第1章_電路和電路元件

1、江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)一一. .學(xué)習(xí)電工電子技術(shù)的目的學(xué)習(xí)電工電子技術(shù)的目的 1.1.科技發(fā)展的需要科技發(fā)展的需要 以電工電子技術(shù)為支撐的五個(gè)系統(tǒng)以電工電子技術(shù)為支撐的五個(gè)系統(tǒng)1) 通信系統(tǒng)通信系統(tǒng) 2) 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3) 控制系統(tǒng)控制系統(tǒng) 4) 電力系統(tǒng)電力系統(tǒng)5) 信號(hào)處理系統(tǒng)信號(hào)處理系統(tǒng)2. 人才市場(chǎng)的需求，系統(tǒng)型、跨專業(yè)復(fù)合人才市場(chǎng)的需求，系統(tǒng)型、跨專業(yè)復(fù)合型人才需求擴(kuò)大。型人才需求擴(kuò)大。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)1.1.大學(xué)學(xué)習(xí)的三個(gè)階段：大學(xué)學(xué)習(xí)的三個(gè)階段：基礎(chǔ)教學(xué)、基礎(chǔ)教學(xué)、專業(yè)基礎(chǔ)教學(xué)專業(yè)基礎(chǔ)教學(xué)、 專業(yè)教學(xué)專業(yè)教學(xué) 學(xué)習(xí)

2、方法上：學(xué)習(xí)方法上：應(yīng)試學(xué)習(xí)到主動(dòng)學(xué)習(xí)，到自主學(xué)習(xí)，應(yīng)試學(xué)習(xí)到主動(dòng)學(xué)習(xí)，到自主學(xué)習(xí)， 到研究性學(xué)習(xí)與創(chuàng)新到研究性學(xué)習(xí)與創(chuàng)新2.學(xué)習(xí)能力和思考能力學(xué)習(xí)能力和思考能力3.3.電工電子技術(shù)：電工電子技術(shù)：具有綜述的特點(diǎn)，范圍廣；實(shí)踐性具有綜述的特點(diǎn)，范圍廣；實(shí)踐性 強(qiáng)，具有一定的工程性；學(xué)時(shí)緊張，強(qiáng)，具有一定的工程性；學(xué)時(shí)緊張， 要求及時(shí)做作業(yè)練習(xí)和復(fù)習(xí)。要求及時(shí)做作業(yè)練習(xí)和復(fù)習(xí)。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)電工電子技術(shù)電工電子技術(shù)電工技術(shù)電工技術(shù)電子技術(shù)電子技術(shù)電路分析基礎(chǔ)電路分析基礎(chǔ)電機(jī)及其控制電機(jī)及其控制模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)微型計(jì)算機(jī)原理及應(yīng)用微型計(jì)算機(jī)原理及應(yīng)

3、用單片機(jī)原理與應(yīng)用單片機(jī)原理與應(yīng)用EDA電信專業(yè)電信專業(yè)后續(xù)課程后續(xù)課程江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)發(fā)電機(jī)發(fā)電機(jī)升壓變壓器升壓變壓器降壓變壓器降壓變壓器負(fù)載（如負(fù)載（如電燈、電電燈、電動(dòng)機(jī)等）動(dòng)機(jī)等）話筒話筒放大器放大器揚(yáng)聲器揚(yáng)聲器江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)電流電流電荷量對(duì)時(shí)間的變化率：電荷量對(duì)時(shí)間的變化率：dqidt直流電流直流電

4、流電流的大小和方向不隨時(shí)間變化。電流的大小和方向不隨時(shí)間變化。電流的實(shí)際方向電流的實(shí)際方向正電荷移動(dòng)的方向。正電荷移動(dòng)的方向。電流的參考方向電流的參考方向假定方向，也稱正方向。假定方向，也稱正方向。交流電流交流電流電流的大小和方向隨時(shí)間變化。電流的大小和方向隨時(shí)間變化。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)R2 USI2 U6IS R1 I1 R4 I4 R3 I3 I5 復(fù)雜電路復(fù)雜電路a+UUabIbE+江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)dwudq江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)acUacU3Vabc5V結(jié)論結(jié)論電路中電位參考點(diǎn)可任意選擇；電路中電位參考點(diǎn)可任意選擇；參考點(diǎn)參考點(diǎn)一經(jīng)一經(jīng)選定選定，

