光伏單晶硅項(xiàng)目可行性報(bào)告書

太陽能光伏 新能源 產(chǎn)業(yè) 單晶硅項(xiàng)目可行性報(bào)告書 本資料僅供投資參考 2010年 03月作成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 1 目 錄 第一章 總論 .1 第二章 企業(yè)基本情況 . 8 第三章 市場(chǎng)預(yù)測(cè)和產(chǎn)品方案 .10 第四章 物料供應(yīng)及生產(chǎn)協(xié)作 .20 第五章 工程技術(shù)方案 .21 第六章 建設(shè)條件、廠址方案 及公用設(shè)施 .35 第七章 環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生及消防 .45 第八章 節(jié)能 . 56 第九章 企業(yè)組織和勞動(dòng)定員 . 58 第 十章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度建議 .59 第十一章 投資估算及資金籌措 .60 第十二章 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià) .63 附表 : 1.引進(jìn) 設(shè)備清單 2.國產(chǎn)設(shè)備清單 3.相關(guān)財(cái)務(wù)報(bào)表 4.總平面布置圖 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 2 第一章 總 論 1.1 項(xiàng)目概況 項(xiàng)目名稱： *有限公司年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 生產(chǎn)線項(xiàng)目 新建企業(yè)名稱： *有限公司 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人： * 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)： * 1.2項(xiàng)目提出的背景 硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一，從 19 世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì) 60 年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料 因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。 現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近 15 年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。 熔 融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。 單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長的趨勢(shì)。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 3 單晶硅圓片按其直徑分為 6英寸、 8英寸、 12英寸（ 300 毫米）及 18英寸（ 450毫米）等。 直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低 。但大尺寸晶片對(duì)材 料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（ CZ）、區(qū)熔法（ FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在 3 8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在 3 6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。 由于成本和性能的原因，直拉法（ CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在 IC 工業(yè)中所用的材料主要是 CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用 CZ 拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在 IC 制造中有更好的適用性并具有消除 Latch up 的能力。 單晶硅也稱 硅 單晶 ，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個(gè)領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過 2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場(chǎng)中 95%以上的半導(dǎo)體器件及 99%以上的集成電路用硅。 高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求 99.999。單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池，它的構(gòu) 和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 4 用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。 單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。 在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn) 化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始?，F(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。 1.3 可行性研究依據(jù)及范圍 1.3.1 研究依據(jù) (1)*有限公司 委托 知名 工程設(shè)計(jì)研究院進(jìn)行該項(xiàng)目可行性研究的合同。 (2)*有限公司 提供的有關(guān)基礎(chǔ)資料。其中包括 :企業(yè)基本情況、項(xiàng)目工藝流程、引進(jìn)及國產(chǎn)設(shè)備情況、財(cái)務(wù)核算依據(jù)、項(xiàng)目建設(shè)地基本情況等。 (3)國家 信息產(chǎn)業(yè) 相關(guān)政策。 1.3.2 研究范圍 根據(jù)上 述文件要求，本報(bào)告對(duì) *有限公司年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 生產(chǎn)線項(xiàng)目 進(jìn)行分析研究，內(nèi)容包括產(chǎn)品方案、生產(chǎn)規(guī)模、年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 5 市場(chǎng)需求、工程技術(shù)方案、環(huán)境保護(hù)、投資估算和資金籌措、經(jīng)濟(jì)效益分析等。 1.4 項(xiàng)目的 目標(biāo)和主要內(nèi)容 1.4.1項(xiàng)目的 目標(biāo) 項(xiàng)目將形成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模。達(dá)產(chǎn)后，年銷售收入 66000萬元；增值稅 2247萬元，所得稅 1742萬元，利潤總額為 6970萬元。 1.4.2 項(xiàng)目的主要內(nèi)容 (1)項(xiàng)目將根據(jù)年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房 及 公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際先進(jìn)水平的 切片機(jī) 、切方機(jī)及 硅片檢測(cè)設(shè)備 ；購置 熱場(chǎng)、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床 等國產(chǎn)設(shè)備 。 (2)廠區(qū)內(nèi)供電、供水等公用配套設(shè)施和生活設(shè)施 的改造及建設(shè) 。 (3)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能原則 。 1.5 總投資及資金來源 固定資產(chǎn)總投資 ： 本次投資固定資產(chǎn)總額為 10500萬元，其中； 設(shè)備及安裝工程 : 9559 萬元 （ 540萬美元） ； 建設(shè)期利息 120 萬元； 其他費(fèi)用 :821萬元。 項(xiàng)目總投資： 13000萬元 (含鋪底流動(dòng)資金 2500萬元 )。 流動(dòng)資金： 8000萬元 (含鋪底流動(dòng)資金 2500萬元 )。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 6 資金來源： 固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌 6000 萬元， 或 銀行貸款 4500 萬元。流動(dòng)資金銀行貸款 5500萬元，企業(yè)自籌 2500萬元。 1.6 研究的主要結(jié)果 經(jīng)可行性研究其結(jié)論性結(jié)果為： (1)在國務(wù)院批轉(zhuǎn)國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄 (2005年本 )鼓勵(lì)類第 二十四 條中 信息產(chǎn)業(yè) 第 38 條為： 6英寸及以上單晶硅、多晶硅及晶片制造 。充分說明本項(xiàng)目是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和鼓勵(lì)發(fā)展的。 (2)本項(xiàng)目擬引進(jìn)的切片機(jī) 、切方機(jī) 及硅片檢測(cè)設(shè)備技術(shù)先進(jìn)、自動(dòng)化程度高 、監(jiān)測(cè)手段完備，是目前國際上最先進(jìn)的 單晶硅 片制造設(shè)備。國產(chǎn)設(shè)備選用也以先進(jìn)、高效、環(huán)保、節(jié)能為原則。 (3)項(xiàng)目 產(chǎn)品 單晶硅 片 是光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，國內(nèi)外市場(chǎng)潛力巨大 。 (4)本項(xiàng)目將根據(jù) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的 生產(chǎn)規(guī)模 ， 利用已有廠房 進(jìn)行工藝設(shè)備布置，使工藝流程合理、物流通暢 ，可做到上馬快，見效快。 (5)項(xiàng)目重視環(huán)境保護(hù)，擬投入適量資金建造環(huán)保設(shè)施對(duì)三廢進(jìn)行處理，經(jīng)處理后的廢水、廢氣將達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn) 。 項(xiàng)目勞動(dòng)安全衛(wèi)生、消防等問題將通過恰當(dāng)措施得以妥善解決 。 (6)項(xiàng)目總投資為 13000 萬元，其中固定資產(chǎn)投資 10500 萬元，鋪底流動(dòng)資金 2500 萬元 。 達(dá)產(chǎn)后將形成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片的生產(chǎn)能力 。 (7)項(xiàng)目建設(shè)期 12 個(gè)月 ， 達(dá)產(chǎn)后，年新增銷售收入 66000 萬元，增值稅為 2247萬元，銷售稅金及附加為 180萬元，利潤總額為 6970萬元 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 7 (8)項(xiàng)目實(shí)施后，企業(yè)實(shí)力將顯著增強(qiáng)，經(jīng)濟(jì)分析表明： 內(nèi)部收益率為： 36.42% (所得稅后 ) 投資回收期為： 4.08年 (所得稅后 ) 投資利潤率為： 37.68% 投資利稅率為： 50.80% 由上可見，無論是從產(chǎn)品還是市場(chǎng)來看，本項(xiàng)目設(shè)備 較先進(jìn) ， 其產(chǎn)品技術(shù)含量 較 高、企業(yè)利潤率高、市場(chǎng)銷售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會(huì)效益及一定的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，因而項(xiàng)目是可行的 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 8 1.7 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表 主要數(shù)據(jù) 1、生產(chǎn)綱領(lǐng) 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 2、產(chǎn)品方案 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 3、原輔材料 多晶硅料 192t 免清洗單晶硅料 288t 其他輔料 1378t 4、新增主要生產(chǎn)設(shè)備 697 臺(tái)套 5、公用工程 用水量 20 104噸 /a 用電量 3200 萬 度 /a 6、人員 (新增 ) 300 人 7、全年生產(chǎn)天數(shù) 300 天 8、項(xiàng)目 實(shí)施地 建筑面積 (m) 30236 9、固定資產(chǎn)投資 (萬元 ) 10500 10、 銷售收入及稅金 銷售收入 (萬元 ) 66000 增值稅 (萬元 ) 2247 銷售稅金附加 (萬元 ) 180 利潤總額 (萬元 ) 6970 所得稅 (萬元 ) 1742 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià) 1、 全部投資財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率 (稅后 ) 36.62% 2、 投資利潤率 37.68% 3、 投資利稅率 50.80% 4、投資回收期 (稅后 ) 4.08 年 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 9 第二章 企業(yè)基本情況 2.l 企業(yè)概況 *有限公司 于 2008 年 5 月， 由 *有限公司及 *有限公司共同出資成立。公司 位于 *工業(yè)區(qū) 。公司注冊(cè)資本 3800 萬元，總投資 13000萬元，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)硅材料生產(chǎn)加工企業(yè)，主要從事單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造、銷售和服務(wù)。 *有限公司 聘請(qǐng)國內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級(jí)研究所著名專家， 并且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊(duì)伍 ， 公司現(xiàn)有員工 100 余人。公司 擬引進(jìn)瑞士、日本 等國 的切片機(jī)、切方機(jī)及 硅片檢測(cè)設(shè)備 11 臺(tái)套，購置國產(chǎn)單晶爐、單晶硅帶鋸床等生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備 686 臺(tái)套，實(shí)施單晶硅 及晶片 生產(chǎn)項(xiàng)目。 項(xiàng)目 達(dá) 產(chǎn)后，產(chǎn)品產(chǎn)量為： 8英寸 單晶硅 200t/a（切割能力約 1200萬片 /a）。 2.2 投資方情況介紹 2.2.1*有限公司 *有限公司于 2001 年開始投產(chǎn)，現(xiàn)擁有 *名 職 工，多條生產(chǎn)流水線。公司占地面積 80000平方米，建筑面積 35000 平方米，固定資產(chǎn) 7000多萬元 ， 2007年度 *有 限公司 總產(chǎn)值為 1.1億元。 公司主要生產(chǎn) *等 產(chǎn)品 ，年產(chǎn) 量數(shù)件產(chǎn)品 ，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷日本、歐洲、美國等國家和地區(qū)，公司配備各類進(jìn)口設(shè)備 *套，配套了專用的 *設(shè)備及 *系統(tǒng)，并形成了以 *產(chǎn)品 的生產(chǎn)、后期加工為特色的一條龍服務(wù)。 公司一向貫徹“務(wù)實(shí)創(chuàng)新、信譽(yù)至上”的宗旨， 本著客戶至上的理念，年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 10 不斷加強(qiáng)管理，改良設(shè)備，提高生產(chǎn)技術(shù)，以高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求把好各項(xiàng)質(zhì)量關(guān)口，始終把客戶的滿意率作為我們最終目標(biāo)。 2.2.2*有限公司 *有限公司 ,注冊(cè)地址為 *。 公司現(xiàn)有 設(shè)備 *臺(tái)，職工 *人，年產(chǎn) *萬件，生產(chǎn)總值 *萬元，實(shí)現(xiàn)利稅 *萬元。 2.3 企業(yè)承辦條件及優(yōu)勢(shì) 企業(yè)承辦本項(xiàng)目的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： (1)主要股東方是 *地區(qū)的成功企業(yè)家，能很好地組織社會(huì)資源和自然資源，運(yùn)用成功的企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)為企業(yè)新業(yè)務(wù)項(xiàng)目的運(yùn)營提供可靠的支持和保證，為地方經(jīng)濟(jì)的發(fā)展添采。 (2)節(jié)能減排、資源環(huán)保是國家的百年大計(jì)，有 *地方政府對(duì)項(xiàng)目的鼎立支持和關(guān)愛，為企業(yè)項(xiàng)目把握方向。 (3)技術(shù)人才優(yōu)勢(shì) *有限公司聘請(qǐng)國 內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級(jí)研究所著名專家，并且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊(duì)伍，使公司在 單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造 等方面均有一定的優(yōu)勢(shì)；引進(jìn)人才在 單晶硅棒、單晶硅片 規(guī)模生產(chǎn)的生產(chǎn)線建設(shè)、設(shè)備采購、工藝流程、成本控制、原材料采購 及產(chǎn)品銷售 等方面均擁有成熟的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品的利潤率較高。因此， *有限公司實(shí)施本項(xiàng)目，技術(shù)有保證、市場(chǎng)前境廣闊。 第三章 市場(chǎng)預(yù)測(cè)和產(chǎn)品方案 3.1 國內(nèi)外太陽能光伏組件市場(chǎng)概況 3.1.1 國外光伏組件概況 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 11 (1)太陽能光伏發(fā)電 世界光伏組件在過去 15 年快速增長 ， 21 世紀(jì)初 ， 發(fā)展更加迅速，最近三年平均年增長率超過 20%。 2006年光伏組件生產(chǎn)達(dá)到 1282MW。在產(chǎn)業(yè)方面，各國一直通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動(dòng)化程度，改進(jìn)技術(shù)水平、開拓市場(chǎng)等措施降低成本，并取得了巨大進(jìn)展。商品化電池效率從 10-13%提高到16-17.5%。單條生產(chǎn)線生產(chǎn)規(guī)模從 1-5MW/年發(fā)展到 5-35MW/年，并正在向 50MW 甚至 100MW擴(kuò)大；光伏組件的生產(chǎn)成本降到 3美元 /瓦以下。 (2)21世紀(jì)世界光伏發(fā)電的發(fā)展將具有以下特點(diǎn)： 產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)以高增長速率發(fā)展。多年來光伏產(chǎn)業(yè)一直是世界增長速度最高和最穩(wěn)定的領(lǐng)域之 一。預(yù)測(cè)今后 10 年光伏組件的生產(chǎn)將以 20-30%甚至更高的遞增速度發(fā)展。光伏發(fā)電的未來前景已經(jīng)被愈來愈多的國家政府和金融界 (如世界銀行 )所認(rèn)識(shí)。許多發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定光伏發(fā)展規(guī)劃，如到 2010 年，美國計(jì)劃累計(jì)安裝 4.6GW(含百萬屋頂計(jì)劃 )；歐盟計(jì)劃安裝 3.7GW(可再生能源白皮書 )；日本計(jì)劃累計(jì)安裝 5GW(NEDO日本新陽光計(jì)劃 )，預(yù)計(jì)其他發(fā)展中國家 1.5GW(估計(jì)約 10%)，預(yù)計(jì)世界總累計(jì)安裝14-15GW。到下世紀(jì)中葉，光伏發(fā)電成為人類的基礎(chǔ)能源之一。 世界光伏市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)在政策法規(guī)和各種措施的強(qiáng)力 推動(dòng)下呈快速、增速發(fā)展。 最近 10年的平均年增長率為 28.6% (從 1996年的 105MW增加到 2006年的 1282MW)。 最近 5年的年平均增長率為 36.8 (從 2001年的 261MW增加到 2006年的 1282MW)。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 12 隨著太陽能光伏組件的成本逐漸下降，光伏發(fā)電系統(tǒng)安裝成本每年以 5%速率降低。降低成本可通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動(dòng)化程度和技術(shù)水平、提高電池效率等技術(shù)途徑實(shí)現(xiàn)。因此今后太陽電池組件成本逐漸降低是必然的趨勢(shì)。 光伏產(chǎn)業(yè)向百兆瓦級(jí)規(guī)模和更高技術(shù)水平發(fā)展。目前光伏組件的生產(chǎn)規(guī)模在 5 20MW/年。許多公司在計(jì)劃擴(kuò)建和新建年產(chǎn) 50 100MW級(jí)光伏組件生產(chǎn)廠。同時(shí)自動(dòng)化程度、技術(shù)水平也將大大提高、電池效率將由現(xiàn)在的水平 (單晶硅 15%-17%，多晶硅 13%-15%)向更高水平 (單晶硅 18%-20%，多晶硅 16%-18%)發(fā)展。 