處理器及技術(shù)發(fā)展.doc

【10-18】【轉(zhuǎn)貼】服務(wù)器硬件優(yōu)化探討(一)一個好的網(wǎng)站，除提供的內(nèi)容吸引訪問者以外，訪問速度和穩(wěn)定性亦是非常重要的，這當(dāng)然與網(wǎng)站規(guī)劃與設(shè)計、軟硬件配置有關(guān)系。網(wǎng)站規(guī)劃方面，在中無通訊第29期有過專題論述。對電子愛好者或DIY一族來說，或許大家對怎樣使服務(wù)器更穩(wěn)定地運行更感興趣。高檔服務(wù)器穩(wěn)定度達(dá)99.99%，平均一年內(nèi)的當(dāng)機(jī)時間不超過53分鐘，而低檔服務(wù)器的穩(wěn)定度僅為90%，平均當(dāng)機(jī)時間則高達(dá)876小時以上。要想做到百分百不當(dāng)機(jī)是不可能的，但可以深入分析影響服務(wù)器穩(wěn)定的關(guān)鍵所在，采用針對性的方法來有效提高其穩(wěn)定性，使當(dāng)機(jī)時間盡可能縮短。筆者創(chuàng)辦世界網(wǎng)絡(luò)（）和大中華印藝網(wǎng)（），在香港和內(nèi)地安裝使用多臺服務(wù)器，對此有深刻體會。就筆者的經(jīng)驗而言，影響服務(wù)器穩(wěn)定與安全之因素主要有服務(wù)器的電源供應(yīng)、散熱系統(tǒng)、服務(wù)器主板選擇、軟件運用等，服務(wù)器的穩(wěn)定性提高也是根據(jù)實測結(jié)果進(jìn)行不斷改進(jìn)的過程。在此總結(jié)一些服務(wù)器電源和散熱、主板選用等方面的經(jīng)驗，供大家參考。一、 電源供應(yīng)器各位電子愛好者都知道，電源對于電子系統(tǒng)來說是何等的重要。電源質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定和硬件的壽命，并不是簡單地將220V交流變換成服務(wù)器所需低壓直流這么簡單。服務(wù)器電源必須能應(yīng)付各種苛刻的工作環(huán)境，同時還要求常年不間斷地工作。隨著CPU的速度提升，硬盤容量和轉(zhuǎn)速等越來越大、越快，功耗就隨之升高，對電源的要求就更高了。服務(wù)器與日常用計算機(jī)不同，通常支持多個CPU，使用多個SCSI硬盤，RAM容量一般超過2G，其功耗相對大得多就不足為奇了。比如Intel P4 3.2G CPU功耗達(dá)82W，SCSI硬盤功耗也在10W以上，加上主板和其它配件的功耗，一般的PC電源僅200W左右的功率是應(yīng)付不來的。對1U機(jī)箱服務(wù)器來說，電源功率一般應(yīng)達(dá)到300W，2U應(yīng)達(dá)到350W，以保證供電功率足夠。實踐經(jīng)驗告訴我們，電源功率不足或過熱，是服務(wù)器經(jīng)常自動重啟(Reboot)的一個重要原因。其實也很容易理解，當(dāng)您的CPU負(fù)荷增加、硬盤突然讀寫大量數(shù)據(jù)時，因負(fù)載變化造成電源電壓波動是在所難免的。高品質(zhì)的電源在設(shè)計時充分考慮到這些因素，出問題的可能性就少得多了。熟悉電子制造的朋友們都知道，名牌大廠的產(chǎn)品設(shè)計和制造工藝對產(chǎn)品品質(zhì)來說比較有保證。筆者使用和實測過Sirtec International Co.,Ltd生產(chǎn)的400W服務(wù)器電源，型號為PUA-40060-PB1。該型號內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計良好，用料比較考究，有短路和過載、輸入過壓等保護(hù)功能，安規(guī)方面符合國際UL標(biāo)準(zhǔn)，且在攝氏40度環(huán)境下，經(jīng)過4小時滿載老化測試合格后才出廠。在環(huán)境溫度為25度、帶75負(fù)載條件下，其MTBF(平均無故障時間)達(dá)10萬小時以上。圖一：PUA-40060-PB1電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)二、 散熱服務(wù)器硬件一般放在1U、2U機(jī)箱內(nèi)配合機(jī)架統(tǒng)一使用，在狹小的空間里有大量的硬件高速運行，且服務(wù)器一般要求24小時不間斷工作，散發(fā)的熱量非常大。那么，怎樣才能有效降低服務(wù)器內(nèi)部溫度呢？首先，服務(wù)器機(jī)箱材質(zhì)就很重要。首選全鋁質(zhì)或者鋁合金，次選鐵板。顏色應(yīng)漆成黑色，以利于散熱。CPU散熱器宜采用全銅及直接整體切割而成的，為達(dá)到最佳效果，須配合品質(zhì)好的散熱膏并正確地使用。其次，風(fēng)扇的選擇也很重要。CPU是服務(wù)器的核心，也是“熱心”（發(fā)熱的中心）。Intel P4 CPU溫度75 及AMD CPU溫度86是工作溫度極限，高溫時CPU會自動將降低工作效率。要降低CPU的溫度，首先是增加傳導(dǎo)面積，用優(yōu)質(zhì)的散熱器，并盡量增加表面積；其次就是要降低周圍環(huán)境溫度；還有就是加大其周圍空氣對流，風(fēng)扇就派用場了。散熱風(fēng)扇的選用也是一門學(xué)問。高風(fēng)量(CFM)散熱風(fēng)扇可有效降低服務(wù)器內(nèi)部溫度。散熱風(fēng)扇一般分滾珠軸承、油封軸承兩種。滾珠軸承較為耐用，雖噪聲略高，但服務(wù)器一般在機(jī)房中工作，通常采用無人看守遠(yuǎn)程監(jiān)控，所以噪聲略大也可接受?？蓮娘L(fēng)扇上標(biāo)明的A（電流）和W（功率）來初步判斷風(fēng)量，數(shù)字越大一般風(fēng)量也越大。建議大家選擇Delta、Sunon、Nidec、Sanyo、Y.S.Tech等名牌。近期Sanyo推出1.5萬轉(zhuǎn)4cm電流0.55A風(fēng)量20.83CFM及24.71CFM的超強力風(fēng)扇，是1U服務(wù)器散熱較佳配搭。圖二：Sanyo兩種超強力風(fēng)扇電源本身是服務(wù)器中一大熱源。如Sirtec產(chǎn)的PUA-40060-PB1電源，自帶2個風(fēng)扇，使其工作溫度不會太高。筆者試將Nidec風(fēng)量15.53CFM的風(fēng)扇換成Sanyo風(fēng)量20.83CFM的風(fēng)扇，電源溫度明顯降低2-3度。 