5、電路中，電路中各點(diǎn)的各點(diǎn)的電位值電位值就是就是唯一唯一的；當(dāng)選擇不同的電位參考點(diǎn)時(shí)，的；當(dāng)選擇不同的電位參考點(diǎn)時(shí)，電路中各點(diǎn)電位值將改變，但電路中各點(diǎn)電位值將改變，但任意兩點(diǎn)間電壓保持不變?nèi)我鈨牲c(diǎn)間電壓保持不變。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)puiiNu 0pui0pui 21ttuidtW江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)例例564123I2I3I1+-U6U5U4U3U2U1求圖示電路中各方框求圖示電路中各方框所代表的元件消耗或所代表的元件消耗或產(chǎn)生的功率。已知：產(chǎn)生的功率。已知： U1=1V, U2= -3V,U3=8V, U4= -4V,U5=7V, U6= -3V I1=2A, I2

6、=1A, I3= -1A 解解（發(fā)出）（發(fā)出）WIUP221111 （發(fā)出）（發(fā)出）WIUP62)3(122 （消耗）（消耗）WIUP1628133 （消消耗耗）WIUP3)1()3(366 （發(fā)出）（發(fā)出）WIUP7)1(7355 （發(fā)發(fā)出出）WIUP41)4(244 注注對(duì)一完整的電路，發(fā)出的功率消耗的功率對(duì)一完整的電路，發(fā)出的功率消耗的功率江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)i i =1Au u =5Vi i = 1Au u = 5V 若：若：i i 0，則：參考方向，則：參考方向與實(shí)際方向相同；與實(shí)際方向相同；i i 0，d i/d t0，則，則u0， ，

7、p0, 電感吸收功率。電感吸收功率。 當(dāng)電流減小，當(dāng)電流減小，i0，d i/d t0，則，則u0， ，p0，d u/d t0，則，則i0，q ， p0, 電容吸收功率。電容吸收功率。 當(dāng)電容放電，當(dāng)電容放電，u0，d u/d t0，則，則i0，q ，p-6V-6V時(shí)時(shí)D D導(dǎo)通導(dǎo)通,u,uo o=u=ui i當(dāng)當(dāng)u ui i-6V-6V時(shí)時(shí)D D截止截止,u,uo o=-6V=-6V當(dāng)當(dāng)u ui i6V6V時(shí)時(shí)D D導(dǎo)通導(dǎo)通,u,uo o=u=ui i當(dāng)當(dāng)u ui i6V6V時(shí)時(shí)D D截止截止,u,uo o=6V=6V當(dāng)當(dāng)u ui i6VUZ時(shí)有一定的時(shí)有一定的 IZ 。穩(wěn)壓二極管工作在反向擊

8、穿狀態(tài)。穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)。 +UIIZ+URUZUOILIDZRRL江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)1. 基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)基本結(jié)構(gòu)和符號(hào) NPN型型PNNCEB集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)集電區(qū)集電區(qū)BECPNP型型BECPNCEB集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)集電區(qū)集電區(qū)P三個(gè)電極：發(fā)射極三個(gè)電極：發(fā)射極E、基極、基極B、集電極、集電極C 三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高（多數(shù)載流子最多）雜質(zhì)濃度高（多數(shù)載流子最多） 集電區(qū)集電區(qū)雜質(zhì)濃度高雜質(zhì)濃度高,

