電子電路基礎(chǔ)習(xí)題冊(cè)參考答案.doc

電子電路基礎(chǔ)習(xí)題冊(cè)參考答案免費(fèi)提供（第三版）全國(guó)中等職業(yè)技術(shù)第一章 常用半導(dǎo)體器件1-1 晶體二極管一、 填空題1、物質(zhì)按導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可分為 導(dǎo)體 、 絕緣體 和 半導(dǎo)體 三大類，最常用的半導(dǎo)體材料是 硅 和 鍺 。2、根據(jù)在純凈的半導(dǎo)體中摻入的 雜質(zhì) 元素不同，可形成 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。3、純凈半導(dǎo)體又稱 本征 半導(dǎo)體，其內(nèi)部空穴和自由電子數(shù) 相等 。N型半導(dǎo)體又稱 電子 型半導(dǎo)體，其內(nèi)部少數(shù)載流子是 空穴 ；P型半導(dǎo)體又稱 空穴 型半導(dǎo)體，其內(nèi)部少數(shù)載流子是 電子 。4、晶體二極管具有 單向?qū)щ娦?，即加正向電壓時(shí)，二極管 導(dǎo)通 ，加反向電壓時(shí)，二極管 截止 。一般硅二極管的開(kāi)啟電壓約為 0.5 V，鍺二極管的開(kāi)啟電壓約為 0.1 V；二極管導(dǎo)通后，一般硅二極管的正向壓降約為 0.7 V,鍺二極管的正向壓降約為 0.3 V。5.鍺二極管開(kāi)啟電壓小，通常用于 檢波電路 ，硅二極管反向電流小，在 整流電路 及電工設(shè)備中常使用硅二極管。6.穩(wěn)壓二極管工作于 反向擊穿 區(qū)，穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻越小，其穩(wěn)壓性能 好 。7在穩(wěn)壓電路中，必須串接 限流 電阻，防止 反向擊穿電流 超過(guò)極限值而發(fā)生 熱擊穿 損壞穩(wěn)壓管。8二極管按制造工藝不同，分為 點(diǎn)接觸 型、 面接觸 型和 平面 型。9、二極管按用途不同可分為 普通二極管 、 整流二極管 、 穩(wěn)壓二極管 、 開(kāi)關(guān) 、 熱敏 、 發(fā)光 和 光電二極管 等二極管。10、二極管的主要參數(shù)有 最大整流電流 、 最高反向工作電壓 、 反向飽和電流 和 最高工作頻率 。11、穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)有 穩(wěn)定電壓 、 穩(wěn)定電流 和 動(dòng)態(tài)電阻 。12、圖1-1-1所示電路中，二極管V1、V2均為硅管，當(dāng)開(kāi)關(guān)S與M相接時(shí)，A點(diǎn)的電位為 無(wú)法確定 V,當(dāng)開(kāi)關(guān)S與N相接時(shí)，A點(diǎn)的電位為 0 V.13圖1-1-2所示電路中，二極管均為理想二極管，當(dāng)開(kāi)關(guān)S打開(kāi)時(shí)，A點(diǎn)的電位為 10V 、流過(guò)電阻的電流是 4mA ；當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，A點(diǎn)的電位為 0 V，流過(guò)電阻的電流為 2mA 。14、圖1-1-3所示電路中，二極管是理想器件，則流過(guò)二極管V1的電流為 0.25mA ，流過(guò)V2的電流為 0.25mA ,輸出電壓U0為 +5V。15、光電二極管的功能是將 光脈沖 信號(hào)轉(zhuǎn)換為 電 信號(hào)，發(fā)光二極管的功能是將 電 信號(hào)轉(zhuǎn)換為 光 信號(hào)。16、用數(shù)字式萬(wàn)用表測(cè)量二極管，應(yīng)將功能開(kāi)關(guān)置于 二極管 擋，將黑表筆插入 com 插孔，接二極管的 負(fù) 極；紅表筆插入 V, 插孔，接二極管的 正 極，其顯示的讀數(shù)為二極管的 正向壓降 。一、 判斷題1、在外電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中同時(shí)出現(xiàn)電子電流和空穴電流。（ ）2、P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。（ ）3、晶體二極管有一個(gè)PN結(jié)，所以有單向?qū)щ娦?。?）4、晶體二極管的正向特性也有穩(wěn)壓作用。（ ）5、硅穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻小，則穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能愈好。（ ）6、將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體用一定的工藝制作在一起，其交界處形成PN結(jié)。（ ）7、穩(wěn)壓二極管按材料分有硅管和鍺管。（ ）8、用萬(wàn)用表歐姆擋的不同量程去測(cè)二極管的正向電阻，其數(shù)值是相同的。（ ）9、二極管兩端的反向電壓一旦超過(guò)最高反向電壓，PN結(jié)就會(huì)擊穿。（ ）10、二極管的反向電阻越大，其單向?qū)щ娦阅茉胶谩＃?）11、用500型萬(wàn)用表測(cè)試發(fā)光二極管，應(yīng)選R10K擋。（ ）三、選擇題1、當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，晶體二極管的反向電流將（A ）。A增大 B .減小 C. 不變2、測(cè)量小功率晶體二極管性能好壞時(shí)，應(yīng)把萬(wàn)用表歐姆檔撥到（ A ）。A .R100或R1K B. R 1 C. R10K3、半導(dǎo)體中的空穴和自由電子數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱為（ B ）。