對于服務(wù)器機(jī)箱散熱風(fēng)扇，選用風(fēng)量大的風(fēng)扇，效果更佳。筆者將1U機(jī)箱內(nèi)原8個散熱風(fēng)扇更換成Sanyo 0.55A/20/83CFM風(fēng)扇后，實測機(jī)箱溫度由原來的33-35度，降低至26-31度，CPU溫度由原來的49-57度降低到45-51度。有興趣的讀者可試一試。 最后，要合理設(shè)計風(fēng)道。在安裝好硬件后把機(jī)箱內(nèi)的cable、電線整齊地扎好（如應(yīng)用蛇皮網(wǎng)配合熱縮套管能使機(jī)箱內(nèi)部的布線更加有條理），以保證機(jī)箱內(nèi)氣流流通無阻。俗語云：“磨刀不誤砍柴工”。要想服務(wù)器穩(wěn)定工作，在這方面花點時間是值得的。 三、 主板主板猶如人的骨架，承載著CPU、內(nèi)存等重要組件的運行。如果服務(wù)器電源質(zhì)量可靠，容量充足；機(jī)箱內(nèi)散熱良好，但仍偶爾會莫名其妙的當(dāng)機(jī)，問題可能出自主板。有些主板在當(dāng)機(jī)后，因有自我保護(hù)功能，必須關(guān)掉電源后再開機(jī)；更有甚者，必須清除CMOS中的記憶，才可重啟。這對服務(wù)器的遠(yuǎn)程維護(hù)與管理造成嚴(yán)重障礙，所以選擇優(yōu)質(zhì)的主板顯得格外重要。 INTEL主板是少數(shù)通過WHQL微軟WINDOWS操作系統(tǒng)硬件質(zhì)量認(rèn)證的產(chǎn)品，穩(wěn)定性和兼容性經(jīng)受考驗。在性能方面，INTEL原廠服務(wù)器主板配合自己的處理器，表現(xiàn)優(yōu)異也就不奇怪了。雖然INTEL有為穩(wěn)定性而犧牲性能的傳統(tǒng)，但服務(wù)器首要的還是追求穩(wěn)定，因此推薦大家采用INTEL主板。 圖三：Intel D865GBF主板 筆者的世界網(wǎng)絡(luò)（），網(wǎng)頁服務(wù)器選用的就是Intel D865GBF，數(shù)字庫服務(wù)器選用Intel S875WP1-E主板。該網(wǎng)站提供速度測試、路由追蹤等功能，服務(wù)兩岸四地，日訪問量超過10多萬，多種程序和大型數(shù)據(jù)庫運行2年多，未發(fā)現(xiàn)穩(wěn)定性方面的問題。 圖四: 香港 Newsbook Limited 1U 服務(wù)器柜一覽 經(jīng)過以上的介紹，您是否對服務(wù)器的穩(wěn)定性有了更進(jìn)一步的認(rèn)識呢？有興趣的可電郵至V,歡迎大家一起交流。筆者在測試服務(wù)器電源、風(fēng)扇和機(jī)箱散熱過程中，得到香港 Newsbook Limited 借出1U機(jī)箱及提供技術(shù)協(xié)助及SANYO廠香港總代理美高貿(mào)易有限公司協(xié)助供應(yīng)兩種新型強力風(fēng)扇，在此特別致謝。愛所愛 恨所恨 樓 主 | Posted:2005-10-18 18:02|嵐風(fēng)飛葉級別: 劍盟精靈精華: 0發(fā)帖: 255威望: 215 點貨幣: 9 JMB注冊時間:2005-09-04最后登陸:2005-11-11 服務(wù)器硬件優(yōu)化探討(二)上期筆者就影響服務(wù)器穩(wěn)定與安全之因素進(jìn)行了探討，主要介紹了服務(wù)器的電源供應(yīng)、散熱系統(tǒng)、主板選擇。本期主要介紹一些CPU最新發(fā)展和選用服務(wù)器CPU的經(jīng)驗供大家參考。一、主頻不再作為CPU性能的衡量標(biāo)準(zhǔn)眾所周知CPU是服務(wù)器的心臟，一臺服務(wù)器所使用的CPU基本決定其性能和檔次。曾幾何時我們以CPU主頻（核心時脈頻率）判斷CPU性能的高低，Intel的CPU也以高主頻策略占據(jù)了更多的市場。多年以來，Intel一直恪守著“摩爾定律”主頻決定一切的原則，從MHz到GHz，工程師們最關(guān)注的就只有一件事：如何提高CPU的工作頻率。隨著CPU科技的不斷發(fā)展，主頻已經(jīng)發(fā)展到近4GHz，晶圓制程也從180納米、130納米、逐步轉(zhuǎn)到90納米甚至65納米。隨著主頻的提升，制程的縮小，CPU發(fā)熱問題也越來越突出。近期Intel放棄了開發(fā)更高主頻率的CPU，轉(zhuǎn)向發(fā)展雙核心甚至多核心CPU，主要是大功耗電晶體所帶來的散熱問題未能解決，所以4GHz Pentium(P4) CPU尙未推出市場。Intel Pentium 4 處理器二、散熱問題成主頻提升瓶頸CPU是服務(wù)器的核心，也是“熱心”（發(fā)熱的中心），高溫時CPU會自動將工作效率降低，所以CPU的溫度對于其性能至關(guān)重要。然而解決CPU的散熱問題談何容易！試想當(dāng)年的Pentium MMX 200MHz，用的只是一個小風(fēng)扇。而現(xiàn)在的發(fā)燒友都在使用水冷、干冰制冷、甚至有些超頻發(fā)燒友在使用液氮制冷，可見CPU的發(fā)熱量增長是多么的大。Prescott核心CPU的發(fā)熱量走勢圖隨 著集成的電晶體增多，CPU的功耗和發(fā)熱量都增加了。按過去的經(jīng)驗，通過采用新的制造工藝，可以將功耗降下來：比如從180納米過渡到130納米之后，Tualatin核心比Coppermine核心的功耗有了明顯的下降。但130納米到90納米，功耗遞減的規(guī)律失效了。例如舊型130納米P 4 3.2GC Northwood 才82W，新型90納米P4 3.2GE Prescott功耗值達(dá)到103W。制程的縮小會減少CPU核心所占用的面積，但其他相關(guān)部件就可能會增大，而且這種減小與增大幷不是一個線性的關(guān)系。減小面積也需要降低晶片的工作電壓，例如，130納米的Hammer處理器其工作電壓為1.5V，90納米的Hammer需要在1.4V下工作，而90納米的Prescott則只能在1.2V的電壓下正常工作。一顆晶片的功耗由電路工作中產(chǎn)生的動態(tài)功耗以及由漏出電流造成的靜態(tài)功耗構(gòu)成。電壓的降低意味著晶片的電晶體動態(tài)損耗會降低，但是減小面積的同時暫態(tài)泄漏電流就會增大，而且隨著電晶體面積的減小，這個漏電電流會以幾何級數(shù)增長。