9、 ,比發(fā)射區(qū)稍低比發(fā)射區(qū)稍低 基基 區(qū)區(qū)雜質(zhì)濃度相對(duì)很低雜質(zhì)濃度相對(duì)很低江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)99 在一塊半導(dǎo)體晶片上制成兩個(gè)相距很近的在一塊半導(dǎo)體晶片上制成兩個(gè)相距很近的PNPN結(jié)，再引結(jié)，再引出三根電極，然后用金屬管殼封裝，就構(gòu)成雙極晶體管出三根電極，然后用金屬管殼封裝，就構(gòu)成雙極晶體管（三極管、晶體管、簡(jiǎn)稱（三極管、晶體管、簡(jiǎn)稱BJTBJT）。）。N型硅型硅P型型N型型二氧化硅保護(hù)膜CBEN型鍺銦球銦球P型P型CEBNPN平面型結(jié)構(gòu)平面型結(jié)構(gòu)PNP合金型結(jié)構(gòu)合金型結(jié)構(gòu)由于工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，由于工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，因此，還被稱為因此，

10、還被稱為雙極型晶體管雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱BJT）。）。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)以以 NPN 型三極管為例討論型三極管為例討論三極管中的兩個(gè)三極管中的兩個(gè) PN 結(jié)結(jié)cNNPebbec表面看表面看三極管若實(shí)三極管若實(shí)現(xiàn)放大，必須從現(xiàn)放大，必須從三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)和和外部所加電源外部所加電源的極性的極性來保證。來保證。不具備不具備放大作用放大作用2. 三極管的電流放大原理三極管的電流放大原理（1 1）放大條件）放大條件江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)晶體管實(shí)現(xiàn)電流晶體管實(shí)現(xiàn)電流放大作用的放大作用的發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，以便有

11、足夠的載流子供“發(fā)射”。為減少載流子在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，基區(qū)做得很薄，一般為幾個(gè)微米，且摻雜濃度極低。集電區(qū)體積較大，且為了順利收集邊緣載流子，摻雜濃度界于發(fā)射極和基極之間。 可見，雙極型三極管并非是兩個(gè)PN 結(jié)的簡(jiǎn)單組合，而是利用一定的摻雜工藝制作而成。因此，絕不能用兩個(gè)二極管來代替，使用時(shí)也決不允許把發(fā)射極和集電極接反。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)ECRCIC UCECEBUBE共發(fā)射極接法放大電路共發(fā)射極接法放大電路三極管具有電流控制作用的三極管具有電流控制作用的外部條件外部條件 發(fā)射結(jié)正向偏置；發(fā)射結(jié)正向偏置；集電結(jié)反向偏置。集電結(jié)反向偏置。以以NPN型三極管為例型三極管為例應(yīng)滿足應(yīng)

12、滿足: UBE 0UBC VB VE輸出輸出回路回路輸入輸入回路回路公公共共端端EBRBIB PNP型晶體管應(yīng)滿足型晶體管應(yīng)滿足 VCVB 1 。所以有所以有 IC IB江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。共射共射直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)：BCII_工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)?；鶚O電流的變化量為的交流信號(hào)。基極電流的變化量為 IB，相應(yīng)的集電相應(yīng)

13、的集電極電流變化為極電流變化為 IC，則則交流電流放大倍數(shù)交流電流放大倍數(shù)為：為：BIIC電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)和和 _有有 IC IB同樣有同樣有: IC IB所以說三極管具有電流控制作用所以說三極管具有電流控制作用,也稱之為電流放大作用。也稱之為電流放大作用。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)一組三極管電流關(guān)系典型數(shù)據(jù)一組三極管電流關(guān)系典型數(shù)據(jù)IB/mA 0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.961. 任何一列電

