單晶爐操作規(guī)程

1、浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09單晶爐操作規(guī)程版本號(hào):A/1頁(yè)碼：第1頁(yè)共35頁(yè)生效日期：2008年5月30日、目的:為正確、規(guī)范地操作單晶爐，確保生產(chǎn)作業(yè)正常進(jìn)行，特制訂本規(guī)程。適用于FT-CZ2008型單晶爐的操作。圖1 FT-CZ2008型單晶爐圖2操作柜依據(jù):依據(jù)為直拉法生長(zhǎng)硅單晶的工藝和 FT-CZ2008型單晶爐的性能。批準(zhǔn)審核編制修改履歷頁(yè)碼內(nèi)容狀態(tài)備注浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09單晶爐操作規(guī)程A肩* 口 八頁(yè)碼：第2頁(yè)共35版本號(hào)：A/1頁(yè)生效日期：2008年5月30日四、權(quán)責(zé)單位： 本規(guī)程的權(quán)責(zé)單位為浙江昱輝陽光能源有限公司硅單晶三廠技術(shù)部。五

2、、作業(yè)流程： 作業(yè)內(nèi)容：八、1作業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入單晶車間須穿戴好潔凈工作服、鞋。、開爐前，按工藝要求檢查水、電、氣，確認(rèn)無異常后方能開爐。、準(zhǔn)備好一次性潔凈手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。、準(zhǔn)備好鉗子、扳手和各類裝拆爐專用工具。、準(zhǔn)備取單晶用的專用取棒車、裝石墨件的不銹鋼長(zhǎng)條車、裝堝底料的不銹鋼筒和裝硅料的不銹鋼小車，并處理干凈。用毛巾將爐體從上到下擦掃一遍，擦掃時(shí)注意不要將所有控制接線及開關(guān)碰斷或碰壞，并把爐子周圍清掃干凈。2、取單晶和籽晶、點(diǎn)擊【氬氣】進(jìn)入氬氣控制菜單，在【MFC流量值】中分步遞增到100.0SLM，并先后點(diǎn)擊【MFC】和【上爐體氣閥】的【開

3、啟】按鈕。爐體壓力達(dá)到760Torr后，先后點(diǎn)擊【上爐體氣閥】和【MFC】的【關(guān)閉】按鈕。版本號(hào)：A/1 生效日期：2008年5月30日浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09頁(yè)碼：第3頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程圖3【氬氣】操作界面、擰開上爐體螺母，將操作手柄上的【HOIST】旋鈕打向UP位置點(diǎn)動(dòng)上升爐筒至適 當(dāng)位置，將操作手柄上的【SEED】旋鈕打向UP位置上升晶棒到翻板閥室以上，順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)翻板閥手柄，關(guān)閉翻板閥。 圖4隔離閥手柄、上升上爐體至上限位，上升晶體至上爐體內(nèi)。轉(zhuǎn)動(dòng)晶棒托架，通過【SEED】UP/DOWN鍵調(diào)整晶棒的高度，使其與托架接觸，但不承重。生效日期：2008年5月30

4、日浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第4頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程圖5晶棒托架、打開上爐體定位開關(guān)，轉(zhuǎn)動(dòng)上爐體到一側(cè)，放下上爐體定位開關(guān)，便于取晶棒。 圖6定位開關(guān)、將操作手柄上的【SEED!按鈕打向UP位置，上升晶棒，轉(zhuǎn)動(dòng)托架。再將【SEED! 打向DOWN下降晶體，用晶棒專用車承接晶棒，每進(jìn)入一格，用鎖扣鎖住。下降晶棒使其與晶棒車有充分接觸，但不全部承重到晶棒車上。操作者一手拿住籽晶一手用鉗子將籽晶從細(xì)頸處鉗斷，鉗斷籽晶后，應(yīng)穩(wěn)定重錘，防止重錘快速轉(zhuǎn)動(dòng)，損壞鋼絲繩。、將籽晶從重錘上取下，觀察籽晶積渣情況和有無機(jī)械損傷，取下的籽晶放在指定場(chǎng)所，再將重錘升至付室

5、內(nèi)適當(dāng)位置。、將晶棒移到中轉(zhuǎn)區(qū)，及時(shí)、準(zhǔn)確的將晶棒編號(hào)寫在晶棒上，觀察晶棒顏色并做相應(yīng)記錄，待晶棒自然冷卻后，由生產(chǎn)檢驗(yàn)人員對(duì)晶棒進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)檢測(cè)并做好記錄。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09單晶爐操作規(guī)程版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第5頁(yè)共35 頁(yè)生效日期：2008年5月30日?qǐng)D7晶棒中轉(zhuǎn)專用車3、石墨件取出冷卻、石墨小件的取出 、打開上爐體定位開關(guān)，旋轉(zhuǎn)到爐蓋上方，合上上爐體定位開關(guān)，將操作手柄上的【HOIST】按鈕打向DOWN位置下降上爐體至爐蓋，擰緊上爐體螺母，將【HOIST】 按鈕打向UP位置，上升至限位，打開上爐體定位開關(guān)，再旋轉(zhuǎn)爐蓋到側(cè)面，合上 上爐體定位開關(guān)。 、戴好耐高溫

6、手套按順序取出導(dǎo)流筒及保溫蓋放在裝石墨件的不銹鋼長(zhǎng)板車上，注意要拿穩(wěn)并輕放。 、觀察石英坩堝的堝口積渣情況，然后戴好耐高溫手套用鉗子夾住石英坩堝的上端 部分提起，使其松動(dòng)，將石英坩堝取出。若石英坩堝能將堝底料全部帶出，則直接 放入不銹鋼筒；若不能，則將先取出石英坩堝，然后將大塊料拿出放入不銹鋼筒， 剩下的堝底料隨石墨三瓣堝一并取出后， 再將堝底料放入不銹鋼筒內(nèi)。取出堝底料 時(shí)要觀察堝底是否有滲硅情況并做相應(yīng)記錄。若出現(xiàn)悶爐等意外情況則用鉗子像裝 料一樣一塊塊取出，直至徹底取出。最后將不銹鋼筒放在堝底料推車上移到指定地 方，并寫上單晶編號(hào)，自然冷卻。冷卻后對(duì)堝底料進(jìn)行重量檢測(cè)并作好記錄。圖8堝底

7、料筒與堝底料推車浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09頁(yè)碼：第7頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程版本號(hào)：A/1生效日期：2008年5月30日 、戴好耐高溫手套依次取出石墨三瓣堝、石墨堝托放在裝石墨件的不銹鋼長(zhǎng)板車上，放上后要注意放穩(wěn)當(dāng)，觀察三瓣堝是否有微裂紋并做相應(yīng)記錄。 、取出的石墨件一并放在不銹鋼長(zhǎng)板車上，在不銹鋼長(zhǎng)板車邊掛上石墨件所屬爐號(hào)牌，移到指定的位置，自然冷卻，移動(dòng)過程中注意石墨件放置，防止墜落。、石墨大件的取出（一般3爐做一次，需作好大清記錄） 、取出上成型碳?xì)趾蜕媳赝卜旁诓讳P鋼長(zhǎng)板車上。 、將操作手柄上的【CHAMBER】按鈕打向UP位置，升起爐筒至限位，旋轉(zhuǎn)爐筒到一側(cè)。 、