在以前的制造工藝中，漏電電流幾乎可以忽略，比如在0.25納米制程的晶片中，你幾乎無法檢測到漏電流的存在，但是到了90納米時代，晶片的線寬縮小，電晶體的柵極變得越來越薄，漏出電流越來越大，所以漏電所造成的影響就已經(jīng)成為電能消耗的首要因素，而同時也正是由此引發(fā)了發(fā)熱過巨的大問題。制程的縮小使得CPU核心可容納更多的電晶體，所以Intel在提升主頻的同時也增加了L2緩存（Cache）數(shù)以提升整體性能。CPU的電晶體數(shù)目驟增導(dǎo)致了其總功耗的增長，這是CPU發(fā)熱增長的第二個原因。Prescott的核心面積比Northwood小了25平方毫米，卻比后者多容納了7000萬個電晶體！多出的7000萬個電晶體工作時釋放的熱量可想而知。4GHz的Pentium4處理器，雖然主頻是頂級，但是功耗卻一定不低，據(jù)說滿負(fù)荷工作會達(dá)到200W！我想這才是Intel放棄4GHz處理器發(fā)布計劃的原因吧。三、雙核心架構(gòu)及增加緩存成新寵Intel將CPU的架構(gòu)從單核心發(fā)展到雙核心，主要是因為目前CPU運算核心發(fā)展已達(dá)極致，而依靠增加主頻方式導(dǎo)致CPU發(fā)熱量大增，性能卻不見得同步成長。現(xiàn)在各個廠商都把提升CPU性能的希望寄托了在雙核心甚至是多核心上，增加緩存（Cache）也是辦法之一。談到雙核心處理器，相信不少朋友會問：雙核心技術(shù)與超線程（Hyper-Threading）有何不同呢？畢竟以前Intel的P4利用超線程技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)了“雙核”的功用。從原理上來說，超線程技術(shù)可以讓單CPU擁有處理多線程的能力，而物理上只使用一個處理器，但作業(yè)系統(tǒng)等軟體將其識別為兩個邏輯處理器。雖然支援超線程的P4能同時執(zhí)行兩個線程，但在執(zhí)行多線程時兩個邏輯處理器均只能交替工作，因此，超線程技術(shù)所帶來的性能提升遠(yuǎn)不能等同于兩個相同主頻處理器帶來的性能提升。如果要讓處理器資源真正實現(xiàn)幷行處理模式，還需要處理器引入物理雙內(nèi)核設(shè)計！在作業(yè)系統(tǒng)看來，它是實實在在的雙處理器，可以同時執(zhí)行多項任務(wù)。理論上說，雙核心處理器的性能幾乎比單核心處理器高50%70%。而且增加硬體核心幷不需要增加太多晶體管，也可通過削減二級緩存的容量以保持適當(dāng)?shù)碾娋w規(guī)模，因此也不會帶來過多的功耗負(fù)擔(dān)。雙核心CPU內(nèi)部結(jié)構(gòu)增加緩存也是近年來提升CPU效能的主要辦法，但這樣做會否增加CPU的功耗？研究發(fā)現(xiàn)，提高主頻帶來的功耗增加是以平方計算的，相比之下，增加緩存只會增加少許電壓，如由1.4V提升到1.45V，電壓的增加以倍數(shù)計算，容易控制。事實上在面臨散熱等問題瓶頸后，Intel已逐漸加大緩存容量以增加性能。不但P4處理器L2緩存由Northwood核心的512KB提升到Prescott核心的1MB后，又推出搭配2MB版本的6系列P4，平價處理器Celeron在導(dǎo)入Prescott核心后，L2緩存也從原本128KB加大到256KB。Intel新近推出處理器的頂級產(chǎn)品P4至尊版（P4EE，P4 Extreme Editon）3.46GHz主頻、1066MHz 外頻，更在其中加入了2MB L3 Cache。這種以前只是在XEON處理器上擁有的技術(shù)現(xiàn)在也已經(jīng)走入平民化玩家層次，對于一般的服務(wù)器應(yīng)用應(yīng)有不少幫助。過去無論是Intel還是AMD都只是把Cache緩存的重點放在了L2 Cache上，容量一再進(jìn)行提升。為了凸顯P4 EE的與眾不同，Intel賦予它多達(dá)2MB的三級緩存，加上512KB的二級緩存，P4 EE的緩存多達(dá)2.5MB，但L3 Cache到底有什么作用？ 從處理器的工作原理來看，容量較小的L2緩存在純數(shù)學(xué)運算中是肯定要快于容量較大的L3緩存的，而L3 Cache又遠(yuǎn)大于實體記憶體的資料交換速度。我們要注意Intel在P4 EE上的L3 Cache不僅僅是容量上單純的提升，重要的是它的運行速度是和CPU外頻一樣的，最大程度的保證了CPU工作時和記憶體之間的資料交換速度，保證了單周期內(nèi)和二級緩存之間的延時一致的，在資料的不斷調(diào)用過程中幷不會因為延時的問題造成不必要的等待和性能損耗。四、外頻提升功耗不會顯著增加CPU性能的發(fā)揮，不單要看CPU主頻及Cache大小，外頻的影響也很關(guān)鍵，因為關(guān)系到CPU與RAM、顯卡等設(shè)備交換資料的速度。例如: Intel最近推出P4 3.46GHz 主頻(內(nèi)頻)、1066MHz外頻的CPU，CPU實際執(zhí)行頻率(內(nèi)頻)3.46GHz =FSB 266.7MHz 13倍頻系數(shù)，外頻1066MHz = FSB 266.7MHz 4倍速度運作。提供8.5GB/s的頻寬，可充分發(fā)揮Dual DDR2 533高頻寬的優(yōu)勢，支持新一代的PCI-Express16圖像埠（其8GB/s頻寬已經(jīng)超出800MHz外頻的極限）。雖然外頻是如此重要，但要增加外頻卻比內(nèi)頻困難。Pentium處理器剛推出時，內(nèi)外頻都為66MHz，而現(xiàn)在P4內(nèi)頻 3.6GHz外頻只有800MHz，可見CPU內(nèi)頻提升了54倍，外頻只提升了12倍。外頻提升困難主要是因為牽涉太多的設(shè)備，不像內(nèi)頻提升只考慮CPU內(nèi)部的設(shè)計為主，且隨著高外頻出現(xiàn)的EMI（電磁干擾）問題，比較難以解決。Intel與AMD推出Differential Bus Clocking，取代Single End Clocking，令工作頻寬更易提升。此外，AMD更引入DDR技術(shù)，其后Intel更有QDR技術(shù)，令外頻在FSB 100MHz的時脈下，產(chǎn)生400MHz的資料傳輸效果。傳統(tǒng)外頻除了難以提升頻率外，在讀寫效率方面亦然?，F(xiàn)在的外頻在讀寫資料時是單向的，而新一代的周邊系統(tǒng)如PCI-Express顯示卡已經(jīng)提供同時上傳、下載功能，所以AMD采用擴(kuò)充性高的HyperTransport技術(shù)優(yōu)化外頻，令CPU對外頻寬大大提升，在執(zhí)行效率方面也比傳統(tǒng)外頻先進(jìn)，可同時進(jìn)行讀取和寫入工作，期間不用進(jìn)行切換。