太陽能光伏建筑集成及并網(wǎng)發(fā)電的快速發(fā)展。建筑光伏集成具有多功能和可持續(xù)發(fā)展的特征，建筑物的外殼能為光伏系統(tǒng)提供足夠的面積，不需要占用昂貴的土地，省去光伏系統(tǒng)的支撐結(jié)構(gòu)；光伏陣列可以代替常規(guī)建筑材料，從而節(jié)省安裝和材料費(fèi)用，例如常規(guī)外墻包覆裝修成本與光伏組件成本相當(dāng)； 光伏系統(tǒng)的安裝可集成到建筑施工過程，降低施工成本；在用電地點(diǎn)發(fā)電，避免傳輸和配電損失 (5-10%)，降低了電力傳輸和配電的投資和維修成本；集成設(shè)計(jì)使建筑更加潔凈、完美，更使人賞心悅目，更容易被專業(yè)建筑師、用戶和公眾接受。太陽能光伏系統(tǒng)和建筑的完美結(jié)合體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展的理想范例，國際社會(huì)十分重視，許多國家相繼制定了本國的屋頂計(jì)劃。 3.1.2 國內(nèi)光伏組件概況 2002年以來，隨著尚德、英利等新建規(guī)模企業(yè)的陸續(xù)投產(chǎn)和原有企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張，中國光伏組件生產(chǎn)規(guī)模年均增長 300以上。盡管 2003 年底年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 13 以來硅片的短缺 多少影響了中國光伏產(chǎn)量的進(jìn)一步放大。 截止 2007 年底中國光伏電池總產(chǎn)能超過 800MW，組件總產(chǎn)能超過 1200 MW，并且仍然不斷有企業(yè)新進(jìn)投資光伏產(chǎn)業(yè)。中國光伏組件的生產(chǎn)能力已經(jīng)躋身世界前三行列。 中國光伏產(chǎn)業(yè)的高速增長是在世界光伏市場(chǎng)需求急劇增長情況下取得的，由于國際上光伏最大市場(chǎng)的并網(wǎng)應(yīng)用在國內(nèi)仍然處于零星示范論證階段，中國光伏生產(chǎn)規(guī)模的增量大部分用于出口市場(chǎng)。未來中國光伏市場(chǎng)的持續(xù)增長仍然需要政府出臺(tái)相關(guān)支持政策。 我國光伏組件生產(chǎn)逐年增加，成本不斷降低，市場(chǎng)不斷擴(kuò)大，裝機(jī)容量逐年增加。應(yīng)用領(lǐng)域包括 農(nóng)村電氣化、交通、通訊、石油、氣象、國防等。特別是光伏電源系統(tǒng)解決了許多農(nóng)村學(xué)校、醫(yī)療所、家庭照明、電視等用電，對(duì)發(fā)展邊遠(yuǎn)貧困地區(qū)的社會(huì)經(jīng)濟(jì)和文化發(fā)揮了十分重要的作用。 20 年來我國光伏產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了較好的基礎(chǔ)，但在總體水平上我國同國外相比還有很大差距。根據(jù)光伏工業(yè)自身的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，生產(chǎn)量和規(guī)模每增加一倍，成本下降約 20%。我國政府于 04 年 4月在德國柏林召開的全球可再生能源發(fā)展會(huì)議上對(duì)外承諾，至 2010 年中國可再生能源將達(dá)到總發(fā)電裝機(jī)容量的 10，其中光伏系統(tǒng)為 450MW。至 2020 年中國可再生能源將達(dá)到總發(fā) 電裝機(jī)容量的 20，以此推算，光伏系統(tǒng)的安裝容量將達(dá)到 4 8GW。光伏的發(fā)電成本在 2020 年估計(jì)在每千瓦時(shí) 0.5 1.0 元，在相當(dāng)大的市場(chǎng)上開始具有競(jìng)爭(zhēng)力，在 2030 年左右，則在幾乎整個(gè)電力市場(chǎng)上都具有競(jìng)爭(zhēng)力。 3.2 太陽能 單晶硅及切 片 市場(chǎng)預(yù)測(cè) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 14 3.2.1我國太陽能單晶硅發(fā)展現(xiàn)狀 我國太陽能電池的產(chǎn)量最近幾年持續(xù)保持高速增長，短短幾年，從事光伏產(chǎn)業(yè)的企業(yè)已發(fā)展致 500 多家。 2006 年，我國太陽能電池產(chǎn)量達(dá)到370MW，生產(chǎn)能力達(dá) 1200MW。由于太陽能電池的高速發(fā)展，國內(nèi)太陽能電池 單晶硅 生產(chǎn)企業(yè)不斷增多， 目前規(guī)模最大的是河北寧晉單晶硅基地， 2006年產(chǎn)量已達(dá) 1170 噸 /年，銷售額達(dá)到 36 億元。其他有錦州新日硅 /華日硅 /華昌電子材料公司、江蘇順大半導(dǎo)體有限公司、常州天合光能有限公司等公司太陽能電池單晶硅的產(chǎn)量也很大。 2006 年我國太陽能用 單晶硅 產(chǎn)量已達(dá) 3188 噸，已占到全國 單晶硅 生產(chǎn)量的 85%。表 3-3 為 2001 2006 年國內(nèi)太陽能用 單晶硅 生產(chǎn)狀況。 表 3-3 2001 2006年國內(nèi)太陽能用 單晶硅 生產(chǎn)狀況。 年份 2001 2002 2003 2004 2005 2006 單晶硅總產(chǎn)量（ t） 561.9 769.1 1191.4 1750.8 2564.5 3739.8 太陽能級(jí)單晶硅產(chǎn)量（ t） 286.7 403 730.55 1154.24 1887 3188.3 太陽能級(jí)單晶硅產(chǎn)量年增長率（ %） 38.2 40.6 81.28 57.96 63.52 68.96 太陽能級(jí)單晶硅產(chǎn)量平均增長率（ %） 46.1 圖 3-1 國內(nèi)單晶硅總產(chǎn)量及太陽能用單晶硅產(chǎn)量 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 15 國內(nèi)太陽能用單晶硅產(chǎn)量由 2001 年的 207.4 噸上升到 2006 年的 3188噸，六年內(nèi)增長了 15 倍。 3.2.2我國太陽能單晶硅市場(chǎng)預(yù)測(cè) 3.2.2.1 國際太陽電池市場(chǎng)概況 3.2.2.1.1 國際市場(chǎng)需求的增長 近年來，太陽電池每年銷售量在全球范圍以每年 25%的速度遞增。最近的市場(chǎng)評(píng)估表明，目前全球太陽電池工業(yè)每年的產(chǎn)值己超過 45 億美元。到 2010 年每年的銷售金額將超過每年約 110 億美元?？梢灶A(yù)計(jì)在今后幾年內(nèi)太陽電池工業(yè)將高速發(fā)展。 自 90 年代開始，太陽能在并網(wǎng)發(fā)電方面的應(yīng)用增長迅速，主要是安裝在居民住房屋頂、商業(yè)樓宇。許多國家政府為促進(jìn)太陽電池的應(yīng)用所實(shí)施的一系列新能源政策，包括一系列直接和間接的輔助計(jì) 劃。保護(hù)自然環(huán)境，尤其是抑制地球的溫度上升己被許多國家政府列為國策。 3.2.2.1.2國外政府對(duì)太陽能能源產(chǎn)業(yè)的支持 盡管人們意識(shí)到太陽電池的優(yōu)越性，但由于其價(jià)格比傳統(tǒng)發(fā)電貴得多，人們只能望而興嘆，而太陽電池生產(chǎn)商們卻抱怨。如果電池的市場(chǎng)龐大，制造成本自然會(huì)下降，從而進(jìn)一步促進(jìn)市場(chǎng)需求，形成良性循環(huán)。為此，一些發(fā)達(dá)國家制定了一系列的資助措施，以促進(jìn)市場(chǎng)的迅速發(fā)展，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。如日本的“新陽光計(jì)劃”、德國政府的“再生能源的法案”、美國政府的“一百萬戶屋頂計(jì)劃”、澳洲政府的“一萬個(gè)太陽能屋頂計(jì)劃”等。 由 此可見，西方各國政府已采用各種方式來重組能源結(jié)構(gòu)，支持太陽年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 16 電池“綠色能源”的推廣和應(yīng)用。表 3-1 為主要西方國家在太陽電池應(yīng)用方面的發(fā)展計(jì)劃，表 3-2為美國太陽電池容量以及累計(jì)總安裝數(shù)量一覽表。 國家 計(jì)劃 目標(biāo) 年 政府輔助 日本 新陽光計(jì)劃 5000MW 2010 33 50 德國 10 萬屋頂 500MW 2008 38 意大利 10 萬屋頂 300MW 2008 75 80 美國 100 萬屋頂 2500MW 2010 35 40 澳大利亞 10 萬屋頂 200MW 2008 50 表 3 1 主要西方國家在太陽電池應(yīng)用方面的發(fā)展計(jì)劃 1999 年 2000 年 2005 年 2010 年 每年安裝容量 (MW) 15 55 270 610 總安裝容量 (MW) 25 80 820 2500 表 3 2 美國太陽電池容量以及累計(jì)總安裝數(shù)量一覽表 3.2.2.1.3未來更為強(qiáng)勁的國際市場(chǎng) 人們可能這樣說 :“目前的太陽電池市場(chǎng)的急劇擴(kuò)張是在各國政府的資助下形成的，那么如果政府一旦取消資助，會(huì)不會(huì)造成市場(chǎng)需求急劇下降？”事實(shí)上政府的資助行為只是一個(gè)推動(dòng)外因，人們對(duì)綠 色能源的渴求才是市場(chǎng)發(fā)展的真正內(nèi) 在動(dòng)力。近年來西方國家通過一系列的能源非壟斷改革措施，讓消費(fèi)者個(gè)人來決定是否愿意多付電費(fèi)來支持綠色能源，結(jié)果在西方主要國家有約 32%的消費(fèi)者愿意使用比傳統(tǒng)電力貴的再生能源。隨著人們對(duì)環(huán)境保護(hù)意識(shí)的加強(qiáng)，消費(fèi)者本身對(duì)再生能源的直接支持力量將會(huì)愈來愈強(qiáng)。隨著太陽能技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，成本將進(jìn)一步降低。而隨著成本的不斷降低以及對(duì)獨(dú)立發(fā)電系統(tǒng)和并網(wǎng)發(fā)電需求的增加，全球太陽電池工業(yè)將會(huì)不斷發(fā)展和壯大。根據(jù)“半導(dǎo)體市場(chǎng)情報(bào)織”可靠分析與預(yù)測(cè)，到 2010 年在 加速 發(fā)展的情形下，每年太陽電池的銷售量將為年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 17 2100MW。在 正常 發(fā)展的情況下，每年太陽電池的銷售量為 1100MW。而2000年 288MW的銷售量已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過在加速發(fā)展情況下的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。因此到2010 年，每年太陽電池的需求量將一定遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 2100 兆瓦。也就是說生產(chǎn)量必須增加十倍以上。 鑒于以上對(duì)國際市場(chǎng)及生產(chǎn)狀況的分析，目前世界太陽電池的市場(chǎng)與生產(chǎn)呈供銷兩旺的狀況，且市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)膨脹。因此，當(dāng)前是進(jìn)入太陽電池產(chǎn)業(yè)的一個(gè)最佳的時(shí)機(jī)。 