材料科學(xué)基礎(chǔ)I知到智慧樹(shù)期末考試答案題庫(kù)2025年湖南科技大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)I知到智慧樹(shù)期末考試答案題庫(kù)2025年湖南科技大學(xué)鮑林規(guī)則是用于判斷離子化學(xué)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的（

）條規(guī)則。

答案:5高價(jià)金屬氧化物的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:升高面心立方晶胞中的四面體空隙數(shù)為（

）

答案:8面心立方晶胞中的原子數(shù)分別是（

）

答案:4非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征是（）。

答案:非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征是（）。隨著氧化硼的加入，硅酸鹽熔體的粘度先降低后升高。（

）

答案:錯(cuò)銅屬于（

）

答案:金屬晶體鈦鐵礦和剛玉的晶體結(jié)構(gòu)是相同的。(

)

答案:對(duì)金剛石屬于（

）

答案:共價(jià)晶體重建性轉(zhuǎn)變的特點(diǎn)包括（

）。

答案:有舊鍵斷裂和新鍵形成；轉(zhuǎn)變速度慢

；需要的能量大通常堿金屬氧化物使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:降低選項(xiàng)中屬于晶帶軸[110]的晶面有（

）。

答案:選項(xiàng)中屬于晶帶軸[110]的晶面有（

）。負(fù)離子往往不易被極化。(

)

答案:錯(cuò)要使鋪展過(guò)程能自發(fā)進(jìn)行，鋪展系數(shù)必須小于或者等于0。

（

）

答案:錯(cuò)要使沾濕過(guò)程自發(fā)進(jìn)行，也就是要使粘附功（

）。

答案:大于0表面活性組分的加入，使熔體的表面張力（

）。

答案:降低螢石的硬度、熔點(diǎn)和密度比NaCl更高。(

)

答案:對(duì)菲克第一定律中的負(fù)號(hào)表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（）。

答案:相反若晶面指數(shù)相同，但正負(fù)符號(hào)相反，則兩組晶面是相互平行的。

答案:對(duì)置換剛玉晶胞中的2個(gè)3價(jià)鋁離子，便形成鈦鐵礦型結(jié)構(gòu)，置換方式有（

）。

答案:2價(jià)和4價(jià)的兩種陽(yáng)離子

；1價(jià)和5價(jià)的兩種陽(yáng)離子缺陷的產(chǎn)生，使晶體內(nèi)能升高，所以有缺陷的晶體是不穩(wěn)定的。（

）

答案:錯(cuò)結(jié)構(gòu)材料是利用材料的（

）。

答案:強(qiáng)度；韌性；硬度結(jié)構(gòu)材料是利用材料的(

)。

答案:強(qiáng)度

；韌性

；硬度組成晶體的基元數(shù)量和大小關(guān)系都相同，其結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同。(

)

答案:錯(cuò)線(xiàn)缺陷的特征是（

）

答案:一維方向上缺陷的尺寸很長(zhǎng)等徑球體最緊密堆積時(shí)，一個(gè)球周?chē)校?/p>

）個(gè)八面體空隙。

答案:6符合從熔體向晶體轉(zhuǎn)變過(guò)程的是（

）。

答案:具有固定溫度；熱效應(yīng)大；產(chǎn)生新相；性質(zhì)發(fā)生突變空間利用率為0.74的晶胞有（

）。

答案:面心立方晶胞

；六方晶胞離子晶體中，配位數(shù)大小與正、負(fù)離子半徑的比值無(wú)關(guān)。(

)

答案:錯(cuò)離子晶體中，正離子的配位數(shù)越多越穩(wěn)定。(

)

答案:對(duì)碘化銀晶體理論上是6配位結(jié)構(gòu)，但實(shí)際上卻是4配位結(jié)構(gòu)，原因有（

）。

答案:碘離子半徑大易被極化；碘銀鍵由離子鍵過(guò)渡為共價(jià)鍵；正負(fù)離子靠近，配位數(shù)降低硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si比的上升而上升。

