場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識資料.doc

場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識一、場效應(yīng)管的分類按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。見下圖。二、場效應(yīng)三極管的型號命名方法第二種命名方法是CS#，CS代表場效應(yīng)管，以數(shù)字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。三、場效應(yīng)管的參數(shù)1、I DSS 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。2、UP 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM幾種常用的場效應(yīng)三極管的主要參數(shù)四、場效應(yīng)管的作用2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。五、場效應(yīng)管的測試1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別：場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R1k檔，用兩表筆分別測量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)K時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2、判定柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。3、估測場效應(yīng)管的放大能力將萬用表撥到R100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時(shí)表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地?cái)[動，就說明管子具有放大能力。本方法也適用于測MOS管。為了保護(hù)MOS場效應(yīng)管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上，將管子損壞。MOS管每次測量完畢，G-S結(jié)電容上會充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測時(shí)表針可能不動，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。目前常用的結(jié)型場效應(yīng)管和MOS型絕緣柵場效應(yīng)管的管腳順序如下圖所示。六、. 場效應(yīng)管的特征： (a) JFET的概念圖 (b) JFET的符號 圖1 JFET的概念圖、符號 圖1(b)門極的箭頭指向?yàn)閜指向 n方向，分別表示內(nèi)向?yàn)閚溝道JFET，外向?yàn)閜溝道JFET。 圖1（a）表示n溝道JFET的特性例。以此圖為基礎(chǔ)看看JFET的電氣特性的特點(diǎn)。 首先，門極-源極間電壓以0V時(shí)考慮（VGS =0）。在此狀態(tài)下漏極-源極間電壓VDS 從0V增加，漏電流ID幾乎與VDS 成比例增加，將此區(qū)域稱為非飽和區(qū)。VDS 達(dá)到某值以上漏電流ID 的變化變小，幾乎達(dá)到一定值。此時(shí)的ID 稱為飽和漏電流（有時(shí)也稱漏電流用IDSS 表示。與此IDSS 對應(yīng)的VDS 稱為夾斷電壓VP ，此區(qū)域稱為飽和區(qū)。 其次在漏極-源極間加一定的電壓VDS (例如0.8V)，VGS 值從0開始向負(fù)方向增加，ID 的值從IDSS 開始慢慢地減少，對某VGS 值ID =0。將此時(shí)的VGS 稱為門極-源極間遮斷電壓或者截止電壓，用VGS (off)示。n溝道JFET的情況則VGS (off) 值帶有負(fù)的符號,測量實(shí)際的JFET對應(yīng)ID =0的VGS 因?yàn)楹芾щy,在放大器使用的小信號JFET時(shí),將達(dá)到ID =0.1-10A 的VGS 定義為VGS (off) 的情況多些。 部分型 號 規(guī) 格 IRFP254 23A 250V 200W；IRFP260 46A 200V 280W；IRFP264 38A 250V 280W；IRFP340 10A 400V 180W； IRFP250 33A 200V 190W；IRFP350 16A 400V 180W；IRFP360 23A 400V 280W；IRFP450 14A 500V 180W； IRFP460 20A 500V 280W ；IRFP3710；IRFu120； IRFu9120； IRFD110； IRFD9120； 50N06 50A 60V 60N06 60A 60V；70N06 70A 60V；75N06 75A 60V；75N75 75A 75V；80N06 80A60V； SSP3N90 3A 900V 25W； SSP4N60 4A 600V；SSP4N90 4A 900V 140W；SSP5N90 5A 900V 150W；6N60 6A 600V 125W；7N90 7A 900V 150W；IXFH12N90 12A 900V 300W； IXFH12N100 12A 1000V 300W；IXFH13N80 13A 800V 280W W20N50 20A 500V 180W； IXFH20N60 20A 600V 300W； MTW24N 40 24A 400V 250W IXFH24N50 24A 500V 250W；IXFH26N50 26A 500V 300W；IXFH32N50 32A 500V 300W；IXFH40N30 40A 300V 300W；IRF510 5.6A 100V 20W ；IRF520 8A 100V 40W；IRF530 14A 100V 79W ；IRF540 28A 100V 150W IRF620 5A 200V 40W；IRF630 9A 200V 75W；IRF834 8.1A 250V 75W；IRF640 18A 200V 125W IRF644 14A 250V 125W；IRF730 5.5A 400V 75W；IRF740 10A 400V 75W；IRF830 4.5A 500V 75W IRF840 8A 500V 125W ；IRF1010 75A 55V 150W；IRF2807 71A 75V 150W；IRF3205 98A 55V 150W IRF3710 46A 100V 150W ；IRF4710 56A 100V 150W；IRF9530 12A 100V 88W；IRF9540 