Intel采用PCI-Express，亦可實現(xiàn)先進(jìn)的雙向傳輸功能，達(dá)到16GB/s以上的頻寬，滿足CPU對外頻的要求。外頻的增加會否增加功耗呢？從800MHz到1066MHz外頻，Intel的P4 EE CPU功耗增加十分輕微。P4 EE 3.46GHz的功耗為110.7W，比P4 EE 3.4GHz的109.6W輕微增加1.1W，現(xiàn)在明白為何Intel剛放棄了4GHz主頻而能馬上推出更高外頻的CPU了。五、向65納米制程邁進(jìn)目前Intel要確保其雙核心計劃能順利實施有一個至關(guān)重要的前提采用更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)。多核心盡管帶來了更為強大的性能，但是也同樣加大了功耗。目前部分主流CPU已經(jīng)使用90納米工藝制程，但正如上文所述，功耗過高的問題未能解決，所以正加緊開發(fā)新的工藝制程，功耗過高的問題會漸漸改善。CPU的性能完全依賴于其內(nèi)核晶片的電路結(jié)構(gòu)，更高的性能意味著電路更加復(fù)雜精密。但如果工藝制程不改進(jìn)，電晶體數(shù)量增加到8倍后，體積和功耗也增加到8倍（發(fā)熱量也增到8倍），而可供散熱的表面積僅增加到4倍。所以在不改變工藝制程的情況下單純增加電晶體的數(shù)量是不可取的。Intel 65納米工藝在單元尺寸不變的情況下，集成電晶體數(shù)目卻超過了5億個，其中1平方毫米大小的晶片上電晶體數(shù)目已經(jīng)達(dá)到1000萬個！決定CPU價格的主要因素是晶片的尺寸，技術(shù)的進(jìn)步帶來了性能的提升，但成本卻可能更低。Pentium4處理器的核心顯微照片在 開發(fā)65納米工藝制程過程中，Intel最重視的一點就是在提高工作速度的同時降低泄漏電流以解決散熱問題。為此，Intel在制造技術(shù)和電路技術(shù)方面均采取了降低泄漏電流的措施。在制造技術(shù)方面，通過采用90納米工藝開始引進(jìn)的“應(yīng)變硅”核心技術(shù)而得以改善。具體而言，nMOS電晶體外形成了一層Si3N4膜，pMOS電晶體則在源極和漏極中采用了SiGe材料。由此就給電晶體溝道部分施加了拉伸應(yīng)力，從而就能提高載流子的遷移率。結(jié)果，作為65納米工藝，與不使用應(yīng)變硅相比，可將工作速度提高約30%。另外，與90納米工藝相比，65納米工藝電晶體在工作速度相同的條件下，能夠?qū)⑿孤╇娏鳒p少到原來的1/4左右。 在電路技術(shù)方面，配置了一個用來切斷泄漏電流流向緩存（SRAM）的開關(guān)。通過在SRAM元件與接地線之間插入nMOS開關(guān)電容器，切斷空閑SRAM元件的電源。由此可將SRAM的泄漏電流降低到原來的1/3左右。六、近期服務(wù)器CPU的選擇建議基于散熱問題以及即將在2005年上市的雙核心處理器進(jìn)程影響，Intel已于近日正式宣布放棄4GHz Pentium(P4)處理器上市計劃，并在11月1日已推出P4 EE 3.46GHz 主頻，采用1066MHz外頻、130納米、內(nèi)建2MB L3，而90納米、2MB L2的Intel P4 EE則預(yù)計在2005年1季度推出。隨著制程技術(shù)的進(jìn)一步提升，以雙核心甚至多核心及加大L2/L3、外頻及64bit來提高CPU性能，正成為當(dāng)前服務(wù)器CPU發(fā)展趨勢。目前準(zhǔn)備更新服務(wù)器CPU的朋友，筆者建議仍采用價格適中的舊型130納米P 4 3.2GC Northwood，待2005年下半年雙核心65納米制程推出如熱量問題得到解決，2006年才是采用新CPU更新服務(wù)器的時候。愛所愛 恨所恨 1 樓 | Posted:2005-10-18 18:05|嵐風(fēng)飛葉級別: 劍盟精靈精華: 0發(fā)帖: 255威望: 215 點貨幣: 9 JMB注冊時間:2005-09-04最后登陸:2005-11-11 服務(wù)器硬件優(yōu)化探討(三)上期筆者主要介紹一些CPU技術(shù)的最新發(fā)展和選用服務(wù)器CPU的經(jīng)驗，如主頻、散熱、雙核心、外頻、功耗等等。作為服務(wù)器DIY一族，我們不僅要增進(jìn)相關(guān)技術(shù)的了解，還要關(guān)注各主流CPU廠商的最新發(fā)展，在合適的時機(jī)選購性價比高的產(chǎn)品。一、服務(wù)器進(jìn)入DIY時代隨著互聯(lián)網(wǎng)IT業(yè)的飛速發(fā)展，越來越多的中小企業(yè)甚至是個人用戶都涉足到服務(wù)器這個熟悉而又新鮮的產(chǎn)品。一直以來，服務(wù)器在人們的心目中都覺得是屬于專業(yè)應(yīng)用的產(chǎn)品，是高深莫測和高端的，事實上是不是這樣的呢？DO IT YOURSELF 做了就知道！其實在外國，DIY服務(wù)器已經(jīng)是司空見慣的事情了。在美國DIY服務(wù)器占市場總出貨量40%。品牌服務(wù)器的高成本和缺乏靈活性的配置讓大家望而卻步，隨著服務(wù)器技術(shù)走向普及，DIY服務(wù)器憑借可靈活采用最高性價比配件且穩(wěn)定性好，己為大眾接受。如果你所需的是一臺入門級服務(wù)器，用來架設(shè)辦公室局域網(wǎng)，做文件存儲、電子郵件，或者作為一般網(wǎng)站、簡單數(shù)字庫等用途，選擇單顆P4或者P4E（Prescott）CPU就足夠了，搭配865/875/E7525的芯片組，挑一塊能集成顯卡和網(wǎng)卡的主板，這類配置主要考慮的盡量追求高性價比和配件能安裝在1U 機(jī)架式機(jī)箱內(nèi)及良好散熱就行。 對于工作站的服務(wù)器，需要比較高的性能和穩(wěn)定性，可考慮采用雙路Nocona / Irwindale Xeon（新/最新至強）CPU，主板可選用Intel、Tyan、華碩、超微（主板芯片組決定品質(zhì)） ，內(nèi)存選用Corsair、Kingston、三星（分普通/ECC/RECC DDR內(nèi)存） ，SATA/SCSI硬盤采用 WD、Maxtor、Seagate，電源采用Sirtec、臺達(dá)等配件組裝起來的，在硬件上絲毫不遜于品牌機(jī)，卻在性價比方面占據(jù)絕對優(yōu)勢。