微電子制造工藝技術(shù)試卷

1、2015-2016第二學(xué)期微電子制造工藝技術(shù)考查卷班級(jí)_姓名_學(xué)號(hào)_成績(jī)_一、 名詞解釋?zhuān)ü?5分）：1 請(qǐng)闡述摩爾定律的內(nèi)容。(4分）2 請(qǐng)對(duì)如下英文縮寫(xiě)給出簡(jiǎn)要解釋?zhuān)海靠?分） ic: ssi: msi: lsi: vlsi: ulsi: gsi: 二、 簡(jiǎn)答題（每題5分，共25 分）： 1、半導(dǎo)體工業(yè)由那幾部分構(gòu)成？ 2、物質(zhì)的狀態(tài)分為幾種？分別是什么？ 3、晶體缺陷主要有幾種？ 4、請(qǐng)描述熱處理的工藝過(guò)程? 5、光刻的目的是什么?三、 簡(jiǎn)述題（每題15分，共30 分）： 1、請(qǐng)描述光刻的工藝流程。 2、防止人員污染的措施有哪些？四、 計(jì)算題（ 20 分）： 假設(shè)晶元生產(chǎn)良品率90%，

2、晶圓電測(cè)良品率70%，晶圓封裝測(cè)試良品率92%，請(qǐng)計(jì)算晶圓整體良品率。2015-2016第二學(xué)期微電子制造工藝技術(shù)考查卷答案一、名詞解釋?zhuān)ü?5分）：3 答：摩爾定律：芯片上所集成的晶體管的數(shù)目，每隔18個(gè)月翻一番。(4分）4 請(qǐng)對(duì)如下英文縮寫(xiě)給出簡(jiǎn)要解釋?zhuān)海靠?分） ic:集成電路 ssi:小規(guī)模集成電路 msi:中規(guī)模集成電路 lsi:大規(guī)模集成電路 vlsi:超大規(guī)模集成電路 ulsi:特大規(guī)模集成電路 gsi:巨大規(guī)模集成電路二、簡(jiǎn)答題（每題5分，共25 分）： 1、半導(dǎo)體工業(yè)包括材料供應(yīng)商、電路設(shè)計(jì)、芯片制造和半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)備及化學(xué)品供應(yīng)商。 2、物質(zhì)有4種狀態(tài)：固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)和等離子態(tài)。 3、晶體缺陷主要有點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)、層錯(cuò)、微缺陷。 4、熱處理是簡(jiǎn)單地講晶圓加熱或冷卻來(lái)達(dá)到特定結(jié)果的工藝過(guò)程。 5、光刻的目的：在半導(dǎo)體基片表面，用圖形復(fù)印和腐蝕的辦法制備出呵護(hù)要求的薄膜圖形，以實(shí)現(xiàn)選擇擴(kuò)散或注入、金屬膜不限或表面鈍化等目的。三、簡(jiǎn)述題（每題15分，共30 分）： 1、請(qǐng)描述光刻的工藝流程。 基片前處理涂光刻膠前烘曝光顯影后烘刻蝕去膠 2、防止人員污染的措施有哪些？ 1）把工作人員完全包裹起來(lái)：選擇無(wú)脫落材料全封閉的潔凈服。 2）嚴(yán)格遵守穿衣