晶體生長軟件FEMAG

1、晶體生長軟件 FEMAG-CZ之提拉法Czochralski (CZ) Process ( FEMAG-CZ )FEMAG 直拉法模擬軟件(FEMAG-CZ )用于模擬直拉法工藝(包括Cz, MCz, VCz,泡生法)。FEMAG-CZ直拉法模擬軟件用于新的熱場設計，并研發(fā)新的方法以滿足新的商 業(yè)需求點，比如：大直徑晶錠生長無缺陷硅晶錠生長提高成品率氧含量控制降低碳含量晶錠半徑和沿軸向的電阻率差異減小CCZ工藝仿真磁場設計藍寶石生長工藝設計FEMAG-CZ模擬軟件通過降低試驗成本而節(jié)省了 R&D消耗Poinr Oeted PrwdKiKNi(CkCv)I大直徑晶錠生長以期不進行大量昂貴的可行性

2、試驗生長大尺寸晶體看起來是不太現(xiàn)實的。FEMAG-CZ軟件提供這種可能性。為了生產(chǎn)450 mm 及以上的大尺寸無缺陷硅晶體，晶體生長工程師通過使用 FEMAG-CZ來定義關(guān)鍵的工藝參數(shù)，而無需任何材料和能源的消耗。FEMAG-CZ能夠設計新的熱場并研發(fā)新的工藝技術(shù)，在 FEMAG直拉法模擬軟 件的幫助下，晶體生長工程師能夠在一個有效的虛擬環(huán)境中優(yōu)化每一個關(guān)鍵參 數(shù)，比如旋轉(zhuǎn)速率，提拉速度，氣體流速，壓強和功率消耗等。FEMAG直拉法模擬還能進一步為晶體生長工程師給出在某一工藝配置下產(chǎn)出的最終成品的質(zhì) 量和成本信息，比如晶體中的溫度梯度，氧/碳/摻雜物/微缺陷分布等。通過軟件能夠獲得硅/鍺/藍寶

3、石晶體質(zhì)量和產(chǎn)品成本信息，這一模擬過程無需任 何材料和能量的消耗。FEMAG 3D 熔體流動模擬結(jié)果FEMAG動態(tài)模擬無缺陷硅晶錠生長無缺陷晶體硅生長是世界上最大的難點之一。FEMAG模擬軟件能夠幫助工程師運用自己創(chuàng)新的技術(shù)生長出無缺陷晶體。運用FEMAG軟件缺陷工程模塊可以預測晶體爐或者其他指定直拉法工藝環(huán)境 中生長的晶體成品質(zhì)量。缺陷工程模塊能夠洞悉硅、鍺生長過程中填隙原子，空位和微孔演變過程。FEMAG-CZ能夠成為你的測試平臺，試驗在不同的操作條件下對晶體生長質(zhì)量 的影響，如熱場設計加熱器功率晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)速率晶體提拉速度，坩堝的位置氣體流率和壓強一旦掌握了晶體生長工藝中的動態(tài)規(guī)律，

4、就可以找到最優(yōu)的配置以增加成品率和 投資回報。直拉法晶體生長中的填隙原子和空位的動態(tài)預測2!1 .1 h1 .1.LIL!QIO-直拉法晶體硅生長中的OSF （氧化誘生層錯）預測提咼成品率在沒有任何結(jié)構(gòu)損失的情況下直拉法晶體爐所能達到的最大提拉速度是什么？ 你是否也在尋找這一難題的解決方案呢？你知道影響產(chǎn)出的限制因素是什么嗎？FEMAG直拉法模擬軟件可以幫助工程師在晶體生長過程的每一個時刻追蹤關(guān) 鍵參數(shù)的變化。直拉法模擬軟件為工程師們提供了在晶體生長過程中凝固前沿形狀，熱彈性應 力，溶體流動形態(tài)，氣體流動形態(tài)，石墨系統(tǒng)的溫度變化等信息。用戶可以通過 上述的參數(shù)信息優(yōu)化其工藝條件，從而增加凝固生

5、產(chǎn)效率和產(chǎn)出。因此，借助FEMAG直拉法模擬軟件工程師不僅可以增加其產(chǎn)出，還能獲取下 代晶體生長工藝技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵信息。直拉法晶體生長的三維應力分布FEMAGSoft (c) 2008VM/ CRSS14110,67,063.530100072FEMAGSoft (c) 2008VM /CRSS14.110.67.05FEMAGSoft (c) 2008VM (Pa)2.21e+071 66e+07116+071.3484-05VM / CRSS10.6I 7.053.530.000395FEMAGSoft (c) 2008氧含量控制氧氣是晶體生長過程中至關(guān)重要的影響因素。從縮頸階段到最后的收

