器在電路中消耗的是有功功率。 A電阻值越大在電阻中流過的電流越大（說明：應(yīng)該交代保持電壓不變。） CD B電阻器串聯(lián)后總電阻值加大，而總耐電壓值減?。ㄕf明：對電阻器說耐壓值不妥當。下同。） C電阻器串聯(lián)后總電阻值加大，并且總耐電壓值加大 D電阻器在電路中可以把電能轉(zhuǎn)換為熱能而將輸入電能消耗掉 2電阻在電路中消耗的是有功功率。ACD A電感在電路中消耗的是無功功率 B電容在電路中消耗的是有功功率 C電阻

40、在電路中可以把電能轉(zhuǎn)換為熱能而將輸入電能消耗掉 D電阻器串聯(lián)后總電阻值加大，并且總耐電壓值加大 3電阻器串聯(lián)連接，串聯(lián)的電阻器越多，則串聯(lián)電阻器的總耐電壓值越大。 BCD A電阻器串聯(lián)總電阻值減小，所以總耐電壓值就加大。 B在工作頻率一定的情況下，電阻器串聯(lián)的總電阻值加大。 C每只電阻器的耐電壓值與串聯(lián)與否無關(guān)，每只電阻器的耐電壓值只和這個電阻器本身的結(jié)構(gòu)和材料有關(guān)。D電阻器串聯(lián)后總電阻值加大，并且總耐電壓值加大。 4電阻器可以串聯(lián)、并聯(lián)和混聯(lián)使用。 ABD A電阻器串聯(lián)總電阻值加大，所以總耐電壓值就加大 B每只電阻器本身的耐電壓值與和其它電阻器串聯(lián)與否無關(guān) C電阻器并聯(lián)總電阻值加大 D利用電

41、阻器和電容器可以組成RC濾波電路 5一個由電阻器、電容器和電感器組成的電網(wǎng)絡(luò)的阻抗和組成這個電網(wǎng)絡(luò)的電阻器、電容器和電感器元件的參數(shù)有關(guān)。AD A一個由電阻器、電容器和電感器組成的電網(wǎng)絡(luò)的阻抗和組成這個電網(wǎng)絡(luò)的電阻器、電容器和電感器元件的材料性質(zhì)有關(guān)。 B組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電感器元件的電感量越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大。 C組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電容器元件的電容量越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大。 D組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電阻器元件的電阻值越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大。 6電容器有隔直流電流和通過交流電流的能力。 BD A電感器的儲存電磁能量能力和它的電感量成反比 B利用電容器和電感器可以組成LC振蕩電路 C電

42、容器的儲存電荷能力和它的電容量成反比 D電感對通過它的交流電有一種叫感抗的阻礙能力 7阻抗由電阻R和電抗X兩部分組成。AB A電阻R是阻抗的實部，而電抗X是阻抗的虛部 B阻抗Z可以用公式j(luò)jeXRZ22+= 表示，j表示幅角 C一個電網(wǎng)絡(luò)中電容器元件的電容量越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大 D一個電網(wǎng)絡(luò)中電感器元件的電感值越小，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大 8阻抗Z由電阻R和電抗X兩部分組成。 ABC A電阻R是阻抗的實部，電抗X是阻抗的虛部 B阻抗Z可以用公式j(luò)jeXRZ22+= 表示，j表示幅角 C電抗X由容抗和感抗兩部分組成 D電抗X消耗電功率，而電阻R不消耗電功率 9阻抗由電阻和電抗兩部份組成。

43、（說明：這幾道題都不妥當。這道題只有一個正確的選項，不能算多選題。估計命題人想的是感抗大于容抗。）A A電阻是阻抗的實部，而電抗是阻抗的虛部 B組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電感器元件的電感量越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大 C組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電容器元件的電容量越大，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大 D組成一個電網(wǎng)絡(luò)的電阻器元件的電阻值越小，則這個電網(wǎng)絡(luò)的阻抗越大 10正序?qū)ΨQ三相交流電壓)2 cos(p w+=tUumA，則 ABA)6cos(p w- =tUumB B)65cos(p w-=tUumC C)6 5cos(pD)6 4cos(p w+ =tUumC 11對于阻抗Z=4+j4W，則下面正確的表達式為 AC

44、DAo 45e 24jZ= Bo 454Ð=Z C() o o 45sin45cos24jZ+= Do 4524Ð=Z 12共發(fā)射極放大電路的特點是_。 BCD A輸入和輸出信號同相位 B電壓放大倍數(shù)高 C輸入阻抗低，輸出阻抗高 D電流放大倍數(shù)為b倍 13晶體三極管3個電極UB、UC、UE的電位分別為-5.3V、0V、-6V，對應(yīng)的晶體三極管處于下列何種狀態(tài)?（注：沒有交代是NPN管還是PNP管，只好按NPN管考慮AB A 放大 B電流放大倍數(shù)為b倍 C 截止 D飽和導(dǎo)通 14放大電路引入負反饋可以_。ABD A減小電路的放大失真 B展寬工作頻帶 C加大電路的放大倍數(shù)D工作

