電池片清洗工序指導書

1、清洗操作規(guī)程一、目的 1.去除表面硅片有機物和金屬雜質(zhì)。 2.去除硅片表面機械損傷層。 3.在硅片表面形成表面組織，增加太陽光的吸收，減少反射。二、原理 單晶：利用堿溶液對單晶硅各個晶面腐蝕速率的不同，在硅表面形成金字塔狀的絨面?；瘜W反應方程式：Si +2NaOH+H2ONa2SiO3+2H2多晶：利用HNO3的強氧化性和HF的絡合性，對硅片進行氧化和絡合剝離，導致硅表面發(fā)生各向同性非均勻性腐蝕，形成類似凹陷坑狀絨面?；瘜W反應方程式：SI+4HNO3+6HFH2SiF6+4NO3+4H2O三、操作過程.生產(chǎn)準備1.穿好工作服、工作鞋、戴好工作帽，經(jīng)過手動風淋后進入車間，并帶上手套及口罩。2.需

2、要加物料的人員戴上安全眼鏡、防護面具、防酸堿圍裙、長袖防酸手套。.制絨過程1. 工藝參數(shù) 單晶物料NAOH（g）異丙醇（ml）清洗劑（ml）硅酸鈉（g）溫度()第一批1200800080020070第二批4001500200-70第三批3001200100-70第四批300800-100050-70以下物料追加就按第四批添加。 多晶 物料HFHNO3H2O溫度（）第一次77L187L176L8追加500ml900ml-82.清洗機操作順序 單晶池號1#2#6#7#8#9#10#11#12#13#14#15#溶液60清洗劑2瓶 的溶液常溫清水制絨池加料按工藝參數(shù)添加常溫清水常溫清水HF5瓶及HC

3、L4瓶的溶液常溫清水HCL8瓶的溶液常溫清水噴淋后出片時間240S50S 30M（可按情況調(diào)節(jié)）50S50S100S100S300S100S300S多晶池號2#4#5#6#9#10#11#12#13#14#15#溶液常溫清水制絨池按工藝參數(shù)添加堿液 2000GHCL1瓶溶液常溫清水常溫清水HF5瓶及HCL4瓶的溶液常溫清水HCL8瓶的溶液常溫清水噴淋后出片時間50S150S1M60S50S50S100S100S300S100S300S3.制絨要求單晶插片房插好片，按要求把硅片整齊放入塑料藍內(nèi)400片/批，然后放在清洗機上，啟動綠色按鍵，硅片到達指定位置后，在觸摸顯示屏上按下自動啟動。 制絨槽水

4、位到達預定刻度，開啟加熱開關，蓋上槽蓋。 當溫度顯示器達到制絨溫度時，先按工藝規(guī)定的配液比例加入NaOH，讓NaOH緩慢均勻的融入水溶液中，并攪拌均勻。 再按工藝配液比例加入異丙醇和清洗劑，充分攪拌均勻，過完超聲波的硅片便可以放入制絨池中制絨（兩者間隔時間最好保持在兩分鐘內(nèi)），蓋上蓋子，開始記時。 每個制絨池做完一批后，需要定量補料，范圍為根據(jù)實際生產(chǎn)出片制絨效果，結合工藝參數(shù)定奪。 多晶 插片房插好片，按要求把硅片整齊放入塑料藍內(nèi)400片/批，然后放在清洗機上，啟動綠色按鍵，硅片到達指定位置后，在觸摸顯示屏上按下自動啟動。 制絨槽水位到達預定刻度，開啟制冷機及循環(huán)泵，用測溫槍監(jiān)測溫度。 先按

5、工藝要求把制絨的物料加入制絨池內(nèi)，加料一定要緩慢準確添加，記好所加的物料數(shù)量。 每一批都要根據(jù)硅片減重及表面質(zhì)量，及時更改所加的物料。四、工藝控制要求 1.所有槽中的水必須一個班次更換一次，并清理槽內(nèi)碎片，制絨池一定要用異丙醇擦洗干凈后， 再用水沖洗干凈。2.停產(chǎn)的情況，則視制絨槽中情況補加物料。 3. 在硅片制絨好后，由于每次取片都會帶走部分溶液，應觀察每個槽中液位，如有達不到水位，應及時補水和藥液適量調(diào)整加入。 4.清洗工序做好各種表格記錄。五、過程檢驗1.生產(chǎn)過程中，制絨蓋子要關閉密合。2.各槽液位是否準確，溫度是否正常，不適合要及時調(diào)整。3.機械臂走位及定位準確、勾籃子準確。4.清洗槽

6、中無雜質(zhì)，無大量大塊碎硅片，如有則及時清理。5.當硅片放入制絨槽中，根據(jù)制絨效果抽片檢查腐蝕后硅片質(zhì)量，包括絨面外觀質(zhì)量，單晶外觀要求絨面灰暗，無明顯白斑、白點、不反光發(fā)亮、無籃子印。多晶外觀要求絨面灰暗，無反光發(fā)亮，無黃斑。六、注意事項1.每批投料前，需要檢查制絨液液位，及時調(diào)整。2.操作化學藥品時，一定要帶好防護面具和防護手套，操作化學藥品之前和之后都確?；瘜W品儲存罐開口密封，防止泄露和玷污危險發(fā)生。3.關注硅片絨面表面質(zhì)量，如不合格，及時通知當班工藝員。4.設備出現(xiàn)故障時，及時通知設備維修人員。5.地面或任何設備表面有化學藥品玷污時，及時清理防止危害。6.傳遞窗的臺面要定時清理，臺面上不得有灰塵、雜物。