半導體材料名詞解釋.docx

第二章1.半導體：電導率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導體。2.本征半導體： 完全純凈的半導體稱為本征半導體。它們是制造半導體器件的基本材料。3.本征激發(fā)： 當T升高或光線照射時, 產生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。4.N型半導體：本征半導體中摻入少量五價元素構成。5.N型半導體：本征半導體中摻入少量三價元素構成。6.半導體摻雜：本征半導體中載流子數(shù)目極少，導電能力仍然很低。但如果在其中摻入微量的雜質，所形成的雜質半導體的導電性能將大大增強。由于摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為N型和P型兩大類。7.內建電場：由于N型半導體中有富裕的自由電子，而P型半導體中有富裕的自由的空穴，所以當P型和N型半導體接觸時，P型半導體中的空穴就會向N型中擴散，而N型半導體中的電子向P型中擴散，結果是P型端帶負電，而N型端帶正電。因而會形成內建電場，內建電場的方向從N型端指向P型端，從而又阻止電子和空穴的擴散。最后，依靠電子和空穴濃度梯度的擴散和內建電場的電作用達到平衡，在接觸面附近形成一個耗盡層，即p-n結。第三章1.自由載流子吸收：毫米波和微波2.雜質吸收： 雜質粒子的躍遷3.聲子吸收：晶格振動引起4.激子吸收：激子的形成5.帶間吸收：價帶到導帶的躍遷6.自發(fā)輻射：原子在沒有外界干預的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。7.受激吸收：當原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級-光吸收。8.受激輻射：當原子中的電子處于高能級時，若外來光子的頻率恰好滿足 時，電子會在外來光子的誘發(fā)下向低能級躍遷，并發(fā)出與外來光子一樣特征的光子-受激輻射。9. 粒子數(shù)反轉: 10. 泵浦（激勵）: 閃光燈或另一種激光器以及氣體放電激勵、化學激勵、核能激勵。11. 激光工作物質: 激光器最重要的部分是工作物質，包括激活離子和基質。12. 費米能級: 絕對零度時電子的最高能級。13. 禁帶寬度: 一個能帶寬度(單位是電子伏特(ev)，固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的，而是一些不連續(xù)的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。14. 自終止躍遷方式:第四章1. 傳感器：傳感器是能夠感受規(guī)定的被測量并按一定規(guī)律轉換成可用輸出信號的器件或裝置。 2. 電阻-應變效應：電阻-應變效應是指金屬導體的電阻在導體受力產生變形（伸長或縮短）時發(fā)生變化的物理現(xiàn)象。當金屬電阻絲受到軸向拉力時，其長度增加而橫截面變小，引起電阻增加。反之，當它受到軸向壓力時則導致電阻減小。3. 壓阻效應：壓阻效應 指當半導體受到機械力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。4. 壓電效應：壓電效應 某些電介質，在一定方向上受到外力作用而變形時，內部會產生極化現(xiàn)象，同時在其表面上會產生電荷。當外力去掉后，又重新回到不帶電狀態(tài)的現(xiàn)象。5. 熱電效應：將兩種不同材料的導體A和B串接成一個閉合回路，當兩個接點溫度不同時，在回路中就會產生熱電勢，形成電流，此現(xiàn)象稱為熱電效應。6. 熱釋電效應：熱釋電效應 當一些晶體受熱時，在晶體兩端會產生數(shù)量相等而符號相反的電荷，從而產生電極化的現(xiàn)象。7. 外光電效應：在光的作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象。向外發(fā)射的電子稱為光電子。如光電管、光電倍增管等。8. 內光電效應：半導體材料受到光照時會產生電子-空穴對,使其導電性能增強,光線愈強，阻值愈低，這種光照后電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象,稱為內光電效應。如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等。9. 