蘭州大學(xué)2008級(jí)結(jié)構(gòu)化學(xué)期末考試試題

精品文檔蘭州大學(xué)2008級(jí)結(jié)構(gòu)化學(xué)期末考試試題 一選擇答案（請(qǐng)?jiān)陬}號(hào)前的方括號(hào)中填寫字母，而不要在題中字母上打勾，否則無(wú)效?。?1. 欲求Br基組態(tài)的譜項(xiàng)，可借助于 A. Slater規(guī)則 B. 空穴規(guī)則 C. Hund規(guī)則 2.分子的三重態(tài)意味著該分子 A.有一個(gè)未成對(duì)電子. B.有兩個(gè)自旋平行電子. C.有三個(gè)未成對(duì)電子 3.晶態(tài)物質(zhì)所特有的性質(zhì)和固態(tài)物質(zhì)所共有的性質(zhì)分別是： A.異向性、均勻性 B.均勻性、對(duì)稱性 C.旋光性、自范性 4.抽象的點(diǎn)陣點(diǎn)對(duì)應(yīng)于真實(shí)的晶體中的: A.晶面 B.結(jié)構(gòu)基元 C.晶系 5.點(diǎn)陣是: A.有規(guī)律地排布的一組點(diǎn). B.按連接其中任意兩點(diǎn)的向量平移而能復(fù)原的無(wú)限多個(gè)點(diǎn). C.只沿某一個(gè)特定方向平移而能復(fù)原的有限數(shù)目的點(diǎn). 6.CsCl型與CaF2型晶體在哪一點(diǎn)上相同？ A.CN+ / CN- B.正離子所占空隙種類 C.正離子所占空隙分?jǐn)?shù) 7. 下列哪一種晶體的CN+ / CN- = 6 ：6 ？ A.立方ZnS B.NaCl C.六方ZnS 8. 對(duì)于CaF2晶體,“簡(jiǎn)單立方”一詞描述的是它的 A.負(fù)離子堆積方式 B.點(diǎn)陣型式 C.正離子堆積方式 9. 正、負(fù)離子半徑比大于等于0.225、小于0.414時(shí)，CN+ 理論值是： A. 6 B. 4 C. 8 10.六方ZnS型晶體的正當(dāng)晶胞的形狀應(yīng)當(dāng)是： A.六棱柱 B.六個(gè)頂點(diǎn)的封閉凸多面體 C.=90o，=120o的平行六面體 11.布拉維格子共有多少種形狀和型式: A. 8, 32 B. 7, 14 C. 4, 5 12.根據(jù)劃分正當(dāng)晶格的三條標(biāo)準(zhǔn)，NaCl型晶體的晶胞應(yīng)當(dāng)是： A.六方晶胞 B.三方晶胞 C. 立方晶胞 13. 當(dāng)晶面與晶軸x、y、z分別相截于3、4、2時(shí)，其晶面指標(biāo)是 A. （231） B. （436） C. （342） 14. 空間格子中,頂點(diǎn)、棱心、面心對(duì)格子的貢獻(xiàn)分別為 A. 1/8,1/4,1/2 B. 1,1,1 C. 1,1/2,1/4 15.對(duì)于二元離子晶體,下列哪一式成立:A. n+/n-=Z-/Z+=CN-/CN+ B. n-/n+=Z-/Z+=CN-/CN+ C. n+/n-=Z-/Z+=CN+/CN- 16.當(dāng)勞厄方程被滿足時(shí),空間點(diǎn)陣中被平移群Tmnp=ma+nb+pc所概括的任意兩點(diǎn)陣點(diǎn) 之間的波程差的波數(shù)為 A.x+y+z B.mh+nk+pl C.m+n+p 17.布拉格方程中的衍射級(jí)數(shù)n代表： A. x晶軸上相鄰兩點(diǎn)陣點(diǎn)之間波程差的波數(shù). B. 相鄰兩晶面之間波程差的波數(shù).(C) 相鄰兩點(diǎn)陣點(diǎn)之間的距離相當(dāng)于素向量的倍數(shù). 18. 鎳單晶的每個(gè)正當(dāng)晶胞中平均有4個(gè)原子和8個(gè)四面體空隙,其結(jié)構(gòu)為 A. A1型 B. A2型 C. A3型 19. BaF2具有立方面心點(diǎn)陣,負(fù)離子堆成的簡(jiǎn)單立方空隙有50%被正離子占據(jù).其結(jié)構(gòu)型式為: A.CsCl型 B.六方ZnS型 C.CaF2型 20.(h*k*l*)晶面若是hkl衍射的等程面,應(yīng)滿足下列哪種條件? A. h=nh*, k=nk*, l=nl* (n為整數(shù)) B. h=mh*, k=nk*, l=pl* (m、n、p為整數(shù)) C. h=rh*, k=sk*, l=tl* (r、s、t為分?jǐn)?shù)) 21.