T/CIE 117-2021MEMS器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法

ICS31200

CCSL.55

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE117—2021

MEMS器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法

MechanicalshocktestmethodforMEMSdevice

2021-11-22發(fā)布2022-02-01實(shí)施

中國電子學(xué)會發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE117—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

要求

4………………………1

大氣環(huán)境條件

4.1………………………1

沖擊試驗(yàn)設(shè)備

4.2………………………1

采集裝置

4.3……………1

試驗(yàn)

5………………………2

試驗(yàn)準(zhǔn)備

5.1……………2

試驗(yàn)條件

5.2……………2

機(jī)械沖擊試驗(yàn)程序

5.3…………………3

檢測和失效判據(jù)

6…………………………4

檢測

6.1…………………4

失效判據(jù)

6.2……………4

附錄資料性沖擊試驗(yàn)設(shè)備

A()…………6

參考文獻(xiàn)

………………………7

T/CIE117—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子學(xué)會可靠性分會提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所東南大學(xué)中國科學(xué)院微電子研究所

:、、。

本文件主要起草人黃欽文來萍董顯山蘇偉朱軍華恩云飛王磊焦斌斌

:、、、、、、、。

Ⅰ

T/CIE117—2021

引言

基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)所制備的器件在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用快速增長同時(shí)實(shí)際應(yīng)

(MEMS)MEMS,,,

用中發(fā)現(xiàn)機(jī)械沖擊是器件失效的主要應(yīng)力之一因此制定器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法變

,MEMS,,MEMS

得非常必要

。

器件具有微細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu)并且具有機(jī)電耦合特性其在機(jī)械沖擊下的響應(yīng)與傳統(tǒng)電子元

MEMS,,

器件截然不同現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)沒有考慮到器件的這種特點(diǎn)因此現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)中的機(jī)械沖擊方法難以

。MEMS,,

覆蓋器件在機(jī)械沖擊環(huán)境下的各種應(yīng)力狀況需要依據(jù)器件的特點(diǎn)針對性地制定機(jī)械

MEMS,MEMS

沖擊試驗(yàn)方法

。

Ⅱ

T/CIE117—2021

MEMS器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法

1范圍

本文件規(guī)定了器件在不加電加電狀態(tài)下的機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法的技術(shù)要求試驗(yàn)程序和檢

MEMS、、

驗(yàn)評價(jià)規(guī)則等

。

本文件適用于器件的研制生產(chǎn)和產(chǎn)品鑒定驗(yàn)收等階段目的在于評估器件在裝

MEMS、,MEMS

卸運(yùn)輸和使用環(huán)境中由于瞬時(shí)受力或者運(yùn)動(dòng)狀態(tài)突然發(fā)生變化而產(chǎn)生瞬間機(jī)械沖擊時(shí)的抗沖擊能

、,

力適用的機(jī)械沖擊脈沖寬度范圍為峰值加速度范圍為gg

。0.05ms~30ms,5~30000。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

4要求

41大氣環(huán)境條件

.

除另有規(guī)定外沖擊試驗(yàn)應(yīng)在下列規(guī)定的環(huán)境條件下進(jìn)行

,:

電測環(huán)境溫度要求+3其他試驗(yàn)環(huán)境溫度要求

a):25-2℃,:(25±10)℃;

相對濕度

b):45%~75%;

大氣壓力

c):86kPa~106kPa。

42沖擊試驗(yàn)設(shè)備

.

沖擊試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)能按規(guī)定對器件本體施加gg峰值加速度的半正弦波沖擊脈

MEMS5~30000()

沖其脈沖寬度為僅在實(shí)際工況有特殊需求時(shí)才考慮使用后峰鋸齒波梯形波等其

,0.05ms~30ms(,、

他脈沖波形峰值加速度容差不大于規(guī)定的脈沖寬度的絕對偏差應(yīng)不大于規(guī)定寬度的

),20%,±0.1ms

或取小值

±30%()。

沖擊試驗(yàn)設(shè)備不論類型均應(yīng)配套有可供調(diào)整XYZ和XYZ共個(gè)方向的夾具并