常用半導(dǎo)體器件(41).ppt

1、1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識,半導(dǎo)體概念：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點是： 導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響； 可通過某種工藝改變其導(dǎo)電性能,電子器件采用的半導(dǎo)體材料：主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料。半導(dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過提純。經(jīng)過提純的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,對于電子器件的要求主要有兩個：一個是具有放大能力，一個是具有非線性,1.1.1 本征半導(dǎo)體,共價鍵結(jié)構(gòu)使得價電子一般不能掙脫共價鍵的束縛，不能自由移動，所以不導(dǎo)電。 在外界因素（溫度、光照）影響下，少數(shù)價電子獲得一定能量，可以掙脫共價鍵的束縛

2、成為自由電子，同時在原處形成一個空穴。 電子和空穴都可以參與導(dǎo)電，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力與電子和空穴濃度有關(guān)，電子和空穴濃度與溫度和光照條件有關(guān)。 本征半導(dǎo)體的電子和空穴濃度相等。在一定溫度和光照條件下，產(chǎn)生和復(fù)合形成動態(tài)平衡,在絕對零度和沒有光照的情況下，半導(dǎo)體中沒有自由電子和空穴產(chǎn)生，此時半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。 盡管電子空穴對的產(chǎn)生使得半導(dǎo)體具有一定的導(dǎo)電性，但是其導(dǎo)電性能依然很弱。 能夠自由移動的帶電粒子稱為載流子，電子和空穴都是載流子。 本征半導(dǎo)體中電子和空穴成對產(chǎn)生，成對復(fù)合，即電子濃度和空穴濃度相等。 由于電子空穴濃度與溫度和光照有關(guān)，故本征半導(dǎo)體具有熱敏特性和光敏特性。同時表明，電

3、子器件具有溫度特性,硅原子外層有24個電子，鍺原子外層有32個電子。故硅原子的價電子離原子核近，鍺原子的價電子離原子核遠，鍺原子的價電子更容易掙脫共價鍵的束縛形成電子空穴對。故一定溫度下，鍺材料的電子空穴濃度遠遠大于硅材料，兩者相差三個數(shù)量級。 實際應(yīng)用中，硅管比鍺管應(yīng)用更為廣泛，因為其溫度穩(wěn)定性好得多。 要改變本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，一般采取摻雜的方法。即在本征半導(dǎo)體材料中摻進三價元素或者五價元素,1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中摻入少量其它元素（雜質(zhì)）可以極大地改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，這種摻入了其它元素的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。 雜質(zhì)一般有兩種：即五價元素（例如磷）和三價元素（例如硼,所摻入

4、的五價元素的價電子中有一個不能與本征半導(dǎo)體的價電子組成共價鍵，從而形成一個自由電子。這種半導(dǎo)體提供帶負電荷的載流子，故稱為N型半導(dǎo)體。 一個雜質(zhì)原子提供一個載流子，故載流子濃度取決于摻雜濃度。摻雜濃度一般很低，但是比本征半導(dǎo)體的載流子濃度高得多，故摻雜使得半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能得到很大的改變。 由于五價元素提供了自由電子，所以稱為施主原子。 所摻入的三價元素的價電子中只有三個能與本征半導(dǎo)體的價電子組成共價鍵，從而形成一個空穴。這種半導(dǎo)體提供帶正電荷的載流子，故稱為P型半導(dǎo)體。 由于三價元素提供了空穴，而空穴可以接受自由電子，所以稱為受主原子。 雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能遠遠高于本征半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體中，自

5、由電子的濃度遠遠大于空穴濃度，所以其中自由電子為多數(shù)載流子，簡稱“多子”，而空穴為少數(shù)載流子，簡稱“少子”。 P型半導(dǎo)體中，空穴濃度遠遠大于自由電子濃度，所以其中空穴為多數(shù)載流子，即空穴為多子，自由電子為少子。 由于雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子濃度大，則與少子復(fù)合的機會增大，故“多子越多，少子越少”。 雜質(zhì)半導(dǎo)體中導(dǎo)電性能取決于多子濃度，而多子濃度取決于摻雜濃度，故雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度幾乎無關(guān)。 故雜質(zhì)半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能比本征半導(dǎo)體高得多，而且導(dǎo)電性能與溫度無關(guān)；而本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能弱，而且與溫度密切相關(guān)。 半導(dǎo)體器件的核心，是將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合到一起，從而形成所謂