8、取出中成型碳?xì)趾椭斜赝卜旁诓讳P鋼長(zhǎng)板車上。 、先取下加熱器螺絲蓋，用專用工具取下加熱器螺絲后，取下加熱器放在不銹鋼長(zhǎng)板車上。 、依次取出石墨托柄、坩堝軸擋料罩、排氣套管、底保溫板、下保溫筒、爐底防漏板、石英電極環(huán)、石墨電極、爐底板、坩堝軸護(hù)套、底保溫支撐環(huán)、爐底碳 氈等放在不銹鋼長(zhǎng)板車上。在小車邊掛上石墨件爐號(hào)牌，移到指定的位置，自 然冷卻，移動(dòng)過程中注意石墨件放置，防止墜落。圖9主要石墨件4、真空過濾器清掃準(zhǔn)備好吸塵刷、吸塵管、酒精、紙巾、扳手，帶好手套、防塵口罩。、打開波紋管和真空過濾器頂蓋的連接法蘭，擰開真空過濾器頂蓋螺絲，取出過濾網(wǎng)。、用吸塵刷仔細(xì)清掃過濾網(wǎng)及過濾器內(nèi)的揮發(fā)物。、將清

9、掃后的過濾網(wǎng)緩慢放進(jìn)過濾器內(nèi)。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09頁(yè)碼：第10頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程版本號(hào)：A/1、用吸塵刷清掃過濾器蓋，用沾酒精的紙巾擦凈密封圈，并檢查密封圈是否完全就位，防止出現(xiàn)脫落或出槽影響抽空。、蓋好過濾器頂蓋并用扳手?jǐn)Q好過濾器頂蓋螺絲，擰上波紋管和過濾器頂蓋的連接法蘭。圖10真空泵與真空泵房5、真空泵油檢查與更換、確認(rèn)關(guān)閉主泵手閥和真空泵，在放油單晶爐上掛檢修牌，將廢油桶置于真 空泵放油口下方，打開上下腔放油開關(guān)，放完油后關(guān)閉上下腔放油閥，廢油倒 入指定油桶。、清掃真空泵（每3爐清掃一次），用扳手打開真空泵側(cè)蓋，置于適當(dāng)位置, 用毛巾徹底清理真空泵腔、側(cè)

10、蓋和下腔濾油網(wǎng)的油污，清掃完畢后，安裝好濾 網(wǎng)，安裝好側(cè)蓋。側(cè)蓋在打開、安裝時(shí)小心操作，防止損壞側(cè)蓋及油封而漏油。 泵腔內(nèi)禁止遺留紙屑或其它異物，不然會(huì)造成油路的堵塞導(dǎo)致真空泵卡死。清 理真空泵的廢棄物放入指定垃圾桶。、打開真空泵注油口，將真空泵油注入真空泵注油孔，觀察真空泵油位至油 位觀察窗1/2位置，停止注油，打開泵側(cè)的油路管道閥門向下腔放油，關(guān)閉油 口。、啟動(dòng)真空泵工作5min后關(guān)閉泵側(cè)的油路管道閥門，察看油位是否處于油位 觀察窗1/3-1/2位置，關(guān)閉真空泵，在放油單晶爐上移去檢修牌。若低于下限 重復(fù)（四）、（五）操作。6、石墨件清掃、石墨件清掃 、石墨件必須在指定的通風(fēng)廚室進(jìn)行清掃，

11、準(zhǔn)備好清掃用品（吸塵刷、紙巾、吸塵管、研磨布、除硅粒的專有工具、放石墨件的潔凈長(zhǎng)板車等）戴好手套、 防塵口罩。清掃好清掃臺(tái)及周圍環(huán)境。 、依次用吸塵刷清掃各類石墨件直至確認(rèn)無污物，溝槽及接口等吸附揮發(fā)物較多的部位要用研磨布認(rèn)真打磨后再吸塵清掃。、清掃時(shí)注意檢查各石墨件是否有損壞及粘硅，有損壞及粘硅要及時(shí)更換和 處理。、操作時(shí)要輕拿輕放以免造成石墨件的損壞。、清理完畢的石墨件放到事先準(zhǔn)備好的潔凈不銹鋼長(zhǎng)板車上。禁止疊加，移動(dòng)不銹鋼小車要穩(wěn)當(dāng)。、清掃后垃圾放入垃圾指定處，清掃好清掃臺(tái)及周圍環(huán)境。、石墨大件爐內(nèi)清掃（適用于每爐小清，石墨大件未取出時(shí)在爐內(nèi)清掃）、用吸塵刷吸凈爐筒、保溫筒和加熱器上沿拆

12、爐時(shí)掉落的殘?jiān)?、用吸塵刷仔細(xì)清掃保溫筒和加熱器所能觸及到的部位。、取出加熱器螺絲蓋，檢查電極螺絲是否松動(dòng)、脫落或粘硅。有松動(dòng)須擰緊, 有脫落或粘硅須更換。然后蓋好加熱器螺絲蓋。在拆爐時(shí)不小心引起熱場(chǎng)移動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)，一定要檢查熱場(chǎng)是否對(duì)稱，測(cè)溫孔要重新校正。如果測(cè)溫孔與溫度傳感器沒有對(duì)準(zhǔn)，會(huì)導(dǎo)致無法對(duì)爐內(nèi)溫度 進(jìn)行自動(dòng)控制，無法成晶。圖11測(cè)溫裝置、檢查底保溫板H盤和加熱器電極腳的距離是否對(duì)稱，若距離不一致要調(diào)整間距。檢查是否有石墨碎屑伸出；若有，要將碎屑吸除。 、兩段式的石墨托柄，要檢查是否松動(dòng)和機(jī)械損傷，若發(fā)現(xiàn)松動(dòng)，要擰緊。檢查石墨托柄和坩堝軸護(hù)套四周間隙是否一致。 、用吸塵刷吸凈底保溫板、排

13、氣孔和排氣套筒內(nèi)的附塵及殘?jiān)?、用帶有酒精的紙巾清理爐壁上部。生效日期：2008年5月30日7、單晶爐室清掃、上爐體的清掃安裝、準(zhǔn)備好清掃棒、紙巾、酒精。 、在清掃棒上纏上沾有酒精的紙巾，清掃上爐體內(nèi)部至上部，直至確認(rèn)無污物。 、快速降下籽晶夾頭，用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃重錘及鉬夾頭。需要時(shí)要將重錘摘下用研磨布認(rèn)真打磨，并清掃干凈。摘下重錘時(shí)要慎重作業(yè)，防止鋼 絲繩上彈造成鋼絲繩出槽。清掃鋼絲繩時(shí)要檢查其接頭部位是否老化或損壞， 若有應(yīng)截去一截鋼絲繩，防止在拉晶過程中單晶掉下。清掃后，上升重錘到 一定位置，升重錘時(shí)，不要使重錘晃動(dòng)，防止重錘掛住上爐體下沿，拉斷鋼 絲繩。、爐蓋清掃 、觀察爐頸

14、處的積渣情況，然后用紙巾擦掃內(nèi)壁 （氧化物過多先用吸塵刷清理）。 、小孔部位、觀察窗部位、照相機(jī)部位、閥口部位各處的接口及焊接口等不易清掃的部位要用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃，直至確認(rèn)無污物。 、硅粉強(qiáng)力附著時(shí)或爐蓋局部發(fā)黑、發(fā)白時(shí)要用研磨布認(rèn)真研磨直至爐蓋整個(gè)內(nèi)壁出現(xiàn)光亮無污物。 、觀察窗、相機(jī)窗口要認(rèn)真清理，所有小孔的位置要把紙巾卷成卷以便伸進(jìn)氣孔內(nèi)部更容易清理直至沒有污物。、用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃抽氣口、其它小孔及翻板閥四周及轉(zhuǎn)軸。打開翻 板閥，翻板閥的溝槽部位及焊縫處先用紙巾卷成利于操作的形狀再認(rèn)真擦掃。 檢查翻板閥對(duì)中情況和翻板閥冷卻水。、爐筒清掃 、先用紙巾擦掃內(nèi)壁（氧化物過多先用吸

