模擬電子技術學習筆記

1、本證半導體：純凈晶體結構的導體。常用的有硅和鍺。在外電場的作用下，自由電子定向移動形成 電子電流；從而破壞晶格間原有的共價鍵，出現(xiàn)電子的空位，稱為 空穴?？昭ㄒ策M行位置的相對移動，形成空穴電流。N型半導體：在本征半導體中加入 +5價的元素，（磷，銻，砷）。使導體內(nèi)的每一個原子周 圍除形成共價鍵之外，有一個游離的電子，N型半導體的多數(shù)載流子電子， 少數(shù)載流子空穴。 電子受力移動，留下施主雜質帶正電（不參與導電）。所以，雜質半導體，多數(shù)載流子主要取決于雜質的濃度。少數(shù)載流子有共價鍵提供， 其濃度取決于溫度。整個半導體內(nèi)先電中性。PN結的導電性擴散電容反向電壓電壓超過門限值，PN結擊穿擊穿不一定PN

2、結的損壞穩(wěn)壓極管P接電源高電壓，N接電源低電壓,外加電場與自建場方向相反，阻擋 層變窄，促進多子擴散，PN結導通。N接電源高電壓，P接電源低電壓外加電場與自建場方向相同，阻擋 層變寬，促進少子漂移，PN結截止, 電流方向與正向偏置時相反，稱為 反向電流。少子成小電流，反向電 流很小。反向電壓超過 0幾V時少子基本在 電場作用下，形成漂移電流，少子不 因為電壓變大而增多， 反向電流基本 不變，即飽和電流。雪奔擊穿（碰撞擊穿）少子能量過 大，與原子碰撞，從而形成電子一 空穴對。如此連鎖反應，反向電 流快速增加。齊納擊穿（電場擊穿）原子間的 價電子直接拉出，形成電子一一 空穴對，反向電流急劇增加。工

3、作在擊穿條件下，反向電流變化大，電壓卻變化很小，即具有穩(wěn)壓性。二極管的應用：限幅電路門電路三極管的結構及類型集41姑壯發(fā)射結/卜C?N -樂電區(qū)NP -L斑區(qū)J一boPN -k發(fā)射區(qū)NO瑋極h o6較射稅PNP無論是PNP還是NPN型的三極管，都包含三個區(qū)：發(fā)射區(qū)（c）、基區(qū)（b）和集電極區(qū)（e）。集電結發(fā)射結正向反向正向飽和狀態(tài)放大狀態(tài)反向反向放大截止狀態(tài)三極管的接法:（a）共基極（b）共發(fā)射極（c）共集電極Ie=I c+I b（共基極電流放大系數(shù)a,共發(fā)射極電流放大系數(shù) 1發(fā)射結（c）重摻雜。三極管的放大作 用2：基區(qū)（e）很溥。3:集電極面積大。1當Uce不變時，輸入回路中的電流 lb與電壓Ube之間的關 系曲線稱為輸入特性三極管的特性曲線:2：當lb不變時，輸出回路中的電流 lc與電壓Uce之間的關系 曲線稱為輸出特性直流分析：即靜態(tài)分析，基極電流lb、集電極電流lc= 3 b, Uce。電容開路（先畫出直流通路）4 電感短路信號源 短路共設極的電路：1輸入電壓與輸出電壓反相。2、 頂部失真，輸入回路就出現(xiàn)開始失真。（飽和）Uce減小到極限3、 底部失真，輸入端lb沒失真，在輸出出現(xiàn)失真。（截止）Uce增 靜