模擬電子技術(shù)題庫答案資料

1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學工程技術(shù)學院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9模擬電子技術(shù)試題匯編第一章半導(dǎo)體器件、填空題1、 本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是電子 ，少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴。2、 在N型半導(dǎo)體中，電子濃度大于空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體中，電 子濃度_小于_空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時，空間電荷區(qū)將變 寬 _。4、 雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是飽和區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)。5、 場效應(yīng)管分為兩大類：一類稱為_結(jié)型場效應(yīng)管 另一類稱為_ 絕緣柵場效應(yīng)管。6 PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接 N區(qū)，電源的負極接P區(qū),這種接法稱 為反向接法或反向偏置。7、 半導(dǎo)體二極管的

2、基本特性是單向?qū)щ娦?，在電路中可以起_整流和檢波等作用。8、 雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為NPN型和 PNP 型兩種，它們的符號分別為和。9、 PN結(jié)中進行著兩種載流子的運動：多數(shù)載流子的 擴散運動和少數(shù)載流子的 漂移運動。10、 硅二極管的死區(qū)電壓約為 一0.5_V,鍺二極管的死區(qū)電壓約為 0.1乂11、 晶體管穿透電流Ice。是反向飽 和電流Icbo的1 + 3倍，在選用晶體管的時候，一般希望Icbo盡量 丿、_。gm12、 場效應(yīng)管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是一跨導(dǎo) 。13、 PN結(jié)具有單向?qū)щ奯特性。14、雙極型三極管有兩個PN結(jié)，分別是 集電結(jié) 和 發(fā)射結(jié)o15、 為了保證三極管工作在

3、放大區(qū)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)正向_偏置，集電路 反向偏置。16、 場效應(yīng)管是電壓_ _控制型元件，而雙極型三極管是，電流控制型元件。17、 本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是空穴 ，少數(shù)載 流子應(yīng)是電子。18、 P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是_電子 _。19、PN結(jié)外加正向電壓，即電源的正極接 P區(qū)，電源的負極接N區(qū),這種接法稱為正向接法 或正向偏置。20、 從雙極型三極管內(nèi)部三個區(qū)引出三個電極，分別是_集電極 發(fā)射極和基極。21、 雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結(jié)外加正向電壓；（2）集電結(jié)外加 _反向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用正離子和等量的負電子來簡化表示。23

4、、PN結(jié)正向偏置時，空間電荷區(qū)將變窄。24、二極管的兩個電極分別稱為陽極和陰極，二極管的符號是O25、 當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會 _左 移，輸出特性曲線會_上 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將_大。26、 影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是 溫度。27、 P型半導(dǎo)體可用_負離子和等量的 _空穴 簡化表示。28、 主要半導(dǎo)體材料是_硅和 鍺 ；兩種載流子是空穴和電子;兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是_P型和 N型。29、二極管外加正向電壓導(dǎo)通，外加_反 向電壓截止。30、當溫度升高時，三極管的參數(shù) B會 變大，Icb。會 增加，導(dǎo)通電壓會變小。31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電， 即 多數(shù)載流子和

5、少數(shù)載流子_導(dǎo)電，而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電，即 多數(shù)載流子 電。32、 N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是一空穴一。33、某晶體管的極限參數(shù)FCm =150mW，I cm - 100mA，U（br）ce。=30V。若它的工作電壓Uce -10V，則工作電流不得超過 _15mA ；若工作電壓Uce -1V ,則工作電流不得超過 _ _100_ mA;若工作電流lC =1mA，則工作電壓不得超 過 _30_ V。34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為 Va= 9V，Vb = 6.2V，乂=6V，則該三極管是PNP型三極管，A為 電 ，B為基 ，C為發(fā)射。35、雙極型三極管

6、實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是 _P _o36、 場效應(yīng)管輸出特性的三個區(qū)域分別是 恒流區(qū)、 變電阻、_夾斷區(qū)。37、 純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為 征半導(dǎo)體o38、 場效應(yīng)管與晶體管比較，場效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高，晶體管的放大能力強。39、 雙極型三極管內(nèi)部有三個摻雜區(qū)域，分別是 發(fā)射區(qū)、基區(qū)和_集電區(qū)o、選擇題1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（B ）時處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。A. 0B 死區(qū)電壓C.反向擊穿電壓D 正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中（ A ）的濃度對溫度敏感。A 少子B 多子C 雜質(zhì)離子D 空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置，它的工作狀態(tài)是（ B ）,

7、若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（A ）,若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（C ）。A. 截止B .放大C.飽和D .損毀4、 當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（B ）。A .前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有（ A 而場效應(yīng)管所導(dǎo)電過程僅僅取決于（A .多子B.少子6當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時,B. 前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者也正偏）和（ B ）兩種載流子參與導(dǎo)電A）的流動。C .自由電子D.空穴各極電位關(guān)系為Uc （A ） Ub （A ） UeA.B.C.=D.W7、 對二極管正向電阻rZ和反向電阻rF