15、塵刷清理）。 、取光孔部位要用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃，直至確認(rèn)無污染。 、硅粉強(qiáng)力附著時(shí)或爐筒局部發(fā)黑、發(fā)白時(shí)要用研磨布認(rèn)真研磨直至爐筒整個(gè)內(nèi)壁出現(xiàn)光亮無污物。、抽氣管道清掃。 、打開抽氣管道上的封蓋螺圈，取下封蓋和密封圈。 、用一頭纏鋼絲球的長(zhǎng)棒伸入管道抽動(dòng)，另一頭用吸塵刷吸除抽氣管道內(nèi)的揮發(fā)物。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09單晶爐操作規(guī)程版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第10頁(yè)共35頁(yè)生效日期：2008年5月30日、用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃封蓋和密封圈，再安裝好。8、石墨件安裝、清掃后的石墨大件安裝（一般 3爐做一次）、將清理完畢的石墨大件不銹鋼長(zhǎng)板車移到單晶爐旁邊，移動(dòng)過程要穩(wěn)當(dāng)。

16、 依次裝好石墨電極、爐底碳?xì)?、底保溫支撐環(huán)、坩堝軸護(hù)套、爐底板、爐底 防漏板、坩堝軸擋料罩、下保溫筒、底保溫板、排氣套管、石英電極環(huán)。安 裝電極時(shí)，要檢查電極柱冷卻水，然后檢查電極接觸面是否平整，上下接觸 面要放一層石墨紙，防止熱場(chǎng)打火。、將清掃后的加熱器裝好，擰上石墨螺絲，要擰緊，兩邊受力均勻，并蓋上石 墨螺絲蓋。、檢查底保溫板H盤和加熱器電極腳的距離是否對(duì)稱，若距離不一致要調(diào)整間 距。檢查是否有石墨碎屑伸出；若有，要將碎屑吸除。 、將清掃后的中保溫筒裝好，卡口接到位。并校正與加熱器的間距，要均勻一致，否則需調(diào)整好。然后放中成型碳?xì)帧Ｈ艮D(zhuǎn)動(dòng)了保溫筒，需重新校正加熱器 電極腳和底保溫板的間隙。

17、 、用沾有酒精的紙巾擦掃下爐筒上部的結(jié)合部和中爐筒下部的結(jié)合部，同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)爐筒到適當(dāng)位置。 、將【CHAMBER】按鈕打向DOWN位置，爐筒降到位后，校對(duì)測(cè)溫孔，防止測(cè)光信號(hào)過小無法溫度自控。 、將清掃后的上保溫筒裝好，并卡口接到位，然后放上成型碳?xì)?。、清掃后石墨小件的安裝。 、裝好石墨托柄，一定要擰緊石墨托柄，防止因松動(dòng)造成液面晃動(dòng)。檢查石墨托柄和坩堝軸護(hù)套四周的間隙是否一致。檢查石墨托柄是否擰緊。 、依次裝好石墨堝托、石墨三瓣堝。安裝時(shí)要確認(rèn)堝桿、堝托、三瓣堝是否尺寸配合，要認(rèn)真、細(xì)心，防止碰壞保溫材料或加熱器。 、裝好后要打開堝轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)一下，以檢查三瓣堝與加熱器間距是否一致。若不一浙江昱輝陽

18、光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日致，需及時(shí)調(diào)整。升降坩堝，檢查是否有異常響聲。圖13熱場(chǎng)組裝!注意：熱場(chǎng)組裝到位后，要檢查操作屏幕上【原點(diǎn)】是否為紅色顯示，若沒有紅色顯示，則需進(jìn)行【初始化】操作。9、石英坩堝安裝、爐筒、爐蓋的外側(cè)及周遍，用沾有酒精的紙巾擦掃平干凈，爐體周圍地面認(rèn)真打掃。、從指定的場(chǎng)所將指定石英坩堝取來。穿好潔凈的專用工作服及工作帽，戴好防塵口罩和裝料用的潔凈手套。、檢查石英坩堝包裝上標(biāo)識(shí)與配料單上是否一致， 打開石英坩堝包裝，對(duì)光確認(rèn)有無裂紋、污物、氣泡、黑點(diǎn)。若有異常及時(shí)處理并報(bào)告班長(zhǎng)或主任。、在石墨三瓣堝內(nèi)裝好石英坩堝，注

19、意保證四周間隙和高度一致。、在操作記錄單上記好所用石英坩堝的生產(chǎn)廠家、編號(hào)和高度，同時(shí)保管好石英坩堝標(biāo)簽號(hào)，放入指定地方。10、硅料安裝、取來裝料不銹鋼小車和硅料，仔細(xì)核對(duì)配料單的各項(xiàng)內(nèi)容是否與單晶爐號(hào)、配料實(shí)物一致，若有異常及時(shí)處理并報(bào)告班長(zhǎng)或主任。、雙手各戴上1副棉手套，再戴上3至5副一次性手套，如有母合金，先放入石英坩堝，將 版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第13頁(yè)共35頁(yè)袋留下，以便及時(shí)將所裝入的母合金填寫在操作記錄單上。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日、在石英坩堝高度的1/3以下盡量使硅料采用面接觸，料的高度達(dá)到石英坩堝的2/3 后，盡

20、量使硅料與石英坩堝點(diǎn)接觸。大塊硅料不要裝在底部。裝料時(shí)要慎重作業(yè)， 輕拿輕放，防止碰撞石英坩堝，不要使料掉在保溫筒的縫隙，以免造成打火。、裝料時(shí)注意不要使硅料探出石英坩堝， 否則會(huì)在熔料過程中引起硅液流下， 損壞石墨件，甚至燜爐。、裝料完成后打開堝轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)一下，確認(rèn)四周間隙一致，再快速將堝降至下限，停止旋轉(zhuǎn)。、三瓣堝上部、加熱器上部、保溫筒上部再用干凈吸塵刷吸凈浮塵及硅渣。、依次裝好保溫大蓋、導(dǎo)流筒，保溫大蓋和導(dǎo)流筒用無塵紙擦拭干凈。安裝保溫罩、導(dǎo)流時(shí)要相互吻合，安裝導(dǎo)流筒時(shí)要慎重作業(yè)，如果與硅料發(fā)生接觸時(shí)要調(diào)整硅 料的擺放，防止在化料過程中發(fā)生粘硅。11、籽晶安裝、將操作手柄上的【SEED】按

21、鈕打向DOWN位置，下降籽晶夾頭至適當(dāng)位置。、從指定的場(chǎng)所將腐蝕好的籽晶取來，用沾有酒精的紙巾認(rèn)真擦掃籽晶。!注意：不要直接用手接觸籽晶，防止汗?jié)n污染籽晶。、將重錘取下，使籽晶吊繩處于自由狀態(tài)，觀察籽晶吊繩的彎曲狀態(tài)，觀察其是否處于自由彎曲、是否有折痕或鉚接處毛刺等。圖14籽晶吊繩確認(rèn)籽晶和籽晶吊繩沒有異常后， 把籽晶裝在夾頭上，裝好鉬銷。用力向下拉一下籽晶使其牢固，穩(wěn)定好籽晶后把【SEED!按鈕打向UP，上升至適當(dāng)位置。!注意：安裝籽晶時(shí)不要旋轉(zhuǎn)籽晶，裝好后垂直下拉籽晶，防止有間距在拉晶時(shí)晶棒下滑。、用沾有酒精的紙巾擦掃爐蓋和爐筒接合部的密封圈，打開上爐體定位開關(guān)，旋轉(zhuǎn)至爐筒上部。、將操作手