6、的PN結(jié)。PN結(jié)具有非常特殊的導(dǎo)電性能單向?qū)щ娦?，即非線性導(dǎo)電特性,當將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體做到一起時，則在N型和P型半導(dǎo)體的交界面上會產(chǎn)生特殊的載流子的運動，從而形成一種特殊的內(nèi)建電場，形成PN結(jié)。 由于PN結(jié)兩邊的載流子濃度差，所以P區(qū)和N區(qū)的多子向?qū)Ψ綌U散，一方面多子擴散到對方后與對方的多子復(fù)合，另一方面在PN結(jié)附近的雜質(zhì)原子因為多子擴散到對方而成為不能移動的帶電原子，即離子。 擴散導(dǎo)致內(nèi)電場的建立，內(nèi)電場一方面阻止擴散的進一步進行，另一方面則導(dǎo)致兩邊的少子在電場作用下漂移。在一定的溫度下，擴散和漂移達到動態(tài)平衡。 在交界面的一個很窄的區(qū)域內(nèi)，只剩下不能移動的離子，不存在停止不動的載流

7、子，所以稱為“耗盡層”；同時，該區(qū)域阻止兩邊多子進一步擴散，所以稱為“阻擋層”；另外兩邊存在電勢差，所以稱為“勢壘區(qū)”。 擴散運動的加強使得PN結(jié)變寬，漂移運動的加強使得PN結(jié)變窄,1.1.3 PN結(jié),溫度升高，則本征激發(fā)導(dǎo)致N區(qū)和P區(qū)的少子濃度增大，則漂移運動加強，則PN結(jié)寬度變窄。 PN結(jié)具有特別的外特性：單向?qū)щ娦?。即在PN結(jié)上施加外部電壓時，正向和反向電壓下導(dǎo)電性能有著顯著的不同,當PN結(jié)的P區(qū)接外部電源的正極，N區(qū)接外部電源的負極時，則外電場與PN結(jié)的內(nèi)電場方向相反，從而削弱內(nèi)電場對載流子擴散的阻力，使得擴散運動得以繼續(xù)進行下去。并且，P區(qū)和N區(qū)的多子擴散到對方以后，并不會使得空間電

8、荷區(qū)的電荷得以累積，而是被外電場力源源不斷地拉走，從而形成持續(xù)的電流,PN結(jié)的偏置（bias，offset）PN結(jié)兩端所施加的直流電壓稱為PN結(jié)的偏置電壓，簡稱偏置或偏壓。如果PN結(jié)的P區(qū)與外電源的正端相連，N區(qū)與外電源的負端相連，則稱為正向偏置，簡稱“正偏”；如果PN結(jié)的P區(qū)與外電源的負端相連，N區(qū)與外電源的正端相連，則稱為反向偏置，簡稱“反偏,1.1.3 PN結(jié),當正偏電壓略微增大，則正向電流會急劇增大。過大的電流往往會使得PN結(jié)溫度升高到足以破壞內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)的程度，這會造成PN結(jié)的永久性損壞，故在回路中需要串聯(lián)一個限流電阻R。 當PN結(jié)反偏時，外電場與PN結(jié)的內(nèi)電場方向相同，使得內(nèi)電場

9、得以加強，則PN結(jié)中的P區(qū)和N區(qū)的多子擴散無法進行下去，故此時回路幾乎沒有電流，也可以不需要限流電阻R。但是P區(qū)和N區(qū)的少子的漂移會形成反偏電流，不過因為少子濃度極低，故反偏電流極小,電流方程,式中： i PN結(jié)電流（以從P區(qū)流向N區(qū)電流為正）； u PN結(jié)電壓（以P區(qū)相對于N區(qū)為正）; Is反向飽和電流。大約為納安到微安數(shù)量級,顯然，PN結(jié)正偏時有一個門檻電壓，也稱為“死區(qū)電壓”或“開啟電壓”。鍺管的死區(qū)電壓大約為0.1V；硅管的死區(qū)電壓大約為0.5V。 正偏時，PN結(jié)兩端的電壓略有增加，則正向電流會急劇增加，故在正偏時，PN結(jié)的正向電流在很大范圍內(nèi)改變時，其兩端的正向電壓幾乎不變。 正偏時

