一次N+光刻操作規(guī)范和技巧ppt課件.ppt

1、一次N+光刻操作規(guī)范和技巧,1,主要內(nèi)容,第一部分：工序介紹,第四部分：操作技巧,第二部分：操作流程,第三部分：操作規(guī)范,第五部分：設(shè)備相關(guān),第六部分：質(zhì)量控制,第七部分：安全生產(chǎn),工序介紹,一次光刻工序介紹（以SCR-6工藝為基礎(chǔ)） 一次光刻的前工序是鋁推進(jìn)擴(kuò)散，后工序是磷預(yù)沉積擴(kuò)散 操作過程主要利用光刻膠保護(hù)圖形，用腐蝕液腐蝕未保護(hù)區(qū) 光刻過程重要注意勻膠速度&時間，曝光對準(zhǔn)精度和光強，腐蝕液溫度和腐蝕時間,去砂 清洗,Al預(yù) 沉積1,鋁推 進(jìn)1,Al預(yù) 沉積2,磷予 沉積,磷推進(jìn),P+ 光刻,硼硅玻璃腐蝕,檢驗下交,鋁推 進(jìn)2,去磷吸收層,磷吸收 擴(kuò)散,噴硼 擴(kuò)散,N+光刻,工序介紹,一

2、次N+光刻設(shè)備清單,工序介紹,一次N+光刻工具清單,工序介紹,一次N+光刻藥品清單,操作流程,一次N+光刻操作流程（一）,領(lǐng)取硅片核對流程卡，確定硅片工藝流程、檢查硅片表面質(zhì)量，和硅片數(shù)量.,領(lǐng)取 硅片,勻膠,曝光,在硅片表面均勻涂保護(hù)膠。 將硅片用氣槍吹干凈，配好光刻膠，調(diào)節(jié)好勻膠轉(zhuǎn)速和時間。,選擇光刻板，調(diào)節(jié)好曝光時間和光強，對準(zhǔn)圖形后，選擇性曝光改變光膠特性，在顯影后留下圖形。,前烘,勻膠后硅片放入烘箱后烘烤加強膠粘附在硅片表面。 溫度：855度 時間：2030分,操作流程,一次N+光刻操作流程（二）,顯影,曝光后的硅片浸泡在顯影液內(nèi)顯影2次，每次50-60秒，再用定影液定影。,腐蝕 圖

3、形,將硅片插入花籃，放入602度腐蝕液中60-180秒，硅片表面脫水后，取出硅片沖凈,堅膜,放入烘箱堅膜，進(jìn)一步加強膠和硅片粘附 溫度:1505度 時間:305分鐘 取出自然冷卻30分鐘,質(zhì)量 檢查,檢查圖形是否正確，膠膜是否有缺陷。抽測陰極面系統(tǒng)缺陷。有缺陷則補膠或黑臘，嚴(yán)重則返工,操作流程,一次N+光刻操作流程（三）,去膠,自檢 下交,把硅片放入加熱的去膠液中，7-9分鐘煮干凈為止。取出 冷卻后用水沖至中性,填好流程卡，確認(rèn)好硅片數(shù)量，自檢完表面質(zhì)量后下交,腐蝕 標(biāo)記,詳細(xì)見標(biāo)記腐蝕課件,操作規(guī)范,領(lǐng)取硅片的操作規(guī)范（一）：生產(chǎn)條件,每天早班打掃衛(wèi)生，確保工作環(huán)境干凈，設(shè)備表面清潔無油漬