22、柄上的【HOIST】按鈕打向DOWN位置，降下爐蓋，降爐蓋時(shí)要注意螺絲吻合。爐蓋降到位后確認(rèn)爐蓋是否合好，防止漏氣。12、抽空、檢漏、打開真空泵電源,然后點(diǎn)擊【壓力】操作菜單下的【打開】按鈕。、緩慢打開手動(dòng)閥,爐內(nèi)壓力在 400Torr以下完全打開手動(dòng)閥。圖15手動(dòng)閥圖16【壓力】操作菜單、抽空后爐內(nèi)壓力達(dá)到400Torr時(shí)，充氬氣15秒左右，抽真空1小時(shí)左右，使?fàn)t內(nèi)壓力v40mTorr。、待爐內(nèi)壓力v40mTorr后，關(guān)閉手動(dòng)閥30秒后，按下【泄漏檢測(cè)】按鈕，打開檢漏菜單，按下【開始】按鈕，開始檢漏，檢漏時(shí)間 5分鐘，按下【停止】按鈕,此時(shí)屏幕上的漏氣量和時(shí)間就是檢測(cè)結(jié)果。要求爐子漏氣速率v

23、0.8mTorr/min （即5分鐘小于4mTorr），檢漏合格進(jìn)入加熱熔料工序。、若爐子極限真空40mTorr,需重復(fù)1、2、3步驟；若爐子漏氣速率0.8mTorr/min，則需重復(fù)1、2、3、4步驟進(jìn)行抽空檢漏，若不合格報(bào)告維修人員處理。并進(jìn)行 相應(yīng)記錄。13、充氬氣、升功率、熔料、抽空檢漏合格后，點(diǎn)擊【壓力】菜單下的【打開】按鈕，然后緩慢打開手動(dòng)閥。、調(diào)節(jié)【MFC流量值】為3050SLM，分別點(diǎn)擊MFC【開】和上爐體氣閥【打開】 按鈕，【壓力設(shè)定】值為1015Torr,然后點(diǎn)擊【自動(dòng)】按鈕。!注意：若打開的氬氣流量值比較大時(shí)，要采用分布遞增的方法逐漸增大氬氣流量，停止時(shí)則分步遞減，這樣做

24、可以使氬氣流量計(jì)不會(huì)因?yàn)榱髁客蝗蛔兓?，而發(fā)生零點(diǎn)偏移。、點(diǎn)擊控制面板上的加熱開關(guān)。、將操作屏幕旁邊的狀態(tài)控制旋鈕打到自動(dòng)檔，按下屏幕下方的【工序開始】，屏幕 中會(huì)跳出是否執(zhí)行化料程序的確認(rèn)對(duì)話框，點(diǎn)擊【接受】，開始自動(dòng)化料程序。、在熔料過程中，要觀察硅料的熔化過程，是否有掛邊，是否有不熔性雜質(zhì)，檢查電流值是否穩(wěn)定，功率值是否 、若手動(dòng)熔料，將操作屏幕旁旋鈕打到手動(dòng)檔，調(diào)出【加 單，根據(jù)參考表1,分步增 功率均作相應(yīng)記錄。對(duì)加熱 應(yīng)小心操作，防止功率迅速 變壓器負(fù)荷過大，或?qū)φ麄€(gè) 瞬間電流過大而打火或損 加熱順序進(jìn)行加熱，否則可 上升造成石英坩堝破裂、漏時(shí)間功率0mi n30KW20min6

25、0KW50min80KW70min90KW100min98KW穩(wěn)定。邊的狀態(tài)控制 熱器】控制菜 加功率。每次加 器功率的使用 增大，瞬時(shí)造成 加熱回路造成 壞。應(yīng)嚴(yán)格按照 能會(huì)溫度突然 硅。表1分步升功率參考、熔料過程中注意觀察爐內(nèi)的情況，若無異常塌料后點(diǎn)擊操作屏幕上【坩堝】，給定堝轉(zhuǎn)為2r/min，使用操作手柄上的【CRUCIBLE】鍵，打向【UP】上升適當(dāng)堝位。原則上爐內(nèi)條件允許，能開堝轉(zhuǎn)盡量開堝轉(zhuǎn)；能升堝位，盡量升堝位，并進(jìn)行相應(yīng)記錄。升堝時(shí)注意不要使硅液面觸到導(dǎo)流筒下沿，兩者之間保持一個(gè)安全距離。升完堝位后，通過對(duì)屏幕上坩堝位置的確認(rèn)，保證坩堝無動(dòng)作，方可完成，否則會(huì)使導(dǎo)流筒粘硅，發(fā)生

26、跳硅。、熔料過程中，注意觀察有無掛邊、漏硅等情況，若發(fā)現(xiàn)要及時(shí)處理。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第17頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日?qǐng)D17【加熱器】菜單圖18操作手柄圖19【坩堝】菜單14、溫度穩(wěn)定、觀察爐內(nèi)硅料是否完全熔化，是否有掛邊。如有掛邊，要及時(shí)處理，按下屏幕下方的【工序復(fù)位】按鈕，在彈出的對(duì)話框中選擇【接受】，然后將操作面板旁邊的狀態(tài)旋鈕打向手動(dòng)檔，將操作手柄上的【CRUCIBLE】打向DOWN位置，降低坩堝至適當(dāng)位置，按屏幕上的【加熱器】按鈕，在【功率】中輸入適當(dāng)?shù)母吖β手担c(diǎn)擊【DC功率控制】的【開】按鈕；掛邊消失后

27、,浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第16頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日迅速按屏幕上的【加熱器】按鈕，在【功率】中輸入適當(dāng)?shù)牡凸β手担c(diǎn)擊【 DC功率控制】的【開】按鈕，然后將操作手柄上的【CRUCIBLE】打向【UP】位置，上 升坩堝至適當(dāng)位置，升堝時(shí)注意不要使硅液面觸到導(dǎo)流筒下沿，升完石英坩堝后通 過檢查屏幕上的坩堝位置確認(rèn)坩堝無動(dòng)作，方可完成，否則會(huì)使導(dǎo)流筒粘硅，發(fā)生 跳硅；掛邊處理完后，手動(dòng)進(jìn)入【溫度穩(wěn)定】工序。如無掛邊，則按【下一步】進(jìn)入【溫度穩(wěn)定】工序。、自動(dòng)熔料時(shí)間已到還沒有熔完料，爐臺(tái)會(huì)有提示音，彈出是否結(jié)束熔料工序的對(duì)話

