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文檔簡介
第02講,3.1 半導體的基本知識,3.1.1 半導體材料,3.1.2 半導體的共價鍵結(jié)構(gòu),3.1.3 本征半導體、空穴及其導電作用,3.1.4 雜質(zhì)半導體,1.形成共價鍵結(jié)構(gòu)，導電能力較弱,接近絕緣體。,2.光照或受熱激發(fā)價電子成為自由電子，導電能力增強。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)或熱激發(fā)。,三. 本征半導體的共價鍵結(jié)構(gòu),可見：本征激發(fā)同時產(chǎn)生電子空穴對。,硅原子,空穴,自由電子帶負電，空穴帶正電，都是可以移動的粒子。,光照或受熱激發(fā)使半導體導電能力增強的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)或熱激發(fā)。 可見：本征激發(fā)同時產(chǎn)生電子空穴對。 自由電子帶負電的粒子 空穴帶正電的粒子 自由電子、空穴統(tǒng)稱為載流子。 四. 雜質(zhì)半導體 在本征半導體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。 為何呢？ 1、N 型半導體 在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷(或銻)。,施主離子,受主離子,a,b,c,b,a,5.在本征半導體中加入 元素可形成N型半導體，加入 元素可形成P型半導體。 a. 五價 b. 四價 c. 三價,I0,PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。 由此可以得出結(jié)
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