國外集成電路命名方法.doc_第1頁
國外集成電路命名方法.doc_第2頁
國外集成電路命名方法.doc_第3頁
全文預覽已結束

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

國外集成電路命名方法國外主要集成電路生產廠家的集成電路命名方法縮寫字符：AMD 譯名：先進微器件公司（美）器件型號舉例說明AM 29L509 P C B AMD首標 器件編號 封裝形式 溫度范圍 分類 L：低功耗；D：銅焊雙列直插C：商用溫度，沒有標志的S：肖特基；（多層陶瓷）；（0-70）或為標準加工LS：低功耗肖特基；L：無引線芯片載體：（0-75）；產品，標有21：MOS存儲器；P：塑料雙列直插；M：軍用溫度，B的為已25：中規(guī)范（MSI）；E：扁平封裝（陶瓷扁平）；（-55-125）；老化產品。26：計算機接口；X：管芯；H：商用，27：雙極存儲器或EPROM ；A：塑料球柵陣列；（0-110）；28：MOS存儲器理；B：塑料芯片載體I：工業(yè)用，29：雙極微處理器；C、D：密封雙列；（-4085 ）；54/74：同25；E：薄的小引線封裝；N：工業(yè)用，60、61、66：模擬，雙極；G：陶瓷針柵陳列；（-2585）；79：電信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊軍用，80：MOS微處理器；四面引線扁平；（-30125）；81、82：MOS和雙極處圍電路；J：塑料芯片載體（PLCC）；L：限制軍用，90：MOS；L：陶瓷芯片載體（LCC）；（-55-85）91：MOS RAM：V、M：薄的四面125。92：MOS；引線扁平；93：雙極邏輯存儲器P、R：塑料雙列；94：MOS；S：塑料小引線封裝；95：MOS外圍電路；W：晶片；1004：ECL存儲器；也用別的廠家的符號：104：ECL存儲器；P：塑料雙列；PAL：可編程邏輯陳列；NS、N：塑料雙列；98：EEPROM；JS、J：密封雙列；99：CMOS存儲器。W：扁平；R：陶瓷芯片載體；A：陶瓷針柵陳列；NG：塑料四面引線扁平；Q、QS：陶瓷雙列。AD 644 A S H /883B ANA首標器件附加說明溫度范圍封裝形式篩選水平AD：模擬器件編號A：第二代產品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金屬氣MIL-STD-HA：混合DI：介質隔離產（0-70）；密雙列封裝883B級。A/D；品；A、B、C：（多層陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）；E：芯片載體；D/A。的產品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）。G：PGA封裝（針柵陣列）；H：金屬圓殼氣密封裝；M：金屬殼雙列密封計算機部

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論