18A 100V 150W IRF9610 1.8A 200V 20W ；IRF9620 3.5A 200V 40W；IRF9630 6.5A 200V 75W；IRF9640 11A 200V 125W IRFBC30 6.2A 600V 74W；IRFBC40 6.2A 600V 125W；IRFBE30 4.1A 800V 125W；IRFBE40 5A 800V 125W IRFPC50 11A 600V 180W；IRFPC60 16A 600V 280W；IRFPG50；IRFPF30 3.6A 900V 125W； IRFPF50IRFPF40 47A 900V 150W ；IRFZ20 15A 50V 40W ；IRFZ40 51A 60V 150W ；IRFZ44 50A 60V 190W IRFZ46 33A 55V 45W ；IRFZ48 40A 55V 45W ；IRF40N10 40A 100V 100W ；IXFK48N50 48A 500V 220W IXFH50N20 50A 200V 300W ；IXFH58N20 58A 200V 300W ；IXFH74N20 74A 200V 300W ；IXFH75N10 75A 100V 300W ； 型 號 規(guī) 格 K622 20A 150V 20W；K623 20A 250V 120W；K719 5A 900V 120W；K724 15A 500V 100W；K725 15A 500V 125W；K727 5A 900V 125W；K786 3A 900V 50W ；K791 3A 850V 100W ；K792 3A 900V 100W ；K793 5A 850V 150W；K794 5A 900V 125W；K790 15A 500V 150W；K822 22A 250V 90W；K833 5A 900V 150W K850 40A 100V 125W；K851 30A 200V 150W；K899 18A 500V 125W；K902 20A 250V 150W K940 0.8A 60V 0.9W；K956 9A 800V 150W；K962 8A 900V 150W；K1010 6A 500V 80W；K1016 15A 500V 125W；K1020 30A 500V 125W ；K1081 7A 800V 125W ；K1082 6A 900V 125W；K1117 6A 600V 45W K1118 6A 600V 45W ；K1119 4A 1000V 100W；K1120 8A 1000V 150W ；K1217 8A 900V 100W K1271 5A 1400V 240W；K1227 30A 250V 150W ；K1341 6A 900V 100W；K1342 8A 900V 100W K1357 5A 900V 150W ；K1358 9A 900V 150W ；K1413 2A 1500V 3W ；K1414 6A 1500V 3.5W K1457 5A 900V 70W；K1507 9A 600V 70W；K1512 10A 900V 150W；K1520 30A 500V 200W K1521 50A 450V 250W ；K1522 50A 450V 250W；K1527 40A 500V 250W；K1544 25A 500V 200W K1723 12A 600V 150W；K1745 18A 600V 150W ；K1796 10A 900V 150W；K1837 50A 500V 250W K1941 12A 600V 125W ；K2038 5A 800V 125W；K2039 5A 900V 150W；K2082 9A 900V 150W K2333 6A 700V 50W；K2485 6A 900V 150W ；K2608 3A 900V 100W；K2610 5A 900V 125W ；K2611 9A 900V 150W ；K2648 9A 800V 150W ；K2677 10A 900V 65W ；K2700 3A 900V 40W ；K2761 10A 600V 50W K2765 7A 800V 125W ；K2850 6A 900V 150W ；K2488 10A 900V 150W ；IRFP064N 110A 55V 200W IRFP054N 81A 55V 170W ；IRFP054 70A 60V 230W ；78455 代IRFP054 ；IRFP064 70A 60V 300W IRFP150 40A 100V 200W ；IXFH80N10 80A 100V 300W ；IXFH80N20 80A 200V 300W ；IXFK100N10 100A 100V 450W ；IXFK170N10 170A 100V 450W ；K413 8A 140V 100W ；K534 5A 800V 100W ；K559 15A 450V 100W ；K560 15A 500V 100W 場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識李東方 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮，這里根據(jù)以前的學(xué)習(xí)整理幾點(diǎn)使用知識，以供大家參考我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管；絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧 化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱 MOS場效應(yīng)管 1如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管擊穿 由于絕緣柵場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來的電荷就很難通過這個(gè)電阻泄放掉，電荷的累積造成了電壓的升高，尤其是在極間電容比較小的情況本下，少量的電荷就會產(chǎn)生較高的電壓，以至管子還沒使用或者在焊接時(shí)就已經(jīng)擊穿或者出現(xiàn)指標(biāo)下降的現(xiàn)象，特別是MOS管，其絕緣層很薄，更易擊穿損壞。為了避免出現(xiàn)這樣的事故，關(guān)鍵在于避免柵極懸空，也就是在柵源兩極之間必須保持直流通路通常是在柵源兩極之間接一個(gè)電阻，使累積電荷不致過多，或者接一個(gè)穩(wěn)壓管，使電壓不致超過某一數(shù)值在保存時(shí)應(yīng)使3個(gè)電極短路，并放在屏蔽的金屬盒內(nèi)；把管子焊到電路上或取下來時(shí)，也應(yīng)該先將各個(gè)電極短路；安裝測試時(shí)所用的烙鐵 儀器等要有良好的接地，最好拔掉電烙鐵的電源再進(jìn)行焊接。 2怎樣判斷結(jié)型場效應(yīng)管的電極將萬用表置于R 1K擋，用黑表筆