答案:錯(cuò)硅酸鹽熔體中（

）可以使表面張力降低。

答案:O/Si比值變??；聚合陰離子團(tuán)變大硅酸鹽晶體中，硅氧四面體只能共頂連接，不能共棱或共面連接。（

）

答案:對(duì)珠光體組織的相組成為（）

答案:鐵素體+滲碳體熔體的表面張力和表面能的數(shù)值不相等。（

）

答案:錯(cuò)熔體中質(zhì)點(diǎn)間化學(xué)鍵的性質(zhì)對(duì)玻璃的形成也有重要作用，不能形成玻璃的鍵型是（

）。

答案:金屬鍵；離子鍵；共價(jià)鍵熔體中聚合陰離子團(tuán)的聚合程度低，（

）形成玻璃。

答案:不容易熱缺陷是溫度高于絕對(duì)零度時(shí)，由于質(zhì)點(diǎn)的熱振動(dòng)所產(chǎn)生的一種缺陷。（

）

答案:對(duì)熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷。（

）

答案:對(duì)溫度升高，質(zhì)點(diǎn)熱運(yùn)動(dòng)增加，體積膨脹，相互作用變?yōu)樗沙冢砻鎻埩档汀?/p>

答案:對(duì)清潔表面分為（

）。

答案:臺(tái)階表面；弛豫表面；重構(gòu)表面液體于固體表面不潤(rùn)濕時(shí)，粗糙度越大，越不利于潤(rùn)濕。

答案:對(duì)潤(rùn)濕的過(guò)程是體系吉布斯自由能（）的過(guò)程。

答案:降低氧化鋁瓷件表面上涂銀后，，下面正確的是（

）。

答案:接觸角大于90度；液體不能潤(rùn)濕固體氧化硼的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:先升高后降低正負(fù)離子半徑比：0.732≤r＋/r－<1，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:8正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位數(shù)是（

）

答案:4根據(jù)單鍵能的大小，可將不同氧化物分為（

）。

答案:玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體；網(wǎng)絡(luò)改變體；網(wǎng)絡(luò)中間體極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響有：（

）。

答案:正負(fù)電荷中心不重合

；離子間距離縮短

；離子鍵向共價(jià)鍵過(guò)渡材料的合成與加工包括材料制備、材料加工、表面工程和材料復(fù)合。(

)

答案:對(duì)材料的使用效能則隨工作環(huán)境不同而異，它與材料的固有性能無(wú)關(guān)。

答案:錯(cuò)最緊密堆積原理僅適用于離子晶體。(

)

答案:錯(cuò)晶面指數(shù)通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來(lái)表示。(

)

答案:錯(cuò)晶面指數(shù)代表了一組相互平行且無(wú)限大的晶面。(

)

答案:對(duì)晶胞的形狀和大小可用（

）個(gè)參數(shù)來(lái)描述。

答案:6晶核生成速率與晶體生長(zhǎng)速率的極大值所處的溫度相差越小，熔體越容易形成玻璃。（

）

答案:錯(cuò)晶向族包含了原子排列周期相同的所有晶向。(

)

答案:對(duì)晶向[110]不垂直于晶面(110)。(

)

答案:錯(cuò)晶體結(jié)構(gòu)缺陷按照其幾何形態(tài)可分為（

）

答案:點(diǎn)缺陷；線(xiàn)缺陷；面缺陷；體缺陷晶體結(jié)構(gòu)中的空間利用率最大值為0.74。(

)

答案:錯(cuò)晶體結(jié)構(gòu)中，氧離子做面心立方堆積，鋁離子填充了（

）八面體空隙

答案:1/2晶體的自發(fā)極化與（

）有關(guān)。

答案:晶體結(jié)構(gòu)

；環(huán)境溫度晶體中的每一個(gè)原子就是結(jié)構(gòu)基元。(

)

答案:錯(cuò)晶體中原子或分子的排列情況稱(chēng)為（

）

答案:晶體結(jié)構(gòu)晶體中，

作面心立方堆積，如圖所示，下列說(shuō)法正確的是（

）。

答案:配位數(shù)為8；配位數(shù)為4；占據(jù)所有四面體間隙是因?yàn)榉磻?yīng)物中離子濃度太少而產(chǎn)生的。（

）

答案:錯(cuò)新材料被列為《中國(guó)制造2025》十大優(yōu)先發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域之一。

