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1、iphone8 plus 正式版主板標(biāo)注圖推出及 iphone7P 對(duì)比測(cè)評(píng)之前發(fā)布了 iphone8P 的經(jīng)驗(yàn)發(fā)布版,今天來(lái)發(fā)布最全面的主板標(biāo)注圖及和 7P 及高通版英特爾做個(gè)元件 IC 對(duì)比,我們來(lái)看看8P 多了那些功能除了 IC 的名稱(chēng)有一些變化及部分 IC 的位置發(fā)生變化, 從表面上與7P 大同小異, 但比較起來(lái)還有一些不一樣,小編來(lái)一一解讀A 面看到新增的ICU3100 系統(tǒng)恒壓IC ,這是一個(gè)3.4V 的升壓器,在7P 以下的機(jī)型上都沒(méi)有這IC , 一般都是電池電壓通過(guò)一個(gè)電壓轉(zhuǎn)換管( P-MOS )轉(zhuǎn)換成 B+ 電壓給系統(tǒng)各單元進(jìn)行供電,但8P新增了模塊,單B+給系統(tǒng)單元供電功率
2、還不夠,所有8P上面我們看到了 U3100 ,分擔(dān)了 VDD MAIN 和 BATT VCC的負(fù)擔(dān)2. 增加了一個(gè)USB PD 快速充電管理IC U6200 用于設(shè)備在充電時(shí)進(jìn)行的快速充電 3. 由于 IC 的增加, 激增了 I2C串行總線(xiàn)的繁忙, 8P 上特安排了兩個(gè)IC U1601 U1602 用于指紋 I2C 串行總線(xiàn)的轉(zhuǎn)換,在指紋發(fā)生計(jì)算譯碼出錯(cuò)時(shí),降低系統(tǒng)的風(fēng)險(xiǎn)4. 在 U6300 USB 控制器上面增加了一個(gè)U5900 ,此芯片用于固件識(shí)別的一個(gè)緩沖管,控制固件識(shí)別時(shí)降低USB 控制器激壞的風(fēng)險(xiǎn)5.基帶方面A 面我們看到增加了一個(gè) GPOLAT_RF 基帶數(shù)據(jù)電子開(kāi)關(guān)6.新增加了無(wú)
3、線(xiàn)充電模塊 U3400 , 這是 7P 之后新增的功能 7. 中頻 U_WTR_E 從原先的 7P 大小射頻又合二為一了 8.U3600 整合了加速器和陀螺儀二合一了,之前 7P 上為 U2401,U24049. 增加了一個(gè)U2_E SWCLK 時(shí)鐘信號(hào)緩沖器10.CPL_E 上 下天下耦合器,而之前 7P 采用的 UATCP_RF , LATCP_RF 兩個(gè)控制管來(lái)完成的。 我們?cè)賮?lái)看B 面 11. 新增 NFC_DCDC_S NFC 供電管 ,之前 6/6S/7/7P 等通病報(bào)錯(cuò) 9 NFC 虛焊的故障,現(xiàn)在看來(lái)恐怕這個(gè)IC 也是個(gè)通病了(猜測(cè)的) 12.A11 處理器( CPU+GPU+
4、DDR ) SOC 三項(xiàng)功能均有大幅度提升,關(guān)于仿生處理器網(wǎng)上太多了,這里不累贅了 13. 基帶時(shí)鐘發(fā)生了變化,變成了 38.4MHZ14. 新增 U6100 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器, U61101.5V-1.9V BUCK 穩(wěn)壓器, U6100 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器輸出的電壓用于提供給 U6110 供電, U6110 的的電壓輸出同于提供給USB控制器供電,而之前的機(jī)型通常都直接由電源IC 直供15.M5500 ,三位一體電感集成器,作用又作為充電 -SPK 功放, ARC 背光的增強(qiáng)驅(qū)動(dòng), 其中就涵蓋了只讀存儲(chǔ)器 (指紋存儲(chǔ)) ,而在之前 7P 上是有一個(gè)單獨(dú)的 U110116. 新增無(wú)線(xiàn)充電接口 J35001
5、7. 新增 JLAT_EF 接口, 用于 Cell 下天線(xiàn)頭,WIFI 上 天線(xiàn)頭 兩個(gè) ANT 天線(xiàn)連接器形式呈現(xiàn), 18.新增指紋識(shí)別供電 IC U5890 ,提供倒指紋接口 2.75V 供電以上為 8P 高通版與 7P 的對(duì)比,下面再看下英特爾版的對(duì)比 , 當(dāng)然是除了用不同的基帶除外了高通版CPL2_E 上 下天線(xiàn)耦合器, 整合成一個(gè), 英特爾版還是兩個(gè)名稱(chēng)為: UATCP_K ,LATCP_K 英特爾版還留了 GSMPA_K , 2GPA , 即 2G 功放,高通版直接不采用 2G 了高通版 DSM_LB_E 低頻段副 RX 選擇開(kāi)關(guān), DSM_HB_E 中高頻段副 RX 選擇開(kāi)關(guān), 而英特爾整合成一個(gè) DSM_K ,另高通版低噪聲放大器集成于低噪聲放大器集成于 DSM_LB-HB_E 內(nèi)高通版基帶名稱(chēng)U_MDM_E ,英特爾版名稱(chēng)改成BB_K 高通版基帶電源名稱(chēng) U_PMIC_E ,英特爾版改成 BBPMU_K 高通版中頻一個(gè)U_WTR_E 集成,英特爾版還是兩個(gè)XCVR0_K , XCVR1_K 關(guān)于高通版和英特爾版名稱(chēng)細(xì)心觀(guān)察通常再后綴上有所改變高通版為
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