認(rèn)識(shí)與選購內(nèi)存（干貨分享）

1、1 認(rèn)識(shí)與選購內(nèi)存 2 三、認(rèn)識(shí)與選購內(nèi)存 0 0 內(nèi)存的發(fā)展歷程內(nèi)存的發(fā)展歷程 1 1 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)內(nèi)存的結(jié)構(gòu) 2 2 內(nèi)存的分類內(nèi)存的分類 3 3 內(nèi)存的封裝內(nèi)存的封裝 4 4 內(nèi)存的主要性能指標(biāo)內(nèi)存的主要性能指標(biāo) 5 5 內(nèi)存的標(biāo)簽內(nèi)存的標(biāo)簽 1 1 內(nèi)存規(guī)格內(nèi)存規(guī)格 2 2 內(nèi)存品牌內(nèi)存品牌 3 3 內(nèi)存做工內(nèi)存做工 4 4 內(nèi)存價(jià)格內(nèi)存價(jià)格 5 5 內(nèi)存介紹內(nèi)存介紹 認(rèn)識(shí)內(nèi)存認(rèn)識(shí)內(nèi)存 選購內(nèi)存選購內(nèi)存 3 0 內(nèi)存的發(fā)展歷程 4 0 內(nèi)存的發(fā)展歷程 SDRAMSDRAM：稱為同步內(nèi)存（其數(shù)據(jù)傳輸頻率與系統(tǒng)總線頻率相同），金手指有 168線，用于Pentium I 、II和III時(shí)期，規(guī)

2、格有：PC66 、PC100 、 PC133 。 DDRDDR : 即 Dual Date Rate SDRAM， DDR能夠在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸 一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，讀寫速率是 SDRAM的2倍。DDR用于 Pentium 4 一代計(jì)算機(jī)中。 DDR2DDR2：采用了4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取技術(shù)，每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速率讀/ 寫數(shù)據(jù)，提供相當(dāng)于DDR兩倍的帶寬。 DDR3DDR3：采用了8bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取技術(shù)，讀寫速率是DDR2的2倍。DDR3核心工作電 壓降至1.5V，DDR3比DDR2節(jié)電30%。 DDR4DDR4：采用8Bit預(yù)取的Bank分組技術(shù)，

3、每個(gè)Bank分組都有獨(dú)立的讀取、寫入 和刷新操作，從而提高了帶寬。DDR4工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。 5 1 內(nèi)存的結(jié)構(gòu) PCB板 金手指內(nèi)存顆粒 出售日期 卡 扣 缺口SPD芯片 產(chǎn)品標(biāo)簽 防偽標(biāo)簽 6 美國鎂光韓國三星 韓國海力 士/現(xiàn)代 日本爾必達(dá) 德國奇夢(mèng)達(dá) 南亞易 勝 光威亞洲龍/華億 常見 內(nèi)存顆粒品牌 7 1 內(nèi)存的結(jié)構(gòu) 序號(hào)名稱說明 1PCB板 一般為綠色，6層或8層的電路板，內(nèi)部有金屬布線， 8層設(shè)計(jì)要比6層的電氣性能好，性能更穩(wěn)定，做工講究的 采用10層設(shè)計(jì)。 2內(nèi)存顆粒 是內(nèi)存條存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地方，一般有8顆組成，雙面為 16顆。內(nèi)存顆粒的質(zhì)量直接關(guān)系到內(nèi)存條的性能，所以

4、名 牌內(nèi)存均采用大廠生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒。常見內(nèi)存顆粒有：鎂 光Micron、三星samsung、海力士Hynix、奇夢(mèng)達(dá)Qimonda、 爾必達(dá)ELPIDA、光威Gloway、南亞Nanya、亞洲龍Anucell 等幾種品牌。 3金手指 金黃色的觸點(diǎn)，通過它與主板上的內(nèi)存插槽觸點(diǎn)相連 接，數(shù)據(jù)通過“金手指”傳輸。金手指表面鍍金，以增加 導(dǎo)電性能。 8 1 內(nèi)存的結(jié)構(gòu) 序號(hào)名稱說明 4內(nèi)存缺口 屬于防呆設(shè)計(jì)，不同類型內(nèi)存條缺口位置不同，對(duì)應(yīng) 的內(nèi)存插槽上凸起的位置也不同，以防止插錯(cuò)。DDR、 DDR2、DDR3、DDR4內(nèi)存只有一個(gè)缺口，以前SDRAM內(nèi)存 有兩個(gè)缺口。 5內(nèi)存卡扣 內(nèi)存插到主板上后