A. P型半導(dǎo)體 B. 本征半導(dǎo)體 C、 N型半導(dǎo)體4、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能是利用（ B ）實(shí)現(xiàn)的。APN結(jié)的單向?qū)щ娦?B .PN結(jié)的反向擊穿特性 CPN結(jié)的正向?qū)ㄌ匦?、電路如圖1-1-4所示，已知兩個(gè)穩(wěn)壓管的UZ1=7V，UZ2=5V它們的正向壓降均為0.7V，則輸出電壓U0為（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6、在圖1-1-5所示的電路中，流過(guò)二極管的電流I1、I2分別是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA D. I1=0, I2=8mA7、二極管的正向電阻（B ）反向電阻。A.大于 B. 小于 C.等于 D.不確定8、電路如圖1-1-6所示，V為理想二極管，則二極管的狀態(tài)為（A ）。A.導(dǎo)通 B.截止 C.擊穿9、上題中，A、B兩端的電壓為（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10、某二極管反向擊穿電壓為140V，則它的最高反向工作電壓為（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11、二極管電路如圖1-1-7所示，（1）處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管是（ A ）。A只有V1導(dǎo)通 B只有V2導(dǎo)通 CV1、V2均導(dǎo)通 DV1、V2均不導(dǎo)通（2）考慮二極管正向壓降為0.7V時(shí)，輸出電壓U0為（ B ）。A-14.3V B-0.7V C-12V D-15V12、P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（ D ），N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（ C ）。A正離子 B負(fù)離子 C自由電子 D.空穴13、用萬(wàn)用表R10和R1K擋分別測(cè)量二極管的正向電阻，測(cè)量結(jié)果是（ C ）。A相同 BR10擋的測(cè)試值較小 CR1K擋的測(cè)試值較小14、用萬(wàn)用表不同歐姆檔測(cè)量二極管的正向電阻值時(shí)，測(cè)得的阻值不相同，其原因是（ c ）。A二極管的質(zhì)量差 B萬(wàn)用表不同歐姆檔有不同的內(nèi)阻 C二極管有非線性的伏安特性二、 簡(jiǎn)答題 1、什么是本征半導(dǎo)體？N型半導(dǎo)體？PN結(jié)？ 答：本征半導(dǎo)體即純凈的單晶半導(dǎo)體，其內(nèi)部存在數(shù)量相等的兩種載流子，一種是負(fù)電的自由電子，另一種是帶正電空穴。 N型半導(dǎo)體又稱電子型半導(dǎo)體其內(nèi)部自由電子數(shù)多于空穴數(shù)量，P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體其內(nèi)部空穴多數(shù)載流子自由電子少數(shù)載流子。PN結(jié)是采用摻雜工藝便硅和鍺晶體的一邊形成P型區(qū)，一邊形成N型半導(dǎo)體。五分析、計(jì)算、作圖題1、判斷圖1-1-8中，理想二極管導(dǎo)通還是截止，若導(dǎo)通，則流過(guò)二極管的電流是多少？解：圖a) V導(dǎo)通，I=5mA圖b) V截止,I=0圖c) V導(dǎo)通，I=10mA2、在圖1-1-9所示電路中，二極管為理想二極管，ui=10sintV, 試畫出輸出電壓波形。3、在圖1-1-10 所示電路中，二極管為硅管，求A點(diǎn)電位和流過(guò)二極管的電流。4、在圖1-1-11所示電路中，二極管是導(dǎo)通還是截止，輸出電壓U0是多少？ 圖1-1-11解： a)V導(dǎo)通，U0=11.3V b)V導(dǎo)通，I0=15-12/3=2mAUR=13=3V UO=UR-15=-12Vc)V導(dǎo)通 ， UO=0.7V 1-2 晶體三極管一、填空題1、三極管有兩個(gè) PN 結(jié)，分別為 發(fā)射結(jié) 、 集電結(jié) ，三個(gè)電極分別為 發(fā)射極 、 基極 和 基極 ，三極管按內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同可分為 NPN 和 PNP 型。2、晶體三極管實(shí)現(xiàn)電流放大作用的偏置條件是 發(fā)射結(jié) 正偏 和 集電結(jié) 反偏，電流分配關(guān)系是 IE=IC+IB 。3、在模擬電子電路中，晶體管通常被用作 電流控制 元件，工作在輸出特性曲線上的 放大 區(qū)；在數(shù)字電子電路中，晶體三極管通常被用作 開(kāi)關(guān) 元件，工作在輸出特性曲線上 區(qū)或 飽和 區(qū)或 截止 區(qū)。4、在一塊正常放大電路板上，測(cè)得三極管1、2、3腳對(duì)地電壓分別為-10V、-10.2V、-14V，則該管為 PNP 型 鍺 材料三極管，1腳是 發(fā)射 極，2腳是 基 極，3腳是 集電 極。5、NPN型三極管，擋UBE0.5V，UBEUCE時(shí)，工作在 飽和 狀態(tài)；當(dāng)UBE0.5V，UBEUCE時(shí)，工作在 放大 狀態(tài)；當(dāng)UBE0時(shí)，工作在 截止 狀態(tài)。6、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管的電流放大系數(shù)將 升高 ，穿透電流ICEO將 增加 ，發(fā)射結(jié)電壓UBE將 增大 。7、衡量晶體三極管放大能力的參數(shù)是 共射電流放大系數(shù) ，三極管的主要極限參數(shù)有集電極最大允許電流 、 集-發(fā)反向擊穿電壓 、 集電極最大允許耗散功率 。