憶阻器模型介紹.docx

TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model1. 介紹2. 對憶阻裝置特征的需求：隨內(nèi)部狀態(tài)改變的阻值；非易失性；內(nèi)部狀態(tài)依賴于電荷的非線性，電流越高改變越大（保證無損的讀取機(jī)制）；3. 如今提出的憶阻模型：A. 基本需求：精確，計算效率，模型簡單直觀，封閉式的；普遍適用B. 線性離子漂移模型C. 窗函數(shù)：對線性離子漂移模型的改進(jìn)當(dāng)狀態(tài)變量x到達(dá)邊界時為0，其他時刻為1. ，P為正整數(shù)，當(dāng)p足夠大時，窗函數(shù)近似于矩形窗函數(shù)，非線性離子飄逸現(xiàn)象減少；圖形如下：存在問題：當(dāng)w趨近邊界時，狀態(tài)變量不改變。為了改善該問題，提出來一個新的窗函數(shù)：，i為憶阻電流。沒有比例因子，無法調(diào)節(jié)（函數(shù)最大值無法改變）乘以一個比例因子解決該問題，函數(shù)為j是根據(jù)f(w)值改變的控制參數(shù)。 窗函數(shù)解決了邊界問題，顯示了一種非線性現(xiàn)象，但不能完全形容非線性離子漂移。未加比例因子；改進(jìn)后。D. 非線性離子漂移模型邏輯電路需要更多的非線性I-V特性，（參考文獻(xiàn)15），該模型假設(shè)了一種不對稱的轉(zhuǎn)換關(guān)系，狀態(tài)變量對電壓的非線性依賴a.m常數(shù),m奇整數(shù)，f(w)窗函數(shù)。E. Simmons隧道結(jié)模型假設(shè)非線性與不對稱性來源于電離子摻雜物的運(yùn)動的指數(shù)依賴。，表示氧空位的遷移速度。正向電壓，coff更大，氧空位遷移更快。4. 自適應(yīng)閾值憶阻模型V-I關(guān)系未確定，能適用于各種情況。A：前文提到的模型缺陷及對現(xiàn)提出模型的需求；B，C：描述狀態(tài)變量導(dǎo)數(shù)，I-V關(guān)系。D：適當(dāng)?shù)拇昂瘮?shù)。A. 對簡化模型的需求首先，simmons模型十分精確，但很復(fù)雜并且只適用于特定的憶阻器（論文21提出SPICE仿真）；計算不效率。簡化模型要求計算簡單，方程式更加簡化，而需要足夠的精確度。假定閾值以下X不會變化，依賴于多項(xiàng)式而非指數(shù)。B. TEAM模型的狀態(tài)變量導(dǎo)數(shù) C. TEAM模型V-I關(guān)系 根據(jù)HP模型，由隧道結(jié)模型聯(lián)系到阻值改變的指數(shù)性規(guī)則：D. 將隧道結(jié)模型適用于TEAM模型由于模擬引擎的離散性質(zhì)，邊界可超過，下圖分別是理想窗函數(shù)與假定窗函數(shù)，后者將狀態(tài)變量控制在一個更小的范圍，憶阻激活時間更快5. 兩種模型之間的