二、PC服務(wù)器CPU受青睞大家都知道如IBM、HP、SUN等巨頭以前對于PC服務(wù)器的表現(xiàn)是不屑一顧的，認(rèn)為采用Intel和AMD處理器的PC服務(wù)器是低檔廉價產(chǎn)品。自Intel成功推出性能極高的P4、Xeon和64位Itanium處理器，AMD也成功推出令業(yè)界震驚的64位Opteron處理器后，得到了廣大中小企業(yè)用戶的認(rèn)可。最近IBM和HP爭相鎖定還未正式發(fā)布的AMD雙核心Opteron處理器。 其實Intel Nocona Xeon和AMD Opteron處理器都是64位處理器，IBM、HP等巨頭為何看好雙核Opteron而不選用Intel Xeon呢？作為全球第一款兼容x86架構(gòu)的32位和64位處理器，AMD Opteron處理器建立在采用直連架構(gòu)的AMD64技術(shù)的基礎(chǔ)之上。直連架構(gòu)通過將處理器、內(nèi)存控制器和I/O直接連接到中央處理器，消除前端總線固有的瓶頸，從而提高系統(tǒng)的總體性能和效率。隨后Intel宣布了Nocona處理器（帶有EM64T的新至強），其外頻（FSB 倍頻系數(shù)）提升到800MHz，支持32和64位應(yīng)用的EM64T內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)。同時發(fā)布的芯片組E7520/7320，定位于服務(wù)器市場。 Nocona新至強具有更大的二級緩存，更高的主頻，更重要的是具有了64位處理能力，通過搭配支持流行的PCI Express和DDR2內(nèi)存技術(shù)的E7525芯片組，新“Nocona”Xeon確實有了很大的進(jìn)步。在許多基于Nocona和Opteron處理器的比拼測試中，AMD的Opteron處理器在不少項目均能挫敗Nocona Xeon，但在某些經(jīng)過對超線程技術(shù)做了特殊優(yōu)化的程序中，Nocona的表現(xiàn)超過Opteron。因為Nocona處理器推出時間遠(yuǎn)晚于Opteron處理器，現(xiàn)有主流64位操作系統(tǒng)并沒有對Nocona處理器進(jìn)行優(yōu)化，而Opteron處理器己進(jìn)行了優(yōu)化，所以目前的64位操作系統(tǒng)中，Nocona處理器并未真正發(fā)揮其優(yōu)越性。Nocona處理器發(fā)熱量太高可能也是IBM、HP等巨頭暫時看好雙核Opteron的原因吧。AMD也發(fā)布型號為152、252、852低耗電的Opteron處理器，支持1GHz hypertransport，90納米制程及Power Now! 降低功耗技術(shù)。在手提電腦處理器市場也推出了對抗Turion技術(shù)，使Intel霸主地位也遭遇到威脅。Intel公司最近公布了其代碼為Intel Xeon MP的Potomac CPU，而且擁有8MB L3 高速緩存和1MB L2 高速緩存，主打4P與8P等級企業(yè)用服務(wù)器高階市場。HT(上)與Dual Core比較，可見Dual Core更有效率三、雙核心時代來臨雙核心取自雙自強CPU系統(tǒng)的概念，其實是雙CPU技術(shù)的縮影。因雙核心芯片技術(shù)甚至多核心芯片技術(shù)可以大大提高處理器性能，目前處理器的廠商Intel和AMD都在調(diào)整自己的雙核心處理器的市場戰(zhàn)略，會在2005年中推出各自的雙核心、多核心處理器。Intel 第二季度會提供雙核心64位Smithfield的處理器，主要面向桌面電腦市場，Smithfiel主頻率3.660GHz起，可惜這些產(chǎn)品的功耗大約為130瓦，所以要支持新CPU除了芯片組要支持以外，還需要主板的電源供應(yīng)設(shè)計能夠與處理器搭配。Smithfield雙核心處理器將會采用90納米的設(shè)計工藝，L2 2M，800MHz外頻兼容現(xiàn)有915晶片組。其每一個處理單元會采用目前的P4 “Prescott”芯片一樣架構(gòu)，不過這新的中央處理單元將具備仲裁邏輯功能，該功能會讓兩個處理器核心的總線傳輸?shù)玫狡胶?。Smithfield將支持EM64T、Virtualization、XD和加強的Intel SpeedStep技術(shù)，性能得到較大提升，但仍然是過渡期產(chǎn)品，等待Intel 65納米制程的手提電腦雙核心Pentium M（Yonah）、P4的雙核心Presler、雙核心Xeon和XeonMP推出。這些雙核心處理器才會是未來主流。AMD雙核心Opteron主頻1.6/1.8/2.0GHz起，90納米制程，2M L2 高速緩存，1GHz HT，估計也會在第二季度推出。對于雙核心CPU，Intel認(rèn)為AMD的設(shè)計采用單核芯片上集成內(nèi)存控制器的方式，并且使用混合傳輸方式，這將產(chǎn)生問題。因為AMD使用的不是共享式緩存而是單獨的內(nèi)存緩存。 而Intel將開發(fā)出提供更高性能并且不會局限于某一代內(nèi)存的共享式緩存架構(gòu)，如內(nèi)存架構(gòu)改變時，無需更改 CPU。Intel在其產(chǎn)品規(guī)劃中早已經(jīng)包括多核心及雙核心產(chǎn)品了。2005年是雙核心的開始，Intel激進(jìn)地將2006年雙核心處理器的市場份額計劃都提高到70%以上。雙核心的出現(xiàn)雖然是處理器市場的一次突破，但是軟件編寫者還需要時間掌握這類功能強大的處理器。在現(xiàn)有的單線程軟件下測試雙核心處理器，它的優(yōu)勢尚未發(fā)揮。2005年將是雙/多核心處理器架構(gòu)發(fā)展史重要里程碑。四、緩存決定一切 上期筆者提到Intel的“頻率就是性能”的市場戰(zhàn)術(shù)遇到前所未有的困難，取消了4GHz P4的發(fā)布計劃。但顯然Intel不會因開發(fā)不出更高主頻的CPU而放棄市場的，他們又開始實行 “Cache is king（緩存決定一切）”的戰(zhàn)略，其新曝光的處理器緩存越來越大。 在服務(wù)器的環(huán)境中，CPU主頻不一定決定服務(wù)器主要的性能，例如由于服務(wù)器某些軟件對高速緩存嚴(yán)重依賴，Intel公司的Xeon MP的 3.0GHz主頻，采用4MB L3高速緩存能夠帶來更好的性能。但是根據(jù)Intel的公開資料，Potomac處理器的Cache比目前還要大！