8、因?yàn)榫w三極管的穿透電流隨溫度的升高增大，而鍺管的穿透電流比硅管 大 ，所以 硅 三極管的熱穩(wěn)定性好。9、三極管的輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域，即 截止 區(qū)和 放大 區(qū)，當(dāng)三極管工作在 飽和 區(qū)時(shí)，IC=IB才成立；當(dāng)三極管工作在包河區(qū)時(shí)UCE= UCES ；當(dāng)三極管工作在截止區(qū)時(shí)，IC= O(ICEO) 。10、ICEO稱為三極管的 穿透 電流，它反映三極管的 溫度穩(wěn)定性 ，ICEO是ICBO的 1+ 倍，先選用管子時(shí)，希望ICEO盡量 小 。11、測(cè)量晶體三極管3AX31的電流，當(dāng)IB=20uA時(shí)，IC=2mA；當(dāng)IB=60uA時(shí)，IC=5.4mA，則該管的為 85 ，ICEO= 0.3mA ,ICBO= 3.5uA 。12、設(shè)三極管的PCM=150mW, ICM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若UCE=10V,IC允許的最大值為15mA ；若UCE=1V, IC允許的最大值為 100mA ；若IC=3A,UCE允許的最大值為 30v 。13、復(fù)合管是由 兩個(gè) 以上的三極管按一定方式連接而成，用復(fù)合管提高輸出級(jí)的電流 放大倍數(shù)。14、有二只三極管構(gòu)成的復(fù)合管的類型，取決于 輸入管 三極管的類型，其電流放大系數(shù)= 12 。二、判斷題1、晶體三極管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是由同一類半導(dǎo)體（N型或P型）構(gòu)成的，所以發(fā)射極和集電極可以相互調(diào)換使用。（ ）2、晶體三極管的放大作用具體體現(xiàn)在IC=IB。（ ）3、晶體三極管具有能量放大作用。（ ）4、硅三極管的ICBO值要比鍺三極管的小。（ ）5、如果集電極電流IC大于集電極最大允許電流ICM時(shí)，晶體三極管肯定損壞。（ ）6、晶體二極管和晶體三極管都是非線性器件。（ ）7、3CG21管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，一定是UBEUCE。（ ）8、某晶體三極管的IB=10uA時(shí)，IC=0.44mA;IB=20u時(shí)，IC=0.89mA,則它的電流放大系數(shù)=45。（ ）9、因?yàn)槿龢O管有兩個(gè)PN結(jié)，二極管有一個(gè)PN結(jié)，所以用兩個(gè)二極管可以連接成一個(gè)三極管。（ ）10、判斷圖1-2-1所示各三極管的工作狀態(tài)（NPN型為硅管，PNP型為鍺管）。11、復(fù)合管的共發(fā)射極電流放大倍數(shù)等于兩管的1、2之和。（ ）12、晶體三極管的主要性能是具有電壓和電流放大作用。（ ）三、選擇題1、三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管處于（A ）A.放大狀態(tài) B.飽和狀態(tài) C.截止?fàn)顟B(tài)2、三極管在飽和狀態(tài)時(shí)，它的IC將（C ）。A.隨IB的增加而增加 B.隨IB的增加而減小 C.與IB無(wú)關(guān)3、三極管的特性曲線是指它的（C ）。A.輸入特性曲線 B.輸出特性曲線 C.輸入特性和輸出特性曲線4、在三極管的輸出特性曲線中，每一條曲線與（C ）對(duì)應(yīng)。A.輸入電壓 B.基極電壓 C.基極電流5、當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體三極管的參數(shù)將發(fā)生（C ）變化。A. UBE增大，增大，ICBO增大B.UBE減小，增大，ICBO增大C.UBE增大，減小，ICBO增大6、用萬(wàn)用表測(cè)得電子線路中的晶體管UE=-3V,UCE=6V,UBC=-5.4V,則該晶體管是（ C ）。A.PNP型，處于放大狀態(tài) B.PNP型，處于截止?fàn)顟B(tài)C.NPN型，處于放大狀態(tài) D.NPN型，處于截止?fàn)顟B(tài)7、已知某晶體管的PCM=100mW ICM=20mA U(BR)=15V在下列工作條件下，正常工作的是（B ）。A.UCE=2V,IC=40mA B.UCE=3V,IC=10mAC.UCE=4V,IC=30mA D.UCE=6V,IC=20mA8、3DG6型晶體管是（ A ）。A.高頻小功率硅NPN型三極管 B.高頻小功率鍺NPN型三極管C.高頻小功率鍺PNP型三極管9、在三極管的輸出特性曲線中，當(dāng)IB=0時(shí)，IC是( C )。A. ICM B.ICBO C.ICEO10、某晶體三極管的發(fā)射極電流等于1ma,基極電流等于20uA,正常工作時(shí)它的集電極電流等于（ A ）。A.0.98mA B.1.02mA C.0.8mA11、圖1-2-2所示電路中，三極管處于（ A ）狀態(tài)（V為硅管）。A. 截止 B.飽和 C.放大12、在圖1-2-3所示各復(fù)合管中，連接不正確的是（C ）。四、簡(jiǎn)答題1、什么是三極管的輸出特性？畫出硅三極管在共發(fā)射極組態(tài)時(shí)的輸出特性曲線，并標(biāo)出它的三個(gè)工作區(qū)。答：它是指三極管基極電流IB一定時(shí)，三極管的集電極電流IC與集電極和發(fā)射極之間的電壓UCE之間的關(guān)系曲線。2、三極管有哪三種連接方式？畫出示意圖。答：共發(fā)射極接法，共集電極接法，共基極接法。3、三極管有哪三種工作狀態(tài)？其外部條件（偏執(zhí)條件）是什么？答：放大狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài) 、飽和狀態(tài)。