答案:對(duì)新材料成為我國(guó)經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整的重要引擎和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的關(guān)鍵導(dǎo)向。(

)

答案:對(duì)按照質(zhì)點(diǎn)間結(jié)合力性質(zhì)的不同，可分為化學(xué)鍵和物理鍵，下列屬于化學(xué)鍵的有：（

）。

答案:離子鍵

；共價(jià)鍵我國(guó)新材料重點(diǎn)發(fā)展方向包括（

）。

答案:先進(jìn)基礎(chǔ)材料

；關(guān)鍵戰(zhàn)略材料

；前沿新材料影響熔體粘度的主要因素是溫度和化學(xué)組成。（

）

答案:對(duì)當(dāng)負(fù)離子配位多面體為立方體時(shí)，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:8當(dāng)負(fù)離子配位多面體為八面體時(shí)，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:6當(dāng)相鄰晶粒間的取向差角小于時(shí)，該晶界叫小角度晶界。（

）

答案:錯(cuò)當(dāng)某種液體在固體表面的接觸角為時(shí)，這種潤(rùn)濕是（）。

答案:浸濕當(dāng)某種液體在固體表面的接觸角為105度時(shí)，這種潤(rùn)濕是（

）。

答案:浸濕當(dāng)某種液體在固體表面的接觸角為0度時(shí)，說(shuō)明（

）能自發(fā)進(jìn)行。

答案:鋪展；浸濕；沾濕式中的硅氧鍵屬于（

）。

答案:極性共價(jià)鍵延展性最好的金屬的晶體結(jié)構(gòu)是（

）

答案:面心立方布拉菲點(diǎn)陣共有（

）種點(diǎn)陣

答案:14屬于前沿新材料的有（

）

答案:3D打印材料

；智能材料少量KCl溶入中，以正離子為基準(zhǔn)書(shū)寫(xiě)反應(yīng)方程式，有以下哪幾種產(chǎn)物（

）

答案:少量KCl溶入中，以正離子為基準(zhǔn)書(shū)寫(xiě)反應(yīng)方程式，有以下哪幾種產(chǎn)物（

）對(duì)鈮酸鋰晶體施加電場(chǎng)時(shí)，其折射率會(huì)發(fā)生變化，這種效應(yīng)稱(chēng)為（

）

答案:電光效應(yīng)對(duì)烴類(lèi)高分子來(lái)說(shuō)，扭曲的曲折鏈晶體結(jié)構(gòu)是具有最低位能的構(gòu)象。（

）

答案:錯(cuò)對(duì)大多數(shù)晶體來(lái)說(shuō)，質(zhì)點(diǎn)間的結(jié)合力屬于綜合性的。(

)

答案:對(duì)對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1分別為<15%，>30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:可以生成連續(xù)型固溶體

；不生成固溶體對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1>30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:不生成固溶體對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1=15%~30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:可以生成有限型固溶體孿生導(dǎo)致的變形量遠(yuǎn)大于滑移。

答案:錯(cuò)大多數(shù)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的晶體都具有理想結(jié)構(gòu)，很少有畸變。(

)

答案:錯(cuò)大多數(shù)AX化合物都屬于NaCl型結(jié)構(gòu)。(

)

答案:對(duì)型晶體結(jié)構(gòu)包括（

）

答案:鈣鈦礦型；鈦鐵礦型在間隙固溶體中，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散方式一般為（）。

答案:間隙機(jī)制在鈦酸鈣晶體中，鈣離子與鈦離子一起形成面心立方堆積。(

)

答案:錯(cuò)在等徑球最緊密堆積中，八面體空隙尺寸大于四面體空隙。(

)

答案:對(duì)在空間點(diǎn)陣中，每個(gè)陣點(diǎn)周?chē)沫h(huán)境一定是相同的。(

)

答案:對(duì)在硅酸鹽晶體中，硅氧四面體的頂點(diǎn)，即氧離子最多被（

）個(gè)硅氧四面體所共用。

答案:2在標(biāo)定晶面指數(shù)時(shí)，坐標(biāo)原點(diǎn)一定要設(shè)在待求晶面以外。(

)