達(dá)到了8M!其性能快約16.7%。增加緩存的代價是巨大的，不但增加了成本，降低了良品率、成品發(fā)熱量都是問題，目前Intel的CPU發(fā)熱量確比AMD 大。 五、服務(wù)器需要協(xié)調(diào)發(fā)展 服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中的一臺電腦，它需要偵聽網(wǎng)絡(luò)上其他電腦（客戶機(jī)）提交的服務(wù)請求，并以此為依據(jù)提供相應(yīng)的服務(wù)；服務(wù)器必須具有承擔(dān)服務(wù)并保障服務(wù)質(zhì)量的能力。因此DIY服務(wù)器的原則將圍繞這個應(yīng)用核心進(jìn)行。 在DIY服務(wù)器架設(shè)過程中，不要過分注重某些部件的性能，否則容易忽視系統(tǒng)整體性能各方面的平衡。例如：只追求處理器頻率的提升，往往忽視與之相對應(yīng)的前端總線（外頻）的速率以及內(nèi)存的頻率的提升。這樣會導(dǎo)致系統(tǒng)瓶頸的產(chǎn)生：處理器的計算能力雖然非常出色，但是由于它與內(nèi)存之間的通信渠道受前端總線頻率的限制，使得服務(wù)器系統(tǒng)的性能無法發(fā)揮到最大。 如何平衡并提升系統(tǒng)各部件的性能，消除系統(tǒng)瓶頸，將系統(tǒng)的整體性能發(fā)揮到最大?提升性能有幾種方式：提升處理器的主頻、修改處理器架構(gòu)以擴(kuò)展內(nèi)存尋址能力（EM64T技術(shù)）、在處理器內(nèi)部集成更大的高速緩存等。此外，利用Nocona處理器所具備的DBS（按需切換技術(shù)），可以根據(jù)系統(tǒng)使用率的變化動態(tài)調(diào)整處理器主頻和電壓，以達(dá)到降低處理器平均功耗的目的。由于主頻的提升、緩存的增大、前端總線頻率的提高，新一代Nocona處理器的性能比前一代提高了30%。Intel最新發(fā)布了升級版64位至強Irwindale處理器。其帶有增強的2M二級高速緩存，與上代Nocona版本相比，可實現(xiàn)18%的性能提升。六、DIY服務(wù)器CPU的選擇DIY一臺服務(wù)器，選擇一顆滿意的“芯”尤其重要。Intel的服務(wù)器CPU占服務(wù)器處理器市場主流，產(chǎn)品線非常長從Itanium（安騰）系列、Xeon（至強）系列到P4，涵蓋了高中低檔應(yīng)用需求。盡管AMD最近推出的CPU得到HP、IBM等服務(wù)器巨頭的青睞，但考慮到其他配件的搭配和技術(shù)的成熟度，Intel系列的CPU仍是DIY服務(wù)器的較佳選擇。目前的主流應(yīng)用是32位，從性價比來說，筆者認(rèn)為目前Intel的Prescott/Northwoo處理器都是DIY服務(wù)器的首選CPU(但舊型130納米P 4 3.2GC Northwoo快停產(chǎn))。Prescott使用90納米制造工藝，擁有1MB L2緩存和SSE3指令，目前的高端875主板支持單路CPU，它擁有高速的系統(tǒng)總線（外頻 800MHz），基于增強型NetBurst架構(gòu)Enhanced Architecture，采用了甚長管道技術(shù)，這樣做可以使得頻率提升更加容易。Prescott 90納米的制造工藝能減少核心尺寸，容納更大的緩存。L1 數(shù)據(jù)緩存的容量由8KB提升到了16KB， L2緩存的容量提升到了1MB，與CPU核心連接的總線寬度為256bit。3.4GHz Prescott的緩存帶寬達(dá)到了108GB/S。最新推出的Prescott核心 P4 XE 3.73Ghz，L2更增大到2MB。與AMD提升緩存不同，Prescott的緩存容量提升與其頻率的增長同步。Prescott的另外一個亮點是改進(jìn)的Hyper-threading技術(shù)，有效地提升多線程的實際執(zhí)行效率。 對于DIY服務(wù)器來說，Intel將推出的支持64位和超線程（HT）技術(shù)的 6xx系列P4新產(chǎn)品也是不錯的選擇，L2緩存加大到2MB，采用EM64T技術(shù)，發(fā)熱量也因EIST、C1E與TM2省電技術(shù)大為降低。第一季內(nèi)推出P4 660（3.8GHz）供應(yīng)市場，Intel也推出600系列的低頻版本，如600，620和640供應(yīng)零售市場。EIST 運作TM2 操作實例七、P4和單雙至強之爭服務(wù)器采用單P4 CPU作數(shù)字庫時，如CPU經(jīng)常出現(xiàn)占用率90%以上時就要考慮轉(zhuǎn)用至強CPU了。近一年多來舊至強處理器幾乎沒有變化，外頻停留在400、533MHz、其性能差過P4，只在緩存上有一定優(yōu)勢而己。最近采用90納米工藝的新至強 Nocona外頻上升到800MHz、 L2緩存 1M，比舊至強性能高達(dá)35，但是， 90納米的工藝并沒有給新至強帶來涼爽，反到因為頻率的提升(由2.8至3.6GHz)，功耗首次沖破100W，散熱也成為新至強處理器特別迫切的問題，在1U狹小的空間中解決這一難題困難重重。由于新至強處理器功耗比前代產(chǎn)品上升了45%，雖然引入了在手提電腦處理器上廣泛使用的SpeedStep技術(shù)來調(diào)整功耗，但服務(wù)器是持續(xù)運行，要如何徹底解決新至強新一代服務(wù)器的散熱 ，確是需要費一翻工夫的。采用90納米工藝的新至強 Nocona外頻上升到800MHz、支持64位擴(kuò)展計算，是其PC服務(wù)器產(chǎn)品線歷史上最大的動作。外頻的提升讓新至強的總線帶寬提升了一大截，而且還將32位總線擴(kuò)展到64位，通過與即將發(fā)布的Windows* x64版相配合，實際的性能提升恐怕不能用一個數(shù)量級來形容了。兼容前代至強處理器，繼續(xù)通過DBS提供節(jié)能特性，并通過支持DDR2-400內(nèi)存和PCI Express來提供增強的性能和靈活性。正如前面提到的，服務(wù)器整體性能的提升需要均衡發(fā)展。盡管新至強帶來一些提升，但單路至強與新的P4相比，性能沒提高多少。因此專業(yè)服務(wù)器廠家一直比較注重2、4、8路服務(wù)器的發(fā)展。雙新至強與單個不支持HT的P4的對比起來差異就很大了。如在P4服務(wù)器上運行一個中型的商務(wù)信息網(wǎng)站，CPU經(jīng)常都是使用率50%以上的，改為雙新至強服務(wù)器，CPU使用率就降至10%以下。