10、的溫度特性：溫度升高，曲線左上方向移動。即如果電流恒定，則壓降降低；如果電壓恒定，則電流增大。原因：少子漂移運動加強，削弱內(nèi)電場,1.1.3 PN結(jié)的正向特性,1.1.3 PN結(jié)的反向特性,PN結(jié)反偏時，外電場與內(nèi)電場方向相同，使得擴散運動無法進行下去，但是由P區(qū)和N區(qū)的少子所形成的漂移電流得以進行，從而形成PN結(jié)的反向電流。 但是，由于少子濃度有限，所以PN結(jié)的反向電流一般并不隨外加電壓的改變而改變，所以稱為反向飽和電流。 PN結(jié)的反向飽和電流有幾個特點；第一是反向飽和電流很小，這是因為少子濃度很低；第二是反向飽和電流與外加電壓幾乎無關(guān)，這是因為少子濃度在一定溫度下是一個常數(shù)；第三是反向飽和

11、電流與溫度密切相關(guān)（其實還與光照有關(guān)），與溫度成正變關(guān)系；第四是鍺管的反向飽和電流比硅管大三個數(shù)量級左右。 PN結(jié)的反向飽和電流越小越好，這是因為反向飽和電流破壞了PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?硅管的反向飽和電流在納安的數(shù)量級，鍺管的反向飽和電流在微安數(shù)量級,1.1.3 PN結(jié)的擊穿特性,當PN結(jié)的反向電壓增加到足夠高的時候，其反向電流會突然急劇增加。這種現(xiàn)象稱為擊穿。相應(yīng)的PN結(jié)兩端的反向電壓稱為擊穿電壓。 齊納擊穿：當PN結(jié)摻雜濃度比較高時，則PN結(jié)的寬度很小，此時在PN結(jié)兩端施加的反向電壓即使不大，其內(nèi)部的電場強度也可以足夠大，可以將PN結(jié)中共價鍵中的電子強行拉出參與導(dǎo)電，造成所謂的齊納擊穿,雪

12、崩擊穿：當PN結(jié)摻雜濃度比較低時，不容易發(fā)生齊納擊穿。但是，當外加反向電壓比較高時，少子在PN結(jié)中的電場作用下動能增大，從而可以把共價鍵中的電子撞出來，并且形成倍增效應(yīng)，從而造成所謂的雪崩擊穿,利用PN結(jié)的擊穿特性可以制成穩(wěn)壓二極管?？刂芇N結(jié)的摻雜濃度可以控制穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓大小。 實際上PN結(jié)在反向擊穿時往往同時具有齊納擊穿和雪崩擊穿，但是當擊穿電壓比較低時以齊納擊穿為主，而擊穿電壓比較高時則以雪崩擊穿為主。 齊納擊穿具有負的溫度特性，而雪崩擊穿則具有正的溫度特性。齊納擊穿和雪崩擊穿的分界點大約在5.7V。所以，5.7V附近的穩(wěn)壓管溫度穩(wěn)定性最好。 如果PN結(jié)擊穿時反向電流過大，則會造

13、成PN結(jié)的功率消耗過大，結(jié)溫會升高到破壞PN結(jié)的晶體結(jié)構(gòu)的程度，這會造成PN結(jié)的永久性損壞，故需要在回路中串聯(lián)限流電阻。如果不發(fā)生熱損壞，則PN結(jié)的擊穿是可逆的,1.1.3 PN結(jié)的擊穿特性,1.1.3 PN結(jié)的結(jié)電容,PN結(jié)兩端不僅有電荷的累積，而且當PN結(jié)兩端的電壓發(fā)生改變時，不僅PN結(jié)的寬度會改變，而且空間電荷區(qū)的電荷量也會發(fā)生改變，這等效為一種電容效應(yīng),擴散電容 當PN結(jié)正偏時，空間電荷區(qū)的寬度會變窄。同時的多子的濃度梯度會改變，即空間電荷區(qū)的電荷量會改變，形成電容效應(yīng)，稱為擴散電容。 PN結(jié)正偏電壓越大，空間電荷區(qū)的寬度越窄，且非平衡載流子濃度會增大（空間電荷區(qū)的離子濃度會降低），則