其外部條件（1）放大狀態(tài)時(shí)，三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，ic受ib控制，具有電流放大作用。同時(shí)ic的大小和uce基本無(wú)關(guān)。記住三極管放大狀態(tài)時(shí)的硅管UBE約為0.7V，鍺管的UBE約為0.3V。（2）截止?fàn)顟B(tài)時(shí):一般把IB=0時(shí)，這時(shí)的三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。這時(shí)只有很小的集電極電流穿透電流存在。（3）飽和狀態(tài)時(shí):三極管的UceUbe時(shí)，在發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏時(shí)，此時(shí)ic不受ib控制，卻隨著UCE的增大而增大，這時(shí)處于飽和狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。這時(shí)的只剩下三極管的飽和壓降存在。5、標(biāo)出下列復(fù)合管的等效管型和管腳。6、三極管的集電極最大允許電流是怎樣定義的？答：三極管集電極最大允許電流Icm，集電極電流過(guò)大時(shí)，三極管的值要降低，一般規(guī)定下降到其正常值的三分之二時(shí)的集電極電流。五、分析、計(jì)算、畫圖題1、一個(gè)晶體三極管在工作時(shí)，測(cè)得其發(fā)射極電流IE=10mA，基極電流IB=400uA，求其基極電流IC和直流電流放大系數(shù)。2、用萬(wàn)用表測(cè)量三極管各級(jí)間電壓得到下列三組數(shù)值：（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V; (3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。試分析每只管子的類型，是硅管還是鍺管，并說(shuō)明工作狀態(tài)。答： (1) UBE=0.7V是硅管，UCE=0.3V工作在飽和狀態(tài)。 （2） UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大狀態(tài)。 （3）UBE=-0.2V是鍺管，UCE=-0.3V工作在飽和狀態(tài)。3、畫出PNP管和NPN管的符號(hào)，并標(biāo)出放大狀態(tài)時(shí)各極電流方向和各極間電壓的極性。1-3 場(chǎng)效應(yīng)管一、填空題1、晶體三極管是 電流 控制器件，是通過(guò)較小的 基極電流 變化去控制較大的 集電極電流 的變化。2、場(chǎng)效應(yīng)管是 一種電壓 控制器件，是用 柵源 電壓控制 漏極 電流，具有 轉(zhuǎn)移特性 和 輸出特性 特點(diǎn)。3、場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為 結(jié) 型和 絕緣柵 型兩大類，每類有 P 溝道和 N 溝道兩種，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管按其工作狀態(tài)又可分為 增強(qiáng) 型和 耗盡 型兩種。4、場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極分別是 柵極 、 源極 、和 漏極 。5、場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線是UGS為定值時(shí) 漏極電流 iD與 漏源電壓UDS 的關(guān)系曲線，輸出特性曲線分為 可變電阻 區(qū)、 放大飽和 區(qū)和 擊穿 區(qū)。6、某耗盡型MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1-3-1所示由圖可知IDSS= 3.8mA ，UP= -4V 。7、圖1-3-2是增強(qiáng)型MOS的一條輸出特性曲線，當(dāng)UDS=10V時(shí)，該管的ID= 2.6mA 。8、用N溝道增強(qiáng)型和P溝道增強(qiáng)型MOS管組成互補(bǔ)電路，稱 COMS 管，該管輸入電流 小 、功耗 小 和工作電源范圍 寬 ，目前廣泛應(yīng)用于 集成電路 中。9、VMOS管和UMOS管的最大特點(diǎn)是 耗散功率 大、 工作速度 快、 耐壓 高和 轉(zhuǎn)移特性 的線性度好，是理想的大功率器件。10、場(chǎng)效應(yīng)管用于放大時(shí)，工作在 放大 區(qū)，三極管用于放大時(shí)，工作在 放大 區(qū)。11、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有 開(kāi)啟電壓UT 、 夾斷電壓UP 、 飽和漏極電流IDSS 、 跨導(dǎo)gm 和 漏極擊穿電壓U(BR)DS 。二、判斷題1、晶體三極管是單極型器件，場(chǎng)效應(yīng)管是雙極型器件。（ ）2、通常場(chǎng)效應(yīng)管的性能用轉(zhuǎn)移特性曲線、輸出特性曲線和跨到表示。（ ）3、場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極均可以互換使用。（ ）4、場(chǎng)效應(yīng)管具有電流放大和電壓放大能力。（ ）5、跨到是表征輸入電壓對(duì)輸出電流控制作用的一個(gè)參數(shù)。（ ）6、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型和耗盡型。（ ）7、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管通常稱為MOS管。（ ）8、P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)UDS和UGS都必須為負(fù)。