5、，主板內(nèi)存插槽的兩個(gè)夾子便扣入 該卡扣，固定內(nèi)存條。 6SPD芯片 是一個(gè)八腳的小芯片，實(shí)際上是一個(gè)EEPROM，可擦寫 存儲(chǔ)器。內(nèi)存的容量、組成結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)和廠家信息就 儲(chǔ)存在這個(gè)芯片里。 7品牌標(biāo)簽用于標(biāo)識(shí)內(nèi)存的品牌、品牌標(biāo)志及內(nèi)存的參數(shù)。 8防偽標(biāo)簽 提供給用戶驗(yàn)證產(chǎn)品真假的方法，一般通過撥打服務(wù) 電話或發(fā)短信進(jìn)行驗(yàn)證。 9 2 內(nèi)存的分類 SDRAMSDRAM：是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存儲(chǔ)器）的簡稱，是十多年前使用的內(nèi)存，用于Pentium I 、II和III時(shí) 期。SDRAM 數(shù)據(jù)傳輸頻率與系統(tǒng)總線頻率相同，

6、也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步， 這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。SDRAM在時(shí)鐘脈沖 的上升沿傳輸數(shù)據(jù)，一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)。同步內(nèi)存的外觀 特征是金手指上有2個(gè)缺口，金手指數(shù)168個(gè)，兩端卡扣圓形，工作電壓 3.3V。 2個(gè)缺口 圓 形 10 2 內(nèi)存的分類 DDRDDR：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DDR SDRAM，Double Data Rate SDRAM）， 是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，DDR內(nèi)存在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)， 它能夠在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR 內(nèi)存可以在與 SDRAM 相同的總線頻率下

7、，達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳 輸率。DDR內(nèi)存金手指上只有1個(gè)缺口，金手指數(shù)184個(gè)，兩端卡扣圓形，工作電 壓降為2.5V。 11 2 內(nèi)存的分類 DDR2DDR2：第二代DDR內(nèi)存，也在時(shí)鐘的上升/下降沿傳輸數(shù)據(jù)， DDR2內(nèi)存擁 有兩倍于DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4位數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2 內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速率讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控 制總線4倍的速率運(yùn)行。DDR2內(nèi)存金手指上也只有1個(gè)缺口，金手指數(shù)240 個(gè)，兩端卡扣圓形，工作電壓降為1.8V。 12 2 內(nèi)存的分類 DDR3DDR3： 第三代DDR內(nèi)存，也在時(shí)鐘的上升/下降沿傳輸數(shù)據(jù)，擁有8位數(shù)據(jù) 讀預(yù)取，因此讀寫

8、速率是DDR2內(nèi)存的2倍。DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時(shí)， 其功耗反而可以降低，其核心工作電壓降至1.5V，DDR3比DDR2節(jié)省30%的功 耗；DDR3L是低電壓版的DDR3，工作電壓僅1.35V。DDR3內(nèi)存金手指上也只 有1個(gè)缺口，金手指數(shù)240個(gè)，兩端卡扣方形。 方 形 13 2 內(nèi)存的分類 DDR4DDR4：擁有兩個(gè)獨(dú)立的Bank分組，每個(gè)Bank分組采用8位預(yù)取，相當(dāng)于每次 操作16位數(shù)據(jù)，變相地將內(nèi)存預(yù)取值提高到了16位，從而改進(jìn)內(nèi)存的整體 效率和帶寬。DDR4外觀特征：金手指由直線改為彎曲，即中間長，兩邊短， 金手指數(shù)增加到288個(gè)，兩端卡扣方形，工作電壓1.2V 。 14 6

9、0.5 mm60.5 mm DDR4DDR4 133.35mm133.35mm 15 3 內(nèi)存的封裝 我們實(shí)際看到的內(nèi)存顆粒并不是真正的內(nèi)存芯片的大小和面貌，而是內(nèi) 存芯片經(jīng)過打包即封裝后的產(chǎn)品。內(nèi)存芯片必須與外界隔離，以防止空氣中 的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電學(xué)性能下降。這種內(nèi)存芯片的打包方式就 是我們通常所說的內(nèi)存封裝方式。內(nèi)存封裝方式主要有TSOP、FBGA(CSP)等。 16 3 內(nèi)存的封裝 TSOP TSOP 在上世紀(jì)80年代出現(xiàn)的TSOP封裝（Thin Small Outline Package薄型小尺寸封裝）。TSOP 內(nèi)存是在芯片的周圍做出引腳，采用SMT技術(shù)（表 面安裝技術(shù)