3.2.2.2 國內(nèi)太陽電池市場(chǎng)概況 我國太陽電池工業(yè)處在發(fā)展階段，生產(chǎn)逐漸擴(kuò)大，到目前為止已形成規(guī)模較大并且成功在國外上市的公司有： 無錫尚德、晶澳太陽能、啟東林洋、江陰浚鑫、中電電氣、浙江昱輝等公司，形成了大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)，有效地參與國際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。 而在此同時(shí)，國內(nèi)對(duì)太陽電池產(chǎn)品的需求正逐年增加。主要表現(xiàn)在以下幾點(diǎn)。 3.2.2.2.1政府重視太陽電池的應(yīng)用 我國政府對(duì)發(fā)展邊遠(yuǎn)地區(qū)太陽能發(fā)電的應(yīng)用日益重視，西藏、青海和內(nèi)蒙的牧民們遠(yuǎn)離國家電網(wǎng)，建立火力發(fā)電廠相當(dāng)昂貴，相比之下太陽能(電池 )發(fā)電便成為一種比較經(jīng)濟(jì)方便的手段。 1998 年以來由政府資助約6000 萬元在西藏自治區(qū) 7 個(gè)縣城建成 150KW 的太陽能總發(fā)電量。從 2003年開始我國政府 將再籌集 6000 萬元到 8000 萬元為西藏自治區(qū)阿里地區(qū)的1萬戶藏民和近 20 個(gè)鄉(xiāng)鎮(zhèn)安裝 1個(gè)兆瓦以上的太陽能發(fā)電系統(tǒng)。最近我國政府還公布了在西北部地區(qū)資助居民安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)的計(jì)劃，每一個(gè)年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 18 安裝 500W以上的用戶可享受政府 5000元左右的補(bǔ)貼。 3.2.2.2.2世界能源組織和世界銀行大力支持中國應(yīng)用太陽能發(fā)電系統(tǒng) 世界能源組織和世界銀行也在大力支持太陽能發(fā)電在中國的應(yīng)用。由于太陽能發(fā)電在技術(shù)上還相對(duì)落后，以及人們對(duì)太陽能產(chǎn)品的認(rèn)識(shí)不夠，中國的市場(chǎng)還遠(yuǎn)未打開。因此，世界能源組織和世界銀行也在資助和鼓勵(lì)中國邊遠(yuǎn)地 區(qū)的居民使用太陽能以改善他們的日常生活。 可見，當(dāng)前國內(nèi)現(xiàn)有太陽能生產(chǎn)不能滿足快速發(fā)展的國內(nèi)市場(chǎng)。提供太陽電池并網(wǎng)發(fā)電產(chǎn)品的企業(yè)在中國甚至還是空白。 3.2.3太陽能單晶硅市場(chǎng)預(yù)測(cè) 長期以來 太陽能 電池的發(fā)展一直受限于 原材料供應(yīng)，業(yè)界預(yù)測(cè)， 2008年及未來的時(shí)間內(nèi)太陽能光伏產(chǎn)業(yè)仍受制于原材料供應(yīng)。 結(jié)合太陽能電池和集成電路的需要，專家預(yù)測(cè)， 到 2008年，我國集成電路用多晶硅需求量 1800 噸 ， 太陽能電池用量至少在 13200 噸以上 ，總需求量超過 15000噸 ，屆時(shí)可能達(dá)到的產(chǎn)量約 3000噸，供需缺口大。 據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，國內(nèi)拉單晶的企業(yè)有 48家，單晶硅爐 1900多臺(tái)， 年產(chǎn)能 1.4 萬噸 。全國共有線切設(shè)備 380 臺(tái)，太陽能電池生產(chǎn)企業(yè) 20 多家，電池生產(chǎn)線 50 多條，生產(chǎn)能力達(dá) 1300多兆瓦。目前晶龍集團(tuán)電池生產(chǎn)能力 175兆瓦，英利公司 200兆瓦，無錫尚德公司為 300 兆瓦。全國太陽能電池組件廠 300多家，其中江蘇省就有約 175家。 位于 浙江省平湖市新倉鎮(zhèn)童車工業(yè)城的 浙江鴻禧光伏科技股份有限公 年產(chǎn) 180MW的硅太陽能電池組件項(xiàng)目目前已付諸實(shí)施， 項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后單晶硅切片的年需要量達(dá) 6000萬片 ， 公司 可就近為其提供單晶硅及切片。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 19 由此可見，項(xiàng)目產(chǎn)品 單晶硅及切片市場(chǎng)前景廣闊。 3.3 產(chǎn)品方案及投資規(guī)模 3.3.1產(chǎn)品 方案 年產(chǎn) 200 噸 8英寸 單晶硅 （ 硅純度為 99.9999） 及 1200 萬片單晶硅切片 ，產(chǎn)品主要用于單晶硅太陽電池的制造， 是 單晶硅太陽電池的主要原料。 3.3.2 投資規(guī)模 市場(chǎng)需求是決定生產(chǎn)規(guī)模的首要因素，鑒于對(duì)市場(chǎng)需求量的分析，再結(jié)合公司生產(chǎn)實(shí)際和今后發(fā)展方向，制定該項(xiàng)目的投資規(guī)模： 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 。 3.3.3生產(chǎn)綱領(lǐng) 本項(xiàng)目生產(chǎn)大綱為 : 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 。 第四章 原料供應(yīng) 4.1原料 消耗 本項(xiàng)目原輔材料消耗按年產(chǎn) 200t 單晶硅計(jì)算，本項(xiàng)目的主要原材料是硅 料 及輔助材料。 原輔材料供應(yīng)見表 4 1。 表 4 1 主要原輔材料供應(yīng)一覽表 序號(hào) 原輔材料名稱 包裝規(guī)格 單位 消耗量 1 多晶 硅料 / t/a 192 2 氫氟酸（ 55%） 5kg/桶，塑料桶 t/a 96 3 硝酸（ 65%） 15kg/桶，塑料桶 t/a 102 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 20 4 片 堿 50kg/袋，蛇皮袋 t/a 30 5 冰醋酸（ 99%） 15kg/桶，塑料桶 t/a 48 6 雙氧水（ 30%） 15kg/桶，塑料桶 t/a 0.48 7 氨 水（ 30%） 15kg/桶，塑料桶 t/a 0.48 8 無水乙醇 1kg/瓶，玻璃瓶 t/a 0.72 9 免清洗單晶硅料 / t/a 288 10 液氬 / m3/a 3200 11 切割液 200kg/桶，塑料桶 t/a 540 12 SiC 粉末 / t/a 540 13 洗滌劑 / t/a 14 14 磨 液 10kg/桶，塑料桶 t/a 3.2 15 細(xì) 砂（噴砂用 ） / t/a 3.2 16 外購硅片 / 萬片 /a 40 8.3 動(dòng)力消耗情況 (1)電： 3200 104KWH (2)自來水：年用水量 20 萬噸 (3)純水：純水制備量 10 噸 /小時(shí)，水質(zhì) 18M (4)液氬： 3200m 4.3 倉庫及運(yùn)輸 本項(xiàng)目在新建廠房中已考慮倉庫。足夠滿足項(xiàng)目需要。 本項(xiàng)目 運(yùn)輸總量大，公司依靠外協(xié)來滿足項(xiàng)目運(yùn)輸量的要求。 第五章 工程技術(shù)方案 5.1 設(shè)計(jì)原則 (l)本項(xiàng)目將根據(jù) 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模， 利用已有廠房 及 公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際 先進(jìn)水平的切片機(jī) 、切方機(jī) 及 硅片檢測(cè)設(shè)備 ；購置 熱場(chǎng)、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床 等國產(chǎn)設(shè)備 。 (2)生產(chǎn)輔助設(shè)備以節(jié)能、高效為原則 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 21 (3)重視環(huán)保，對(duì)各種污染源進(jìn)行科學(xué)的處理，使三廢經(jīng)處理后達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn) 。 (4)配備完善的質(zhì)量技術(shù)措施及產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)測(cè)和控制技術(shù)， 保證 產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到 相關(guān) 標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品在市場(chǎng)上有良好的競(jìng)爭(zhēng)力 。 (5)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”、工業(yè)職業(yè)安全衛(wèi)生及節(jié)能原則 。 (6)全年工作天數(shù)： 300 天；每班作業(yè)時(shí)間： 8小時(shí) 。 5.3 工藝流程 5.3.1單晶硅制造工藝流程 本項(xiàng)目投產(chǎn)后， 產(chǎn)品產(chǎn)量為：?jiǎn)尉Ч?200t/a（切割能力約 1200 萬片/a）。其工藝包括前道硅料腐蝕，單晶硅生產(chǎn)，單晶硅切片，以下分別介紹各工藝： (1)硅料腐蝕工藝 1）硅料酸洗腐蝕工藝 圖 1 硅料酸洗腐蝕生產(chǎn)工藝流程圖 廢 硅料。主要為多晶硅料、頭尾料和鍋底料等不可直接利用的原料。 分選、打磨 /噴砂。即根據(jù)硅料的電阻率（利用電阻儀進(jìn)行測(cè)試）不廢硅料 裝籃 超聲玻清洗分選打 磨 / 噴 砂 浸泡腐蝕沖 洗 （ 6 道 ）酸洗沖洗超聲玻清洗 高純水浸泡 甩干 烘干 包裝入庫清洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 22 同進(jìn)行分類（以電阻率 0.1 cm 為界限，即 0.1 cm 以上的硅料方可利用），同時(shí)去除表面肉眼可見的雜質(zhì)，并將分類的廢硅料進(jìn)入下一道工序生產(chǎn)；若硅料表面較臟且人工無法去 除，則采用打磨或噴砂的方式進(jìn)行去除；部分硅料需利用無水乙醇進(jìn)行擦拭，以去除其表面的少量油污。 裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。將需要酸洗的硅料放入塑料防腐蝕籃內(nèi)，裝入質(zhì)量約 3kg/個(gè)；若廢硅料表面雜質(zhì)較多，則需要進(jìn)入氫氟酸（濃度為 55%）腐蝕槽進(jìn)行浸泡腐蝕，硅料放入后立即關(guān)閉腐蝕槽，操作條件為常溫，時(shí)間約 24h 48h/批，主要去除硅料表面的 SiO2雜質(zhì)及金屬雜質(zhì)；若廢硅料表面較清潔，則可將裝籃的廢硅料直接放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗去除硅料表面的少量油脂，主要加入一些洗滌劑（如無磷洗衣粉等），時(shí)間約 10 15min；經(jīng)超聲波清洗后將硅料用自來水進(jìn)行沖洗（ 2遍）。 酸洗、清洗、沖洗。將經(jīng)氫氟酸浸泡或沖洗后的部分硅料放入酸洗槽內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡 2 3min 后即酸洗完畢，主要去除硅料表面的 SiO2雜質(zhì)及金屬雜質(zhì)；少量硅料由于表面酸洗不徹底需對(duì)其利用 1 號(hào)清洗液（由雙氧水 33%、氨水 30%及自來水按 1:1:7 的體積比進(jìn)行配比）進(jìn)行清洗處理；酸洗或清洗完畢后利用高純水進(jìn)行沖洗（共 6 道）以去除硅料表面殘留的酸液。 