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1、 單層金屬單層金屬IC的表面起伏的表面起伏 1）未平坦化）未平坦化 2）平滑：臺階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，臺階高度未減小）平滑：臺階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，臺階高度未減小 3）部分平坦化：平滑且臺階高度局部減?。┎糠制教够浩交遗_階高度局部減小 4）局部平坦化：完全填充較小縫隙或局部區(qū)域。）局部平坦化：完全填充較小縫隙或局部區(qū)域。 相對于平整區(qū)域的總臺階高度未顯著減小相對于平整區(qū)域的總臺階高度未顯著減小 5）全局平坦化：局部平坦化且整個）全局平坦化：局部平坦化且整個Si片表面總臺階高片表面總臺階高 度顯著減小度顯著減小 反刻平坦化反刻平坦化 反刻平坦化掃描電鏡圖像反刻平坦化掃描電鏡圖像 SiO2 S

2、ubstrate Min Max SHpre Min Max SHpost 拋磨后測量拋磨后測量 拋磨前測量拋磨前測量 SiO2 %1100 post pre SH DP SH 平整度平整度(DP) ：相對于：相對于CMP之前的某處臺階高度，在做之前的某處臺階高度，在做 完完CMP之后，這個特殊臺階位置處硅片表面的平整程度。之后，這個特殊臺階位置處硅片表面的平整程度。 SHpost：CMP之后在硅片表面的一個特殊位置，最高和最低之后在硅片表面的一個特殊位置，最高和最低 臺階的高度差（厚度變化）臺階的高度差（厚度變化） SHpre：CMP之前在硅片表面的一個特殊位置，最高和最低之前在硅片表面的一

3、個特殊位置，最高和最低 臺階的高度差臺階的高度差 鎢互連鎢互連 (軟材料、高磨拋速率軟材料、高磨拋速率) 侵蝕侵蝕 Oxide (硬材料、低磨拋速率硬材料、低磨拋速率) * 侵蝕侵蝕 SiO2 在前面層間介質(zhì)層侵蝕引起在前面層間介質(zhì)層侵蝕引起SiO2厚度變化，厚度變化， 由于由于SiO2不均勻的厚度，通孔刻蝕不完全。不均勻的厚度，通孔刻蝕不完全。 Aluminum Tungsten via LI tungsten Tungsten viaUnplanarized SiO2 Planarized SiO2 Planarized SiO2 侵蝕最初發(fā)生的地方侵蝕最初發(fā)生的地方 * 凹陷凹陷 氮化硅磨拋終止氮化硅磨拋終止 凹陷凹陷 Oxide (硬表面硬表面

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