28、框，待料完全熔化后，點(diǎn)擊【接受】按鈕，進(jìn)入【溫度穩(wěn)定】工序。、若手動(dòng)進(jìn)行溫度穩(wěn)定，則按下操作面板上的【工序復(fù)位】，點(diǎn)擊【接受】按鈕,將狀態(tài)控制按鈕打向手動(dòng)檔。、點(diǎn)擊屏幕上的【坩堝】鍵，調(diào)出坩堝控制菜單，在【旋轉(zhuǎn)速度】中分步輸入坩堝 轉(zhuǎn)速，然后點(diǎn)擊旋轉(zhuǎn)欄中的【ON】按鈕，直到坩堝轉(zhuǎn)速為目標(biāo)值 610r/min。、通過調(diào)整操作手柄上的【CRUCIBLE】UP鍵，使坩堝位置停留在引晶堝位，即液面與導(dǎo)流筒的距離在20mn左右，引晶堝位可在上爐堝位基礎(chǔ)上根據(jù)投料量增加 /減少量，來確定本次引晶堝位，具體可參照附錄a引晶位置變化參考表，并進(jìn)行相應(yīng)記錄。、調(diào)出功率控制菜單，參考上爐引晶功率，輸入本爐穩(wěn)定所需

29、的引晶功率值，點(diǎn)擊DC溫度控制】5C以上，否則會(huì)由【DC功率控制】的【開】按鈕，進(jìn)入功率穩(wěn)定時(shí)期；根據(jù)上爐引晶溫度，在【加熱器溫度控制】中輸入本爐所需的溫度穩(wěn)定的引晶溫度值，點(diǎn)擊【的【開】按鈕，開始溫度穩(wěn)定。!注意：打開溫度穩(wěn)定時(shí)，設(shè)定溫度值要分多次慢降，實(shí)際溫度相對(duì)于設(shè)定溫度不要大于 于功率到零而發(fā)出報(bào)警。15、引晶和縮頸、取樣測(cè)電阻率 、在手動(dòng)狀態(tài)下，將操作手柄上的【SEED】鍵打向DOWN位置，下降籽晶停留在從主觀察窗剛能看到的位置， 并點(diǎn)擊操作面板上的【SEED!鍵進(jìn)入籽晶控制菜單，在【旋轉(zhuǎn)速度】欄中分布輸入晶轉(zhuǎn)速度，點(diǎn)擊【旋轉(zhuǎn)】的【開】按鈕, 直到晶轉(zhuǎn)速度為目標(biāo)值810r/min。

30、、10分鐘后，降籽晶至距液面10mm處預(yù)熱。20分鐘后，降籽晶使之與硅液面 接觸，浸潤(rùn)10分鐘，根據(jù)接觸光圈的形狀，確定引晶溫度是否合適，若合適開 始引晶；若不合適，通過調(diào)整溫度或堝轉(zhuǎn)，10分鐘后開始引晶。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09單晶爐操作規(guī)程版本號(hào):A/1頁(yè)碼：第17頁(yè)共35頁(yè)生效日期：2008年5月30日 、適當(dāng)引晶到一定長(zhǎng)度，降S/L為0.5mm/min左右，進(jìn)入自動(dòng)放肩程序，放肩至直徑5060mm，將【操作手柄】上的【SEED!鍵打向UP位置，提離液面 上升到導(dǎo)流筒中部停留5分鐘，然后提升到上爐體內(nèi)，緩慢調(diào)節(jié)籽晶轉(zhuǎn)速為0r/min，確認(rèn)吊肩升過翻板閥室后，緩慢順時(shí)

31、針關(guān)閉隔離閥，當(dāng)傳感器燈亮?xí)r 停止關(guān)閉動(dòng)作。 、點(diǎn)擊【氬氣】，調(diào)出氬氣控制菜單，在【MFC流量值】欄中輸入100,并依 次點(diǎn)擊【MFC】的【開】按鈕，【上爐體氣閥】的【打開】按鈕，【下爐體氣 閥】的【打開】按鈕。、當(dāng)上爐體的壓力到達(dá)760Torr時(shí)，點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【關(guān)閉】按鈕，停止上爐體的氬氣供應(yīng)。然后調(diào)節(jié)氬氣流量為50SLM。、擰開上爐體與翻板閥室的連接螺母，將操作手柄上的【 HOIST】旋鈕打向UP位置點(diǎn)動(dòng)上升上爐體至適當(dāng)位置，打開上定位開關(guān)，旋轉(zhuǎn)上爐體至一側(cè)，下降 籽晶至適當(dāng)位置。 、用鉗子取出籽晶下放肩部位，取籽晶時(shí)要慎重作業(yè)，不可用手直接接觸籽晶,防止?fàn)C傷等冷卻后測(cè)電阻率。 、

32、待籽晶冷卻后用紙巾擦掃干凈，并順勢(shì)向下拽拉籽晶。 、清潔翻板閥室和上爐體連接法蘭的密封圈，并檢查是否完好，旋轉(zhuǎn)上爐體至爐蓋上方，將操作手柄上的【HOIST】旋鈕打向DOWN位置下降上爐體和爐蓋40mn以合緊，合緊過程中注意入孔要吻合，合上爐體定位開關(guān)，擰上上爐體和爐蓋的 連接螺母。!注意：在打開和合攏上爐體之前要確認(rèn)坩堝升降動(dòng)作停止，且保證導(dǎo)流筒和液面之間的距離在上。、上爐體抽空作業(yè)、打開輔泵電源。、慢慢打開上爐體抽氣球閥，直至全開。、用輔泵將上爐體的壓力抽到100Torr時(shí)，點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【開】按鈕,當(dāng)壓力充至650Torr時(shí)，點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【關(guān)】按鈕。如此反復(fù)三次,將上爐體的壓

33、力抽至與下爐體接近時(shí)，關(guān)閉上爐體球閥，然后關(guān)閉輔泵電源。 、緩慢打開翻板閥，打開翻板閥時(shí)要緩慢操作，防止損壞或擠出閥口密封圈。 、重新輸入氬氣流量值為4050，點(diǎn)擊【MFC的【開】按鈕，依次點(diǎn)擊【下爐體氣閥】的【關(guān)閉】按鈕，【上爐體氣閥】的【打開】按鈕。 、補(bǔ)摻母合金浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第18頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日、若電阻率測(cè)試結(jié)果在目標(biāo)范圍時(shí)，可進(jìn)行下一步預(yù)熱接觸引晶；若有偏離,須補(bǔ)摻母合金，由相關(guān)人員根據(jù)電阻率測(cè)試結(jié)果和投料量計(jì)算出補(bǔ)摻母合金的 類型和數(shù)量，并去取出稱量，進(jìn)行補(bǔ)摻，作好相應(yīng)記錄。 、補(bǔ)摻過程同A取

34、樣測(cè)電阻率一樣，只是放肩放到 100150mm,盡量放平肩。 、將上爐體旋轉(zhuǎn)到一側(cè)后，不取下籽晶，將已稱量的母合金放在平肩上。放母合金時(shí)要慎重作業(yè)，不可用手直接接觸籽晶，防止?fàn)C傷。、再按B上爐體抽空作業(yè)后，適當(dāng)調(diào)節(jié)熔硅溫度，把籽晶和母合金降到液面中,使其熔化摻入。、再重復(fù)A取樣測(cè)電阻率，B上爐體抽空作業(yè)，C補(bǔ)摻母合金，直到電阻率測(cè)試合格進(jìn)入下一工序。、預(yù)熱接觸、電阻率合格后，將操作手柄上的【SEED】鍵打向DOWN位置，下降籽晶停留在從主觀察窗剛能看到的位置，在【旋轉(zhuǎn)速度】欄中分步輸入晶轉(zhuǎn)速度，點(diǎn) 擊【旋轉(zhuǎn)】的【開】按鈕，直到晶轉(zhuǎn)速度為目標(biāo)值810r/min。!注意：為防止籽晶由0轉(zhuǎn)速到大轉(zhuǎn)速