10、）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝 適合高頻應(yīng)用，操作比較方便，可靠性也比較高， 同時(shí)TSOP具有成品率高，價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，因此 得到了極為廣泛的應(yīng)用。主要缺點(diǎn)：內(nèi)存芯片通 過引腳向PCB辦傳熱就相對(duì)困難；當(dāng)頻率超過 150MHz時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較大的信號(hào)干擾和電磁干擾。 外觀特征：芯片兩邊有引腳。 17 3 內(nèi)存的封裝 BGA BGA 是Ball Grid Array Package 的縮寫，意思是球柵陣列封裝， 它的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn) 按陣列形式分布在封裝下面采用 BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi) 存在體積不變的情況下內(nèi)存容量 提高兩到三倍，BGA與TSOP相比， 具有更小的體積，更

11、好的散熱性 能和電性能。 18 3 內(nèi)存的封裝 FBGA (CSP)FBGA (CSP) Fine-Pitch Ball Grid Array：細(xì)間 距球柵陣列 ,通常稱作CSP （Chip Scale Package芯片級(jí)封裝）。CSP封 裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超 過11.14，接近11的理想情況， 絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普 通的BGA的1/3，相當(dāng)于TSOP內(nèi)存顆粒 面積的1/6。這樣在相同體積下，內(nèi) 存條可以裝入更多的內(nèi)存顆粒，從而 增大單條容量。也就是說，與BGA封 裝相比，同等空間下CSP封裝可以將 存儲(chǔ)容量提高3倍。而且，CSP封裝的 內(nèi)存顆粒不僅可以通過PCB板

12、散熱還 可以從背面散熱，且散熱效率良好。 19 4 內(nèi)存的主要性能指標(biāo) 內(nèi)存容量：指一條內(nèi)存存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，單位：內(nèi)存容量：指一條內(nèi)存存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，單位：MBMB、GBGB。 工作頻率：指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率，單位：工作頻率：指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率，單位：MHzMHz。 數(shù)據(jù)帶寬：指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，也就是內(nèi)存一秒內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，單位：數(shù)據(jù)帶寬：指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，也就是內(nèi)存一秒內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，單位： GB/sGB/s，是衡量內(nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。，是衡量內(nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。 數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬= =工作頻率工作頻率* *內(nèi)存數(shù)據(jù)總線位數(shù)內(nèi)存數(shù)據(jù)總線位數(shù)/8/8 CASCAS延遲

13、時(shí)間延遲時(shí)間：Column Address StrobeColumn Address Strobe列地址選通信號(hào)。列地址選通信號(hào)。CASCAS延遲時(shí)間就是指延遲時(shí)間就是指 內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，用內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，用CLCL（CAS LatencyCAS Latency）來表示。）來表示。 工作電壓工作電壓：內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同。內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同。 SDRAM:3.3V DDR:2.5V DDR2:1.8V DDR3:1.5V DDR4:1.2V 20 數(shù)據(jù)帶寬 DDRDDR 規(guī)格規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)傳輸標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘頻率時(shí)

14、鐘頻率工作頻率工作頻率數(shù)據(jù)帶寬（數(shù)據(jù)帶寬（MB/S） DDR200PC1600100MHz200 MHz1600 DDR266PC 2100133 MHz266 MHz2100 DDR333PC 2700166 MHz333 MHz2700 DDR400PC 3200200 MHz400 MHz3200 DDR433PC 3500216 MHz433 MHz3500 DDR533PC 4300266 MHz533 MHz4300 21 數(shù)據(jù)帶寬 DDR2DDR2 規(guī)格規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)傳輸標(biāo)準(zhǔn) 核心頻率核心頻率 /MHz 時(shí)鐘頻率時(shí)鐘頻率 /MHz 工作頻率工作頻率 /MHz 數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬 （M

15、B/S） DDR2 400PC2 3200100200400 3200 DDR2 533PC2 4300133266533 4300 DDR2 667PC2 5300166333667 5300 DDR2 800PC2 6400200400800 6400 DDR2 900PC2 72002254509007200 DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展。DDR的核心頻率與時(shí) 鐘頻率相等，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)傳輸頻率（工作頻 率）為時(shí)鐘頻率的兩倍。而DDR2采用4位預(yù)取機(jī)制，核心頻率僅為時(shí)鐘頻 率的一半、時(shí)鐘頻率又為數(shù)據(jù)傳輸頻率的一半，這樣工作頻率是核心頻率 的4倍。