4、凈化度達(dá)到 1000(0.5um/min) 溫度：1828 濕度：40%65% 只允許使用黃光（檢查臺和化腐間除外）,OK,領(lǐng)取硅片的操作規(guī)范（二）,操作規(guī)范,操作規(guī)范,領(lǐng)取硅片的操作規(guī)范（三）不良圖片,水印,劃傷,花籃印,崩邊,圈印,勻膠和前烘操作規(guī)范（一）-設(shè)備開機(jī),操作規(guī)范,注：勻膠速度和勻膠時間 見附件,操作規(guī)范,勻膠和前烘操作規(guī)范（二）-勻膠作業(yè),放硅片 注意硅片表面和設(shè)備清潔，硅片要和甩膠頭同心,滴膠前，光刻膠要回溫24小時。把增粘劑和光膠按1：10配均勻后開始勻膠,操作規(guī)范,勻膠和前烘操作規(guī)范（二）-前烘作業(yè),溫度： 805度 時間：2030分鐘 取出冷卻： 20分鐘,前烘和曝光

5、間隔最長2小時,操作規(guī)范,對版和曝光操作規(guī)范（一）設(shè)備開機(jī),開電源,10鐘后打開汞燈開關(guān)，按下起輝按鈕4-5秒后松開,電流穩(wěn)定5A左右，電壓60V左右時可光刻,操作規(guī)范,對版和曝光操作規(guī)范（二）對版,安陰極板：用光刻版邊緣，對準(zhǔn)版架圖形。按“吸版”,根據(jù)流程卡選擇光刻板,操作規(guī)范,對版和曝光操作規(guī)范（二）對版,同樣辦法安陽極版,利用顯微對準(zhǔn)系統(tǒng)和調(diào)位旋鈕對準(zhǔn)標(biāo)記,操作規(guī)范,對版和曝光操作規(guī)范（三）曝光,按反吹鈕,按升降鈕,放硅片,操作規(guī)范,對版和曝光操作規(guī)范（三）曝光,插入花籃,曝光間隙要檢查對準(zhǔn)標(biāo)記是否漂移 至少20片檢查一次，若機(jī)臺穩(wěn)定可延長至一花籃檢查一次。,曝光時間：710S 光強：5

6、mw/cm2,操作規(guī)范,顯影和堅膜操作規(guī)范（一）準(zhǔn)備藥品,準(zhǔn)備顯影液 在石英缸加入RFH-2200顯影液 深度：淹沒硅片10mm,準(zhǔn)備定影液 在石英缸加入乙酸乙酯 深度：淹沒硅片 10mm,準(zhǔn)備去離子水,曝光和顯影時間間隔：60分鐘,操作規(guī)范,顯影和堅膜操作規(guī)范（二）顯影定影堅膜,顯影2次 每次時間：6010秒,定影 時間：203秒,操作規(guī)范,顯影和堅膜操作規(guī)范（二）顯影定影堅膜,沖洗 時間：103秒,堅膜 溫度：1505 時間： 305分 取出自然冷卻30分,操作規(guī)范,質(zhì)量檢查操作規(guī)范補黑臘或補膠,單面光刻：陽極面全補黑臘或補膠,雙面光刻：陽極面甩膠，缺陷點補黑臘或補膠,整流管：單面補黑臘，

7、不光刻。,補膠分三種情況：1.單面光刻 2.雙面光刻（此課件采用） 3.整流管,操作規(guī)范,質(zhì)量檢查操作規(guī)范檢測項目及修復(fù)和返工辦法,操作規(guī)范,光刻腐蝕操作規(guī)范（一）藥品準(zhǔn)備,藥品配比：氟化銨（39-41%）：氫氟酸（49%）=5000（ml）：800（ml）體積比 提前12個小時配好待用。,專用腐蝕槽中，加至60 2 ，腐蝕液深度：淹沒硅片 10mm,操作規(guī)范,光刻腐蝕操作規(guī)范（二）腐蝕,插入花籃,浸入腐蝕液 溫度：60 2 時間：60180S 深度：淹沒硅片10mm 腐蝕時注意檢查表面狀況,表面脫水后大量去離子水沖洗,操作規(guī)范,標(biāo)記腐蝕操作規(guī)范詳細(xì)見光刻標(biāo)記腐蝕操作規(guī)范和技巧,標(biāo)記腐蝕后,畫