45、更加穩(wěn)定 15以下關(guān)于理想集成運算放大器的說法正確的是_。CD A利用理想集成運算放大器可以構(gòu)成對數(shù)放大電路 B利用理想集成運算放大器可以構(gòu)成指數(shù)放大電路 C利用理想集成運算放大器可以構(gòu)成加法器電路 D利用理想集成運算放大器可以構(gòu)成減法器電路 16下列哪些是關(guān)于格雷碼的說法？ACD A格雷碼是循環(huán)二進制碼 B格雷碼是一種余3碼 C格雷碼是反射二進制碼 D格雷碼屬于可靠性編碼17三極管3個電極UB、UC、UE的電位分別為下列各組數(shù)值，哪幾組數(shù)據(jù)對應(yīng)的三極管處在放大狀態(tài)? AD A 0.7V，6V，0V B 2.8V， 0V，3V（如為PNP鍺管，接近放大狀態(tài)） C 4.8V，5V，5V D -5

46、.3V，0V，-6V 18工作在放大狀態(tài)的晶體管放大電路如下圖所示，對下圖正確的說法是 AB A該電路的輸出電壓uo與輸入電壓ui的相位相反 B保持UCC和RC取值不變，增大RB的取值可以使靜態(tài)電流IC0減小 C該電路的輸出電壓uo與輸入電壓ui的相位相同 D保持UCC取值不變，增大RC，可以使靜態(tài)電流IC0減小 19在場效應(yīng)晶體管中只有一種載流子參與工作，是利用溝道導(dǎo)電的工作原理，而在半導(dǎo)體三極管中有N型和P型兩種載流子參與工作，是利用PN結(jié)的工作原理。 AD A由于場效應(yīng)晶體管是利用溝道導(dǎo)電的工作原理，所以場效應(yīng)晶體管是單載流子導(dǎo)電工作的器件。 B在半導(dǎo)體三極管和場效應(yīng)晶體管中都利用PN結(jié)

47、的工作原理，所以都有N型和P型兩種載流子參與導(dǎo)電過程。 C場效應(yīng)晶體管也是一種N型、P型載流子參與導(dǎo)電工作的器件。 D由于半導(dǎo)體三極管是利用PN結(jié)工作原理制成的器件，所以是一種兩種載流子參與工作的器件。 20在場效應(yīng)晶體管中只有一種載流子參與工作，是利用溝道導(dǎo)電的工作原理，和半導(dǎo)體三極管的工作原理不同。 ABDA場效應(yīng)晶體管是單載流子導(dǎo)電工作的器件 B在半導(dǎo)體三極管中有N型和P型兩種載流子參與導(dǎo)電過程 C場效應(yīng)晶體管是一種N型、P型載流子參與導(dǎo)電工作的器件 D由于半導(dǎo)體三極管是利用PN結(jié)工作原理制成的器件，所以是一種兩種載流于參與工作的器件 21場效應(yīng)晶體管（FET）是單載流子導(dǎo)電工作的器件。

48、 ABD A雙極型晶體管（BJT）是兩種載流子參與工作的器件 BIGBT是一種MOSFET和雙極型晶體管的復(fù)合器件 C在場效應(yīng)晶體管中電子和空穴兩種載流子都參與了工作 D雙極型晶體管（BJT）是利用PN結(jié)工作原理制成的器件 22振蕩電路是一種波形產(chǎn)生電路。 ABDA利用R、C元件和放大器電路可以構(gòu)成正弦波振蕩電路 B利用L、C元件和放大器電路可以構(gòu)成正弦波振蕩電路 C利用門電路不可以構(gòu)成脈沖波產(chǎn)生電路 D利用555定時器可以構(gòu)成脈沖波產(chǎn)生電路 23以下與振蕩電路品質(zhì)因數(shù)Q有關(guān)的正確說法是 ACA品質(zhì)因數(shù)Q值越高，則振蕩電路的3分貝帶寬(Bw3dB)值越?。ㄕf明：Q f0 dB3BW= ） B品

49、質(zhì)因數(shù)Q值越高，則振蕩電路的3分貝帶寬(Bw3dB)值越大 C品質(zhì)因數(shù)Q值越高，則振蕩電路的振蕩頻率越穩(wěn)定 D品質(zhì)因數(shù)Q值越高，則振蕩電路的振蕩頻率越不穩(wěn)定 24常用的觸發(fā)器按邏輯功能劃分主要有_。（有允許全選的題嗎？）全對 AD觸發(fā)器 BRS觸發(fā)器 CJK觸發(fā)器 DT觸發(fā)器 25用觸發(fā)器可以構(gòu)成各種計數(shù)器。ABCA計數(shù)器可以用于定時 B計數(shù)器可以用于分頻 C異步計數(shù)器不易出現(xiàn)邏輯錯誤 D同步計數(shù)器的計數(shù)速度比異步計數(shù)器的計數(shù)速度漫 26單穩(wěn)態(tài)脈沖電路也可以用于脈沖整形。（說明：題目有問題。哪有四個選項都對的？） A施密特電路可以用于脈沖整形 B脈沖整形電路是用于將輸入信號的波形加以整形，使輸