光電導效應：內光電效應又分光電導效應和光生伏特效應。在入射光的作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過渡到自由狀態(tài)，從而引起材料電導率變化的現(xiàn)象，稱為光電導效應。光生伏特效應是利用半導體PN結在光的照射下產生光電動勢的現(xiàn)象。當大于禁帶寬度的光子照射到PN結后，電子會被激發(fā)并在內建電場作用下形成光電動勢。10.本征光電導：由帶間吸收形成的載流子產生的電導稱為本征光電導。11.非本征光電導：當入射光子能量小于材料的禁帶寬度時，束縛在雜質能級上的電子和空穴也可能被激發(fā)到導帶或價帶上形成自由載流子并產生電導，這種電導稱為非本征光電導。12.光生伏特效應：光生伏特效應是指半導體在受到光照射時產生電動勢的現(xiàn)象。13.霍爾效應：定義1：在物質中任何一點產生的感應電場強度與電流密度和磁感應強度之矢量積成正比的現(xiàn)象。定義2：通過電流的半導體在垂直電流方向的磁場作用下，在與電流和磁場垂直的方向上形成電荷積累和出現(xiàn)電勢差的現(xiàn)象。第五章1.磁化曲線：定義1：表示物質磁感應強度、磁極化強度或磁化強度作為磁場強度函數(shù)的曲線。定義2：表示某種鐵磁物質的磁感應強度隨磁場強度變化的曲線。2.磁滯回線：當磁場強度周期性變化時，表示鐵磁性物質或亞鐵磁性物質磁滯現(xiàn)象的閉合磁化曲線。相對于坐標原點對稱的磁滯回線稱為“正常磁滯回線”。3.磁泡：P764.巨磁電阻效應：P76第六章1.光纖尺寸：2.數(shù)值孔徑：3.相對折射率差：4.歸一化頻率：5.截止波長：6.模式色散：7.材料色散：8.波導色散：9.極化色散：10.本征吸收：本征吸收是指在價帶和導帶之間電子的躍遷產生與自由原子的線吸收譜相當?shù)木w吸收譜，它決定著半導體的光學性質.本征吸收最明顯的特點是具有基本的吸收邊（吸收系數(shù)陡峭增大的波長），也是半導體以及絕緣體光譜與金屬光譜的主要不同之處，它標志著低能透明區(qū)與高能強吸收區(qū)之間的邊界。基本吸收邊由能量帶隙（晶體的導帶底和價帶頂?shù)哪芰坎罱麕挾龋Q定.11.瑞利散射：定義1：尺度遠小于入射光波長的粒子所產生的散射現(xiàn)象。根據(jù)英國物理學家瑞利(Lord John William Rayleigh，18421919)研究指出，分子散射強度與入射光的波長四次方成反比, 且各方向的散射光強度是不一樣的。 定義2：在介質中傳播的光波，由于材料的原子或分子結構隨距離變化而引起的散射。第七章分立發(fā)光、復合發(fā)光、光度效率、余輝時間、溶致液晶、熱致液晶、向列型液晶、近晶型液晶、膽甾型液晶、1. 發(fā)光效率: P1102. 場致發(fā)光: 場致發(fā)光是將電能直接轉換為光能的發(fā)光現(xiàn)象.由于場致發(fā)光是在電場激發(fā)下的產生的,通常將場致發(fā)光稱為電致發(fā)光,英文名稱寫為Electro Luminescences,簡稱EL.3. 電光效應: 電光效應電光效應，是將物質置于電場中時，物質的光學性質發(fā)生變化的現(xiàn)象。某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性，物質的折射率因外加電場而發(fā)生變化的現(xiàn)象為電光效應。電光效應包括泡克耳斯(Pockels)效應和克爾(Kerr)效應。電光效應是指某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性的效應。4. 陰極射線致發(fā)光: 以電子束使磷光物質激發(fā)發(fā)光，普遍用于示波管和顯像管，前者用來顯示交流電波形，后者用來顯示影像。5. 敏化劑: 用以提高混合炸藥起爆感度的物質。6. 猝滅劑: 能降低熒光體發(fā)光強度的分子稱為猝滅劑。猝滅劑有動態(tài)猝滅劑和靜態(tài)猝滅劑之分。動態(tài)猝滅是猝滅劑與熒光激發(fā)態(tài)分子之間的相互作用致使熒光強度降低的過程；靜態(tài)猝滅是指猝滅劑與基態(tài)熒光體分子形成不發(fā)光配合物來降低熒光強度的過程。失活可通過能量轉移、電子轉移或某種化學途徑。特指一種光穩(wěn)定劑，大多為鎳有機絡合物，對聚烯烴有突出的穩(wěn)定效果。7. 激活劑: 又稱活化劑。凡能提高酶活性的物質，都稱為激活劑。其中大部分是離子或簡單的有機化合物.8. 等離子體：等離子體又叫做電