（ ）9、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管可以用萬(wàn)用表檢測(cè)。（ ）10、存放絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)將三個(gè)電極短路。（ ）三、選擇題1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有（B ）個(gè)PN結(jié)。A.3 B.2 C.1 D. 02、場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線是（ A ）。3、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管屬于( B )。A.增強(qiáng)型 B.耗盡型 C.不確定4、表征場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)是（ B ）。A.UP B.Gm C.IDSS D.UT5、N溝道增強(qiáng)型MOS管柵源電壓UGS是（A ）。A.正值 B.負(fù)值 C.零6、N溝道增強(qiáng)型MOS管放大作用時(shí)，工作在（ A ）。A.恒流區(qū) B.夾斷區(qū) C.可變電阻區(qū)四、1、什么是場(chǎng)效應(yīng)管？它有哪三個(gè)電極？分為哪些類型？畫出N溝道MOS管增強(qiáng)型和耗盡型圖形符號(hào).答：是一種電壓控制器件，它是利用輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的器件。源極S、漏極D、控制極（柵極)G。它分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩大類。各類又有P（PMOS）溝道和N（NMOS）溝道兩種。2、畫出增強(qiáng)型NMOS管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性曲線，并在輸出曲線上標(biāo)出她的三個(gè)區(qū)域。3、什么是增強(qiáng)型MOS管？什么是耗盡型MOS管？答：增強(qiáng)型：在漏源極間加正向電壓UDS,UGS依靠加上電壓才產(chǎn)生導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效應(yīng)管稱為增強(qiáng)型mos管。耗盡型：只要加上UDS電壓，即使UGS=0管子也能導(dǎo)通形成漏電電流，稱為耗盡型mos管。4、能否用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管?答：對(duì)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管不允許用萬(wàn)用表檢測(cè)，以防止靜電高壓將管子擊穿，對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用判斷晶體三極管方法來(lái)判斷PN結(jié)。5、已經(jīng) 某場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線如圖1-3-4所示。試分析：（1）是哪種類型的場(chǎng)效應(yīng)管？（2）Ur（或UP）、IDSS是多少？（3）跨導(dǎo)Gm是多少？答：（1）N溝道耗盡型（2）（夾斷電壓）UP=-4v ，（飽和漏極電流）IDSS=8mA（3）跨導(dǎo)Gm=ID/UGS=8m/v電子電路基礎(chǔ)習(xí)題冊(cè)答案第二章3、4、5、6節(jié)2-3靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定一、填空題1、影響靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要因素是 溫度變化 ，此外， 電源電壓波動(dòng) 和 元件參數(shù) 會(huì)影響靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。2、在共射極基本放大器中（NPN管），若靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏高，易產(chǎn)生 飽和 失真，減小飽和失真的方法是使Rb 增大 ，Q點(diǎn) 下移 ；靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏低，易引起 截止 失真，此時(shí)，ic的 負(fù) 半周出現(xiàn)平頂，uce的 正 半周出現(xiàn)平頂。3、溫度變化使放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定，溫度升高使UBE 增大 、ICBO 增大 、 增大 ，最終導(dǎo)致Ic 增大 ，Q點(diǎn) 上移 ，最常用的穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的放大電路是 分壓式偏置電路 。4、在圖2-3-1所示電路中，僅增大Rb，UCEQ將 增大 ，僅減小Rc，UCEQ將 增大 ，僅增大RL，UCEQ將 不變 ，僅換小的管子，UCEQ將 增大 ，Vcc在一定范圍內(nèi)減小，UCEQ將 減小 。（填寫增大、減小或不變）5、在上題中，三極管的輸出特性曲線、直流負(fù)載線MN及交流負(fù)載線JH，如圖2-3-2所示，由圖可知：Vcc= 11.5 、ICQ= 3mA 、UCEQ= 6v 、Rc= 1.83k 、RL= 3.1k 、= 100 、Au= -96 、最大不失真輸出電壓U0m= 2.5v 、基極電流的最大交流分量Ibmax = 20uA ，最大輸入電壓幅值Uimax= U0m/Au=26.4mv 。二、判斷題1、放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)確定后，就不會(huì)受外界因素的影響。