35、而產(chǎn)生晃動(dòng)的話，可以分多次增加轉(zhuǎn)速。、20分鐘后,將操作手柄上的【SEED!鍵打向DOWN，降籽晶至距液面10mm處預(yù)熱。、20分鐘后,降籽晶使之與硅液面接觸，浸潤(rùn) 20分鐘，若不合適，通過屏幕上的【加熱器】控制菜單下的【DC溫度控制】和【坩堝】轉(zhuǎn)速調(diào)整溫度，20分鐘后開始引晶。!注意：必須預(yù)熱，不然會(huì)由于籽晶由低溫區(qū)到高溫區(qū)、由固態(tài)到液態(tài)轉(zhuǎn)變時(shí)，溫差太大造成籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)。、籽晶快速上升或下降的位置必須確認(rèn)，升降操作方可完成，否則會(huì)溶掉籽晶 甚至重錘，升至上限時(shí)會(huì)導(dǎo)致重錘掉下進(jìn)入溶硅內(nèi)，造成漏硅或整爐料徹底報(bào)廢，無法再次利用。、引晶、點(diǎn)擊【工序參數(shù)】進(jìn)入?yún)?shù)修改畫面，將【NECK目標(biāo)直徑】中的

36、直徑值設(shè)定到接近籽晶粗細(xì)的值，并按【執(zhí)行】按鈕。、將狀態(tài)控制按鈕打向自動(dòng)檔，點(diǎn)擊【工序開始】鍵，彈出對(duì)話框，點(diǎn)擊【確認(rèn)】鍵，進(jìn)入自動(dòng)模式。點(diǎn)擊【工序控制】進(jìn)入程序控制畫面，選擇【引晶模式】并按【執(zhí)行】，進(jìn)入浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09單晶爐操作規(guī)程版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第19頁(yè)共35頁(yè)生效日期：2008年5月30日 、自動(dòng)引晶模式。 、程序會(huì)通過控制拉速自動(dòng)往設(shè)定的直徑控制，若進(jìn)一步減小直徑，可以多次修改【工序參數(shù)】中【NECK目標(biāo)直徑】的設(shè)定籽晶直徑值。!注意：由于實(shí)際直徑與設(shè)定直徑偏差過大會(huì)導(dǎo)致拉速變化過大而將所引細(xì)晶拉斷，每次只做小量的修改（0.2mm/次左右）。 、可以

37、點(diǎn)擊【籽晶】調(diào)出籽晶控制菜單，在【低拉速值】中輸入需要對(duì)拉速進(jìn)行微調(diào)的量，點(diǎn)擊【低拉速】欄下的【+】和【一】按鈕，對(duì)拉速進(jìn)行微調(diào)。 、引晶過程中若溫度不適，可通過【加熱器】和【坩堝】適當(dāng)進(jìn)行溫度的調(diào)整，但不宜過大。引晶開始時(shí)，應(yīng)先引10mm左右直徑較粗的細(xì)頸，可作為下次接 觸使用，這樣避免籽晶的浪費(fèi)。圖20引晶 、引晶過程中若籽晶熔斷，則重新進(jìn)行引晶溫度的調(diào)整，籽晶插入液面，重新進(jìn)行引晶。作好相應(yīng)記錄。 、若自動(dòng)引晶不理想，可以隨時(shí)考慮進(jìn)入手動(dòng)狀態(tài)來手動(dòng)引晶。點(diǎn)擊【工序復(fù)位】，在彈出的對(duì)話框中選擇【確認(rèn)】，隨后將狀態(tài)控制旋鈕打到【手動(dòng)】檔。 、通過操作手柄上的籽晶拉速鍵來調(diào)整拉速，使籽晶的直徑

38、達(dá)到理想值。也可以點(diǎn)擊【SEED!鍵調(diào)出籽晶控制菜單，在【低拉速值】中輸入所要的拉速，然 后點(diǎn)擊【低拉速】欄中的【UP】鍵，執(zhí)行所設(shè)定的籽晶拉速值。可通過【加熱 器】和【坩堝】適當(dāng)進(jìn)行溫度的調(diào)整，但不宜過大。6寸參考引晶直徑在3mm左右，長(zhǎng)度不低于150mm； 8寸參考引晶直徑在5mm左右，長(zhǎng)度不低于200mm。浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02- 09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第20頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日16放肩、弓I晶達(dá)到預(yù)定的長(zhǎng)度后，如果在自動(dòng)引晶狀態(tài)下，點(diǎn)擊【下一步】，在彈出的對(duì) 話框中點(diǎn)擊【確認(rèn)】，進(jìn)入自動(dòng)放肩程序。引晶達(dá)到預(yù)定的長(zhǎng)度后，如果在手動(dòng)引晶

39、狀態(tài)下，將狀態(tài)控制旋鈕打到自動(dòng)檔， 點(diǎn)擊【工序開始】，在彈出的對(duì)話框中選擇【確認(rèn)】，進(jìn)入自動(dòng)模式。點(diǎn)擊【工序控制】進(jìn)入程序控制畫面，選擇【放肩模式】并按【執(zhí)行】鍵，進(jìn)入 自動(dòng)放肩程序。、在自動(dòng)放肩過程中，晶體的直徑會(huì)慢慢變大，用觀察窗上的測(cè)徑儀測(cè)量晶體的實(shí) 際直徑，并比較相機(jī)的讀數(shù)直徑，計(jì)算兩者的差別。放肩盡量要放平肩。注意放肩的形態(tài)，放肩時(shí)要時(shí)刻觀察肩的形狀，放肩過快過 慢時(shí)應(yīng)及時(shí)進(jìn)行適當(dāng)?shù)販囟然蚶僬{(diào)整。圖21放肩、點(diǎn)擊【工序參數(shù)】調(diào)出工序控制菜單，在參數(shù)【轉(zhuǎn)肩提升直徑】中輸入開始轉(zhuǎn)肩 時(shí)相機(jī)所要達(dá)到的數(shù)值，點(diǎn)擊【執(zhí)行】按鈕。注意：輸入的數(shù)值和相機(jī)讀數(shù)的差值要與此時(shí)的實(shí)際直徑和所需的目標(biāo)直

40、徑的差值一致。、放肩壞時(shí)，則重新進(jìn)行溫度的調(diào)整，插入液面，熔去放肩和引晶部位，再引晶。 若料較臟時(shí)，將肩放至直徑150160mm提離液面上升到導(dǎo)流筒中部停留 5分鐘, 然后上升到上爐體，緩慢調(diào)節(jié)籽晶轉(zhuǎn)速為 點(diǎn)擊【氬氣】，調(diào)出氬氣控制菜單，在【 擊【MFC】的【開】按鈕，【上爐體氣閥】【打開】按鈕。當(dāng)上爐體的壓力到達(dá)760Torr時(shí)，點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【關(guān)閉】按鈕，停止上爐 體的氬氣供應(yīng)，然后調(diào)節(jié)氬氣流量為 50SLM。0r/min，順時(shí)針緩慢關(guān)閉隔離閥。MFC流量值】欄中輸入100,并依次點(diǎn) 的【打開】按鈕，【下爐體氣閥】的浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第