14、流關(guān)系符合任何一列電流關(guān)系符合 IE = IB + IC，IB IC基區(qū)：減少基區(qū)向發(fā)射區(qū)發(fā)射基區(qū)：減少基區(qū)向發(fā)射區(qū)發(fā)射的多子，提高發(fā)射效率。的多子，提高發(fā)射效率。q 基區(qū)的作用：基區(qū)的作用：將發(fā)射到基區(qū)的多子，自發(fā)射結(jié)將發(fā)射到基區(qū)的多子，自發(fā)射結(jié)傳輸?shù)郊娊Y(jié)邊界。傳輸?shù)郊娊Y(jié)邊界。 基區(qū)很薄基區(qū)很?。嚎桑嚎蓽p少多子傳輸過程中在基區(qū)的復(fù)合減少多子傳輸過程中在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，保證絕大部分載流子擴(kuò)散到機(jī)會(huì)，保證絕大部分載流子擴(kuò)散到集電結(jié)邊界集電結(jié)邊界。q 集電結(jié)反偏、且集電結(jié)面積大：集電結(jié)反偏、且集電結(jié)面積大：保證擴(kuò)散到集電保證擴(kuò)散到集電結(jié)邊界的載流子全部漂移到集電區(qū)，形成受控的集結(jié)邊界的載流子全

15、部漂移到集電區(qū)，形成受控的集電極電流。電極電流。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)輸入特性曲線：輸入特性曲線： 與二極管正向與二極管正向特性曲線類似。特性曲線類似。輸出特性曲線：輸出特性曲線：iB=f (uBE)|UCE=常數(shù)常數(shù)iC=f (uCE)|iB=常數(shù)常數(shù)BEC+uBE+uCEiCiB80400.40.8UCE1VuBE/VOiB/A2uCE/VOiC/mA4682468100AIB=0飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)放大區(qū)放大區(qū)80A60A40A20A江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)特點(diǎn)：特點(diǎn)：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)均反向偏集電結(jié)、發(fā)射結(jié)均反向偏置，置，無放大作用，無放大作用，IC=ICEO0 ，集

16、電極與發(fā)射極相當(dāng)于斷開的開集電極與發(fā)射極相當(dāng)于斷開的開關(guān)關(guān)用于開關(guān)電路。用于開關(guān)電路。 飽和區(qū)：飽和區(qū)：UCEIC，UCE 0.3V (3) 截止區(qū)：截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓，死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO 0 三極管具有兩種作用：三極管具有兩種作用：（1）三極管工作在放大區(qū)，以實(shí)現(xiàn)放大作用。用于）三極管工作在放大區(qū)，以實(shí)現(xiàn)放大作用。用于放大電路放大電路（2）三極管工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)的斷開或）三極管工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)的斷開或接通。用于接通。用于開關(guān)電路開關(guān)電路！江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)114 例題例題1.5.11.5.1 共發(fā)射極電路如圖

17、，設(shè)共發(fā)射極電路如圖，設(shè)U UCCCC=6V=6V，I IB B=20A=20A時(shí)晶體管時(shí)晶體管i iC Cu uCECE曲線如圖，求（曲線如圖，求（1 1）工作點(diǎn)）工作點(diǎn)為為Q Q1 1時(shí)時(shí)R RC C值；（值；（2 2）工作點(diǎn)為）工作點(diǎn)為Q Q2 2時(shí)時(shí)R RC C值。值。I IC C解解: :u uCECE/V/VI IB BI IE ER RC CR RB BU UCCCCU UBBBB+ +- -+ +- - - -+ + +U UBEBEU UCECEi iC C/mA/mAQ Q1 1Q Q2 20.30.32.02.01.01.03.03.00.520.521.01.0I IB

18、 B=20A=20A0 0（1 1）在）在Q Q1 1點(diǎn)時(shí)，晶體管處于放大區(qū)，由圖得點(diǎn)時(shí)，晶體管處于放大區(qū)，由圖得（2 2）在）在Q Q2 2點(diǎn)時(shí)，晶體管處于飽和狀態(tài)，由圖得點(diǎn)時(shí)，晶體管處于飽和狀態(tài)，由圖得1CImA2CEUVCCCCCEUR IU6241CCCECCUURkI0.52CImA0.3CEUV60.3110.52CCCECCUURkI根據(jù)閉合電路歐姆定律得根據(jù)閉合電路歐姆定律得故故所以所以江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)例：例： =50=50， U USCSC =12V=12V， R RB B =70k=70k ， R RC C =6k=6k 當(dāng)當(dāng)U USBSB = = -2V-