6、尾階段， 沿徑向和軸向氧含量的控制都是工業(yè)上的一大挑戰(zhàn)。N型硅太陽能電池，要求氧含量必須盡可能少，對于IC晶圓而言也必須對氧含量控制得很好。針對這兩類應用，F(xiàn)EMAG直拉法模擬軟件能根據(jù)其工藝配置（熱 場配置和操作條件）計算出晶體中的氧氣分布。FEMAG的使用者運用了 FEMAG 直拉法橫向磁場模塊（FEMAGCZ-TMF）來測試新的技術(shù)（比如新的磁場設置） 來優(yōu)化氧氣的分布情況。FEMAG直拉法模擬軟件為工程師提供了創(chuàng)新的氧氣模 型以精確地預測晶體中氧氣的變化情況。硅晶體直拉法生長的氧含量預測I * I * * I I7.1E+23 肚+23 U.Jt-23 E盼204.5E*23 4E血

7、3.5E-23 3E+2325E-231.5E*23 j t3.BE.243.+E-2+3E+24J.5E-2+ 低0 2.4E-24 J.2E-24 ?E+W1.2E-24 1E+H 旺価61-+23 4E血碳含量控制碳是不需要的額外成分，會從石墨元素中滲入到硅晶體中。晶體中碳含量的增 加會對電池轉(zhuǎn)換效率和整個晶圓生產(chǎn)工藝產(chǎn)生阻礙。碳含量預測涉及幾個方面的問題-需要探究原料，晶體生長區(qū)中雜質(zhì)浸入以及密閉性對最終結(jié)晶質(zhì)量的 影響。無論是半導體晶圓或太陽能晶片，碳的存在都會產(chǎn)生負面效應。FEMAG直拉法模擬軟件為工程師們提供了特有的模型去分析指定工藝過程的碳濃度。FEMAG直拉法模擬軟件能夠根據(jù)

8、其工藝配置（熱場配置和操作條件）來計算 晶體中的碳分布。電阻率差異減小生長軸向和徑向電阻率均勻的晶體一直是一大難題，怎樣去突破它呢?高電阻率或者超高電阻率硅晶圓的主要特征是在晶圓厚度方向電阻率的良 好均勻性，同時沿軸向和徑向的電阻率梯度也具有一定均勻性，且在整個器 件加工時都具備穩(wěn)定性。這些特征依賴于晶體生長環(huán)境，同時也受到硅晶體 生長過程中摻雜數(shù)量和摻雜類型的影響。FEMAG-CZ模擬軟件通過計算整 個晶體生長過程里的摻雜分布來幫助工程師們設計一種理想的晶體生長工 藝以達到均勻的電阻率。一些最早使用FEMAG直拉法模擬軟件的企業(yè)如今 業(yè)已成為全球半導體行業(yè)中的領軍者。直拉法硅晶體生長的硼濃度

9、分布預測ceoK9BE+22 BE 1.94E22 1.92Er2Zl4E22W2E22 1E*22T.7BE1-221J6E?2U4E22CSd24E*2? 2j62E*22 2Et22259E*22 ?麗 ETP 254E?2 2.52E22 25Et222346222.+2E*22 2.*E*222b36E*22 2.38E 2.34E22連續(xù)提拉法（CCZ ）工藝仿真連續(xù)提拉法晶體生長是一項復雜而具有市場潛力的技術(shù)。顯然這項技術(shù)相當費錢甚至還會導致企業(yè)破產(chǎn)。但我們?nèi)韵胫涝鯓硬拍苷莆者@項工藝？工業(yè)使用者夢想通過CCZ晶體生長法得到超高電阻率硅片。高電阻率或者超高電阻率 硅晶圓，在晶圓厚

10、度方向電阻率的良好均勻性，同時沿軸向和徑向的電阻率梯度也具 有一定均勻性，且在整個器件加工時具備穩(wěn)定性。在晶體生長技術(shù)推向工業(yè)生產(chǎn)之前都會進行無數(shù)次的設計測試和實驗，為此需要付出 極大的金錢消耗。利用FEMAG直拉法模擬軟件，為獲得同一個信息點所需要耗費的 成本連實驗的十分之一都不到。FEMAG直拉法模擬軟件會幫助晶體生長工程師了解他們的連續(xù)提拉法工藝質(zhì)量和成 本來源。根據(jù)指定的工藝條件，摻雜數(shù)量和摻雜種類計算摻雜的分布情況，F(xiàn)EMAG直拉法模擬軟件能夠幫助工程師設計出能夠達到最佳電阻率均勻性的工藝過程。FEMAG直拉法模擬軟件是成功掌握 CCZ生長過程的有效途徑。連續(xù)提拉法的溫度預測18001600-1200 -800 ioo200連續(xù)提拉法熔體自由表面上部的氮氣流場分布磁場設計為生長出高質(zhì)量的晶體，直拉法晶體爐中的磁場設計是很值得去探究的。但是你知道設計何種在半導體晶錠的工業(yè)生產(chǎn)中，會應用各種各樣的磁場設計方案，如軸向，cusp型，旋轉(zhuǎn)和橫向磁 使用者借助FEMAG直拉法模擬軟件包括附加的 FEMAG-CZ橫向磁場軟件(FEMAGCZ- TMF) 直拉法橫向磁場模擬軟件是一項首創(chuàng)的三維有限元分析技術(shù)，能夠在短短一天之內(nèi)完成工業(yè)化學習與掌握成功工藝的