41、24頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日(11)、擰開上爐體和爐蓋的連接螺母，將操作手柄上的【HOIST】旋鈕打向UP位置上升 上爐體至適當(dāng)位置，打開上爐體定位開關(guān)，旋轉(zhuǎn)上爐體至一側(cè)，下降籽晶至適當(dāng)位 置。(12)、取出不成晶品放到指定位置待其冷卻后做好標(biāo)識(shí)放入指定場(chǎng)所。17、轉(zhuǎn)肩、根據(jù)目標(biāo)直徑的不同，將肩放到合適直徑，達(dá)到【轉(zhuǎn)肩提升直徑】的設(shè)定直徑值 時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入轉(zhuǎn)肩程序、轉(zhuǎn)肩后，程序自動(dòng)進(jìn)入等徑程序，此時(shí)相機(jī)的讀數(shù)會(huì)有所變化。圖22相機(jī)、點(diǎn)擊【工序參數(shù)】進(jìn)入?yún)?shù)修改頁(yè)，將【等徑目標(biāo)直徑】中的值修改成此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)值，并按【執(zhí)行】按鈕執(zhí)行。!注意：若此時(shí)晶棒直徑的實(shí)際值與目

42、標(biāo)值有偏差，可以通過多次設(shè)定接近目標(biāo)值的方法來達(dá)到目標(biāo)直徑。、密切關(guān)注單晶的生長(zhǎng)速度，適當(dāng)調(diào)整拉速。圖23轉(zhuǎn)肩、待單晶生長(zhǎng)到目標(biāo)直徑時(shí)點(diǎn)擊【工序參數(shù)】進(jìn)入?yún)?shù)修改頁(yè)，在【坩堝進(jìn)度比率】中輸入坩堝跟進(jìn)比率。坩堝跟進(jìn)比率的設(shè)定可參照附錄B堝跟比參考表。(6)、一定要注意單晶生長(zhǎng)的起始階段直徑是否穩(wěn)定。!注意：若等徑起始階段直徑生長(zhǎng)不穩(wěn)定，可以嘗試手動(dòng)待直徑穩(wěn)定后，再切換到自動(dòng)，但需點(diǎn)擊【工序參數(shù)】進(jìn) 入?yún)?shù)修改頁(yè)，將【Body起始長(zhǎng)度】的值修改為手動(dòng)穩(wěn)定的長(zhǎng)度值。18、等徑生長(zhǎng)、正常等徑控制 、等徑過程中應(yīng)時(shí)常觀察爐內(nèi)單晶生長(zhǎng)情況， 每隔10分鐘對(duì)爐內(nèi)巡視1次，確認(rèn)有無異常，每隔1小時(shí)對(duì)爐內(nèi)晶體測(cè)

43、量一次直徑。等徑過程中每 1個(gè)小時(shí)做1次Body目標(biāo)拉晶記錄。注意觀察硅液面與導(dǎo)流筒之間的距離。 、若有直徑偏大或偏小現(xiàn)象，點(diǎn)擊【工序參數(shù)】進(jìn)入?yún)?shù)修改頁(yè)，將【直徑】的值往需要的直徑修改，需變大則在此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)上加大，需變小則在 此時(shí)的相機(jī)讀數(shù)上減小，并按【執(zhí)行】鍵。若實(shí)際直徑與目標(biāo)直徑偏差較大，可 以分次修改，待前次的修改值達(dá)到后再行修改。圖24等徑 、根據(jù)情況的不同，等徑至硅料液面下降到石英坩堝內(nèi)徑變小處時(shí)，應(yīng)該適當(dāng)增大坩堝跟進(jìn)比率。!注意：自動(dòng)狀態(tài)下的手動(dòng)修訂，只能在原數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行加減操作，且在拉晶恢復(fù)正常時(shí)，務(wù)必將原來設(shè) 定參數(shù)上的加減項(xiàng)去掉，否則會(huì)影響程序的正常拉晶控制。 、若

44、需要直接手動(dòng)修訂拉速、坩堝堝隨、溫度等拉晶條件，可以點(diǎn)擊【0PRATION】進(jìn)入手動(dòng)干預(yù)菜單，分別選擇需要修改的項(xiàng)目，如【籽晶】、【加熱器】，點(diǎn)擊 其中一項(xiàng)則會(huì)出現(xiàn)各自的操作界面，在各自的值中輸入需要修改的參數(shù)的差值, 然后點(diǎn)擊【+】/【】來對(duì)原來的參數(shù)進(jìn)行修訂。、在自動(dòng)等徑過程中，可以點(diǎn)擊【工序參數(shù)】和【子參數(shù)表】進(jìn)入各自的操作畫 面，進(jìn)行相應(yīng)的修改，然后按【執(zhí)行】鍵執(zhí)行。、等徑斷棱時(shí)回熔、6寸單晶在300mm內(nèi)，8寸單晶在400mm以內(nèi)斷棱時(shí)，進(jìn)行回熔處理。作好相應(yīng)記錄。、點(diǎn)擊【工序復(fù)位】，在彈出的對(duì)話框中選擇【確認(rèn)】按鈕，然后將狀態(tài)控制按鈕打向手動(dòng)檔。、點(diǎn)擊【坩堝】鍵調(diào)出坩堝控制菜單，在

45、【旋轉(zhuǎn)速度】中輸入 2r/min，點(diǎn)擊【旋轉(zhuǎn)】的【開】按鈕；點(diǎn)擊【低速升降】的【關(guān)】按鈕，將坩堝的升降停止，下降坩堝到高溫區(qū)。、點(diǎn)擊【籽晶】鍵調(diào)出籽晶控制菜單，在【旋轉(zhuǎn)速度】中輸入 2r/min，點(diǎn)擊【旋、轉(zhuǎn)】的【開】按鈕；點(diǎn)擊【低速升降】的【關(guān)】按鈕，將籽晶的升降停止。點(diǎn)擊【加熱器】鍵調(diào)出加熱器控制菜單，點(diǎn)擊【DC溫度控制】的【關(guān)】按鈕,關(guān)閉溫度控制。在【功率】中輸入比引晶功率高出1015KW的功率值，點(diǎn)擊【DC功率控制】的【開】按鈕。、觀察爐內(nèi)狀態(tài)，慢慢下降晶體進(jìn)行回熔，晶體過長(zhǎng)需要熔化一段后，經(jīng)確認(rèn)經(jīng)已熔化后，再慢慢下降一段晶體進(jìn)行回熔，直到全部回熔。!注意：觀察回熔過程中和回熔結(jié)束后液

46、面和導(dǎo)流筒之間的距離，適當(dāng)調(diào)整坩堝位置，不要涮導(dǎo)流筒。、回熔完成后重新開始引晶操作工序。、等徑斷棱時(shí)晶體收尾提出、6寸單晶在300mm以上斷棱，8寸單晶在400mm以上斷棱時(shí)，且估計(jì)本次晶體提前收尾并提出后還能正常等徑 6寸在300mm或以上，8寸在400mm或以上時(shí)應(yīng)將單晶提前收尾并提出。收尾過程見十九收尾工序。、提前收尾要求收尾長(zhǎng)度在100120mm。收尾長(zhǎng)度計(jì)算是從實(shí)際晶體斷棱處到收小后晶體提出處的距離。、收好尾后點(diǎn)擊【工序復(fù)位】按鈕，在彈出的對(duì)話框中選擇【確認(rèn)】，然后將狀態(tài)控制按鈕打向手動(dòng)檔。、點(diǎn)擊【籽晶】鍵調(diào)出籽晶控制菜單，緩慢降低旋轉(zhuǎn)速度到5r/min，點(diǎn)擊【低速升降】的【停浙江昱