19、2V，2V2V，5V5V時(shí)，時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q Q位位于哪個(gè)區(qū)？于哪個(gè)區(qū)？當(dāng)當(dāng)USB =-2V時(shí)：時(shí)：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0 ， IC=0Q位于截止區(qū)位于截止區(qū) 江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)例：例： =50=50， U USCSC =12V=12V， R RB B =70k=70k ， R RC C =6k=6k 當(dāng)當(dāng)U USBSB = -2V= -2V，2V2V，5V5V時(shí)，時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q Q位位于哪個(gè)區(qū)？于哪個(gè)區(qū)？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB =2V時(shí)：時(shí)：9mA01070702

20、.RUUIBBESBB0.95mA9mA01050.IIBCUsc=Uce+Ic*RcUce=6.3VQ處于放大區(qū)處于放大區(qū)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)USB =5V時(shí)時(shí):例：例： =50=50， U USCSC =12V=12V， R RB B =70k=70k ， R RC C =6k=6k 當(dāng)當(dāng)U USBSB = -2V= -2V，2V2V，5V5V時(shí)，時(shí)，問：晶體管工作于哪個(gè)區(qū)？問：晶體管工作于哪個(gè)區(qū)？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ 位于飽和區(qū)，此時(shí)位于飽和區(qū)，此時(shí)IC 和和IB 已不是已不是 倍的關(guān)系。倍的關(guān)系。mA061070705.RUUIBBESBB5mA

21、0 .3mA061.050BImA2612maxCSCCRUIUsc=Uce+Ic*RcUce=-6.3V假設(shè)右式成立：假設(shè)右式成立：江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)1. 受控源概念受控源概念受控源受控源非獨(dú)立電源非獨(dú)立電源輸出電壓或電流受電路中另一電壓或電流的控制。輸出電壓或電流受電路中另一電壓或電流的控制。電壓控制電壓源（電壓控制電壓源（VCVS）電壓控制電流源（電壓控制電流源（VCCS） 電流控制電壓源（電流控制電壓源（CCVS）電流控制電流源（電流控制電流源（CCCS）四種類型：四種類型：江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)VCVSVCCSCCVSCCCS江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)晶

22、體管工作在放大區(qū)，即晶體管工作在放大區(qū)，即: B-E之間，工作在輸入特性之間，工作在輸入特性的近似線性區(qū)，用電阻的近似線性區(qū)，用電阻rbe模擬。模擬。 26(1)BEbebBEUrrII用電流控制電流源模型用電流控制電流源模型 。rb=200 IE單位單位mA。C-E之間，之間，IC=IB。IC與與UCE基本無關(guān)?；緹o關(guān)。江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)江漢大學(xué)121 例題例題1.5.21.5.2 圖示晶體管基極電流圖示晶體管基極電流I IB B=0.02mA=0.02mA，電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)=80=80。如果集電極電流變化量為。如果集電極電流變化量為IIC C=0.3mA=0.3mA，問基極和發(fā)射極之間應(yīng)加入的電壓，問基極和發(fā)射極之間應(yīng)加入的電壓變化量變化量UUBEBE為多少？為多少？+ + +- - -UUBEBE小信號(hào)模型小信號(hào)模型UUCECEIIB BIIC CB BC CE EUUBEBEUUCECEIIB BIIC CIIB B- - -+ + +B BC CE Er rbebe解：解：晶體管的輸入電阻為晶體管的輸入電阻為2626(1)200 (80 1)1500(80 1) 0.02bebErrI故故30.33.75 1080CBIImAmA3(15003.75 10 )5.625BEbeBUrIVmV其中其中()(1)EBC