（ ）2、共射放大器產(chǎn)生截止失真的原因，是它的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏低。（ ）3、正弦信號(hào)經(jīng)共發(fā)射極基本放大后，輸出信號(hào)的正、負(fù)半周出現(xiàn)同樣地的平頂失真，表明偏置電阻Rb太大。（ ）4、共射基本放大器中，偏置電阻Rb阻值越小，越容易產(chǎn)生飽和失真。（ ）5、共射基本放大器中（NPN管）ui為正弦信號(hào)時(shí)，u0負(fù)半周出現(xiàn)平頂，表明放大器出現(xiàn)截止失真。（ ）6、在放大器中Vcc不變，改變Rc的值，則Ic會(huì)變化。（ ）7、分壓式偏置放大器中，增大時(shí)，電壓放大倍數(shù)基本不變。（ ）8、采用分壓式偏置放大器，主要目的是為了提高輸入電阻。（ ）9、分壓式偏置放大器是在基極電位UB固定不變條件下，利用發(fā)射極電阻上電壓的變化，回送到放大器的輸入端，抑制集電極電流的變化，從而達(dá)到穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的目的。（ ）10、分壓式偏置放大器中，若交流旁路電容Ce不慎斷開(kāi)，則放大器放大倍數(shù)減小，輸入電阻增大。（ ）11、分壓式偏置放大器中，若出現(xiàn)了飽和失真，應(yīng)將上偏置電阻Rb1調(diào)大。（ ）三、選擇題1、在放大器中，為了使工作于飽和狀態(tài)的三極管進(jìn)入放大狀態(tài)，可采用（A ）。A、減小IB B、提高Vcc的絕對(duì)值 C、減小Rc的值2、在圖2-3-1所示電路中，當(dāng)輸入正弦電壓時(shí)，輸出電壓波形的負(fù)半周出現(xiàn)了平頂，則（1）這種失真是（ B ）；A、截止失真 B、飽和失真 C、頻率失真（2）為消除失真應(yīng)（C ）。A、減少Rc B、改換小的管子 C、增大Rb D、減小Rb3、如圖2-3-3所示的放大器中直流負(fù)載線的斜率為（A ）。A、1/(Rc+Re) B、1/Rc C、1/(Re/Rc)4、上題中，如放大器出現(xiàn)截止失真，則應(yīng)( C )A、增大上偏置電阻Rb1 B、減小集電極電阻Rc C、減小上偏置電阻Rb15、在途2-33所示電路中，Vcc=12v Rb1=12k Rb2=3K Rc=1k RL=1K,則Ub、Ue、Uc的值分別為（ B ）A、3v、0.7v、12v B、2.4v、1.7v 、8.6v C、0.7v、0、0.7v 6、NPN型三極管放大器中，當(dāng)集電極電流增大時(shí)，則晶體三極管（B）。A、基極電流不變 B、集電極與發(fā)射極間電壓UCE下降C、集電極與發(fā)射極間電壓UCE上升四、簡(jiǎn)答題1、在共射極基本放大器中，Rb、Rc和UCE的改變，對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)有何影響？2、對(duì)于共射極基本放大器更換晶體三極管后，為什么有可能使放大器失去放大作用？略3、如果放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置合適，那么輸出信號(hào)還有可能失真嗎？為什么？略4、放大器在什么情況下將產(chǎn)生飽和或截止失真？輸出電壓的波形怎樣？略5、放大器中集電極電流IC不穩(wěn)定的主要原因是什么? 略6、簡(jiǎn)述分壓式偏置電路穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的源流。略五、分析計(jì)算題1、圖2-3-4a所示放大器中，已知UCEQ=0.7V. =50，求：（1）試計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）試計(jì)算電壓放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻（3）若將圖a中的三極管射極改為圖b所示連接，則上述各量哪些會(huì)變化，并計(jì)算之。截止失真應(yīng)減少Rb1飽和失真應(yīng)增大Rb1正負(fù)削頂失真適當(dāng)減小輸入信號(hào)2、在上題中u0波形出現(xiàn)如圖2-3-4c所示的三種情況，問(wèn)各為何種失真，應(yīng)怎樣消除。答：在上2-3-4c）圖中已有解答。3、在圖2-3-5所示電路中，已知：=100，UBE=0.6v，ICQ=3mA, Vcc=12v,Rc=1.5k,取UE=5UBE、I1=10IBQ。求：（1）Rb1、Rb2、Re的阻值。（2）試計(jì)算最大不失真輸出電壓的峰值U0m（不考慮UCES）。（3）試計(jì)算放大器的電壓放大倍數(shù)及輸入、輸出電阻。解：（1）Q不變因?yàn)橹绷魍窙](méi)變。（2）在交流通路2-4放大器的三種基本接法一、填空題1、放大器有 共射極 、 共集電極 和 共基極 三種基本組態(tài)，其中 共集電極 組態(tài)輸出電阻最低， 共基極 組態(tài)輸入電阻最低， 共射極 組態(tài)兼有電流和電壓兩種放大作用。2、共集電極放大器又稱 射極輸出器 它的特點(diǎn)是：電壓放大倍數(shù)小于 1 而接近于 1 ，輸出電壓與輸入電壓相位 相同 ，輸入電阻 大 輸出電阻 小 。3、共基極放大器輸入信號(hào)從三極管的 發(fā)射 極與 基極 極之間輸入，從 集電極 從 基 極與 基 極之間輸出， 基 極為公共端，最大的優(yōu)點(diǎn)是 高頻特性好 ，常用于 高頻振蕩器 和 寬頻帶放大器 電路中。4、電路如圖2-4-1所示，=100、UBEQ=0.7v，則靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ= 0.22mA , ICQ= 22mA ,UCEQ= 12v 。5、場(chǎng)效應(yīng)管放大器有 共源極 、 共漏極 和 共柵極 三種接法，耗盡型MOS管組成放大器可采用 共源自給偏置 路，增強(qiáng)型MOS管組成放大器，則要用 共源分壓偏置 電路。