一般數(shù)字庫程序應(yīng)用在雙新自強CPU平臺環(huán)境會運行更快，加上雙新自強CPU能比單P4 CPU整體性能有30-35%提升，由于雙CPU支持“ 多線程” 能大大提 高CPU 的使用率。單CPU一次只能執(zhí)行一個線程，雙CPU在執(zhí)行多線程數(shù)字庫程序運行的速度要比單CPU的系統(tǒng)快上50-70% 。對于訪問量大的網(wǎng)站服務(wù)器，CPU性能對IIS 服務(wù)同時在線訪問人數(shù)限制也至關(guān)重要。以P4 2.8G CPU 做的Web服務(wù)器可支持2000人以上同時在線，其內(nèi)存最好在512M以上，1G更佳。采用雙新至強2.8G CPU的Web服務(wù)器，則可支持高達(dá)30004000人同時在線。綜上所述，如果目前要由P4升級筆者建議應(yīng)選最新雙至強。愛所愛 恨所恨 2 樓 | Posted:2005-10-18 18:09|嵐風(fēng)飛葉級別: 劍盟精靈精華: 0發(fā)帖: 255威望: 215 點貨幣: 9 JMB注冊時間:2005-09-04最后登陸:2005-11-11 服務(wù)器硬件優(yōu)化探討(四)上期筆者主要介紹了DIY服務(wù)器CPU的選擇，及雙核心等一些CPU技術(shù)的最新發(fā)展。在隨后的一年里，Intel將不斷推出服務(wù)器CPU的新產(chǎn)品，如 Dempsey（雙核心Xeon），Paxville，Tulsa和Montvale（雙核心Itanium）。雖然目前部分處理器具體技術(shù)參數(shù)還未正式明朗，不過雙核心設(shè)計全面化是必然的了。作為服務(wù)器DIY一族，我們要時刻留意CPU發(fā)展，內(nèi)存、硬盤等技術(shù)和廠商的最新動向，在合適的時機(jī)選購性價比高的產(chǎn)品。內(nèi) 存（RAM）一、 DDR內(nèi)存工作原理DRAM內(nèi)存晶片是PC和服務(wù)器中使用的主要存儲晶片內(nèi)存的速度越快，計算機(jī)的工作就越流暢。目前PC中使用的內(nèi)存晶片大多數(shù)是DDR（double date rate）內(nèi)存晶片，數(shù)據(jù)處理速度為每秒鐘266Mbps-400Mbps。下圖所示為DDR 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)和工作流程圖。DDR內(nèi)存能在控制時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，而普通SDRAM內(nèi)存只在控制時鐘的下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，因此在一次控制信號過程中，DDR 內(nèi)存能進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)交換。這也是它相對同樣實際頻率的普通內(nèi)存有雙倍帶寬的原理。在普通內(nèi)存中，存儲單元(Cell)的數(shù)據(jù)容量和內(nèi)存顆粒的位寬是相等的，通常為4bit、8bit或16bit；而在DDR內(nèi)存中，Cell的容量是內(nèi)存晶片位元寬的2倍，這就是常說的兩位預(yù)取，也稱為2-bit Prefetch。到了DDR2則進(jìn)一步擴(kuò)大為4-bit Prefetch。二、DDR2和DDR3隨著CPU和主板晶片組的不斷發(fā)展，DDR內(nèi)存所能提供的頻率和帶寬已經(jīng)捉襟見肘，比DDR速度更快的DDR2內(nèi)存正逐步取代DDR成為主流配置。英特爾公司已經(jīng)宣布其未來的所有晶片組將支援DDR2。DDR2內(nèi)存具有高數(shù)據(jù)速率、低功耗以及高密度特點，它的速度和帶寬比DDR 內(nèi)存高很多，1.8V工作電壓也使得它比其上一代產(chǎn)品功耗低50%。 目前普及的DDR2數(shù)據(jù)傳輸速率為533Mbps，是DDR 266的兩倍。除了在原始帶寬方面的一些提高外，它還采用了多項新技術(shù)以方便系統(tǒng)設(shè)計提高系統(tǒng)的性能和功效。DDR2 4位預(yù)取架構(gòu)，作為外部總線每個時鐘從存儲器單元陣列讀/寫的數(shù)據(jù)量是原來的四倍，而且其工作頻率比內(nèi)部總線頻率快四倍。利用DDR2的片上端接(ODT)來簡化DQ總線設(shè)計，以片外驅(qū)動器(OCD)校準(zhǔn)，修正不同DRAM供應(yīng)商之間的工藝差異。前置CAS和附加延遲，簡化控制器設(shè)計以避免指令總線上的沖突。細(xì)間距球柵陣列(FBGA)封裝，以減小系統(tǒng)尺寸，增加各模塊之間的空氣流動空間從而提高了熱性能和可靠性。最近三星研制出1066MHz的DDR 3內(nèi)存，未來可能代替昂貴的DDR 2內(nèi)存。DDR 3采用0.08微米制程，而DDR 2則是0.09微米。DDR 3內(nèi)存將工作在1.5V的電壓下，耗電量要小于DDR2內(nèi)存晶片，且其數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)1.06Gbps，內(nèi)存容量達(dá)512Mb。目前，半導(dǎo)體制造商們已經(jīng)開始從DDR1轉(zhuǎn)向DDR2了，DDR2已開始逐漸成為主流，價格逐漸走低，到今年第二季度末，其價格很有可能將會和DDR1差不多。 據(jù)市場預(yù)測，DDR3內(nèi)存晶片將在2007年將成為普及產(chǎn)品。到2009年DDR3晶片將成占市場份額的2/3以上。三、內(nèi)存優(yōu)劣判斷技巧DDR內(nèi)存條主要由PCB、內(nèi)存顆粒等組成。內(nèi)存條的品牌雖多，不過能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的還是那么幾家大廠。三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)等等。除內(nèi)存顆粒外，我們還可以從下面幾個方面來判斷內(nèi)存條的優(yōu)劣：金手指、設(shè)計、工藝。金手指 (插腳)：內(nèi)存的金手指通常有兩種制造方法，電鍍和化學(xué)鍍。電鍍金手指耐磨度和電氣性能較化學(xué)鍍的金手指好，電鍍的薄20微米左右，不過肉眼很難看得出。