16、如核心頻率為200MHz使，DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到800MHz。 22 數(shù)據(jù)帶寬 DDR3DDR3 規(guī)格規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)傳輸標(biāo)準(zhǔn) 核心頻率核心頻率 /MHz 時(shí)鐘頻率時(shí)鐘頻率 /MHz 工作頻率工作頻率 /MHz 數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬 （MB/S） DDR3 1066 PC3 850013353310668500 DDR3 1333 PC3 10600 166667133310600 DDR3 1600 PC3 12800 200800160012800 DDR3 1800 PC3 14400 225900180014400 DDR3 2000 PC3 16000 25010002000160

17、00 DDR3采用了8位預(yù)取設(shè)計(jì)，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有數(shù)據(jù)傳輸頻率的 1/8，如：DDR3 1600的核心頻率只有200MHz。 23 數(shù)據(jù)帶寬 DDR4DDR4 規(guī)格規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)傳輸標(biāo)準(zhǔn) 核心頻率核心頻率 /MHz 時(shí)鐘頻率時(shí)鐘頻率 /MHz Bank Group 工作頻率工作頻率 /MHz 數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬 （MB/S） DDR4 2133 PC4-21331335332213317000 DDR4 2400 PC4-24001506002240019200 DDR4 2666 PC4-26661666672260020800 DDR4 3200 PC4-32002008002320

18、025600 DDR4擁有兩個(gè)獨(dú)立的Bank分組，每個(gè)Bank分組采用了8位預(yù)取，相當(dāng)于 每次操作16位數(shù)據(jù)，變相地將內(nèi)存預(yù)取值提高到了16位，從而改進(jìn)內(nèi)存的 整體效率和帶寬。 24 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 金士頓駭客神條金士頓駭客神條DDR4DDR4內(nèi)存內(nèi)存 HXHyperX大類大類 4DDR4 262666MHz CDIMM 15CAS延時(shí) FFURY系列 B黑色 K44條裝 32 總?cè)萘?32GB 電壓1.2V 25 金士頓HyperX內(nèi)存編號(hào)規(guī)則 26 金士頓DDR4 HyperX系列 27 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 KHX HyperX大 類 13000帶寬 D3DDR3 LL低延時(shí) K22條裝 2G

19、總?cè)萘?GB XIntel XMP 電壓1.9V 金士頓金士頓KHX DDR3KHX DDR3內(nèi)存內(nèi)存 28 金士頓DDR內(nèi)存編號(hào)規(guī)則 29 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 KVRKVR系列 13331333MHz D3DDR3 N 無ECC檢 驗(yàn) 99-9-9-24 2G容量2GB 電壓1.5V 金士頓金士頓KVR DDR3KVR DDR3內(nèi)存內(nèi)存 30 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 海盜船內(nèi)存海盜船內(nèi)存 CMZ系列系列 8G容量 X3DDR3 M22條套裝 A修訂A版 1600 1600MH z C99-9-9-24 R外觀紅色 電壓1.5V 內(nèi)存條上都有一張標(biāo)簽，列出了內(nèi)存品牌、內(nèi)存類型、技術(shù)參數(shù)等 信息。不同的廠家

20、標(biāo)簽寫法各不相同。 31 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 DDR3內(nèi)存類型 16001600MHz 1111-11-11-28 8G容量 X1616顆芯片 U-DIMM 內(nèi)存插槽類 型 電壓未標(biāo)出 威剛內(nèi)存威剛內(nèi)存 32 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 宇瞻內(nèi)存宇瞻內(nèi)存 Apacer宇瞻宇瞻 4GB容量 UNB Un buffered 無緩存 PC3DDR3 24000帶寬 工作頻率3000MHz CL12-14-14-35 電壓未標(biāo)出 33 5 內(nèi)存的標(biāo)簽 F3DDR3 12800帶寬 CL99-9-9-24 S單條 4GB容量 RL系列 16001600Hz 電壓1.5V 芝奇內(nèi)存芝奇內(nèi)存 34 三、認(rèn)識(shí)與選購內(nèi)存 1