答案:對(duì)在同一晶體中，可以存在多種配位多面體類(lèi)型。(

)

答案:錯(cuò)在單元非凝聚系統(tǒng)相圖中，固液界線(xiàn)上的相數(shù)和自由度分別為（）

答案:2，1在六方ZnS晶體中傳播聲波可產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這一現(xiàn)象稱(chēng)為（

）

答案:聲電效應(yīng)在書(shū)寫(xiě)點(diǎn)缺陷符號(hào)時(shí)，右上標(biāo)為?表示帶（

）個(gè)電荷。

答案:+1在（

）中，兩個(gè)共頂連接的硅氧四面體以共用氧離子為中心處于中心對(duì)稱(chēng)狀態(tài)。

答案:α-方石英固體表面吸附膜的存在使?jié)櫇裥阅埽?/p>

）。

答案:變差固體的表面能與表面張力數(shù)值相同。

答案:錯(cuò)固體的表面張力和表面能數(shù)據(jù)可以很容易地測(cè)定得到。（

）

答案:錯(cuò)同溫度下，下列組成中熔體粘度最大的是（

）。

答案:同溫度下，下列組成中熔體粘度最大的是（

）。合金容易形成成分可變、不遵守倍比定律的金屬化合物。(

)

答案:對(duì)可以形成玻璃的化合物的鍵型是（

）。

答案:極性共價(jià)鍵；金屬共價(jià)鍵發(fā)生擴(kuò)散時(shí)，擴(kuò)散的推動(dòng)力是（）。

答案:組元的化學(xué)位梯度雙鏈結(jié)構(gòu)的硅酸鹽晶體中，每個(gè)硅氧四面體有兩個(gè)氧離子和其它硅氧四面體共用。（

）

答案:錯(cuò)原子排列的周期性和對(duì)稱(chēng)性屬于（

）結(jié)構(gòu)。

答案:晶體原子之間通過(guò)共用電子對(duì)或通過(guò)電子云重疊而產(chǎn)生鍵合的晶體是（

）

答案:共價(jià)晶體原子(或離子)以熱振動(dòng)為推動(dòng)力通過(guò)由該種原子或離子所構(gòu)成的晶體，向著特定方向所進(jìn)行的遷移，這一過(guò)程是（）。

答案:自擴(kuò)散單鍵強(qiáng)<250kJ/mol，這類(lèi)氧化物屬于（

）。

答案:網(wǎng)絡(luò)改變體化學(xué)組成相同的物質(zhì)形成不同的晶體結(jié)構(gòu)，這種現(xiàn)象稱(chēng)為（

）

答案:同質(zhì)多晶化學(xué)組成相似或相近的物質(zhì)形成相同的晶體結(jié)構(gòu)，這種現(xiàn)象稱(chēng)為（

）

答案:類(lèi)質(zhì)同晶剛玉結(jié)構(gòu)中，為使鋁離子間距最遠(yuǎn)，鋁離子填充在八面體間隙時(shí)共有（

）形式。

答案:3刃位錯(cuò)具有唯一的滑移面，切應(yīng)力方向與位錯(cuò)線(xiàn)垂直。

答案:對(duì)關(guān)于鮑林規(guī)則，下列說(shuō)法正確的是（

）。

答案:正離子配位數(shù)取決于正負(fù)離子半徑比

；利用電價(jià)規(guī)則可判斷晶體是否穩(wěn)定關(guān)于等徑球最緊密堆積，下列說(shuō)法正確的是（

）。

答案:六方是按ABAB…層序密堆積

；面心立方按ABCABC…層序密堆積關(guān)于晶面間距，下列說(shuō)法正確的有（

）。

答案:低指數(shù)的晶面間距較大

；高指數(shù)的晶面間距則較小

；每一種晶體都有一套特征的晶面間距關(guān)于晶胞的描述，正確的是（

）。

答案:反映晶體周期性和對(duì)稱(chēng)性的最小重復(fù)單元

；是空間點(diǎn)陣的組成單元

；是具有代表性的單元、即最小平行六面體

；是晶格的組成單元關(guān)于晶向指數(shù)說(shuō)法正確的是（

）。

答案:若晶向的某坐標(biāo)值為負(fù)，則需相應(yīng)指數(shù)上加負(fù)號(hào)。；晶向指數(shù)代表在空間相互平行且方向一致的所有晶向。；若晶向所指的方向相反，則晶向數(shù)字相同但符號(hào)相反。關(guān)于不等徑球堆積的說(shuō)法正確的是（