8、的要求是（C ）A. rz、g都大B. rz、*都小C. rz很小，rF很大D. rz大，e小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻rz （ B ），穩(wěn)壓性能愈好。A .愈大B.愈小C.為任意值9、三極管當發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時工作于（ C ）狀態(tài)。A.放大 B.截止C.飽和 D.無法確定10、 結(jié)型場效應(yīng)管放大電路的偏置方式是（A、D ）A .自給偏壓電路B.外加偏壓電路C.無須偏置電路D .柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（A ），而少數(shù)載流子 的濃度與（B ）有很大關(guān)系。A.溫度B .摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度 D .晶體管缺陷12、 場效應(yīng)管屬于（B ）控制型器件，而

9、晶體管若用簡化 h參數(shù)來分析, 則可認為是（C ）控制型器件。A.電荷B.電壓C .電流13、當PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D ）A 大于 B 小于 C 等于 D 變寬 E 變窄 F 不變14、當溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（ D ）A.左移，下移 B .右移，上移 C.左移，上移D .右移，下移-13 -15、PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通，此時空間電荷區(qū)將（ A ）。A .變窄B.基本不變C.變寬D. 先變窄，后變寬16、在25cC時，某二極管的死區(qū)電壓 Uth0.5V，反向飽和電流lsO.lpA, 則在35cC時，下列哪組數(shù)據(jù)可能正確：（D ）。A

10、Uth 0.575V，ls0.05pAB Uth 0.575V，Is0.2pAC Uth 0.475V，Is0.05pAD Uth 0.475V， Is0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP） 與三個電極時，最為方便的測試方法為（B ）。A. 測試各極間電阻B. 測試各極間、對地電壓C. 測試各極電流三、判斷題1、三極管在工作頻率大于最咼工作頻率 fM時會損壞。（X ）2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。（ X ）3、與三極管放大電路相比，場效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（V ）4、P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中

11、摻入五價磷元素而獲得。（X ）5、有人測得晶體管在Ube=0.6V時，Ib=5A，因此認為在此工作點上的 證大約26mv=5.2 2。6、通常結(jié)型場效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放 大作用。（V ）7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放 大作用。（X ）8、 在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。（V ）9、 P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負電。（X ）10、 PN結(jié)內(nèi)擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（X ）11、 漂移電流是少數(shù)載流子在電場作用下形成的。（V ）12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以當把 PN結(jié)兩

12、端短路時，就有電流 流過。（X ）13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向 擊穿特性。（X ）14、場效應(yīng)管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（ X ）15、有人測試晶體管的rbe，方法是通過測得晶體管的U be =0.7, I 20mA，推算出 rbe 二Ube/lB =0.7V/20mA = 35K0（ X ）四、綜合題1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整。（10 分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極（e或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、

13、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a.飽和；b.放大；c.截止；d.損壞）（共8 分）管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設(shè)二極管正偏時的正向壓降為 0.7V, 試計算Ux和Uy的值（共9分）+10VR+10V2RUy3ED Ux1 2R:匚DoUxI! R（a） 答案：（a） D正偏導(dǎo)通(b),10 -0.7I=3R=2RI=10-0.73=6.2VUyUy =6.20.7 =6.9V(b)D僅偏截止I=0Ux=0Uy =10V 4、如

14、下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管VDZ1、VDZ2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，求Uo為多少?(共 3 分)1K20VVD21KUoO答：U0 =9-6=3V5、（ 3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導(dǎo)通，并求出U03V3k+Uo9VD 導(dǎo)通，Uo 一3V&判斷下列電路能否放大電壓信號。（設(shè)圖中所有電容對交流信號視為短路）（9分）都不能放大電壓信號輸入交流短路無直流基極偏壓7、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，試寫出輸出電壓Uo為多少?(共 8 分)RR1K25V VDZIf SVDZ2(a) Uo=15VUo =0.7V (b)(c) Uo

15、二 6.7V(d) UoUo=？8、設(shè)二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止？并求出6V +3KRVo15V3KRVO12V二二12V 土(a) D 導(dǎo)通 Uo - -6V(b) D 截止 U。二-12VD1D2*VO壬12Vo(c) Di導(dǎo)通D2截止(d) D2先導(dǎo)通Di截止Uo=OVU o =-3V模擬電子技術(shù)試題匯編第二章放大電路原理、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，共集_組態(tài)帶負載能力強，共基態(tài)頻率響應(yīng)好，_共射態(tài)有倒相作用，_共集 態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的 對數(shù)增益等于其各級對數(shù)增益的_之和3、BJT放大電路的三種組態(tài)是共射、共集。4、 影響放