47、輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第24頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日止】按鈕；點(diǎn)擊【坩堝】鍵調(diào)出坩堝控制菜單，緩慢降低旋轉(zhuǎn)速度到2r/min，點(diǎn)擊【低速升降】的【停止】按鈕;、使用操作手柄上的【CRUCIBLE】DOWN下降坩堝液面40mm,點(diǎn)擊【籽晶】調(diào)出籽晶控制菜單，在【低速度值】中輸入4.0mm/min,點(diǎn)擊【低速升降】的【上】 按鈕，上升2.5小時(shí)，作好相應(yīng)記錄。而后用操作手柄上的【SEED! UP鍵上升晶棒到上爐體內(nèi)，等1小時(shí)后關(guān)閉隔離閥。、點(diǎn)擊【氬氣】調(diào)出氬氣控制菜單，設(shè)定【MFC流量值】為100,并依次點(diǎn)擊【MFC】的【開】按鈕

48、、【上爐體氣閥】和【下爐體氣閥】的【打開】按鈕。、當(dāng)上爐體壓力達(dá)到760Torr時(shí)，點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【關(guān)閉】按鈕。同二 .2.8步驟，取出斷棱單晶。作好相應(yīng)記錄。 、對(duì)籽晶、上爐體和爐蓋的密封圈進(jìn)行 、根據(jù)斷棱單晶的長(zhǎng)度，修改【子參數(shù)表】中下次等徑的起始長(zhǎng)度、尋找再次引晶放肩的溫度。 、重新開始引晶準(zhǔn)備和引晶操作。、等徑斷棱時(shí)晶體收尾停爐、6寸晶體等徑在300mm以上，8寸晶體等徑在400mm以上斷棱時(shí)，且估計(jì)本次晶體提前收尾并提出后已不能再正常等徑 6寸300mm或8寸400mm時(shí)，可進(jìn)行提前收尾停爐。收尾過程見十九收尾工序。 、提前收尾要求收尾長(zhǎng)度在100120mm。收尾長(zhǎng)度計(jì)算是從實(shí)

49、際晶體斷棱處到收小后晶體提出處的距離。 、收好尾后轉(zhuǎn)入二十降功率、停爐冷卻工序。19、收尾、當(dāng)晶體等徑長(zhǎng)度達(dá)到【工序參數(shù)】里的【收尾提升等徑長(zhǎng)度】設(shè)定的預(yù)定長(zhǎng)度（根據(jù)堝內(nèi)實(shí)際剩料多少計(jì)算，可參照附錄 C晶體收尾長(zhǎng)度參考表）時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入【收尾模式】；斷棱或其它異常情況需要提前收尾時(shí)，點(diǎn)擊【下一步】，直接進(jìn)入【收尾模式】。、進(jìn)入【收尾模式】后,每半小時(shí)記錄一次收尾數(shù)據(jù)，查看收尾情況，通過【op eration】下的【籽浙江昱輝陽光能源有限公司文件編號(hào)：Q02-09版本號(hào)：A/1頁(yè)碼：第25頁(yè)共35頁(yè)單晶爐操作規(guī)程生效日期：2008年5月30日晶】和【加熱器】對(duì)拉速和溫度做適當(dāng)調(diào)整，注意液面是否結(jié)晶

50、、液體所剩料是否足夠收尾、尾巴直徑是否在變小等情況。圖25收尾、正常收尾長(zhǎng)度應(yīng)為晶體等徑直徑的大小， 收成尖尾后使單晶脫離液面，轉(zhuǎn)入二十降功率、停爐冷卻工序。、若自動(dòng)收尾不理想，可以轉(zhuǎn)入手動(dòng)收尾。通過操作手柄上【 SEED!鍵調(diào)節(jié)拉速,通過屏幕上的【加熱器】調(diào)節(jié)溫度。20、降功率、停爐冷卻、收尾完成或收斷，晶棒與液體脫離后。點(diǎn)擊【下一步】進(jìn)入停爐冷卻階段。、進(jìn)入【冷卻模式】后籽晶會(huì)上升一定距離，籽晶轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速會(huì)慢慢停止，氬氣繼續(xù)保持。30mn左右）!注意：若收尾結(jié)束后，觀察液面與導(dǎo)流筒接近且剩料比較多時(shí)，應(yīng)轉(zhuǎn)為手動(dòng)將坩堝下降一段距離（ 且確認(rèn)坩堝下降動(dòng)作停止。、超過【冷卻模式】程序設(shè)定的時(shí)

51、間，機(jī)器會(huì)報(bào)警提示冷卻過程可以結(jié)束。從而轉(zhuǎn)入下一輪拉晶。、若手動(dòng)降功率、停爐：在收尾完成或收斷后，下降堝位30mm后確認(rèn)堝降動(dòng)作停止。、晶升拉速調(diào)整到1.0mm/min,使單晶自動(dòng)上升。、緩慢調(diào)節(jié)晶轉(zhuǎn)為5r/min，緩慢調(diào)節(jié)堝轉(zhuǎn)為2r/min。、溫度控制退出自動(dòng)，分步降低功率，作好操作記錄。0.5小時(shí)后功率降至0,關(guān)閉加熱電源。作好操作記錄。21、熱態(tài)檢漏、冷卻2.5小時(shí)后關(guān)閉堝轉(zhuǎn)，進(jìn)行熱態(tài)檢漏，將狀態(tài)控制旋鈕打向手動(dòng)檔，點(diǎn)擊【氬氣】進(jìn)入氬氣控制菜單，點(diǎn)擊【MFC】然后分步遞減【MFC流量值】至30.0SLM后點(diǎn)擊【關(guān)閉】按鈕，并點(diǎn)擊【上爐體氣閥】的【關(guān)閉】按鈕，開始抽高真空。浙江昱輝陽光能源

52、有限公司文件編號(hào)：Q02- 0 9單晶爐操作規(guī)程版本號(hào):A/1頁(yè)碼：第26頁(yè)共35頁(yè)生效日期：2008年5月30日、待爐內(nèi)壓力到達(dá)極限（要求達(dá)到 40mTorr以下）后，先關(guān)閉手動(dòng)閥，然后關(guān)閉真空泵電源，按下操作屏幕上的【泄漏檢測(cè)】按鈕，打開檢漏菜單，進(jìn)行檢漏，并作相應(yīng)記錄。、檢漏要求5分鐘，漏氣速率v0.80mTorr/min（5分鐘漏4mTorr以下）為正常，同時(shí)作好漏氣速率記錄。檢漏極限真空和漏氣速率合格后， 充氬氣至600Torr后，讓晶體隨爐自然冷卻。、若極限真空不合格，貝M故相應(yīng)記錄，擰緊手柄，關(guān)閉真空泵電源，充氬氣至600Torr后，停止氬氣供應(yīng)讓晶體隨爐自然冷卻；若漏氣速率不合格，則做相應(yīng)記錄，充氬氣至600Torr后，停止氬氣供應(yīng)，關(guān)閉真空泵電源，讓晶體隨爐自然冷卻。通知設(shè)備科人員進(jìn)行確認(rèn)，停爐后檢修。（5）、冷卻5小時(shí)后，緩慢調(diào)節(jié)晶轉(zhuǎn)為0,關(guān)閉晶轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)入下一輪拉晶。!注意：從【引晶模式】到【冷卻模式】過程的操作中，均可以進(jìn)行手動(dòng)和自動(dòng)的切換。高真空-HIGHVACUUM熔料-MELT;穩(wěn)定-STABILIZE