14、電容量越大。即擴散電容與正偏電壓成正變關(guān)系。 勢壘電容 當PN結(jié)反偏時，空間電荷區(qū)的寬度會變寬?？臻g電荷區(qū)的離子濃度會增大，即外電壓增大，空間電荷區(qū)的電荷量會改變，形成電容效應(yīng)，稱為勢壘電容,勢壘電容,擴散電容,1.1.3 PN結(jié)的結(jié)電容,電容特性,等效電路,PN結(jié)正偏時結(jié)電阻小，但是結(jié)電容大；反偏時結(jié)電阻大，但是結(jié)電容小。 PN結(jié)的結(jié)電容越小，則其高頻性能越好。結(jié)電容破壞了高頻時PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?利用PN結(jié)的結(jié)電容可以制造變?nèi)荻O管，實現(xiàn)電調(diào)諧。 PN結(jié)反偏時結(jié)電容雖然比較小，但是對高頻性能影響很大，因為反偏時結(jié)電阻大,1.2 半導(dǎo)體二極管,半導(dǎo)體二極管內(nèi)部就是一個PN結(jié)。由于在P區(qū)和N

15、區(qū)各引出一個電極，故稱為二極管,1.2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)與外形,點接觸型二極管,點接觸型二極管PN結(jié)的面積小，故結(jié)電容小，適用于高頻小信號的情況。一般用于高頻檢波或者高頻小信號電子開關(guān),1.2 半導(dǎo)體二極管,面接觸型二極管,面接觸型二極管PN結(jié)的面積大，故結(jié)電容大，允許通過的電流也大。 不適用于高頻情況。 一般用于低頻大電流情況。最典型的就是用于大電流整流,1.2 半導(dǎo)體二極管,面接觸型二極管,平面型二極管PN結(jié)的面積可控，故可以做到結(jié)電容不是很大，同時又可以允許通過大電流。 平面型二極管可以用于高頻大電流的情況,1.2 半導(dǎo)體二極管,晶體二極管實物圖,1.2 半導(dǎo)體二極管,晶體二極管符號,晶體管

16、封裝,塑料封裝 玻璃封裝 金屬封裝 陶瓷封裝,1.2.2 二極管的伏安特性,1.2 半導(dǎo)體二極管,二極管與PN結(jié)伏安特性的不同在于兩點：一是二極管的P區(qū)和N區(qū)都有電阻，稱為體電阻；二是二極管的封裝會存在漏電。 鍺管的開啟電壓約為0.1V，導(dǎo)通壓降約為0.10.3V；硅管的開啟電壓約為0.5V，導(dǎo)通壓降約為0.60.8V。 二極管的伏安特性的溫度特性與PN結(jié)的溫度特性相同。即對于正偏時，溫度升高，曲線左移；對于反偏時，溫度升高，曲線下移,1.2.3 二極管的主要參數(shù)略,1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.4 二極管的等效電路,理想二極管模型,恒壓模型,折線模型,1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.4 二極管

17、的等效電路,1.2.4 二極管的等效電路,理想模型的應(yīng)用范圍 當二極管電路中電源電壓遠遠高于二極管的開啟電壓時，往往可以忽略二極管的開啟電壓或者導(dǎo)通壓降，此時采用的就是二極管的理想模型。 恒壓模型的應(yīng)用范圍 當二極管電路中電源電壓比較低時，此時不能忽略二極管的導(dǎo)通壓降，而將二極管兩端的導(dǎo)通壓降視為恒定不變的值，此時采用的就是二極管的恒壓模型。 折線模型用于當二極管導(dǎo)通時的交流小信號分析,1.2 半導(dǎo)體二極管,舉例2 交流正弦波有效值幅度5mV，硅二極管D的體電阻100，求回路電流及電阻上電壓。 注意： 直流電源給定二極管正偏，而交流電壓幅度極小，故對于交流輸入來說，電路可以看作是線性電路。 應(yīng)