6、在基本放大器不能滿足性能要求時(shí)，常采用（1） 組合放大器 （2） 按有發(fā)射極電阻的共射放大器 （3） 采用有源負(fù)載的共射放大器 （4） 負(fù)反饋 等多種方法改善其性能。二、判斷題1、射極輸出器電壓放大倍數(shù)小于1，接近于1，所以射極輸出器不是放大器。（ ）2、射極輸出器的u0與ui之間只差UBEQ所以Au1。（ ）3、共基極放大器沒(méi)有電流放大作用，所以沒(méi)有功率放大能力。（ ）4、皆有發(fā)射極電阻的功射放大器Au-（RL/Re），所以電壓放大倍數(shù)和三極管無(wú)關(guān)。（ ）5、自偏壓電路只適用于耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。（ ）三、選擇題1、晶體三極管組成的三種組態(tài)放大器，其中輸入阻抗較大的是（ B ）。放大器。A、共射極 B、共集電極 C、共基極2、關(guān)于射極輸出器的錯(cuò)誤敘述是（ B ）。A、電壓放大倍數(shù)略小于1 ， B、電壓跟隨特性好 C、具有電流放大能力和功率放大能力3、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的主要優(yōu)點(diǎn)是（B ）。A、輸出電阻小 B、輸入電阻大 C、電壓放大倍數(shù)大4、場(chǎng)效應(yīng)管自偏壓電路中的電阻RG的主要作用是（C ）。A、防止輸入信號(hào)短路 B、提供偏置電流 C、提供偏置電壓四、簡(jiǎn)答題略五、分析、作圖、計(jì)算題1、畫出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏壓電壓電路和增強(qiáng)型MOS管分壓式偏置電路。2、在圖2-4-3所示的射極輸出器中，已知Vcc=12v,=60，Rb=200k，RL=2k,UBEQ=0.6v，RS=100,試求：（1）靜態(tài)值；（2）電壓放大倍數(shù)Au；（3）輸入、輸出電阻；（4）根據(jù)電路計(jì)算結(jié)果，說(shuō)明射極輸出器的特點(diǎn)。解：（1）靜態(tài)值（2）電壓放大倍數(shù)（3）輸入、輸出電阻（4）射極輸出器特點(diǎn)1）電壓放大倍數(shù)Au0.072）u0與ui相位相同3）輸入電阻大ri=72.9k4）輸出電阻小r0=59.12-5多級(jí)放大器1、填空題1、多級(jí)放大器的級(jí)間耦合方式有 阻容耦合 、 變壓器耦合 、 和 直接耦合 等四種。2、在多級(jí)放大器中 阻容耦合 和 變壓器 耦合，能使各級(jí)的靜態(tài)工作點(diǎn)相互獨(dú)立，為使前后及實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，應(yīng)采用 變壓器 耦合，如需放大直流信號(hào)，應(yīng)采用 直接 耦合，光電耦合適用于信號(hào)的 交流 和 直流 傳送。3、光電耦合放大器，前級(jí)的輸出信號(hào)通過(guò)發(fā)光二級(jí)管轉(zhuǎn)換成 光信號(hào) ，再由光電三極管將光信號(hào)還原為 電信號(hào) 經(jīng)放大后輸出。4、直接耦合放大器存在 前后及相互影響 及 設(shè)計(jì)調(diào)試 設(shè)問(wèn)題，但 信號(hào)傳遞 好，便于集成化5、在多級(jí)放大器中，前級(jí)是后級(jí)的 信號(hào)源 ，它的輸出電阻r0就是前級(jí)的 內(nèi)阻 。6、某二級(jí)放大器，Au1=100，Au2=1000，則總的放大倍數(shù)Au= 100000 總的電壓增益Gu= 100 。7多級(jí)阻容耦合放大器的輸入電阻，就是 第一級(jí) 放大器的輸入電阻，而輸出電阻，就是 最后一級(jí) 放大器的輸出電阻。8、放大器的頻率響應(yīng)，指放大器的 放大倍數(shù) 和信號(hào) 頻率 之間的關(guān)系，也稱放大器的 頻率特性 。9、阻容耦合放大器在低頻段放大倍數(shù)下降，主要是由 耦合電容 和 射極旁路電容 造成的；高頻段放大倍數(shù)下降，主要是由于 和 三極管、結(jié)電容、分布負(fù)載電容 造成的。10、當(dāng)放大器的電壓放大倍數(shù)下降為最大電壓放大倍數(shù)的 1/2 倍時(shí)，所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)頻率，分別稱為 下限 頻率和 上限 頻率，這兩個(gè)頻率之間的頻率范圍，稱為放大器的 通頻帶 它是放大器頻率響應(yīng)的重要指標(biāo)。11、多級(jí)放大器與單級(jí)放大器相比，電壓增益較 大 ，通頻帶較 窄 。二、判斷題1、直流放大器的級(jí)間耦合，可采用變壓器耦合。（ ）2、放大器的輸出阻抗是288，負(fù)載揚(yáng)聲器阻抗是8，如要實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，輸出變壓器的匝數(shù)比6:1.（ ）3、兩級(jí)阻容耦合放大器的電壓放大倍數(shù)，等于兩個(gè)單級(jí)放大器單獨(dú)工作時(shí)的電壓放大倍數(shù)的乘積。（ ）4、兩級(jí)阻容耦合放大器的通頻帶，比組成它的單級(jí)放大器通頻帶寬。（）、多級(jí)放大器的級(jí)數(shù)越多，電壓放大倍數(shù)越大，通頻帶越寬。（ ）6、阻容耦合放大器中，耦合電容對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路，因此電容兩端電壓為零。（ ）7、阻容耦合放大器的電壓放大倍數(shù)與信號(hào)頻率有關(guān)。（ ）三、選擇題1、放大器與負(fù)載之間要做到阻抗匹配，應(yīng)采用（ B ）。