50、出信號波形更加規(guī)范的電路 C單穩(wěn)態(tài)電路和施密特電路都可以用于脈沖整形 D雙穩(wěn)態(tài)電路可以用于脈沖整形 27施密特電路是一種脈沖整形電路。 AB A脈沖整形電路是用于將輸入信號的波形加以整形，使輸出信號波形更加規(guī)范的電路。B單穩(wěn)態(tài)脈沖電路也可以用于脈沖整形。 C施密特電路可以用于脈沖整形，而單穩(wěn)態(tài)脈沖電路則不可以用于脈沖整形。 D單穩(wěn)態(tài)脈沖電路可以用于脈沖整形，而施密特電路不可以用于脈沖整形。 28以下關(guān)于脈沖整形電路的正確說法是 BCA單穩(wěn)態(tài)脈沖電路不可以用于脈沖整形 B單穩(wěn)態(tài)脈沖電路可以用于脈沖整形 C施密特電路可以用于脈沖整形 D施密特電路不可以用于脈沖整形 29脈沖整形電路用于將輸入脈沖信

51、號的波形加以整形。 AD A單穩(wěn)態(tài)脈沖電路可以用于脈沖整形 B單穩(wěn)態(tài)脈沖電路不可以用于脈沖整形 C施密特電路不可以用于脈沖整形 D施密特電路可以用于脈沖整形 30脈沖整形電路用于將輸入信號的波形加以整形。 BDA單穩(wěn)態(tài)脈沖電路可以用于脈沖整形，而施密特電路不可以用于脈沖整形 B施密特電路是一種脈沖整形電路 C施密特電路可以用于脈沖整形，而單穩(wěn)態(tài)脈沖電路則不可以用于脈沖整形 D單穩(wěn)態(tài)脈沖電路也可以用于脈沖整形 31變壓器的變壓比(匝數(shù)比)n決定變壓器的阻抗變換比。 ABA調(diào)節(jié)變壓器的匝數(shù)比，可以調(diào)節(jié)變壓器的變電壓比 B變壓器的變壓比n越大則變壓器兩側(cè)的阻抗值差別越大 C調(diào)節(jié)變壓器的匝數(shù)比，可以調(diào)

52、節(jié)變壓器輸入與輸出信號的頻率比 D調(diào)節(jié)變壓器的匝數(shù)比，可以調(diào)節(jié)變壓器輸入與輸出信號的功率比 32變壓器的變壓比（匝數(shù)比）n決定變壓器的阻抗變換比。 ACA變壓器的變壓比n越大則變壓器兩側(cè)的阻抗值差別越大，變壓器匝數(shù)越多的一側(cè)，相應(yīng)的阻抗值越大。B利用變壓器還可以實現(xiàn)功率變換的作用。 C改變變壓器的匝數(shù)比，可以改變變壓器兩側(cè)的阻抗比。 D變壓器有改變輸入信號工作頻率的作用。 33變壓器的匝數(shù)比n，可以改變變壓器兩側(cè)的阻抗比 AC A改變變壓器的匝數(shù)比n，可以改變變壓器的輸入/輸出的阻抗比 B變壓器可以實現(xiàn)功率變換的作用 C改變變壓器的匝數(shù)比n，可以改變變壓器的輸入/輸出的電流比 D變壓器有改變輸

53、入信號頻率的作用 34PGA是一種可編程器件。 ACD APSOC是一種可編程器件（說明：是片上可編程系統(tǒng)，大概也算吧?。?BASIC也可以編程使用（說明：ASIC是集成電路Application Specific Integrated Circuit的縮寫） CPLD是一種可編程器件 DCPLD是一種可編程器件 35電機調(diào)速運行可以節(jié)能，電機調(diào)速的主要應(yīng)用場合有_。ABD A變風量送風系統(tǒng) B變水量給水系統(tǒng) C恒定負載驅(qū)動系統(tǒng) D電梯節(jié)能系統(tǒng) 36以下與電機調(diào)速運行有關(guān)的正確說法是 ACDA直流電機可以調(diào)速運行 B電機調(diào)速運行不節(jié)能 C交流電機可以調(diào)速運行 D交流電機可以變壓變頻(VVVF)調(diào)速運行 37交流電橋的測量精度和組成交流電橋臂的元件精度有關(guān)。 BCA交流電橋檢流計的精度對交流電橋的測量精度影響不大 B交流電橋電橋臂元件的精度越高，則測量精度越高 C提高交流電橋檢流計的精度有助于提高交流電橋的測量精度 D交流電橋的