電鍍的金手指在末端會有一個“小辮子”（這是生產(chǎn)工藝造成，電鍍必須要各金手指是導(dǎo)通的，電鍍完后再分板將導(dǎo)通線切斷）。設(shè)計：根據(jù)JEDEC規(guī)范，DDR400內(nèi)存條PCB應(yīng)為6層，其中第2層為接地層，第5層為電源層，其余4層均為信號層。采用6層PCB板，有4層可以走信號線，表面布線比較寬松（同層布線），大面積覆銅設(shè)計，能降低EMI（電磁干擾）。不過為了控制成本，一些廠商通常采用折衷的辦法，采用四層板，然后使用單面；或者采用六層板，雙面都使用。工藝：內(nèi)存上顆粒、電阻、電容等如果焊點圓滑飽滿富有光澤，那么這根內(nèi)存所使用的焊錫和焊接工藝是比較好的。四、DIY內(nèi)存選擇內(nèi)存從DDR到DDR2再到DDR3，技術(shù)在不斷進(jìn)步，且價格也差異巨大。作為DIY一族，怎樣抉擇？大家都知道，CPU獲得數(shù)據(jù)的途徑和優(yōu)先級是L1L2內(nèi)存，CPU在L2緩存中如果沒有找到需要的數(shù)據(jù)，就通過前端總線（FSB）向內(nèi)存控制器發(fā)出請求繼而在內(nèi)存中尋找需要的數(shù)據(jù)或指令，最終通過前端總線返回給CPU，這樣就存在一個內(nèi)存帶寬要和前端總線帶寬相匹配的問題。所以選購內(nèi)存的時候一定要注意頻率夠用就可以了。比如購買DDR內(nèi)存，如果CPU是P4 3.2GC配合800Mhz外頻雙通道主板，那么買DDR 400的內(nèi)存已經(jīng)足夠，不需要浪費金錢買DDR 466、DDR 500等規(guī)格。DDR2雖然采用了大量新技術(shù)，會取代通行的標(biāo)準(zhǔn)DDR，但畢竟推出時間較短，價格昂貴。AMD就在最近宣布，盡管市場將向DDR2標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)移，但今年不準(zhǔn)備修改當(dāng)前的晶片以支援該標(biāo)準(zhǔn)。綜上所述，筆者認(rèn)為DDR仍是目前服務(wù)器記憶體的首選。DDR2取代DDR只是時間問題，但因為價格高于DDR 70-80%且受CPU外頻限制，效率提升并不顯著，待到雙核心CPU普及(雙核心天價及高熱量是目前的發(fā)展局限)后再選不遲。最新的DDR3即將量產(chǎn)，是未來主流。站在DIY的角度，目前服務(wù)器最佳配搭性價比推介新至強配DDR400記憶體和華碩 NCCH-DR主板。硬 盤(Harddisk)硬盤介面是硬盤與主機(jī)系統(tǒng)間的連接部件，作用是在硬盤緩存和主機(jī)內(nèi)存之間傳輸數(shù)據(jù)。不同的硬盤介面決定著硬盤與電腦之間的連接速度，在整個服務(wù)器系統(tǒng)中，硬盤介面的優(yōu)劣直接影響著程式運行快慢和系統(tǒng)性能好壞。一、硬盤介面的“串列”革命在過去的20年中，并行（Paralle）介面在占據(jù)了主導(dǎo)的地位。人們習(xí)慣用IDE來稱呼最早出現(xiàn)IDE類型硬盤ATA-1，這種并行介面已經(jīng)被淘汰。隨著CPU時鐘頻率和內(nèi)存帶寬的不斷提升，兩種主要的并行總線接口技術(shù)ATA和SCSI逐漸顯現(xiàn)出不足。對于ATA和SCSI技術(shù)，由于采用并行總線介面，傳輸數(shù)據(jù)和信號的總線是復(fù)用的，因此傳輸速率會受到一定的限制。如果要提高傳輸?shù)乃俾?，那么傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和信號往往會產(chǎn)生干擾，從而導(dǎo)致錯誤。 在上述情況下，串列（Serial）總線接口技術(shù)就應(yīng)運而生。串列總線接口技術(shù)并不是并行技術(shù)的改進(jìn)，而是一種完全嶄新的總線架構(gòu)。同ATA和SCSI相對應(yīng)的是SATA（Serial ATA）和SAS（Serial Attached SCSI）兩種技術(shù)，它們克服了原先并行總線接口技術(shù)中的不足。在數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中，數(shù)據(jù)線和信號線獨立使用，并且傳輸?shù)臅r鐘頻率保持獨立，串列總線的傳輸速率可以達(dá)到并行的30倍。 二、SATA顯優(yōu)勢由于并行ATA的峰值傳輸速率有限，隨著硬盤數(shù)據(jù)傳輸速率提高、磁盤轉(zhuǎn)速更快，SATA得到廣泛應(yīng)用。SATA的進(jìn)步不僅僅在傳輸性能上，還包括了功耗、安裝簡便性、線纜、內(nèi)部散熱以及驅(qū)動器配置方面帶來很多的好處。這些因素可能會比數(shù)據(jù)傳輸速率更為重要，尤其是對于那些需要節(jié)省時間和金錢的DIY族而言。相對于并行ATA又短又寬的笨重線纜而言，SATA串列線纜又小又細(xì)，并可以延伸至1米，使得在系統(tǒng)上安裝設(shè)備和布線變得非常容易，采用這種線纜有效的改進(jìn)了服務(wù)器內(nèi)部散熱，使得系統(tǒng)更加穩(wěn)定。在電壓方面，SATA使用兩條數(shù)據(jù)通道分別發(fā)送和接收數(shù)據(jù)，500毫伏的電壓就可以運行SATA了，這使得系統(tǒng)功耗有所減少。在標(biāo)準(zhǔn)的SATA系統(tǒng)中，采用平均4通道的SATA主適配器時平均磁盤訪問時間是14.5毫秒。磁盤讀取平均最大值是47 mbps，寫平均最大值是36.6 mbps。平均高峰傳輸速率為79.4 mbps（理論值達(dá)150 mbps）。三、 NCQ的秘密NCQ（Native Command Queuing，原命令隊列）是被設(shè)計用于改進(jìn)在日益增加的負(fù)荷情況下硬盤的性能和穩(wěn)定性的技術(shù)。當(dāng)用戶的應(yīng)用程式發(fā)送多條指令到用戶的硬盤，NCQ硬盤可以優(yōu)化完成這些指令的順序，從而降低機(jī)械負(fù)荷達(dá)到提升性能的目的。其實NCQ是屬于SATA 300規(guī)范中的一條，它是一項提升硬盤性能的技術(shù)，NCQ允許設(shè)備重新排列命令，來進(jìn)行更有效的數(shù)據(jù)傳輸。支援NCQ的系統(tǒng)在執(zhí)行4條指令的情況（A、B、C、D），它并非