18、用疊加原理，交直流分開分析。 應(yīng)用二極管的折線模型,舉例1 判斷二極管是否導(dǎo)通；如果導(dǎo)通，求流過硅二極管D的電流。 注意： 將二極管暫時取掉，求A、B兩端電壓。 應(yīng)用戴維南等效，將A、B兩端等效為戴維南電源。 應(yīng)用二極管的恒壓模型,1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.5 穩(wěn)壓二極管,符號,伏安特性,動態(tài)電阻rz穩(wěn)壓管處于穩(wěn)壓區(qū)域時電壓的變化量與電流變化量之比,動態(tài)電阻rz一般在幾歐姆與幾十歐姆之間。穩(wěn)定電流越大，動態(tài)電阻越小,1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.5 穩(wěn)壓二極管,等效電路,穩(wěn)壓二極管在正偏時與普通二極管相同。只有反偏時并且反偏電壓大到使得穩(wěn)壓管擊穿，穩(wěn)壓二極管才能起到穩(wěn)壓作用。 由于穩(wěn)壓管擊

19、穿時電流會隨著端電壓的增加而急劇增加，故必須在電路中串聯(lián)限流電阻，否則會導(dǎo)致穩(wěn)壓二極管因電流過大而損壞,舉例,設(shè)穩(wěn)壓管的動態(tài)電阻rz=10。求流過穩(wěn)壓管的電流和穩(wěn)壓管兩端的電壓（V不大于1V,1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.6 發(fā)光二極管,符號,發(fā)光二極管必須工作在正偏狀態(tài)并且流過足夠的正向電流才能夠發(fā)光。 發(fā)光二極管的采用的半導(dǎo)體材料是砷化鎵和磷化鉀，所以其開啟電壓正向?qū)▔航蹬c硅管和鍺管不同。發(fā)光二極管的導(dǎo)通壓降大約為1.5V2.5V。 發(fā)光二極管在使用時同樣必須接入限流電阻，以防止正向電流過大而燒毀PN結(jié),1.2 半導(dǎo)體二極管,1.2.6 光電二極管,符號,光電二極管可以用于光電轉(zhuǎn)換。 光

20、電二極管用于光電轉(zhuǎn)換時必須工作在反偏狀態(tài)。因其反向飽和電流與外界光照有關(guān)（與之成正變關(guān)系）。 正偏時與普通二極管相同。 零偏時具有光電池特性,1.2 雙極型晶體管,雙極型晶體管通稱晶體三極管。其內(nèi)部有兩個PN結(jié)。因其內(nèi)部有兩種載流子參與導(dǎo)電，故稱為雙極型管。與之對應(yīng)的，還有場效應(yīng)管（其中只有一種載流子參與導(dǎo)電）。 晶體三極管的最顯著的特性是具有電流放大作用。即在滿足一定的條件下，某個電極的電流是另一個電極電流的一個相對固定的倍數(shù)。利用這一點，可以實現(xiàn)對弱信號的放大。 晶體三極管也分為小功率管、中功率管和大功率管。同時，還分為低頻三極管和高頻三極管。 晶體三極管必須滿足一定的條件才會具有放大作用

21、。這種條件分為內(nèi)部條件和外部條件。內(nèi)部條件是其結(jié)構(gòu)必須滿足一定的工藝要求，而外部條件則是必須對其兩個PN結(jié)進行正確的偏置,1.3.1 晶體管結(jié)構(gòu)及類型,1.2 雙極型晶體管,晶體三極管具有： 三個電極：基極b、發(fā)射極e、集電極c。 三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)。 兩個PN結(jié)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié),晶體三極管具有電流放大作用的內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)高摻雜，基區(qū)低摻雜。 基區(qū)寬度很薄。 集電區(qū)面積很大，能夠包圍基區(qū),晶體三極管具有電流放大作用的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏,電流放大基本原理 發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子電子大量擴散到基區(qū)（因為發(fā)射區(qū)高摻雜），其中只有少量電子被基區(qū)的空穴復(fù)合（基區(qū)低摻雜且寬度很?。?/p>