16、大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是溫度變化。5、 三極管_共集 態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特 點。6放大電路最常用的基本分析方法，就是 圖解法和 微變等效電路法07、 共集電極放大電路又稱為_射極輸出器或射隨器 。8、 多級放大電路常用的耦合方式有三種：即阻容耦合一、_直接耦合、 壓器耦合。9、 放大電路的三種基本組態(tài)中，_共射 態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力， 共集 具有電流放大能力，共基態(tài)只具有電壓放大能力。10、 放大的本質(zhì)首先是實現(xiàn)_能量的控制；所謂放大作用，其放大的對象是變化量。11、 產(chǎn)生零點漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受溫度的影響而發(fā)生波動，導(dǎo)致放大電路的靜態(tài)工

17、作點 穩(wěn)定。12、 輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為零點漂移二、選擇題1、 關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱 Q點），下列說法中不正確的是 （D ）。A. Q點過高會產(chǎn)生飽和失真B. Q點過低會產(chǎn)生截止失真C導(dǎo)致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D. Q點可采用微變等效電路法求得2、 雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是B電路。A.共發(fā)射極B.共集電極C.共基極D.不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ）0A.共射電路 B.共集電路C.共源電路D.共基電路4、有兩個放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同

18、一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（B ）oA.輸入電阻大B .輸入電阻小 C .輸出電阻大 D .輸出電阻小5、多極放大電路的增益Au是（B ）、輸入電阻R是（A ）、輸出電阻Ro是（C ）oA.由第一級確定B.由各級共同確定C. 由末級電路確定6某放大電路在負載開路時的輸出電壓為 4V,接入3K1的負載電阻的輸出電壓 降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（C ）A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、 放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是（A ）oA.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B .放大倍數(shù)太大C晶體管的噪聲太大D.外界存在干擾源8、

19、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C ）o（2）要求能放大直流信號，可選用（B ）o(3) 要求能放大高頻交流信號，可選用 (A,B )。(4) 要求電路的溫漂小，可選用(A,C )。(5) 為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合，應(yīng)采用(C)A.阻容耦合 B直接耦合9、用微變等效電路法分析放大電路( BA.只能分析靜態(tài)工作點B.C. 既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是( 大電壓的電路是(C )。A.共基放大電路B .共集放大電路C .變壓器耦合)只能分析動態(tài)參數(shù)B );既能放大電流，又

20、能放C .共射放大電路(1) Rb減小時，輸入電阻Ri _ B11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能 的變化情況，選擇正確答案填入空格-7 -1屮。電壓放大倍數(shù)luil AAuIU0(5)負載電阻Rl增大時,(2) Rc增大時，輸出電阻RoA_(3) 信號源內(nèi)阻Rs增大時，輸入電阻R _C_ I b40uA相交 Q點，得 Icq =2.4mA,Uceq =12V（2） li 二 Rb rbe : rbe 二 1K，?Au50(5 5)1-125(4 分)(總共12分)% 十(1-)- 21 EQ7、如下圖，GC3足夠大，(1) 畫出直流通路和微變等效電路(4分

21、)(2) 求靜態(tài)工作點lBQ、UCEQ。( 4分)(3) 求輸入、輸出電阻R、Ro及電壓放大倍數(shù)Au各自的表達式。(1) 略(2) I BQ (1B) RcI (R1R2 ) Vbeq = VccI BQVcc -Vbeq(1 B)RcR1R2,Vceq二Vcc -(1 B)IbqRc(3) R = R /beR=R2R3._ 土亠R2/R/RL)u=-u 1bebe=bb+(1+ : )-2-I EQ2-mvI BQ8 電路如下圖所示，晶體管的100, r bb =100Q , Ubeq =0.7V 。（共20分）（1）畫直流通路和微變等效電路。（6分）（2）求電路的Q點、Au Ri和Ro；

22、（ 9分）（3）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？ （5分）5 12UbQ=EVI CQ2-0.7=1mA1.3Uceq=12-1(5+1.3)=5.7vrbe =100+(1+100) =2.7k1Au =-100(55) =-7 642.7(1100) 0.3R = Rb1 / Rb2/ rbe+(1+B) Rf=3.66k QR）= RC = 5k 門Ce開路，Au下降，Ri上升，Ro不變9.如圖所示的放大電路（10分）（1） 寫出U01輸出，u2輸出時，電路的電壓放大倍數(shù) Au1、Aj2的表達式（2）根據(jù)輸入波形，當R Re時，畫出U01、U02的波形。Ui Aui 二 U01Au2 二 U02RcRbUi(2)RcRe_PRc_ le(jRe(1JRerbe(1 JRe二 Re時，代-1,Au1uO +VccIu10.如下圖，VT1 的 gm=10ms, VT2 的 B =100，rbe = 1KO，試估算：(1) Au 的值；R