8、臘保護(hù)圖形，露出腐蝕標(biāo)記,操作規(guī)范,去膠操作規(guī)范（一）藥品準(zhǔn)備,藥品配比：硫酸：硝酸=5：2體積比 。,加入石英缸中，1500-2000W電爐加熱，淹沒硅片10mm。重復(fù)使用每次加入硝酸100ml,操作規(guī)范,去膠操作規(guī)范（二）去膠操作,插入花籃,浸入去膠液，加熱除膠79分鐘,大量去離子水沖洗,操作規(guī)范,自檢下交的操作規(guī)范,操作技巧,勻膠操作技巧,甩膠頭安裝平整，常清潔 保證膠膜厚度均勻，無殘缺，不易飛片。,硅片甩膠前用氣槍吹硅片表面。 吹去表面顆粒物，甩膠時無三角缺口。曝光時不易刮壞光刻版，不易出現(xiàn)圖形缺陷。如：針孔或白點,操作技巧,曝光操作技巧,常檢查清潔光刻版，避免版穿或臟污出現(xiàn)曝光圖形缺

9、陷,對版后第一片硅片，要檢查硅片和版貼附情況，避免虛影,操作技巧,放入腐蝕液時，輕輕抖動花籃23次，從而使之前貼在一起的硅片分開，達(dá)到硅片表面充分接觸腐蝕液。,腐蝕操作技巧,冬天時，腐蝕液溫度偏高些，調(diào)高2,夏天時，腐蝕液溫度偏低些，調(diào)低2,操作技巧,除膠操作技巧,去膠液不要加熱太早，開始腐蝕氧化層時開始加熱即可,硅片放入時緩慢放入，避免硅片脫落,光刻機(jī)日常維護(hù)保養(yǎng)的方法,設(shè)備相關(guān),設(shè)備日常 維護(hù)保養(yǎng),光刻機(jī)使用注意事項,設(shè)備相關(guān),一次N+光刻質(zhì)量要求,質(zhì)量控制,圖形氧化層完整，正確，無變形。 圖形無毛刺、鉆蝕、劃傷 表面無腐蝕白點，光膠及黑臘去除干凈 硅片表面無殘留化學(xué)藥品，圖形保護(hù)無腐蝕及

10、染色現(xiàn)象 表面無手指印或其他油漬印,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題的原因及解決方法,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題的原因及解決方法,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題的原因及解決方法,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題的原因及解決方法,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題的原因及解決方法,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題圖片,劃傷,毛刺,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題圖片,染色,針孔,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題圖片,小島,陰極小白點,質(zhì)量控制,常見質(zhì)量問題圖片,陰極面條狀氧化層殘留,圖形缺口,一次N+光刻安全生產(chǎn)注意事項-設(shè)備安全方面：,愛護(hù)承片臺和版架，避免劃傷磕傷；常清潔,安全生產(chǎn),版架,承片臺,愛護(hù)顯微鏡，不要用手直接推/扭鏡頭和鏡筒,一次N+光刻安全生產(chǎn)注意事項-設(shè)備安全方面：,安全生產(chǎn),顯微鏡?？繀^(qū),曝光頭停靠區(qū),按“曝光位”按鈕前要確認(rèn)“顯微鏡?？繀^(qū)”和 “曝光頭?？繀^(qū)” 沒有物品或花籃,一次N+光刻安全生產(chǎn)注意事項-人員安全方面：,去膠時使用加熱的濃硫酸，防止硫酸飛濺傷到皮膚和眼睛，使用時戴橡膠手套，并且頭不能伸到通風(fēng)柜內(nèi),安全生產(chǎn),轉(zhuǎn)濃硫酸時，戴橡膠手套，輕拿輕放 防止打破石英缸，硫酸飛濺造成人身傷害,一次N+光刻安全生產(chǎn)注意事