超聲波清洗、高純水浸泡。將沖洗后的硅料放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗，進(jìn)一步去除硅料表面附 著的殘留酸液，使其表面無酸液附著；之后將清洗完畢的硅料放入高純水中浸泡 5min，用以去除硅料表面痕量的酸液，直至確定無酸液附著（主要測(cè)試高純水電導(dǎo)率來確定，要求在 0.8年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 23 s/cm 以下）。 甩干、烘干、包裝入庫。經(jīng)高純水浸泡后的硅料放入甩干機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干以去除硅料表面殘留的水分，之后送入烘箱（采用電加熱）內(nèi)進(jìn)行烘干處理對(duì)硅料進(jìn)行徹底干燥（烘干溫度為 115，時(shí)間約 0.5 5h 不等）；經(jīng)烘干后的硅料即可包裝入庫，以便進(jìn)行后道加工。 2）硅料堿腐蝕 +酸洗工藝 圖 2 硅料堿腐蝕 +酸洗生產(chǎn)工藝流程圖 工藝流程說明 ： 硅料、分選、裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。其工序與前述酸洗腐蝕工藝一起完成，除酸洗腐蝕外的部分硅料，采用堿腐蝕 +酸洗工藝。 腐蝕、清洗、超聲波清洗。將沖洗后的硅料放入堿腐蝕槽（ 1 個(gè)，規(guī)格為 1m 1m）內(nèi)進(jìn)行腐蝕，硅料放入后腐蝕時(shí)間在 30s 10min不等，腐蝕溫度約 80， 主要去除硅料表面的 SiO2等非金屬雜質(zhì)；另外，腐蝕槽上方設(shè)置集氣抽風(fēng)裝置，進(jìn)出料時(shí)開啟抽風(fēng)裝置，產(chǎn)生的堿霧進(jìn)入廢氣處理設(shè)施處理；腐蝕完畢后的硅料利用高純水進(jìn)行清洗（共 3 道），以去除硅料表面殘留的堿液；之后利用超聲波清洗進(jìn)一步 去除硅料表面殘留的痕廢硅料 裝籃 超聲玻清洗分選浸泡腐蝕清 洗 （ 3 道 ）腐蝕沖洗超聲玻清洗清洗酸洗 沖 洗 （ 6 道 ） 超聲玻清洗 高純水浸泡甩干 烘干 包裝入庫烘干年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 24 量堿液。 酸洗、浸泡。將超聲波清洗完畢的硅料送入酸洗槽（ 0.20m2， 1個(gè)）內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡 2 3min 后即酸洗完畢，進(jìn)一步去除硅料表面的 SiO2雜質(zhì)及金屬雜質(zhì)；酸洗完畢后將硅料放入氫氟酸（濃度為 5%）浸泡槽（ 1 個(gè)，面積為 1.0m 1.0m）內(nèi)進(jìn)行浸泡 3 5min 使硅料表面的金屬非金屬雜質(zhì)基本上清除完畢（運(yùn)作時(shí)間約為 8h/d）。 沖洗、超聲波清洗、高純水浸泡、甩干、烘干、包裝入庫。上述工序說明具體見前述酸洗腐蝕工藝流程說明。 (2)單晶硅生產(chǎn)工藝 圖 3 單晶硅生產(chǎn)工藝流 程圖 工藝流程說明： 硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。 配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是 P、 Be 等元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為 1420，時(shí)間約為30 40h/批，每批生產(chǎn)量約為 20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行 有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對(duì)單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工硅料 拉晶 冷爐拆爐 測(cè)試配比裝爐 去頭尾、切方 分段 沖洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 25 處理。 測(cè)試、分段。利用各類檢測(cè)設(shè)備對(duì)成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測(cè)試，經(jīng)測(cè)試合格后（測(cè)試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般直徑為 125mm，長度以 30 40cm 不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對(duì)設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。 (3)單晶硅片 切割生產(chǎn)工藝 圖 4 單晶硅片切割工藝流程圖 切片后的清洗過程包括以下步驟：硅片自來水洗純水洗（ 2 道）清洗劑清洗（ 3道）純水洗（ 2道）離心甩干 工藝流程說明： 硅棒。 去頭尾、切方，即利用切斷機(jī)對(duì)硅棒進(jìn)行去頭尾處理，之后利用切方機(jī)對(duì)其進(jìn)行切方處理使其成為規(guī)則柱狀；然后進(jìn)行分段。 其頭尾切料及廢硅料回爐利用。 該過程采用自來水對(duì)設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。 切片。將分段的成品硅棒送入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理（每臺(tái)切片機(jī)需加入 250kg 切割液及 250kgSiC粉末作為冷卻液，其在使用過程中 經(jīng)設(shè)備自帶的過濾裝置過濾后循環(huán)使用、定期排放；更換量約 8.0t/d）；切片得到的硅片厚度約為 200 m。 清洗、離心甩干。對(duì)切好的硅片須進(jìn)行清洗處理，主要包括自來水硅棒 切片 離心甩干 檢測(cè)、包裝 出廠清洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 26 洗（時(shí)間約 6min，控制溫度為 30 40）、純水洗（ 2道，每道控制條件為：時(shí)間約 6min，溫度為 30 40）、清洗劑清洗（共 3道，其中前兩道清洗劑濃度為 5%，后道為 1 2%，每道控制條件為：時(shí)間約 6min，溫度為65）、純水洗（ 2道，每道控制條件為：時(shí)間約 6min，溫度為 30 40），經(jīng)清洗后的硅片送入離心機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干處理以去除硅片表面 殘留的少量水分。 檢測(cè)、包裝。對(duì)成品硅片進(jìn)行檢測(cè)（主要對(duì)其電阻率、氧、碳等成分及外觀），經(jīng)檢測(cè)合格后即可包裝出廠。 (4)研磨硅片生產(chǎn)工藝 圖 5 研磨硅片生產(chǎn)工藝流程圖 工藝流程說明：研磨硅片生產(chǎn)過程中使用的原料均為外購成品，之后將硅片依次放入硅片研磨機(jī)內(nèi)（每次加工量為 15 片，該過程需加入磨液避免硅片在研磨過程中發(fā)生破裂并達(dá)到相應(yīng)的研磨效果主要為硅片厚度及表面亮度）；之后將研磨完畢的硅片放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗（共3道，采用高純水，每道時(shí)間約 6min，控制溫度為 30 40）；清洗完畢后在自然條 件下風(fēng)干即為成品，經(jīng)包裝后即可出廠。 5.4 主要設(shè)備選型 5.4.1 選型原則 (1)技術(shù)先進(jìn)：設(shè)備性能先進(jìn)。具有較高的性能費(fèi)用比，功能完善，運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用低，單位產(chǎn)品物耗、能耗低，加工程度和加工能力較高，技術(shù)外購硅片 研墨 清洗 風(fēng)干 測(cè)試 包裝年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 27 水平先進(jìn)，有較高的技術(shù)含量；裝備水平先進(jìn)，設(shè)備結(jié)構(gòu)合理，制造精良，連續(xù)化、機(jī)械化和自動(dòng)化程度較高，具有較高的安全性和衛(wèi)生要求。 (2)可靠性高：設(shè)備成熟度高。采用已充分驗(yàn)證并經(jīng)過使用的設(shè)備；生產(chǎn)穩(wěn)定性高。 5.4.2 引進(jìn) 設(shè)備 5.4.2.1引進(jìn)設(shè)備設(shè)備性能特點(diǎn) 本項(xiàng)目關(guān)鍵生產(chǎn) 和檢測(cè)設(shè)備 擬 引進(jìn)國際先進(jìn)的儀器 設(shè)備 ， 公司 將在 認(rèn)真調(diào)研 的 基礎(chǔ)上 以招標(biāo)方式 從 日本 、 瑞士、 德國、 匈牙利 等國家 選擇 具有國際先進(jìn)水平的 切 片機(jī)、切方 機(jī) 及硅片檢測(cè)設(shè)備 。 擬選擇的 相關(guān)設(shè)備介紹如下： (1)切 片 機(jī) 日本、瑞士所生產(chǎn)的 高速多道線切割機(jī) 是具有 世界先進(jìn)水平 的 切片機(jī) 。 日本 NTC公司高速多道線切割機(jī) MWM442DM適用于裁切薄型太陽能電路板，小口徑電路板、石英。 MWM442DM型高速多道線切割機(jī)有非常高的成品率。 MWM442DM型高速多道線切割機(jī)主體規(guī)格 ： 最大工件尺寸： 156mm L300 2根 裁切方式：工件 下降方式 鋼絲行走方式：往返行走 /單向行走 主輥數(shù)： 2根 導(dǎo)棍數(shù)量： 17 鋼絲張力操縱方式：扭矩馬達(dá) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 28 最大鋼絲速度： 1000m/min 主輥直徑： 200 30mm 鋼絲儲(chǔ)線容量： 150 300Km 機(jī)械外形尺寸： 2200W 2550H 1750L（ mm） 機(jī)械重量： 6.0T以下 (2)切方機(jī) 日本、瑞士所生產(chǎn)的切 方 機(jī) 具有 世界先進(jìn)水平。 日本 NTC 公司生產(chǎn)的高速多道線切割機(jī) MBS1000 適用于裁切 光伏電池硅晶塊 MBS1000 型高速多道線切割機(jī) 具有材料損耗少、加工精度高、產(chǎn)量及生產(chǎn)效率高的特點(diǎn) 。 MBS1000型高速多道線切割機(jī)主體規(guī)格： 最大工件尺寸： 1000mm H500mm 1根 8” H500 16根 6” H500 36根 裁切方式：下行切割 鋼絲行走方式：往返行走 /單向行走 主輥數(shù)： 4根 主棍槽外徑： 250mm 主棍間距： 1500mm 導(dǎo)棍數(shù)量： 48個(gè)（ 200）， 27 個(gè)（ 120） 鋼絲張力操縱方式：扭矩馬達(dá) 最大鋼絲速度： 1000m/min 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 29 主輥直徑： 200 30mm 鋼絲儲(chǔ)線容量： 0.32 150Km 機(jī)械外形尺寸： 3000W 3200H 5700L（ mm） (3)硅片檢測(cè)設(shè)備 -少子 壽命測(cè)試儀 匈牙利 Semilab WT-1000B單點(diǎn)硅棒、塊或硅片的少子壽命測(cè)試儀，提供快速、無接觸、無損傷的少數(shù)載流子壽命測(cè)試。 