21、1 內(nèi)存規(guī)格內(nèi)存規(guī)格 2 2 內(nèi)存品牌內(nèi)存品牌 3 3 內(nèi)存做工內(nèi)存做工 4 4 內(nèi)存價(jià)格內(nèi)存價(jià)格 5 5 內(nèi)存介紹內(nèi)存介紹 選購內(nèi)存選購內(nèi)存 35 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要部件之一，內(nèi)存對(duì)計(jì)算機(jī)整體影響很大，合理配置 內(nèi)存至關(guān)重要。選配內(nèi)存主要考慮類型、容量、工作頻率和通道數(shù)。 根據(jù)主板選擇內(nèi)存類型。 Intel 200系列、300系列、 X99、X299、 AMD300系列主板，需要選配DDR4內(nèi)存，Intel 100系列主板支持DDR4或DDR3L 內(nèi)存，其他主板使用DDR3內(nèi)存。 32位 Windows 7、Windows 8/8.1 、Windows 10操作系統(tǒng)最多支持內(nèi)存 不到4GB，

22、超出部分將不可用。 內(nèi)存的工作頻率選擇要看主板對(duì)內(nèi)存規(guī)格的支持程度，在主板允許的內(nèi) 存工作頻率范圍內(nèi)，內(nèi)存頻率越高，性能越好。 目前主板大多支持雙通道內(nèi)存，盡量使用兩條內(nèi)存構(gòu)成雙通道。支持四 通道的X79、X99、X299主板，需要四條內(nèi)存,8條內(nèi)存插槽全部插滿，可達(dá) 128GB。 三、認(rèn)識(shí)與選購內(nèi)存 36 新購計(jì)算機(jī)盡量考慮使用DDR4內(nèi)存，老一點(diǎn)的計(jì)算機(jī)使用DDR3內(nèi)存。 DDR4DDR4內(nèi)存規(guī)格內(nèi)存規(guī)格： 單條容量：4GB、8GB、16GB、32GB 套裝容量：816GB、416GB、216GB 88 GB、48 GB、28 GB 44 GB、24 GB 注：416GB指一個(gè)包裝盒內(nèi)有4

23、條16GB內(nèi)存，以此類推。 工作頻率：3200MHz、3000MHz、2800MHz、2666MHz、2400MHz、 2133MHz。 容量原則上說越大越好，但要受到主板內(nèi)存插槽數(shù)量和操作系統(tǒng)的限 制，4GB內(nèi)存屬于最低配置，大點(diǎn)的配8GB、16GB。內(nèi)存的工作頻率越高，數(shù) 據(jù)傳輸越快，性能越好，但需要主板的支持。 1 1 內(nèi)存規(guī)格內(nèi)存規(guī)格 37 DDR3DDR3內(nèi)存規(guī)格：內(nèi)存規(guī)格： 單條容量：16GB、8GB、4GB、2GB、1GB 套裝容量：216GB 88GB、48GB、38GB、28GB 64GB、44GB、34GB、24GB 62GB、42GB、32GB、22GB 31GB、21G

24、B 工作頻率：2800MHz以上、2666MHz、2400MHz、2133MHz、 2000MHz、1866MHz、1800MHz、1600MHz、1333MHz、1066MHz。 目前好多DDR3主板最高支持2400MHz的內(nèi)存，但頻率越 高，價(jià)格越貴，主流的是1600MHz的內(nèi)存。如果主板最大只能支持1600MHz 內(nèi)存，那2400MHz的內(nèi)存也只能工作在1600MHz上，不能發(fā)揮2400MHz的內(nèi) 存的作用。 1 1 內(nèi)存規(guī)格內(nèi)存規(guī)格 38 2 2 內(nèi)存品牌內(nèi)存品牌 部分內(nèi)存品牌 39 內(nèi)存品牌占有率 品牌品牌占有率占有率 金士頓34.33 海盜船20.92 影馳12.88 威剛10.92 芝奇8.90 金邦科技5.76 英睿達(dá)3.20 40 3 3 內(nèi)存做工內(nèi)存做工 內(nèi)存最重要的是性能和穩(wěn)定性，內(nèi)存顆粒、PCB設(shè)計(jì)、做工水平直接影響 到內(nèi)存性能、穩(wěn)定性以及超頻能力。 顆粒是內(nèi)存最重要的核心元件，其好壞直接影響到內(nèi)存的品質(zhì)和性能。 所以大家在購買時(shí)，盡量選擇大廠生產(chǎn)出來的內(nèi)存顆粒，常見的內(nèi)存顆粒廠 商有三星、現(xiàn)代、爾必達(dá)、鎂光等，其產(chǎn)品都是經(jīng)過完整嚴(yán)謹(jǐn)?shù)纳a(chǎn)