22、，剩余的大量電子擁入集電區(qū)，而集電區(qū)處于反偏，且集電區(qū)面積很大，故對于發(fā)射區(qū)擴散過來的電子具有吸收作用。大量的從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電子除了極少數(shù)被基區(qū)空穴復(fù)合以外，全部在集電結(jié)的電場作用下漂移到集電極形成集電極電流。 管子結(jié)構(gòu)一定，則集電極電流與基極電流的比例關(guān)系就被確定，而且集電極電流比基極電流大得多，從而實現(xiàn)電流放大作用,1.3.1 晶體管結(jié)構(gòu)及類型,1.2 雙極型晶體管,1.3.1 晶體管結(jié)構(gòu)及類型,1.2 雙極型晶體管,晶體三極管有兩種基本類型：NPN管和PNP管。 兩種管子的工作原理相同。不過在PNP管中，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子是空穴,符號,問題：用兩個二極管背靠背連接能不能構(gòu)成晶體三極

23、管，為什么,1.3.2 晶體管的電流放大作用（NPN,1.2 雙極型晶體管,VCCVBB保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏,1.3.2 晶體管的電流放大作用,1.2 雙極型晶體管,內(nèi)部載流子運動和電流分配關(guān)系 發(fā)射區(qū)多子電子擴散到基區(qū)，一部分被基區(qū)空穴復(fù)合，形成基極電流IB的一部分IBN，另一部分漂移到集電極，形成集電極電流IC的一部分ICN。而發(fā)射區(qū)電子的擴散形成發(fā)射極IE電流的一部分IEN。即IEN = IBN + ICN 。 管子結(jié)構(gòu)一旦確定，則ICN和IBN的比例關(guān)系就被確定。即ICN =IBN ， IEN = IBN + ICN =（1+）IBN,由于發(fā)射結(jié)正偏，故基區(qū)的多子空穴同樣也會向發(fā)

24、射區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE的另一部分IEP。但是，由于基區(qū)低摻雜，故IEP很小。從而有IE = IEN + IEP IEN,1.3.2 晶體管的電流放大作用,1.2 雙極型晶體管,內(nèi)部載流子運動和電流分配關(guān)系 由于集電結(jié)反偏，故基區(qū)的少子電子會漂移到集電極，同時集電極的少子空穴會漂移到基極，形成集電極電流IC的一部分ICBO； 故集電極電流為IC=ICN+ICBO；基極電流IB=IBN+IEPICBO IBN ICBO 。 根據(jù)ICN =IBN 、IB= IBN ICBO和IC=ICN+ICBO三個關(guān)系式可以得到： IC=ICN + ICBO=IBN + ICBO=（ IB + ICBO ）

25、+ ICBO = IB +（1+）ICBO,IC= IB +（1+）ICBO = IB + ICEO IB ICEO = （1+）ICBO ICBO 發(fā)射極開路時集電結(jié)反向飽和電流 ICEO 穿透電流?；鶚O開路，集電極發(fā)射極之間的電流,1.3.2 晶體管的電流放大作用,1.2 雙極型晶體管,總結(jié) IC=IB+ICEOIB。 IE=IC+IB=（1+）IB 。 共發(fā)射極電流放大倍數(shù),直流電流放大倍數(shù),交流電流放大倍數(shù),一般兩者幾乎相等，所以往往不加區(qū)分,1.3.2 晶體管的電流放大作用,1.2 雙極型晶體管,電路放大的基本原理 共發(fā)射極電路 基極電源和集電極電源必須共地。 共基極放大電路 電路放大的基本原理 共射電流放大倍數(shù)值和共基電流放大倍數(shù)值,1.3.2 晶體管的電流放大作用,1.2 雙極型晶體管,共射輸入特性,共射輸出特性,共基輸入特性,共基輸出特性,1.3.3 晶體管共射特性