A、阻容 B、變壓器 C、直接2、阻容耦合放大器（B ）A、只能傳遞直流信號(hào) B、只能傳遞交流信號(hào) C、交直流信號(hào)都能傳遞3、直接耦合放大器（C ）A、只能傳遞直流信號(hào) B、只能傳遞交流信號(hào)C、交直流信號(hào)都能傳遞4、兩個(gè)單級(jí)放大器的通頻帶均為10kHz，將它們連接成兩級(jí)阻容耦合放大器后，總的通頻帶為（ D ）KHz。A、10 B、20 C、100 D、105、已知兩級(jí)阻容耦合放大器，兩級(jí)的電壓放大倍數(shù)分別為40 和50 ，兩級(jí)的相位差分別為100和80，則放大器的電壓放大倍數(shù)和相位差為（B ） A、90和180 B、2000和180 C、90和20D、2000和206、為使高輸出電阻的放大器與低阻抗的負(fù)載能較好結(jié)合，可在放大器和負(fù)載之間接入（ C ）電路。A、共射極 B、共基極 C、共集電極7、已知某三級(jí)放大器，各級(jí)電壓放大倍數(shù)分別為Au1、Au2、Au3，則總的電壓放大倍數(shù)是（ B ）。A、Au1+Au2+Au3 B、Au1Au2Au3C、Au1Au2Au3/38、已知某三級(jí)放大器，各級(jí)的增益為20dB、30dB、40dB,則總的增益為（ A ）。A、90dB B、24000dB C、8000dB四、簡(jiǎn)答題1、多級(jí)放大器有哪幾種耦合方式？各有何特點(diǎn)？分別適用于什么電路？2、在多級(jí)放大器中。射極輸出器如用于第一級(jí)或最后一級(jí)，各起什么作用？3、怎樣用電子電壓表或示波器測(cè)量放大器的頻率響應(yīng)?4、什么是放大器的頻率響應(yīng)？上下限頻率？通頻帶？五、分析計(jì)算題1、圖2-5-1所示兩級(jí)放大電路，已知Rb1=510k, Rb2=200K,Re1=10k,Rs=10K, RL=2K, Re2=2K, rbe1=1.6k, rbe2=0.6k, 1=2=50,求電路的輸入電阻ri和輸出電阻ro。解：先畫出兩級(jí)放大器的交流通路2、在途2-5-2兩級(jí)阻容耦合放大電路中，1=2=50 UBE1=UBE2=0.7V,Vcc=12v,要求：（1）畫交流通路，求總的電壓放大倍數(shù)；（2）求放大電路的輸入、輸出電阻。 2-6差分放大器和集成運(yùn)算放大器一、填空題1、用來(lái)放大直流信號(hào)的放大器稱 直接耦合 放大器，又稱 差分 放大器。2、直接耦合放大器中，需要重點(diǎn)解決的問(wèn)題是 零點(diǎn)漂移 和前后級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn) 相互影響 問(wèn)題。3、零點(diǎn)漂移是指，放大器的輸入信號(hào)為 零 時(shí)，輸出端出現(xiàn) 輸出不為零 的輸出量，產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是 溫度電源電壓 變化引起器件參數(shù)變化。4、直接耦合放大器的級(jí)數(shù)越多，放大倍數(shù)越 大 ，零點(diǎn)漂移越 嚴(yán)重 。5、抑制直流放大器零點(diǎn)漂移的有效電路是 差分放大器 ，通常用 共模抑制比 作為衡量差分放大器性能優(yōu)劣的指標(biāo)。6、抑制直流放大器零點(diǎn)漂移的兩條措施，一是依靠差分電路的 對(duì)稱性 ，二是依靠發(fā)射極電阻Re的 調(diào)節(jié) 作用。7、差分放大電路有 四 種連接方式，單端輸入和雙端輸入方式的差模輸入電阻 相等 ，雙端輸出時(shí)差模放大倍數(shù)與 單管電壓放大倍數(shù) 相同，共模放大倍數(shù)近似為 Ac=0 ，共模抑制比趨于 。8、在差分放大器中，大小相等、極性相等，極性（或相位）一致的兩個(gè)輸入信號(hào)為 共模 信號(hào)；大小相等，極性（或相位）相反的兩個(gè)輸入信號(hào)稱為 差模 信號(hào)。9、在差分放大器中，溫度變化引起一對(duì)差分管參數(shù)變化，相當(dāng)于輸入 一對(duì)共模 信號(hào)，發(fā)射極公共電阻Re對(duì) A共模電壓放大倍數(shù) 起抑制作用，對(duì) Ad差模電壓放大倍數(shù) 。10、在差分放大器的輸入信號(hào)中， 差模 信號(hào)是有用的信號(hào)， 共模 信號(hào)則是要設(shè)法抑制的信號(hào)。11、共模抑制比KCMR等于 差模電壓放大倍數(shù)對(duì)共模電壓放大倍數(shù) 之比，電路的CMR越 大 ，表明電路 對(duì)共模信號(hào)的抑制 能力越強(qiáng)。12、差分放大器兩邊的輸入等于分別為ui1=3v,ui2=-5v,輸入信號(hào)中的差模分量為 8v ，共模分量為 -1v 。13、差分放大器的調(diào)零電路有 發(fā)射極 調(diào)零電路和 集電極 調(diào)零電路，使靜態(tài)時(shí)雙端輸出電壓減小到 零 。14、用MOS管組成差分放大器，可使差分放大器 輸入電阻 提高、 噪聲 減小、 線性范圍 增大，這種電路形式在集成電路中有廣泛應(yīng)用。15、集成運(yùn)放屬于 多級(jí)直流放大 集成電路，是一個(gè) 高 增益的多級(jí) 直接 耦合放大器。16、集成電路按功能分，有 通用性 集成電路和 特殊性 集成電路兩大類。17、集成運(yùn)放電路的結(jié)構(gòu)由 輸入級(jí) 、 中間級(jí) 、 輸出級(jí) 和 偏置電路 四個(gè)基本部分組成。18、在圖2-6-1所示電路中，級(jí)間采用 直接 耦合方式，晶體管V1、V2組成 差分放大 電路，作用是 提高KCMR ，V3接成 共射極 電路，V4接成 共集電極 電路，作用是 有較高放大 能力，輸入端點(diǎn)“1”與輸出端點(diǎn)“3”的極性 相反 ，輸入端點(diǎn)“2”與輸出端點(diǎn)“3”的極性 相同 。19、集成運(yùn)放的等于傳輸特性分 線性 區(qū)和 非線性 區(qū)，線性區(qū)范圍 斜線部分 ，非線性區(qū)輸出電壓U0只有 +Uom 和 -Uo