）。

答案:較大球體作緊密堆積，較小球體填充在空隙中

；稍小球體填充在四面體空隙；稍大球體填充在八面體空隙

；不等徑球堆積的空間利用率可能超過(guò)74%關(guān)于不同類(lèi)型晶體的滑移，下列說(shuō)法正確的是（

）。

答案:金屬晶體質(zhì)點(diǎn)結(jié)合無(wú)方向性和飽和性，滑移容易；共價(jià)晶體質(zhì)點(diǎn)結(jié)合力大，滑移困難；離子晶體中正負(fù)離子吸引，滑移困難；金屬晶體中滑移系統(tǒng)越多，滑移越容易關(guān)于不一致熔融化合物的描述錯(cuò)誤的是（）

答案:有固定的熔點(diǎn)六方晶系中，晶面和晶向的4個(gè)指數(shù)全部都是獨(dú)立的。(

)

答案:錯(cuò)六方晶系中，4指數(shù)的晶向指數(shù)在必要時(shí)可按一定的規(guī)則轉(zhuǎn)換成3指數(shù)的。(

)

答案:對(duì)假設(shè)αβγ原子半徑分別為1.6、1.4和1.25，僅從尺寸因素考慮，它們之間能形成連續(xù)置換型固溶體的是（

）

答案:αβ低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（

）。

答案:負(fù)離子空位

；間隙正離子位錯(cuò)線(xiàn)與原子滑移方向（伯氏矢量b）平行的是（

）

答案:螺位錯(cuò)位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)方式有（

）

答案:滑移；攀移位移性轉(zhuǎn)變只涉及鍵長(zhǎng)和鍵角的調(diào)整。(

)

答案:對(duì)從熔體向玻璃的轉(zhuǎn)變過(guò)程是在一定的溫度范圍內(nèi)完成的。（

）

答案:對(duì)二元相圖中，關(guān)于低共熔點(diǎn)的描述錯(cuò)誤的是（）

答案:兩相共存兩種不同元素結(jié)合成晶體時(shí)，隨兩元素電負(fù)性差值增大，鍵的極性逐漸減弱。

答案:錯(cuò)兩個(gè)配位多面體連接時(shí)，隨著共用頂點(diǎn)數(shù)的增加，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性增加。(

)

答案:錯(cuò)不管對(duì)什么液體和固體，沾濕過(guò)程總能自發(fā)進(jìn)行。（

）

答案:對(duì)下列晶系中只有一種布拉菲點(diǎn)陣的是（

）。

答案:三斜

；六方

；三方下列屬于離子晶體的有（

）。

答案:氯化鈉

；氯化鉀下列屬于材料物理性質(zhì)的是（

）。

答案:電學(xué)下列屬于晶帶軸[111]的晶面有（

）。

答案:下列屬于晶帶軸[111]的晶面有（

）。下列屬于晶帶軸[111]的晶面有：（

）。

答案:下列屬于晶帶軸[111]的晶面有：（

）。下列屬于共價(jià)晶體的有（

）。

答案:金鋼石

；單晶硅下列屬于<210>晶向族的晶向有（

）。

答案:[102]

；[120]

；[201]

；[210]下列屬于<123>晶向族的晶向有（

）。

答案:下列屬于<123>晶向族的晶向有（

）。下列屬于<112>晶向族的晶向有（

）。

答案:下列屬于<112>晶向族的晶向有（

）。下列屬于<110>晶向族的晶向有哪些？（

）

答案:[100]

；[110]下列屬于{120}晶面族的晶面有（

）。

答案:(210)

；(201)

；(102)

；(120)下列屬于{110}晶面族的晶面有哪些？（

）。

答案:下列屬于{110