主要特點(diǎn)： 適應(yīng)低電阻率樣片的測(cè)試需要 全自動(dòng)操作及數(shù)據(jù)處理 能夠靈活測(cè)試硅錠、硅棒以判斷頭尾位置 對(duì)硅棒進(jìn)行分選 主要應(yīng)用： 材料的質(zhì)量控制 (單晶硅棒的出廠、進(jìn)廠檢查 )。 (4)硅片檢測(cè)設(shè)備 -單點(diǎn)少子壽命、電阻率和厚度測(cè)試儀 匈牙利 Semilab WT-1000Res 單點(diǎn)硅片少子壽命、硅片厚度和電阻率測(cè) 試儀，提供快速、無接觸、無損傷的測(cè)試。該設(shè)備主要應(yīng)用于硅片出廠、進(jìn)廠檢查，電池生產(chǎn)過程監(jiān)控等。 主要應(yīng)用： 硅片進(jìn)（出）廠的質(zhì)量控制 電池工藝過程質(zhì)量控制 5.4.3引進(jìn)設(shè)備清單 引進(jìn)設(shè)備清單見表 5-1（ 美元與人民幣的比價(jià)為： 1： 7） 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 30 表 5-1 引進(jìn)設(shè)備清單 序號(hào) 設(shè)備名稱 型號(hào)及規(guī)格 數(shù)量 單價(jià) （萬美元） 總價(jià) （萬美元） 總價(jià) (萬元 ) 產(chǎn)地 1 切片機(jī) MWM442DM 9 46.5 418.5 2929.5 日本或瑞士 2 切方機(jī) MBS1000 1 106.5 106.5 745.5 日本或瑞士 3 硅棒檢測(cè)設(shè)備 Semilab：WT-1000B 1 7 7 49 匈牙利 4 硅片檢測(cè)設(shè)備 Semilab：WT-1000RES 1 8 8 56 匈牙利 合計(jì) 12 540 3780 5.4.4 國產(chǎn)設(shè)備 國產(chǎn)設(shè)備選用工藝成熟、技術(shù)先進(jìn)的設(shè)備，有的國產(chǎn)設(shè)備采用引進(jìn)技術(shù)制造，核心部件國外采購， 國產(chǎn)設(shè)備主要 有： 單晶生產(chǎn)爐 、 晶棒鋸斷機(jī) 、晶棒破方機(jī)、超聲波清洗機(jī)、硅片測(cè)試儀、硅片壽 命儀、多晶硅超洗機(jī) 等 。 (1)單晶爐 NXRJ-CZ-8520 單晶爐屬軟軸提拉式單晶爐，它是在惰性氣體環(huán)境中，通過石墨電阻加熱器將半導(dǎo)體材料加熱并熔化，然后用直拉法生長無位錯(cuò)的單晶設(shè)備。該設(shè)備可以大規(guī)模生產(chǎn)集成電路、太陽能等行業(yè)所需的高質(zhì)量的 單晶硅 。該設(shè)備可使用 18 或 20 的熱系統(tǒng)，投料 60-80kg，拉制 6-8.5 的單晶，此設(shè)備提供兩對(duì)（四個(gè)）電極，可滿足用戶采用兩溫區(qū)加熱的工藝要求。 主要技術(shù)參數(shù) ： 拉制晶體最大直徑 : 8.5 ( 215mm) 最大熔料量 95Kg (20坩堝 ) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 31 主爐室內(nèi)徑 850mm 加熱方式 石墨電阻加熱 籽晶拉速 0.2-8mm/min 籽晶轉(zhuǎn)速 0-20rpm 坩堝升速 0.02-1mm/min 冷爐極限真空度 3pa 主變壓器容量 190KW 外形尺寸 (長寬高 ) 5500 3500 6280mm 質(zhì)量 7600Kg (2)單晶硅帶鋸床 GF1046型單晶硅帶鋸床為單晶硅配料切割專用設(shè)備，適用于單晶 硅配料的鋸段和鋸片。 主要技術(shù)參數(shù) ： 切削單晶硅最大直徑： 230mm 切削單晶硅最小厚度： 1mm 鋸帶輪直徑： 460mm 鋸帶輪轉(zhuǎn)速： 0 1200rpm 鋸帶輪電動(dòng)機(jī)功率： 2.2kw 鋸帶規(guī)格： (長寬厚 ) 3230 38 0.7mm 切割進(jìn)給速度： 0 20mm/min 進(jìn)給拖板最大行程： 360mm 送料拖板最大行程： 250mm 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 32 鋸片張緊： 機(jī)械式、壓力傳感器保護(hù) 控制方式： 計(jì)算機(jī)控制，觸摸屏操作 主帶輪徑向跳動(dòng) : 0.06mm 切割導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)直線度： 0.02/100mm 送料導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)直線度 : 0.02/100mm 切割斷面表面粗糙度 : Ra 3.2um 工件的最大切縫寬度 : 1.0mm 工件最大切割長度 420mm 總功率 6KW (3)滾圓機(jī) 滾圓機(jī) 用于 6 8 單晶或多晶圓柱體的切方與外圓滾磨，是硅晶體專業(yè)生產(chǎn)的加工設(shè)備。 特性介紹：整機(jī)布局合理，床身采用強(qiáng)度高、港型號(hào)、吸震性能優(yōu)良的鑄鐵構(gòu)件。選用高精度、告負(fù)載能力，高可靠性及絕佳運(yùn)動(dòng)特性的自潤滑滾動(dòng)直線導(dǎo)軌付及滾珠絲杠付，實(shí)現(xiàn)縱向、橫向及垂直方向的運(yùn)動(dòng)。 68 三種規(guī)格的工作各有一組 切方鋸片組裝零件，可方便快捷的變更工件規(guī)格變化時(shí)二鋸片之間的距離。工件裝夾方便靈活，加緊牢固。機(jī)床的整個(gè)工作過程由計(jì)算機(jī)程序控制系統(tǒng)控制，觸摸式控制屏只管明了，操作簡(jiǎn)便。征集的防護(hù)與保護(hù)系統(tǒng)安全可靠。 主要技術(shù)參數(shù) 加大直徑 6 -8 最大加工長度 50mm-500mm 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 33 切方對(duì)稱度 0.01 切方平面度 0.08mm/300mm 滾磨圓度 0.05mm/400mm 滾磨圓柱度 0.05mm/400mm 方邊垂直度 0.1mm 尺寸精度 0.05mm 表面粗糙度 Ra0.8 外形尺寸（長寬高） 3250 1400 2080mm 總功率 10.4KW (4)硅片 超聲波清洗 機(jī) 主要特點(diǎn)： 全不銹鋼結(jié)構(gòu)，外型美觀大方，結(jié)構(gòu)緊湊合理。 設(shè)置液位安全控制系統(tǒng)，確保設(shè)備正常工作。 設(shè)置過濾系統(tǒng)，保證溶液清潔度。 加熱及自動(dòng)恒溫系統(tǒng)，恒溫范圍為 20 -90 (可調(diào) )。 以水劑加熱適量清洗劑作為清洗溶液，成本低，工藝成熟。 獨(dú)特的鋸齒溢水口設(shè)計(jì)，保證有足夠水位，且不斷把浮在水面上的臟物溢出。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 34 國產(chǎn)設(shè)備清單見表 5-2 表 5-2 國產(chǎn)設(shè)備清單 單位 (萬元 ) 序號(hào) 設(shè)備名稱 型號(hào)及規(guī)格 數(shù)量 單價(jià) 總價(jià) 生產(chǎn)廠家 1 熱場(chǎng) 20 寸 36 臺(tái) 12 432 上海東洋碳素有限公司 2 碳?xì)?1mX10mX10mm 1 套 70 70 上海東洋碳素有限公司 3 石英坩鍋 20 寸 540 個(gè) 0 2 108 寧波寶斯達(dá)坩堝保溫制品有限公司 4 純水設(shè)備 18 兆水質(zhì)， 10 噸 /小時(shí) 1 套 120 120 深圳市純水一號(hào)水處 理科技有限公司 5 酸霧凈化塔 系列凈化塔 1 套 80 80 常州市武進(jìn)常運(yùn)凈化設(shè)備有限公司 6 硅料清洗設(shè)備 SG-05 浸泡槽； SGPE 硅料清洗機(jī) 1 套 30 30 張家港市超聲電氣有限公司 7 烘箱 GDS-500F 1 套 10 10 江蘇安特急科技有限公司 8 單晶硅帶鋸床 2 臺(tái) 23 46 9 水循環(huán)系統(tǒng)（水管，閥門，水泵等） DN200 ；口徑200mm，延程 40m. 1 套 200 上海環(huán)球泵業(yè)有限公司 10 專線電路供電系統(tǒng) 1 萬 KVI 1 套 500 500 平湖市供電局 11 硅片清洗設(shè)備 SGR 硅片超聲清洗機(jī) 5 套 14 70 張家港市超聲電氣有限公司 12 滾圓機(jī) GF1048 型 8 16 128 常州華盛天龍機(jī)械有限公司 13 直拉式單晶爐 NXRJ-CZ9524 50 臺(tái) 95.8 4790 寧夏日晶電子科技有限公司 14 硅片清洗設(shè)備 SGR-7 槽 1000 片 /8 小時(shí) 2 臺(tái) 14 28 張家港市超聲電氣有限公司 15 冷卻塔 CLF-200 4 臺(tái) 4.5 18 常州常菱玻璃鋼有限公司 16 板式換熱器 BR0.95-0.8-150-ES-IB 4 臺(tái) 15 60 上海飲技機(jī)械有限公司 17 壓氣罐 20M3/0.8MPa 1 套 38 38 常州旺源氣體有限公司 18 消諧柜 DJXX-1-1-55 36 3 108 江蘇春申電控設(shè)備有限公司 19 空氣壓縮機(jī) 50Hz SSR 55KW 3 30 90 嘉興市三川機(jī)械有限公司 20 冷凍機(jī) 150KW 2 40 80 上海臺(tái)佳實(shí)業(yè)有限公司 合計(jì) 第六章 建設(shè)條件、廠址方案 及公用設(shè)施 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 35 6.1 總圖 6.1.1 設(shè)計(jì)依據(jù)、設(shè)計(jì)原則 6.1.1.1 設(shè)計(jì)依據(jù) (1)*有限公司 提供的廠區(qū)平面布置圖； (2)*有限公司 及本設(shè)計(jì)組其它專業(yè)提供的有關(guān)本項(xiàng)目的基礎(chǔ)資料 。 6.1.1.2 設(shè)計(jì)原則 (1)本 項(xiàng)目 實(shí)施地點(diǎn)為 *工業(yè)區(qū) ，將根據(jù) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模， 利用已有廠房 ， 適應(yīng)性改造公用輔助設(shè)施， 布置所購設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn) 。 (2)廠區(qū)平面布置首先考慮滿足工藝要求，滿足消防、安全、衛(wèi)生等規(guī)范要求 。 (3)充分考慮物流與非物流因素，根據(jù)各活動(dòng)區(qū) (車間或部門 )間綜合關(guān)系密切程度確定相互間的位置，力求做到總平面功能區(qū)劃分明確，工 藝、物流路線合理，減少工藝過程及運(yùn)輸中不必要的迂回往返，并方便管理 。 6.1.2 廠區(qū)位置及現(xiàn)狀 6.1.2.1建設(shè)場(chǎng)地 地理、 人文、 經(jīng)濟(jì)及社會(huì)環(huán)境 本項(xiàng)目位于 *境內(nèi)。 *市地處中國經(jīng)濟(jì)最具活力的長江三角洲地區(qū)，位于 *部，東鄰中國經(jīng)濟(jì)、金融、信息中心 -上海市，南瀕杭州灣。全市陸地面積 *平方公里，海域面積 *平方公里，海岸線長 *公里?？?cè)丝?*萬。 江南有名的 魚米之鄉(xiāng) ，素有美譽(yù)。隨著經(jīng)濟(jì)的迅猛發(fā)展，正日益成為海內(nèi)年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 36 外商賈競(jìng)相投資的熱土。 浙江 改革開放以來， 經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速。 1988 年被國務(wù)院列為沿海經(jīng)濟(jì)開放區(qū)， 1992 年跨入全國 前 行列， 1995 年被省委、省政府命名為首批小康縣(市 )。