下列哪種情況會(huì)產(chǎn)生系統(tǒng)消光?A. 立方體心點(diǎn)陣, h+k+l=奇數(shù)B. 立方面心點(diǎn)陣, h、k、l全為偶數(shù)C. 立方簡(jiǎn)單點(diǎn)陣, h、k、l奇偶混雜 22. 根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR),SCl2、BrF3、NO2+的幾何構(gòu)型分別為: A. 角形、T形、直線形 B. 直線形、平面正三角形、角形 二 請(qǐng)指出下列哪些“格子”并不屬于14種布拉維格子，并將理由簡(jiǎn)要地寫在后面：1.四方體心2.四方面心3.四方C心4.立方底心 5.立方面心去掉相對(duì)的兩個(gè)面心三Ar在20K的低溫下按立方最密堆積形成晶體,晶胞常數(shù)為5.43 .已知Ar原子量M=39.948, No=6.0221023, 試計(jì)算:1. Ar的密度d.2. 原子半徑.四、立方硫化鋅型是一種有代表性的晶體結(jié)構(gòu)型式，如BeS、ZnSe等就是這種結(jié)構(gòu)： 將位于晶胞內(nèi)部的原子標(biāo)記為A，其余原子標(biāo)記為B ?；卮鹣铝袉?wèn)題： 1.它的點(diǎn)陣型式是什么？每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表的是什么？負(fù)離子堆積方式是什么？正負(fù)離子配位數(shù)比如何？正離子占據(jù)什么空隙？ 2.若將立方硫化鋅型晶體中A、B都改為同一種原子，晶體的結(jié)構(gòu)型式將變成什么？試舉一實(shí)例；其點(diǎn)陣型式是什么？每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表的是什么？ 3.觀察立方硫化鋅型晶胞就會(huì)發(fā)現(xiàn)，A原子并未將同一種空隙完全占據(jù)。試將這些空隙也填滿A原子，晶體結(jié)構(gòu)型式會(huì)變?yōu)槭裁?？點(diǎn)陣型式是什么？點(diǎn)陣點(diǎn)代表的是什么？ 4.在任何一種晶體結(jié)構(gòu)中，是否會(huì)有幾套不同的點(diǎn)陣共存？是否會(huì)有幾套相同的點(diǎn)陣共存？五、名詞解釋:1. 分?jǐn)?shù)坐標(biāo)2. 特征對(duì)稱元素 3. 晶軸坐標(biāo)系六、下列描述是否含有錯(cuò)誤？如果有，請(qǐng)改正：1. 晶體的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)使晶體的對(duì)稱性與分子的對(duì)稱性沒有差別.2. 晶體所屬的晶系由實(shí)驗(yàn)測(cè)定的晶胞形狀來(lái)確定, 例如, 測(cè)定結(jié)果若是a=b=c, =90o, 我們就可以斷定這種晶體屬于立方晶系.3. CsCl晶胞的頂點(diǎn)和體心位置分別為Cs和Cl(或Cl和Cs), 所以,其點(diǎn)陣為立方體心.4. 正負(fù)離子半徑比是決定正離子配位數(shù)的唯一因素. 例如, 半徑比大于等于0.414、小于0.732時(shí)配位數(shù)為8.5. 金屬原子總是采取最密堆積方式, 以便最大限度地利用空間. 在這種情況下, 晶體中的空隙類型只能是唯一的.6兩個(gè)不同的點(diǎn)陣點(diǎn)之間必然有幾何距離, 因此，從這兩點(diǎn)散射出的X光也必然有光程差.7幾何學(xué)中的正方體具有三條四次軸，所以，立方晶系的晶體也必然如此。七、運(yùn)用結(jié)構(gòu)化學(xué)或物理學(xué)原理對(duì)下列事實(shí)作出簡(jiǎn)明扼要的解釋： 1. ZnS型晶體包括立方與六方兩種，造成這種差別的原因目前還不清楚, 共價(jià)性強(qiáng)的通常傾向于形成立方。已知BeO、BeS晶體都屬于ZnS型，試推測(cè)它們的結(jié)構(gòu)型式并說(shuō)明理由。2. 將硫磺與紅色Pb3O4粉末混合后,通過(guò)絲質(zhì)篩子灑到加熱后的電氣石單晶上, 發(fā)現(xiàn)單晶兩端分別被硫磺和紅色Pb3O4粉末覆蓋.