2012中國計(jì)量大學(xué)半導(dǎo)體器件期中測試

1、中國計(jì)量學(xué)院2011 2012 學(xué)年第2學(xué)期 半導(dǎo)體器件 期中測試開課二級(jí)學(xué)院： 光學(xué)與電子科技學(xué)院， 考試時(shí)間： 年 月 日 時(shí)裝訂線考生姓名： 學(xué)號(hào)： 專業(yè)： 班級(jí)： 題序一二三四五六七八九總分得分評(píng)卷人一、填空題（每個(gè)空2分，共36分）請?jiān)诿啃☆}的空格中填上正確答案。1、PN結(jié)的正向電流由 電流、 電流和復(fù)合電流三部分組成。2、根據(jù)柵極結(jié)構(gòu)不同，場效應(yīng)晶體管可分為 、 和 。3、在數(shù)字電路中，使用的雙極性晶體管工作模式包括 和 。4、當(dāng)對PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢壘區(qū)寬度會(huì) ，勢壘區(qū)的勢壘高度會(huì) 。5、晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)需要滿足的條件包括 和 。6、對于PN結(jié)上的總電容，一般說來PN結(jié)正

2、偏時(shí)， 起主要作用；當(dāng)PN結(jié)反偏時(shí) 起主要作用。7、金屬-半導(dǎo)體接觸在電學(xué)性能上類似于PN結(jié)中的 結(jié)。8、在雙極性晶體管中，其電流方程式與各區(qū)中的 濃度有關(guān)。9、肖特基勢壘二極管利用 特性制成，其正向電流主要由半導(dǎo)體中的 進(jìn)入金屬形成。10、高頻雙極性晶體管一般采用 結(jié)構(gòu)。二、名詞解釋（每小題4分，共12分）1、特征頻率2、金屬功函數(shù)3、厄爾利效應(yīng)三、簡答題（每小題6分，共12分）1、晶閘管的特點(diǎn)和優(yōu)勢是什么？主要應(yīng)用于什么領(lǐng)域？什么是寄生PNPN結(jié)構(gòu)？其危害有哪些？2、什么是異質(zhì)結(jié)？異質(zhì)結(jié)晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)？與同質(zhì)結(jié)晶體管相比，兩者最大的不同是什么？裝訂線四、作圖題（每小題4分，共16分）（1

3、）畫出均勻摻雜PNP管熱平衡時(shí)的能帶圖以及截止模式下的能帶圖。（2）畫出N型半導(dǎo)體與金屬的肖特基接觸在熱平衡狀態(tài)下和正向偏壓下的能帶圖。（3）畫出均勻基區(qū)NPN管熱平衡時(shí)的各區(qū)少子分布以及飽和模式下的各區(qū)少子分布。（4）畫出晶閘管結(jié)構(gòu)圖及等效電路圖。五、（共8分）在n溝道GaAs MESFET具有下述參數(shù)：qfm=4.71eV，qfs=4.28eV，qc=4.07eV，ND=1.51016cm-3，閾值電壓VT=0.25V，在T=300K時(shí)求：（1）金屬一側(cè)的勢壘高度；（2）夾斷電壓VP；（3）溝道深度a。六、（共8分）已知一理想晶體管，IEP=2mA，ICP=1.97mA，IEN=0.1mA，Dp=8.5cm2/s，WB=0.5mm。（1）求基區(qū)渡越時(shí)間tB；（2）假設(shè)tB等于載流子穿過晶體管的時(shí)間，求特征頻率fT；（3）求共基截至頻率fa。裝訂線七、（共8分）對于一理想PN結(jié)，其NA=1017cm-3，ND=1015cm-3，（1）計(jì)算溫度在200，300，400，500K時(shí)的Vbi，并畫出Vbi