據(jù)國家統(tǒng)計(jì)部門評(píng)價(jià)， 2006 年，全市實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)總值 *億元，比2002年增加 *億元，年均增長 *%；財(cái)政總收入 *億元，其中地方財(cái)政收入 *億元，分別比 2002 年增加 *億元和 *億元，年均分別增長 *%和 *%?！笆濉逼陂g，全市生產(chǎn)總值翻了一番，財(cái)政總收入翻了近兩番，地方財(cái)政收入翻了兩番多，在全國百強(qiáng)縣 (市 )的排名由 2000年的第 *位前移到 2005 年的第 *位。 2006 年，城市居民人均可支配收入*元，農(nóng)村居民人均純收入 *元，城鄉(xiāng)居民人均儲(chǔ)蓄存款余額 *萬元，年均分別增長 *%、 *%和 *%。居民消費(fèi)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步改善，城市和農(nóng)村恩格爾系數(shù)分別由 *%、 *%下降到 *%、 *%。 近年來，工業(yè)經(jīng)濟(jì)增勢(shì)強(qiáng)勁。累計(jì)完成工業(yè)生產(chǎn)性投資 *億元，年均增長 *%；服裝、造紙和箱包等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)得到鞏固，光機(jī)電成為我市第二個(gè)銷售超 *億元產(chǎn)業(yè)，榮獲中國出口 *制造名城和國 家火炬計(jì)劃 *產(chǎn)業(yè)基地稱號(hào)；凈增規(guī)模企業(yè) *家，全市累計(jì)達(dá)到 *家，其中銷售收入超 *億元企業(yè) *家、超億元企業(yè) *家；新增省級(jí)以上名牌產(chǎn)品 *個(gè)、著名商標(biāo) *個(gè)、國家免檢產(chǎn)品 *個(gè)， *品牌成為中國名牌。建筑業(yè)發(fā)展取得新進(jìn)展，新增總承包二級(jí)資質(zhì)企業(yè) *家、專業(yè)承包一級(jí)資質(zhì)企業(yè) *家。區(qū)域發(fā)展活力不斷增強(qiáng)。利用外資、外貿(mào)出口連續(xù)多年排名全省前列，入圍首屆“長三角最具投資價(jià)值縣市”。累計(jì)實(shí)現(xiàn)合同利用外資 *億美元，實(shí)際利用外資 *億美元，引進(jìn)市外內(nèi)資 *億元。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 37 *地處中國經(jīng)濟(jì)最具活 力的長江三角洲地區(qū)，位于 *省東北部，距市區(qū) *km。面積 *km2，人口約 *萬人。公路穿境而過，是江南有名的“絲綢之府，魚米之鄉(xiāng)”。改革開放以來， *經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速。近年來， *人民在鄧小平理論和江總書記 “三個(gè)代表” 重要思想指導(dǎo)下，解放思想，實(shí)事求是，與時(shí)俱進(jìn)，不斷開創(chuàng) *鎮(zhèn)現(xiàn)代化建設(shè)新局面。 2007 年全鎮(zhèn)實(shí)現(xiàn)國內(nèi)生產(chǎn)總值 *億元；財(cái)政總收入 *萬元，其中地方財(cái)政收入 *萬元；農(nóng)民人均純收入超萬元；居民儲(chǔ)蓄余額 *元。近年來相繼獲得市綠化工作先進(jìn)鄉(xiāng)鎮(zhèn)、市文明鎮(zhèn)、 市 、 市科技 進(jìn)步先進(jìn)鄉(xiāng)鎮(zhèn)等榮譽(yù)稱號(hào)。 6.1.2.2建設(shè)場(chǎng)地及建設(shè)環(huán)境 本項(xiàng)目實(shí)施地地處 *工業(yè)區(qū) ，交通便利，公用設(shè)施齊全。 *市交通便利，區(qū)位優(yōu)勢(shì)得天獨(dú)厚，位于長江三角洲中心地帶，地處上海、杭州、蘇州、寧波四大城市組成的菱形對(duì)角連接點(diǎn)，相距均在 *公里左右。周邊有上海虹橋、浦東以及杭州蕭山 3個(gè)國際機(jī)場(chǎng)，車程均在1小時(shí)左右。滬杭甬高速公路在 我市有出入口，杭浦高速公路設(shè)有 出入口。境內(nèi)有進(jìn)出口海港和國家一類對(duì)外開放口岸港，現(xiàn)已建成萬噸級(jí)以上深水泊位、千噸級(jí)泊位，綜合通過能力達(dá) *萬噸 /年。 擁有海河聯(lián)運(yùn)航線-*噸級(jí) 航道，與上海黃埔江、京杭大運(yùn)河相通，海河聯(lián)運(yùn)便捷。 *電力供應(yīng)充足，由華東電網(wǎng)直接供電，具有多電源供電的優(yōu)勢(shì)。裝機(jī)容量*萬千瓦的 發(fā)電廠座落在本市境內(nèi)，一期工程 *萬千瓦并網(wǎng)發(fā)電，二期工程 *萬千瓦正在建設(shè)中。全市集中供熱一期工程進(jìn)展順利，供熱能力將滿足供熱范圍內(nèi)用汽企業(yè) *年的發(fā)展需要。郵政通信便捷，是 省第 *個(gè)電話縣 (市 )，現(xiàn)已建成電信、廣電兩個(gè)寬帶網(wǎng)絡(luò)。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 38 6.1.2.3自然 環(huán)境 (1)地理位置 *市位于 *省東北部邊緣，南瀕杭州灣，東北及東部同上海市 毗鄰，西接 *，西南與 *接壤，西北與 *市相鄰，南北寬 *km，東西長 *km，總面積 *km2。 *市區(qū)西距 *市 *km，東距上海市區(qū) *km。 (2)地形地貌 *市地處長江三角洲杭嘉湖平原 ，地形平坦，地勢(shì)略呈東南向北傾斜。境內(nèi)土地以平原為主，南部杭州灣沿岸一線有少量低山、島礁分布。全市出露地層絕大部分為新生界第四系全新統(tǒng)沉積層，新生界以前的地層，僅在杭州灣沿岸山丘，見有古生界寒武系楊柳崗組，泥盆系中、下泥盆統(tǒng)唐家塢組及中生界侏羅系上侏羅統(tǒng)巖石出露。 (3)氣候特征 *市 地處亞熱帶季風(fēng)區(qū)，氣候溫和濕潤，四季分明，日照充足，雨量充沛，夏季炎熱多雨，冬季低溫干燥。根據(jù) *氣象站最近 20 年資料統(tǒng)計(jì)，本地區(qū)年平均氣溫 15.8，年平均相對(duì)濕度 83%，多年平均降水量1302.3mm。該區(qū)域夏季盛行 SE 風(fēng)，其中 7 9 月為熱帶風(fēng)暴季節(jié)，冬季寒潮來臨時(shí)盛行 NNW 風(fēng)，全年以 E SE 風(fēng)和 N NW 風(fēng)為主，多年平均風(fēng)速3.4m/s。 (4)水文特征 *市內(nèi)河道縱橫，水網(wǎng)密布，呈不規(guī)則網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，全市河道總長 * km，平均 *km 河道 /km2，河湖塘面積合計(jì) *km2，占土 地總面積的*%，常年平均水位 *m。河網(wǎng)水源主要來自西面，即通過 塘和 塘匯年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 39 入，然后通過東北流入上海市的黃浦江，其它河道均為上述水系的網(wǎng)枝。另外該河網(wǎng)受黃浦江潮汐有一定的影響。 (5)土壤與植被 *市的土壤共分為 4個(gè)土類、 9個(gè)亞類、 17 個(gè)土屬、 40 個(gè)土種，由于開發(fā)歷史悠久，土壤熟化程度高，質(zhì)地為重壤到輕粘，土壤養(yǎng)分豐富，近年的動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)表明，土壤養(yǎng)分發(fā)生了局部變化，氮素偏高，鉀素虧缺。 目前植被資源以人工栽培作物為主，人工植被大體分為農(nóng)田、園林和水生三類，僅沿海灘涂、低丘和農(nóng)隙地尚保留一些自然 植被。 6.1.2.2 總圖 (1)總平面布置 本項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn)為 *工業(yè)區(qū) ， 廠區(qū)占地面積 *m2， 建筑面積*m2， 廠區(qū)充分考慮場(chǎng)地環(huán)境 (道路等 )和地形；考慮廠內(nèi)外物流流暢短捷，布置集中緊湊。 廠區(qū)主要規(guī)劃分為：主廠房區(qū)、辦公區(qū)等。主廠房區(qū)是總體布局的核心，其它部分圍繞該核心進(jìn)行布置。 (2)道路 *有限公司 廠區(qū)內(nèi)道路系統(tǒng)完善，道路為水泥混凝土路面，路面寬 6 9米，內(nèi)緣轉(zhuǎn)彎半徑大于 9米 。 整個(gè)廠區(qū)道路除能滿足物流外，還可滿足消防通道要求 。 (3)綠化 *有限公司 是一個(gè)具有時(shí)代氣息的現(xiàn)代化工業(yè)廠區(qū)，建筑物周圍、道路兩側(cè)等均種植花草樹木 .建筑物周圍綠化帶寬度 3m。 (4)建筑 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 40 本項(xiàng)目總建筑面積 30236 ，其中生產(chǎn)廠房建筑面積 26939 ， 辦公區(qū)及其它輔助區(qū)建筑面積 3297 。廠房整改按符合電子產(chǎn)品的生產(chǎn)要求進(jìn)行。 主要建筑物組成見表 6-1： 表 6-1 主要建筑物及構(gòu)筑物組成表 序號(hào) 名稱 建筑占地面積（ m） 建筑面積（ m） 層數(shù) 總 高度 （ m） 1 單晶車間 4412.5 8685 2 9.8 2 切片車間 1859.2 7500.8 4 18 3 組裝車間 2151.65 10753.25 5 22 4 辦公樓 651.66 3258.3 5 22 5 門衛(wèi) 38.9 38.9 1 4.5 6.1.3 物流 根據(jù)擬選擇廠址地形條件，依據(jù)工藝流程的要求，遵循“適用，經(jīng)濟(jì)”的原則，利用原有交通運(yùn)輸條件、取水條件和供電條件，合理經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行布局。根據(jù)廠區(qū)地形條件，總圖規(guī)劃考慮人流和物流分開。 全廠主要原料、輔料及成品采用汽車運(yùn)輸。原輔料由購入地汽車運(yùn)至本廠。產(chǎn)品由汽車直接外運(yùn)。 6.2 公用設(shè)施 6.2.1電氣 6.2.1.1設(shè)計(jì)依 據(jù) (l) 10kv及以下變配電所設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50053-94； (2)供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50062-95； (3)低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95。 6.2.1.2設(shè)計(jì)范圍 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 41 本項(xiàng)目變配電所及項(xiàng)目用動(dòng)力與照明配電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 6.2.1.3供電電源 廠區(qū)供電電源從 廣陳 鎮(zhèn) 變電所 10KV專線 引入。 6.2.1.4供電設(shè)計(jì) (1)負(fù)荷等級(jí) 本工程生產(chǎn)設(shè)備用電為 二 級(jí)負(fù)荷；照明負(fù)荷為三級(jí)負(fù)荷；消防設(shè)備負(fù)荷為二級(jí)負(fù)荷 (室外消火栓水量為 7OL/S)。 (2)裝機(jī)容量及計(jì)算負(fù)荷、年耗電量、供電方案 本項(xiàng)目 實(shí)施后，設(shè)備安裝容量新增 4500KW，根據(jù)負(fù)荷計(jì)算 (其中設(shè)備電氣負(fù)荷采用需要系數(shù)法計(jì)算，車間內(nèi)配電采用二項(xiàng)式法計(jì)算 )并考慮今后發(fā)展，在已建變電所內(nèi)安裝 2500KVA 變壓器 二 臺(tái)，配置高低壓配電設(shè)施以滿足本項(xiàng)目用電。 (3)繼電保護(hù) 廠區(qū) 供電系統(tǒng) 10kV 進(jìn)線采用定時(shí)限速斷保護(hù)，出線采用返時(shí)限速斷保護(hù)，電能計(jì)量采用高供高計(jì)，動(dòng)力和照明分開計(jì)量。 (4)功率因數(shù) 補(bǔ)償方式采用在低壓配電室設(shè)置集中自動(dòng)無功功率補(bǔ)償電容器柜，補(bǔ)償后的功率因數(shù)為 0.92。 6.2.1.5電力設(shè)計(jì) (1)配電系統(tǒng)變電所 至各建筑物采用放射式 配電系統(tǒng)，線路敷設(shè)方式主要采用電纜橋架。(2)變配電設(shè)備 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 42 廠區(qū)供電系統(tǒng)變壓器采用節(jié)能的 SCB9 型系列變壓器，高壓配電柜采用HXGN 系列，低壓配電柜采用 GCK 型，動(dòng)力配電采用 QGBD 安全型配電柜，照明配電采用安全型 PZ30配電箱。 車間內(nèi)照明采用新光源和節(jié)能燈具。 6.2.1.6電氣安全保護(hù)及接地方式 項(xiàng)目低壓配電系統(tǒng)采用三相五線制， TN-S制接地保護(hù)系統(tǒng)，所有用電設(shè)備及金屬管道均采用接地保護(hù)。建筑物的基礎(chǔ)作為防雷接地裝置，利用三類防雷措施設(shè)防。接地電阻小于 10 歐， 1OKV 變壓器中性點(diǎn)接地，采用獨(dú)立的接地裝置 ，接地電阻小于 4歐。 6.2.1.7電訊 廠區(qū)綜合樓內(nèi)設(shè)有電話總接箱、有線數(shù)據(jù)交接箱。車間內(nèi)設(shè)電話和電腦，滿足電話、數(shù)據(jù)傳輸需要。 6.2.1.8火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng) 本項(xiàng)目在電機(jī)車間設(shè)置火災(zāi)探測(cè)器及報(bào)警按鈕。在傳達(dá)室設(shè)置消防控制室，內(nèi)設(shè)區(qū)域報(bào)警控制器。有確認(rèn)的火災(zāi)時(shí)，根據(jù)火情、消防控制室發(fā)出信號(hào)，并切斷相關(guān)區(qū)域內(nèi)的非消防用電設(shè)備電源。通過直線電話向公安消防部門報(bào)警。 6.2.1.9供電系統(tǒng)投資 供電系統(tǒng)投資主要用于購置 SCB9 型系列變壓器、 HXGN 系列高壓配電柜、 GCK 型低壓配電柜、 QGBD 安全型動(dòng)力配電柜、 PZ30 安全型配電箱及各種電線、電纜，供電系統(tǒng)投資額為 500 萬元。 6.2.2 給排水 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 43 (1)給水系統(tǒng) 公司自來水水源 由 *市自來水廠供水管網(wǎng)統(tǒng)一供給 ， 水壓為0.40MPa，水質(zhì)符合生活飲用水衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。引入廠區(qū)的兩條給水管管徑為DN150，滿足全廠供水要求。 本項(xiàng)目總用水量為 20 萬 m3/a，生產(chǎn)用水量約為 19 萬 m3/a，職工生活用水量約為 1 萬 m3/a。 生產(chǎn)用純水用量 10m/h， 18M -cm。設(shè)純水裝置 1套，制水能力 12m/h。 消防給水系統(tǒng) ： 車間消防設(shè)消火栓系統(tǒng)，室外消防水量 70L/s，室內(nèi)消防水 量 40 L/s，同一時(shí)間火災(zāi)次數(shù)按一次考慮 。 (2)排水系統(tǒng) 廠區(qū)采用雨污、清污分流制，雨水就近排入周邊水體。根據(jù)當(dāng)?shù)匚鬯芫W(wǎng)規(guī)劃及環(huán)保部門的要求，本項(xiàng)目廢水經(jīng)廠區(qū)內(nèi)預(yù)處理達(dá)到 GB8978-1996中的三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)后，匯同周邊的 *有限公司的廢水、 *有限公司的廢水以及 *鎮(zhèn)上的廢水一起鋪設(shè)管網(wǎng)，接入到東片污水處理工程 1#泵站處，納入東片污水處理廠，經(jīng)處理達(dá)到 GB8978-1996中的二級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)。另外，生活污水經(jīng)廠內(nèi)簡(jiǎn)單處理后可與生產(chǎn)廢水一起接入管網(wǎng)中，接入到東片污水處理工程，經(jīng)處理達(dá)標(biāo)后 排入杭州灣。 6.2.3 凈化、空調(diào)和通風(fēng) 根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求，本項(xiàng)目生產(chǎn)區(qū) 分設(shè)凈化和空調(diào) ， 空調(diào)參數(shù)為溫度 22 2，濕度 55 10 % 。 本項(xiàng)目生產(chǎn)區(qū)選用中央集中空調(diào)系統(tǒng)。對(duì)產(chǎn)生高熱、酸氣、粉塵等有害氣體的設(shè)備設(shè)局部排風(fēng)。 第 七 章 環(huán)境保護(hù)、職 業(yè) 安全衛(wèi)生 及 消防 7.1 環(huán)境保護(hù) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 44 7.1.1 設(shè)計(jì)原則 (1)嚴(yán)格執(zhí)行國家環(huán)境保護(hù)法，認(rèn)真執(zhí)行“三同時(shí)”原則 。 (2)對(duì)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢氣、廢水、噪聲采取綜合治理 。 7.1.2 設(shè)計(jì)采用的環(huán)境保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)定 (1) 環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) (GB3095-1996 )。 (2) 大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn) (GB16297-1996 )。 (3) 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) ( GB6348-1990 )。 (4) 污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn) (GB8978-1996 )。 7.1.3 污染治理 7.1.3.1主要污染源 及處理措施 (1)噪聲 本項(xiàng)目噪聲主要來源于風(fēng)機(jī)、水泵、冷卻塔以及硅料切割設(shè)備等，其中風(fēng)機(jī)、水泵、冷卻塔設(shè)置于車間外，其余設(shè)備基本上設(shè)置于車間內(nèi)， 車間內(nèi)的噪聲源強(qiáng)約為 75.0 85.0dB，車間外噪聲監(jiān)測(cè)值約為 65.876.1dB。 為確保本項(xiàng)目建成投產(chǎn) 后本項(xiàng)目四周廠界處噪聲達(dá)標(biāo)，進(jìn)一步做好環(huán)境保護(hù)工作，采取以下防治措施： 注意設(shè)備選型及安裝。設(shè)計(jì)中盡量選用加工精度高、運(yùn)行噪聲低的設(shè)備。在安裝時(shí)，對(duì)風(fēng)機(jī)、水泵、真空泵、空壓機(jī)、切片機(jī)等高噪聲設(shè)備須采取減震、隔震措施；對(duì)風(fēng)機(jī)、水泵、真空泵、空壓機(jī)等設(shè)備安裝時(shí)采用消聲措施，并分別設(shè)置于專用的輔助用房?jī)?nèi)，對(duì)上述輔助用房的四周墻壁采用吸聲材料進(jìn)行鋪設(shè)，同時(shí)少設(shè)門窗，設(shè)備工作時(shí)應(yīng)保持門窗關(guān)閉；冷卻水循環(huán)系統(tǒng)安裝時(shí)建議在其內(nèi)部設(shè)置適量的軟體材料，盡量減少水流年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 45 落差造成的低頻噪聲。 車間四周墻壁上窗戶均使用雙層隔聲窗， 生產(chǎn)時(shí)盡量少開啟門窗，采用換氣扇進(jìn)行通風(fēng)換氣。 重視整體設(shè)計(jì)。盡量將高噪聲設(shè)備盡量布置在生產(chǎn)車間的中部，而主要生產(chǎn)車間布置在整個(gè)廠區(qū)的中部。 根據(jù)高噪聲設(shè)備的分布，在設(shè)備上方安裝吸聲吊頂。 平時(shí)生產(chǎn)中加強(qiáng)對(duì)各設(shè)備的維修保養(yǎng)，對(duì)其主要磨損部位及時(shí)加添潤滑油，必要時(shí)應(yīng)及時(shí)更換。 在南北側(cè)廠界設(shè)置 2m 高的非鏤空圍墻，廠界內(nèi)側(cè)設(shè)置寬約 5m 的綠化隔離帶，種植喬木為主，輔以灌木等。 預(yù)計(jì)采取上述措施后及車間墻壁的阻隔，本項(xiàng)目噪聲不會(huì)對(duì)周邊聲環(huán)境造成不利影響。 (2)廢水 本項(xiàng)目廢水包括生產(chǎn)廢水和生活污水。 其中 生產(chǎn)廢水又分為含氟廢水和不含氟廢水 ：其中含氟廢水包括單晶硅腐蝕工藝廢水（包括超聲波清洗、清洗、高純水浸泡廢水、甩干廢水），酸霧及堿霧吸收廢水，以廢水形式排放的廢酸及廢堿（主要包括堿腐蝕 +酸洗工藝中產(chǎn)生的廢堿及后道浸泡廢水）；不含氟廢水包括單晶硅棒去頭尾、切方設(shè)備冷卻水及切片后的清洗廢水，在硅片研磨生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的研磨、清洗廢水，高純水制備過程中產(chǎn)生的 RO 濃水及反沖洗酸堿廢水，設(shè)備間接冷卻水。這部分廢水中設(shè)備間接 冷卻水 為 清潔水，可直接排放。 根據(jù)本項(xiàng)目廢水產(chǎn)生情況， 公司 在廠區(qū)內(nèi)設(shè)置兩套污水處理設(shè)施。其年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 46 中一套主 要用于處理產(chǎn)生的切方、切片設(shè)備冷卻水及硅片后道清洗廢水，硅片研磨、清洗廢水，反沖洗酸堿廢水。處理規(guī)模為 300m3/d，處理工藝為： 另一套主要用于處理含氟廢水，包括 腐蝕工藝 廢水，酸霧及堿霧吸收廢水，以廢水形式排放的廢堿及廢酸。處理規(guī)模為 150m3/d，處理工藝為： 根據(jù)當(dāng)?shù)匚鬯芫W(wǎng)規(guī)劃及環(huán)保部門的要求，本項(xiàng)目廢水經(jīng)廠區(qū)內(nèi)預(yù)處理達(dá)到 GB8978-1996 中的 三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)后 ，匯同周邊的 *有限公司的廢水、 *有限公司的廢水 以及鎮(zhèn)上的廢水一起鋪設(shè)管網(wǎng)，接入到東片污水處理工程鎮(zhèn) 1#泵站處（距離本項(xiàng)目約 7200m），納入東片污水處理廠，經(jīng)處理達(dá)標(biāo)后排入杭州灣。 另外，本項(xiàng)目生活污水，經(jīng)廠內(nèi)簡(jiǎn)單處理后可與生產(chǎn)廢水一起接入管網(wǎng)中， 接入到東片污水