專題一半導(dǎo)體器件資料

1、專題一半導(dǎo)體器件一.知識點(diǎn)：1. 半導(dǎo)體類型本征半導(dǎo)體:純凈的半導(dǎo)體,有電子和空穴2種載流子.N型：摻入五價(jià)元素，電子為多子,空穴為少子,又稱電子型. 雜質(zhì)半導(dǎo)體一IP型:摻入三價(jià)元素,空穴為多子,電子為少子,又稱空穴型.注意：（1）電子帶負(fù)電，空穴帶正電；（2）雜質(zhì)半導(dǎo)體整個(gè)晶體呈電中性，多子由摻雜濃度決定。2. PN結(jié)正偏（P正N負(fù)）；PN結(jié)反偏（P N正）負(fù)。3. 半導(dǎo)體二極管的伏安特性：正向特性、反向特性、擊穿特性。溫度對二極管的特性有顯著影響。當(dāng)溫度升高時(shí)，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移 反向漏電流：減小單向?qū)щ娦蕴岣?。由溫度決定 最高工作頻率4. 穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)

2、，具有很好的穩(wěn)壓特性。 *1）正向電流大，開關(guān)時(shí)間短；2）正向?qū)妷旱停牡汀?肖特基二極管 用在超高頻電路中。*變?nèi)莨芄ぷ髟诜雌珷顟B(tài)，反向電壓升高，則電容量 C 減小。 微調(diào)電臺(tái)，作“調(diào)諧電容” 。5. 晶體三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的外部條件： 發(fā)射結(jié)正向偏壓，集電結(jié)反向偏壓。6. 晶體三極管的電流關(guān)系：NPf型PN理I 1 CIb IeI E=l c+I B=(1+ )1 Bl C= l B1)輸入特性：Ie=Ic+Ib=(1+)| bI C= T B工作過程：發(fā)射、復(fù)合、收集7. 晶體三極管的外部特性2)輸出特性:Ale / mA飽和區(qū)43210-100806040Ib =0 h 6 82

3、0、AUce / V截止區(qū)截止區(qū)：反一一集反（或零）-發(fā)放大區(qū)：反正飽和區(qū)：正正放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，I I B。當(dāng)I B有一個(gè) 微小的變化時(shí)，就能引起le一個(gè)較大的變化，反映出了三極管 工作在這一區(qū)域?qū)﹄娏鞯木€性放大作用， 放大區(qū)時(shí)，對NPN管 而言，VCVBVEO截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏或零偏、集電結(jié)反偏，le 0,晶體管 在此區(qū)域沒有放大能力，截止區(qū)時(shí)，對 NPN管而言，VCVEVB 該工作狀態(tài)主要在數(shù)字電路中作開關(guān)使用。飽和區(qū)：處于發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏，三極管失去放大能 力，這一區(qū)域稱為飽和區(qū)，飽和區(qū)時(shí)，對NPN管而言，VBVBcVE 該工作狀態(tài)也主要在數(shù)字電路中作開關(guān)使用。8.

4、 溫度對晶體三極管特性和參數(shù)的影響：隨溫度升高，輸入特性曲線左移、輸出特性曲線上移且曲線間距離增大，B增大。9. 場效應(yīng)管又稱為單極型半導(dǎo)體三極管,三個(gè)電極依次為柵 級G(B)、源極S(E)、漏極D(C),是利用柵源電壓Vgs改變導(dǎo)電 溝道的寬窄實(shí)現(xiàn)對漏極電流iD的控制(壓控流源VCCSo類型 有:fr n溝道結(jié)型場效應(yīng)管、-士Ii p溝道!fFn溝道I增強(qiáng)型 一P溝道絕緣柵場效應(yīng)管N溝道 耗盡型 Un，導(dǎo)通NPN Ube U on且 lc= Ib,放大UBE U on且 Ib IBS* 飽和UbE U on ,截止Ube VBVE NPN型VCVBVE PNP型例4測得放大電路中六只晶體管的

5、直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。解：晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳，答案如解表所示管號 Tl T2 T3 T4 T5 T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe例5.電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時(shí)UBe= 0.7V, B =50。試分析Vbb為0V、1V 1.5V, 3V四種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uo= 12Vo（2）當(dāng)VBb= 1V時(shí)，因?yàn)? BQ=Vbb - U beqRbICQ = I bq 二 3mAuo = VCC - 1 CQ 巳=9V所以T處于放大狀態(tài)。(3)當(dāng)VBb= 3V時(shí)，因?yàn)閂BB - U BEQ / “|b-60 卩 AI cq = I bq = 8mAUo - Vcc - I CQ Rc U BE所以T處于飽和